Бакалавр
Дипломные и курсовые на заказ

Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов AIIIBV

Диссертация: Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов AIIIBV
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

По результатам исследований получено одно свидетельство об официальной регистрации программы, опубликовано 15 печатных работ, в которых изложены основные положения диссертации, в том числе 7 статей, из них 2 опубликованы в реферируемых изданиях, а именно: 1 статья в Известиях Вузов, Северо-Кавказский регион. Технические науки, Новочеркасск- 1 статья в Известиях Вузов «Физика», Томск. Основные… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. Обзор литературы и постановка задачи исследования
    • 1. 1. Свойства и применение многокомпонентных твердых растворов на основе AmBv
    • 1. 2. Гетеропереходы П-го типа
    • 1. 3. Фазовые равновесия в многокомпонентных гетеросистемах на основе AinBv
    • 1. 4. Термодинамическая устойчивость и ограничения многокомпонентных твердых растворов
    • 1. 5. Распределение компонентов в твердых растворах, формируемых методом ГЖК
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1
  • ГЛАВА 2. Технология и аспекты процессов получения и исследования многокомпонентных твердых растворов
    • 2. 1. Аппаратурно-методическое оформление ГЖК многокомпонентных твердых растворов на основе АШВУ
    • 2. 2. Аппаратурно-методическое оформление ЖФЭ тонких многослойных ПТР на основе соединений AmBv
    • 2. 3. Поверхностно-чувствительные методы, применяемые для анализа пятикомпонентных гетероструктур на основе АШВУ
      • 2. 3. 1. Метод оже-спектроскопии (ЭОС)
      • 2. 3. 2. Метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС)
      • 2. 3. 3. Метод масс-спектрометрии вторичных нейтральных частиц
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2
  • ГЛАВА 3. Модель EFLCP в описании интерфазных взаимодействий
  • ПТР, и моделирование зонных диаграмм гетероструктур Н-го типа
    • 3. 1. Диаграммы плавкости систем на основе AmBv
    • 3. 2. Термодинамическая модель расчета фазовых равновесий ПТР
      • 3. 2. 1. Термодинамическая модель EFLCP для системы AxB|.xCyDzEi.y.z
      • 3. 2. 2. Термодинамическая модель EFLCP для системы AxByC|.x.yDzE]z
    • 3. 3. Расчет энергетических диаграмм гетероструктур П-го типа
      • 3. 3. 1. Определение параметров ПТР
      • 3. 3. 2. Модель расчета энергетических диаграмм исследуемых гетероструктур П-го типа
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3
  • ГЛАВА 4. Исследование полученных гетероструктур на основе
  • ПТР AmBv, изопериодных подложкам GaSb и In As
    • 4. 1. Обоснование выбора гетероструктур на основе пятикомпонентных твердых растворов
    • 4. 2. Особенности получения пятикомпонентных твердых растворов на основе AniBv
    • 4. 3. Гетероструктуры на основе ПТР AmBv, изопериодные подложкам GaSb и InAs
      • 4. 3. 1. Однослойные гетероструктуры на основе ПТР GalnPAsSb, изопериодные подложкам GaSb и InAs
      • 4. 3. 2. Однослойные гетероструктуры на основе ПТР AlGalnAsSb, изопериодные подложкам GaSb
      • 4. 3. 3. Многослойные гетероструктуры на основе ПТР GalnPAsSb и AlGalnAsSb, изопериодные подложкам GaSb
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4

Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов AIIIBV (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Одной из важнейших составляющих современного развития микроэлектроники является разработка теоретических представлений и эффективных технологий получения совершенных полупроводниковых материалов и приборов на их основе.

Несмотря на устойчивый интерес к многокомпонентным твердым растворам и имеющиеся достижения в этой области, описание процессов из жидкой фазы носит эмпирический характер. Отсутствует четкая концепция прогнозирования как свойств, так и технологических режимов получения твердых растворов, изопериодных подложкам.

