Π‘Π°ΠΊΠ°Π»Π°Π²Ρ€
Π”ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ курсовыС Π½Π° Π·Π°ΠΊΠ°Π·

Анализ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Как слСдуСт ΠΈΠ· Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния силового транзистора, напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ транзистора ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ нарастаСт нСпосрСдствСнно послС окончания ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π° проводимости, фактичСски, ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π² ΡΠΈΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° схСмы Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Π° лишь ΠΏΡ€ΠΈ использовании ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ управляСмых силовых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ²… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Анализ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅ΠΌ обоснованиС Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ„Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° напряТСния.

ΠžΠ΄Π½ΠΎΡ„Π°Π·Π½Π°Ρ мостовая схСма транзисторного Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ½ΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° напряТСния, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰Π°ΡΡΡ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· ΡΠ°ΠΌΡ‹Ρ… распространСнных схСм Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, особСнностСй структуры схСм ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… процСссов Π² Π½ΠΈΡ…. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ„Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ мостового транзисторного ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° напряТСния ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 9 [1].

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ„Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ мостового транзисторного ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° напряТСния.

Рисунок 9 — Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ„Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ мостового транзисторного ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° напряТСния.

Рассмотрим Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ схСмы ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ симмСтричном ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ условии, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзисторы VT1, VT2 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΈ Π½Π°Ρ…одятся Π²ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии 180 градусов ΠΏΠΎ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‚Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π° Ρ‚ранзисторы VT3, VT4 Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ, Π½ΠΎ ΡΠΎ ΡΠ΄Π²ΠΈΠ³ΠΎΠΌ ΠΏΠΎ Ρ„Π°Π·Π΅ Π½Π° 180 градусов ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π΅ транзисторов.

Π’Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ„Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 9. ΠŸΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ транзисторов VT1, VT2 Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° b ΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π·Π°ΠΆΠΈΠΌΡƒ источника питания, Π° Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° a ΠΊ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ нарастаСт Ρ‚ΠΎΠΊ i2 Π² Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Π½Π° ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ эдс самоиндукции Π² ΡΡ‚ΠΎΠΌ случаС прСпятствуСт ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π΅. Π’ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ ΠΈ = Ρ€ Ρ‚ранзисторы VT1, VT2 Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ размыкаСтся. Однако, благодаря энСргии запасСнной Π² ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ивности Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ поддСрТиваСтся Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ Π­Π”Π‘ самоиндукции, ΠΏΡ€ΠΈ этом Π·Π½Π°ΠΊ этой Π­Π”Π‘ мСняСтся Π½Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² VD3, VD4. ΠŸΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° VD3 Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° a ΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π·Π°ΠΆΠΈΠΌΡƒ источника питания, Π° Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° b — ΠΊ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСния Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ мСняСтся Π½Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ, нСзависимо ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Π»ΠΈ транзисторы VT3, VT4 ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅Ρ‚. На ΡΡ‚ΠΎΠΌ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ивности Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ VD3, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· источник Ed Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ VD4 Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ. ΠŸΡ€ΠΈ этом обСспСчиваСтся сброс энСргии, запасСнной Π² ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ивности Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ Π² ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ питания. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ силовым транзисторам, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. Для Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΊ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρƒ спада Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π΄ΠΎ Π½ΡƒΠ»Ρ, транзисторы VT3, VT4 Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ всСх процСссов с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. На Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 10 (Π°) ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Ρ‹ проводимости силовых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ²:

Π»1 — ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» проводимости Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² VD1. VD2;

Π»2 — ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» проводимости транзисторов VT1, VT2;

Π»3 — ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» проводимости Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² VD3, VD4;

Π»4 — ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» проводимости транзисторов VT3, VT4.

Π’Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ„Π°Π·Π½ΠΎΠΉ мостовой схСмы ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° напряТСния.

Рисунок 10 — Π’Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ„Π°Π·Π½ΠΎΠΉ мостовой схСмы ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° напряТСния.

На Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 10 (Π±) прСдставлСна кривая Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π°, которая ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния кривая Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° совпадаСт с ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ измСнСния полярности Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния кривая Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΏΠ΅Π²Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€Ρ‹Π² ΠΈ Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния кривая Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° повторяСт ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Π½ΠΎ Ρ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½Π΅Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Id ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅Ρ‚ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΎΡ‚Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ ΠΎΡ‚ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠ° питания. Π Π°Π·Ρ€Ρ‹Π²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡŠΡΠ²Π»ΡΠ΅Ρ‚ ТСсткиС трСбования ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ источника питания, особСнно Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ высоких частот. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ АИН устанавливаСтся ёмкостный Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 8 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠΌ. На Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 10 (Π², Π³, Π΄) ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΌ транзистора VT1, Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора VT1 ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° VD1, соотвСтствСнно. ПослС окончания процСссов ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ эти напряТСния Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ источника питания Ukm = Ubm = Ed.

Как слСдуСт ΠΈΠ· Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния силового транзистора, напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ транзистора ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ нарастаСт нСпосрСдствСнно послС окончания ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π»Π° проводимости, фактичСски, ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π² ΡΠΈΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° схСмы Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Π° лишь ΠΏΡ€ΠΈ использовании ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ управляСмых силовых ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ², ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΡƒΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ схСмы управлСния рассмотрим Π² Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ 3.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