Поэтому актуальным является разработка методологии получения многокомпонентных твердых растворов с заданными свойствами, установление фундаментальных связей между термодинамическими параметрами компонентов, составляющих твердый раствор, и применение новых комплексных теоретических и экспериментальных подходов к исследованию и прогнозированию их свойств.

Цель и задачи диссертационного исследования.

Целью данной диссертационной работы является разработка и получение пятикомпонентных твердых растворов на основе соединений AniBv методами градиентной жидкофазной кристаллизации (ГЖК) и жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ), а также комплексное теоретическое и экспериментальное исследование полученных гетероструктур. Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

— расчет фазовых равновесий. на основе термодинамической модели «Избыточные функции как линейные комбинации химических потенциалов» (EFLCP);

— разработка математической модели расчета энергетических диаграмм и ее программная реализация;

— выбор и разработка технологии создания гетероструктур из пятикомпонентных твердых растворов на подложках антимонида галлия и арсенида индия;

— разработка технологии и получение многослойных гетероструктур;

— исследование составов полученных твердых растворов методами масс-спектрометрии вторичных нейтральных частиц (МСВН), оже-электронной спектроскопии (ЭОС) и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС).

Научная новизна диссертационного исследования.

1. Разработана термодинамическая модель расчета фазовых равновесий пятикомпонентный твердый раствор — пятикомпонентный жидкий раствор в рамках модели «Избыточные функции — линейные комбинации химических потенциалов» (EFLCP).

2. Разработана и программно реализована модель расчета энергетических диаграмм гетеропереходов И-го рода на основе пятикомпонентных твердых растворов, позволяющая связать параметры структуры ' (состав слоев, уровень легирования) с электрофизическими характеристиками.

3. На основе совместного анализа энергетических диаграмм и условий фазовых равновесий были определены составы, рекомендуемые для получения однослойных и многослойных структур с гетеропереходами П-го типа на основе пятикомпонентных твердых растворов GalnPAsSb, AlGalnAsSb изопериодных GaSb и GalnPAsSb изопериодных InAs.

4. Получены эпитаксиальные слои пятикомпонентных твердых растворов GalnPAsSb на подложках антимонида галлия и арсенида индия методами ГЖК и ЖФЭ, а также методом ЖФЭ — широкозонные эпитаксиальные слои пятикомпонентного твердого раствора AlGalnAsSb изопериодного GaSb и многослойные структуры GaSb/GalnPAsSb/GaSb, AlGalnAsSb/GalnPAsSb/ GaSb.

5. Впервые методами масс-спектрометрии вторичных нейтральных частиц, ожеи фотоэлектронной спектроскопии исследован элементный состав синтезированных структур. На основе полученных концентрационных профилей элементов по глубине предложен оптимальный состав гетероструктур.

Практическая значимость результатов исследования.

1. Представленная в диссертационной работе методика расчета гетерогенных равновесий, а также компьютерное моделирование эксперимента позволяют прогнозировать результаты эпитаксии многокомпонентных твердых растворов соединений АШВУ, проводить корректировку и оптимизацию технологического процесса формирования полупроводниковых гетероструктур.

2. Разработанная методика выращивания эпитаксиальных слоев пятикомпонентных твердых растворов GalnPAsSb на подложках антимонида галлия и арсенида индия методами ГЖК и ЖФЭ, а также методика выращивания многослойных гетероструктур транзисторного типа GaSb/GalnPAsSb/GaSb, AlGalnAsSb/GalnPAsSb/GaSb на подложках антимонида галлия методом ЖФЭ могут найти применение в технологии изготовления светои фотодиодных структур.

3. Разработанная программа для обработки электронных спектров нашла применение на кафедре электроники и микроэлектроники, кафедре химии ГОУ ВПО «СевКавГТУ» (подтверждено актом внедрения) и может применяться для решения любых задач дисперсионного анализа.

Достоверность научных положений и результатов исследования.

Достоверность результатов обеспечивается использованием хорошо зарекомендовавших себя аналитических и численных методов математики, физической химии, физики твердого тела, строгой обоснованностью приближений в описании моделей твердого раствора и зонных диаграмм, использованием поверхностно-чувствительных методов исследования (масс-спектрометрии вторичных нейтральных частиц, ожеи фотоэлектронной спектроскопии), согласованием экспериментальных результатов с предсказанными теоретически, в том числе и других авторов.

Основные научные положения, выносимые на защиту- 1. Термодинамическое описание фазового равновесия на основе модели «Избыточные функции — линейные комбинации химических потенциалов» (eflcp), позволяющее определить исходные данные для получения твердых растворов требуемых составов методами, использующими жидкую фазу.

2. Модель расчета энергетических диаграмм гетеропереходов Н-го рода на основе пятикомпонентных твердых растворов, связывающая параметры структуры (состав слоев, уровень легирования) с электрофизическими характеристиками.

3. Теоретическое и экспериментальное обоснование положения о том, что метод ГЖК оказывается предпочтительней при получении однослойных структур GalnPAsSb/GaSb и GalnPAsSbAnAs, как обеспечивающий меньший разброс отклонений от заданного состава и более высокое кристаллическое совершенство. Для получения более тонких эпитаксиальных слоев необходимо применять метод ЖФЭ, использующий способ быстрого протаскивания подложки под ростовым расплавом, помещенным в узкую вертикальную щель. Метод ЖФЭ является единственным методом, обеспечивающим удовлетворительный результат при получении многослойных структур транзисторного типа GaSb/GalnPAsSb/GaSb, AlGalnAsSb/GalnPAsSb/GaSb на подложках антимонида галлия.

4. Свойства пятикомпонентных гетероструктур, привлекательных с точки зрения их применения, по данным концентрационных профилей определяются топологией структур, формируемых в процессе ГЖК или ЖФЭ: состоянием и протяженностью межслойных границ, концентрацией элементов, величиной упругих напряжений на границах.

Апробация и внедрение результатов исследования Основные результаты работы докладывались и обсуждались на ежегодных семинарах кафедры физики ГОУ ВПО «СевКавГТУ» и кафедры физики ГОУ ВПО «ВИЮРГТУ», а также ежегодных научно-технических конференциях по результатам работы ППС аспирантов и студентов СевКавГТУ, на десятой научно-технической конференции с участием зарубежных специалистов «Вакуумная наука и техника» (Судак, 2003 г.), на первой международной научно-технической конференции.

Инфотелекоммуникационные технологии в науке, производстве и образовании" (Ставрополь 2004), на V международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск 2005).

Работа проводилась в рамках научного направления, принятого на кафедре: «Исследование межфазных границ раздела в системах различной химической природы», номер договора С53/31.

Публикации.

По результатам исследований получено одно свидетельство об официальной регистрации программы, опубликовано 15 печатных работ, в которых изложены основные положения диссертации, в том числе 7 статей, из них 2 опубликованы в реферируемых изданиях, а именно: 1 статья в Известиях Вузов, Северо-Кавказский регион. Технические науки, Новочеркасск- 1 статья в Известиях Вузов «Физика», Томск. Основные результаты работы получены автором самостоятельно.

Структура и объем работы.

Диссертация изложена на 177 печатных страницах текста, состоит из введения, четырех глав, заключительных выводов, списка используемой литературы из 155 наименований и трех приложений. Диссертация содержит 50 рисунков и 6 таблиц.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ РАБОТЫ.

1. На основе термодинамической модели «Избыточные функциилинейные комбинации химических потенциалов» (EFLCP) построена математическая модель расчета фазовых равновесий для систем AxB]. xCyDzEj.y.z, AxByCi.x.yDzE]z. Модель учитывает все парные и тройные, дополнительные к парным, межатомные взаимодействия в расплаве и позволяет достаточно точно описывать диаграммы многокомпонентных систем. Алгоритм программы реализован на языке Borland С++ Builder 6.0.

2. Разработана и реализована в программно-ориентированной среде Delphy 7.0 модель расчета энергетических диаграмм, позволяющая связать параметры структуры (состав слоев, уровень легирования) с их электрофизическими характеристиками. Подсистема визуализации данных процесса моделирования позволяет анализировать структурные и физико-химические характеристики в ходе компьютерного эксперимента, а также строить модели гетеропереходов. Варьируя состав твердого раствора GalnPAsSb, изопериодного GaSb или InAs, можно изменять степень перекрытия зон на гетерогранице и получать как ступенчатые, так и разъединенные гетеропереходы П-го типа.

3. По результатам теоретических расчетов определены наиболее предпочтительные однослойные и многослойные структуры на базе гетеропереходов П-го типа для практического применения в ИК диапазоне. Таковыми являются: GaojIno.9Po.1Aso.673Sbo.227/GaSbGao JnojPo.osAso.uSbojs/InAsGaSb/Ga0, In0.9P0. iAs0. rmSb 0.227/GaSbA l0.2Ga0. eslno. 120. ngSbom/ Ga0. jln0.9P0.1 Aso.673Sbo.227/Gao.5Sbo.5.

4. Разработана технология получения пятикомпонентных твердых растворов на основе соединении AIHBV методами ГЖК и ЖФЭ. Выбраны оптимальные температурно-временные режимы получения ПТР. Получены однослойные и многослойные фосфори алюминийсодержащие гетероструктуры изопериодные подложкам из арсенида индия и антимонида галлия: GalnPAsSb/GaSb, GaInPAsSb/InAs, AlGaInAsSb/GaSb, GaSb/ GalnPAsSb/GaSb, AlGalnAsSb/GalnPAsSb/GaSb.

5. Проведена модернизация комплекса поверхностно-чувствительных методов внедрением цифро-аналогового комплекса и программного обеспечения. Это позволило значительно повысить точность измерений, упростить и облегчить процесс обработки данных.

6. Впервые методами масс-спектрометрии, оже-спектроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии получены концентрационные профили распределения элементов по глубине синтезированных гетероструктур, что позволило определить составы структур и толщины гетеропереходов. По результатам экспериментальных данных выявлено различие в характере отклонения от предполагаемого состава в зависимости от метода получения. Это сказалось на ширине запрещенной зоны полученных пятикомпонентных твердых растворов, что подтвердилось смещением пиков в спектрах люминесценции.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур / Ж. И. Алферов // ФТП. 1998. — Т. 32. — Вып. 1. — С. 3−18.
  2. , Ж.И. Двойные гетероструктуры: концепция и применения в физике, электронике и технологии / Ж. И. Алферов // УФН. 2002. — Т. 172. -Вып 9. — С. 1068−1087.
  3. , Ж.И. Физика и жизнь. / Алферов Ж. И. Изд. 2-е, СПб.: Наука, 2001.
  4. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии // Под ред. Д. Бриггса, М. П. Сиха. М.: Мир, 1987. — 600 с.
  5. Анализ фазовых равновесий в системе In-As-Sb с использованием модели квазирегулярных ассоциированных растворов / А. Н. Баранов, A.M. Литвак, Т. В. Чернева, С. Г. Ястребов // Известия АН СССР Неорганические материалы. -1990.-Т. 26.-Вып. 10.-С. 2021−2025.
  6. , Т.Г. Термодинамический анализ устойчивости пятикомпонентных гетероструктур соединений АШВУ / Т. Г. Аскарян, В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин // Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. 1989. -Т. 25.-С. 540−546.
  7. Атлас оже-спектров чистых материалов / Горелик В. А., Протопопов О. Д. и др.-НИИ, 1984.-64 с.
  8. , А.А. Физико-технологические основы электроники. / А. А. Барыбин, В. Г. Сидоров СПб.: Изд-во Лань, 2001. — 267с.
  9. , А.В. Низкоразмерные структуры AlxGaI.x.yInySb, кристаллизующиеся в гетеросистеме Al-Ga-In-Sb-Bi / А. В. Благин // Изв. Вузов Сев.-Кав. регион. Естеств. науки. 2002. — № 1. — С. 80−84.
  10. , А.В. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов / А. В. Благин,
  11. B.Н. Лозовский, Л. С. Лунин. Ростов н/Д: СКНЦ ВШ, 2003. — 376 с.
  12. , Л.В. Кристаллизация твердых растворов InSbBi, AlInSbBi и AlGalnSbBi с заданным энергетическим спектром в поле температурного градиента : автореф. дис. канд. техн. наук / Благина Лариса Васильевна. — Новочеркасск, 2001. 24 с.
  13. В.И. Физико-технические основы технологии получения толстых полупроводниковых слоев для твердотельной электроники методом зонной перекристаллизации градиентом температуры : автореф. дис. кан. техн. наук / Буддо В. И. Таганрог, 1982. — 22 с.
  14. , Д.П., Звеков В. Ю., Хабибулин И. М. Рентгеноэлектронный спектрометр, управляемый цифроаналоговым комплексом на базе IBM PC/AT / Д. П. Валюхов, В. Ю. Звеков, И. М. Хабибулин // ПТЭ. 1998. — № 2.1. C. 162−163.
  15. , В.Н. Термодинамический расчет фазовых равновесии для многокомпонентных твердых растворов с эквиатомным катионно-анионным соотношением / В. Н. Вигдорович, А. А. Селин, В. А. Ханин // Докл. АН СССР. — I960. Т. 252. — Вып. 2. — С. 406−410.
  16. Высокоэффективные светодиоды на основе InGaAsSb (к=2.2 мкм., г|=4%, Т=300 К) / А. Андаспаева, А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, А. Н. Именков,
  17. A.M. Литвак, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев // Письма в ЖТФ. 1988. — Т. 14. -Вып. 9.-С. 845−849.
  18. Высокоэффективные концентраторные (2500 солнц) AlGaAs/GaAs -солнечные элементы / В. М. Андреев, В. П. Хвостиков, В. Р. Ларионов,
  19. B.Д. Румянцев, Е. В. Полева, М. З. Шварц // ФТП. 1999. — Т. 33. — Вып. 9.1. C. 1070−1072.
  20. Высокоэффективные светодиоды на 3.4−4.4 цгп на основе p-AlGaAsSb/ n-InGaAsSb/n-AlGaAsSb, работающие при комнатной температуре / Б. Е. Журтанов, Э. В. Иванов, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, А. Е. Розов,
  21. Н.Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев // Письма в ЖТФ. 2001. — Т. 27. — Вып. 5. -С. 1−7.
  22. , С.Н. К методике исследования кинетики кристаллизации методом ЗПГТ при снижении температуры с постоянной скоростью / С. Н. Гармашов, В. Ю. Гершанов // Кристаллизация и свойства кристаллов, Новочеркасск 1985. — С. 66−72.
  23. Гетеропереходы AlxGai. xAs-GaAs: Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов / Ж. И. Алферов, В. М. Андреев,
  24. B.И. Корольков, E.JI. Портной, Д.Н. Третьяков- Отв. ред. С. М. Рыбкин, Ю.В. Шмарцев- Л.: 1969. С. 260−267.
  25. , С.В. Расчет распределения примеси и условий выращивания однородно легированных кристаллов / С. В. Гнилов, А. Я. Нашельский // Теоретические основы химической технологии. 1982. — Т. 16. — № 3.1. C.325−330.
  26. , А.А. Высокоточный метод расчета фазовых равновесий расплав-твердое тело системы АШВУ (на примере In-Ga-As-Sb) / А. А. Гусейнов, Б. Е. Джуртанов, A.M. Литвак // Письма в ЖТФ. 1989. — Т. 15. — Вып. 12. -С. 67−72.
  27. , Л.М. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах / Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский // Квантовая электроника. 1976. — Т. 8. — Вып. 7. -С. 1381−1383.
  28. , В.А. К термодинамической теории идеальных ассоциированных растворов / В. А. Дуров // ЖФХ. 1980 — Т. 54. — Вып. 8. — С. 2126−2129.
  29. , Р. Химическая термодинамика / Р. Дэфэй, И. Пригожин -Новосибирск, 1966. 509 с.
  30. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердых растворов GalnPAs / А. Т. Гореленок, А. Г. Дзигасов, П. П. Москвин и др. // Физика и техника полупроводников. 1981. — Т. 15. — Вып. 12. — С. 2410−2413.
  31. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов. В 2 т. / С. Зи М.: Мир, 1984.
  32. Изучение свойств твердых растворов InGaSbBi/InSb методом минимума энергии Гиббса / Д. П. Валюхов, С. В. Лисицын, Р. В. Пигулев, И. М. Хабибулин // Вестн. СевКавГТУ. Сер, Физико-химическая. Ставрополь, 2004. № 1(8). -С. 31−38.
  33. , М. Фазовые равновесия в тройных системах III-V. Материалы для оптоэлектроники. / М. Илегемс, М. Б. Паниш М., 1976. — С. 39.
  34. Исследование фазовых равновесий в системе Ga-In-As-P / А. Т. Гореленок,
  35. B.Н. Мдивани, П. Г. Москвин и др. // Журн. физич. химии. 1982. — Т. 56. -Вып. 10.-С. 2416−2421.
  36. Исследование многокомпонентных висмутсодержащих гетероструктур на1 соснове соединений, А В / А. В. Благин, Д. П. Валюхов, А. Э. Зорькин, С. В. Лисицын, Р. В. Пигулев, И. М. Хабибулин // Изв. вузов «Физика» Томск. -2003. -№ 11.-С. 57−60.
  37. А.И. Критические явления в четырехкомпонентных системах / А. И. Казаков, И. Н. Кишмар // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1987. -Т. 23.-№ 1.-С. 12−15.
  38. Квантово-размерные InGaAsP/InP РО ДГС лазеры с >.=1,3 мкм (Jnop=410 А/см2, Т=23 °С) / Ж. И. Алферов, Д. З. Гарбузов, С. В. Зайцев, А. Б. Нивин, А. В. Овчинников, И. С. Тарасов // ФТП. 1987. — Т. 21. — Вып. 5. -С. 824−829.
  39. , П.С. Физика полупроводников / П. С. Киреев М.: Высшая школа, 1978.
  40. Когерентная фазовая диаграмма пятерных систем на основе соединений А3В5 / E.JI. Когновицкая, В. В. Кузнецов, В. И. Ратушный, Э. Р. Рубцов // ЖФХ. -2003. Т. 77. — Вып 1. — С. 250−254.
  41. , А.И. Исследование коэффициентов распределения алюминия в системе Si-Au-Al / А. И. Колесниченко, В. Н. Лозовский // Изв. АН СССР: Неорган, материалы. 1981. — Т. 17. — № 4. — С. 737−738.
  42. , Ю.В. Справочник по электротехническим материалам. В 3 т. Т. 3. / Ю. В. Корицкий, В. В. Пасынков, Б. М. Тареев. Л.: Энергоатомиздат, 1988.- 153 с.
  43. Кристаллизация твердых растворов GaJn^AsySbi.y на подложках из GaSb и InAs / А. Э. Бочкарев, В. Н. Гульгазов, Л. М. Долгинов, А. А. Селин // Известия АН СССЗ Неорганические материалы. 1987. — Т. 23. — Вып. 10. -С. 1610−1614.
  44. , Дж. Теория превращения в металлах и сплавах / Дж. Кристиан- пер. с англ. под. ред. Д. Ройтбурда. М.: Мир, 1978. — 327 с.
  45. , В.В. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений . АШВУ / В. В. Кузнецов, Л. С. Лунин, В. И. Ратушный Ростов н/Д.: Изд-во СКНЦ ВШ, 2003. — 376 с.
  46. , В.В. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. / В. В. Кузнецов, П. Н. Москвин, B.C. Сорокин.-М. 1991.- 175 с.
  47. , В.В. Прогнозирование свойств гетероструктур на основе3 5пятикомпонентных твердых растворов, А В / В. В. Кузнецов, Э. Р. Рубцов, B.C. Сорокин //Журн. Физ. химии. 1997. — Т. 71. — Вып. 3. — С. 411−416.
  48. , В.В. Термодинамика и расчет фазовых диаграмм: Учеб. пособ. / В. В. Кузнецов, Л. С. Лунин, В. И. Ратушный Новочеркасск.: Изд-во ЮРГТУ (НПИ), 1991.-82 с.
  49. , В.В. Фазовые равновесия пятерных систем из Аш и Bv / В. В. Кузнецов, О. А. Лебедев, Э. Р. Рубцов // Неорганические материалы. 1998. -Т. 34. — Вып. 9. — С. 525−530.
  50. В.В., Сорокин B.C. О термодинамическом описании твердых растворов на основе соединений А3В5 // Изв. Ан СССР. Сер. Неорг. Материалы- 1980.-Т. 16.-Вып. 12.-С. 2085−2089.
  51. , В.В. Соединения А3В5: Справ. / В. В. Лебедев, С. С. Стрельченко.- М.: Металлургия, 1984. 144 с.
  52. , A.M. Новый термодинамический расчет фазовых равновесий расплав-твердое тело системы AmBv / A.M. Литвак, А. Н. Чарыков // ЖФХ. -1990. Т. 64. — Вып. 9. — С. 2331−2337.
  53. , A.M. Новый термодинамический расчет фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb / A.M. Литвак, А. Н. Чарыков // Известия АН СССР Неорганические материалы. 1991. — Т. 15. -Вып. 12.-С 67−72.
  54. , В.Н. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов / В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, В. П. Попов -М.: Металлургия, 1987.-232 с.
  55. , В.Н. Пятикомпонентные твердые растворы соединений А3В5 -Новые материалы оптоэлектроники / В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин. Ростов-н/Д: СКНЦ ВШ, 1992.-192 с.
  56. , В.Н. Эпитаксия варизонных слоев AlxGai.x As в поле температурного градиента / В. Н. Лозовский, О. Д. Лунина // Изв. АН СССР: Неорган, материалы. 1980. — Т. 16. -№ 2. — С. 213−216.
  57. Магнитотранспортные свойства гетеропереходов II типа на основе GalnAsSb/InAs и GalnAsSb/GaSb / Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, А. Ф. Липаев, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев // ФТП. 2006. — Т. 40. — Вып. 5. -С. 519−535.
  58. Мак-Хью, И.А. Вторично-ионная масс-спектрометрия // Методы анализа поверхности / И.А. Мак-Хью: пер. с англ. М.: Мир, 1979. — С.276−342.
  59. Ф. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник / Ф. Милне, Т. Д. Фойхт М.- Мир, 1.979.
  60. Мощные лазеры (А,=3,3 мкм) на основе двойных гетероструктур InGaAsSb (Gd)/InAsSbP / М. Айдаралиев, Н. В. Зотова, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин // ФТП. 2001. -Т. 35. — Вып. 10.-С. 1261−1265.
  61. Неохлаждаемые фотодиоды для спектрального диапазона 1,5−4,8 мкм. на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb/GalnAsSb / И. А. Андреев, О. В. Андрейчук, М. А. Афраилов, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, Н. Д. Стоянов,
  62. Ю.П. Яковлев // XVI Международная конференция по фотоэлектрике и приборам ночного видения. Москва. 2000. — С. 112−113.
  63. , В.И. Рентгено-электронная спектроскопия химических соединений / В. И. Нефедов М.: Химия, 1984. — 182 с.
  64. Низкопороговые InGaAsP/InP лазеры раздельного ограничения с Х,=1,3 и 1,55 мкм (600−700 А/см) / Ж. И. Алферов, Д. З. Гарбузов, А. Б. Кижаев, А. Б. Нивин, С. А Никишин, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов,
  65. A.В. Чудинов // Письма ЖТФ. 1986. — Т. 12. — Вып. 4. — С. 210−214.
  66. Низкопороговые лазерные двойные гетероструктуры GaSb/GalnAsSb/AlGalnAsSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии из сурьмянистых растворов-расплавов / В. И. Васильев, А. Г. Дерягин,
  67. B.И. Кучинский и др. // Письма в ЖТФ. 1996. — Т. 22. — Вып. 2. — С. 15−18.
  68. Перестраиваемый лазер на основе InAsSb/InAsSbP с высокой направленностью излучения в плоскости р-п-перехода / А. П. Астахова, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Н. М. Колганова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев // ФТП. 2000. — Т. 34. — Вып. 9. — С. 1142−1144.
  69. Получение и исследование пятикомпонентных гетероструктур InGaAsSbBi/InSb на подложках антимонида индия / А. В. Благин, П. А. Константинов, Л. С. Лунин, В. А. Овчинников, // Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск. 1996. — С. 30−34.
  70. , В.П. Неконсервативная жидкофазная эпитаксия полупроводников: автореф. дис. докт. техн. наук. / Попов В. П. Новочеркасск, 1987. — 50 с.
  71. Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II типа GalnAsSb/GaSb / А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, А. Н. Титков, В. Н. Чебан, Ю. П. Яковлев // ФТП. 1990. — Т. 24. — С. 1056−1061.
  72. , В.Дж. Зонная плавка / В.Дж. Пфанн М.: Мир, 1970. — 366 с.
  73. , П.И. Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InGaAsSbP в поле температурного градиента : автореф. дис. канд. техн. наук / Разумовский Павел Иванович -Новочеркасск, 2000. 23 с.
  74. Разъединенный гетеропереход в системе p-GaSb-n-InAs.xSbx (0<х<0.18) / С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Н. В. Зотова, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, Е. Hulicius, К. Melichar, J. Pangrac, Т. Simicek // Письма в ЖТФ. 2001. — Т. 27. -Вып. 22.-С. 66−72.
  75. Расчет состава фаз четырехкомпонентных систем с помощью ЭВМ (на примере InGaAsSb) / С. В. Вигдорович, Л. М. Долгинов, А. Ю. Малинин, А. А. Селин // Докл. АН СССР. 1978. — Т. 243. -Вып 1. — С. 125−128.
  76. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах /
  77. A.И. Казаков, В А. Мокрицкий, В. Н. Романенко, Л. М. Хитова: под. ред.
  78. B.Н. Романенко М.: Металлургия. — 1987. — 136 с.
  79. Расчет фазовых равновесий в трех- и четырехкомпонентных гетеросистемах с висмутом. / А. А. Баранник, А. В. Благин, С. В. Лисицын,
  80. M.JI. Лунина, P.B. Пигулев, А. С. Севостьянов // Изв. вузов. Сев-Кавк. Per. Техн. науки. Спец. вып. 2005. — С. 50−68.
  81. , В.И. Гетероэпитаксия четырех-, пятикомпонентных твердых растворов соединений А3В5 для целей термофотопреобразования /
  82. B.И. Ратушный // Изв. Вузов. Сев.гКав. регион. Техн. науки. 2003. — № 3.1. C. 56−59.
  83. , В.И. Некоторые аспекты термодинамического описания3 5эпитаксиальной кристаллизации пятерных систем, А В /В.И. Ратушный // Изв. Вузов. Сев.-Кав. регион. Техн. науки. Приложение. 2003. — № 3. — С. 112−114.
  84. , В.Н. Управление составом полупроводниковых кристаллов /
  85. B.Н. Романенко М.: Металлургия, 1976. — 368 с.
  86. , В.Н. Управление составом полупроводниковых слоев / В. Н. Романенко М.: Металлургия, 1978. — 192 с.
  87. , Э.Р. Расчет спинодальних изотерм в пятикомпонентных твердых-1 срастворах, А В / Э. Р. Рубцов, B.C. Сорокин // Неорган, материалы. 1993. -Т. 29.-Вып. 1.-С. 28−32.
  88. , Э.Р. Особенности фазовых превращений в системах твердых растворов с низкой термодинамической устойчивостью: автореф. дис. канд. физ.-мат. наук / Рубцов Э. Р. Л., 1994. — 24 с.
  89. , В.А. Термодинамические свойства веществ : справ. / В. А. Рябин, Т. Ф Свит, М. А. Остроумов. Л.: Химия, 1977. — 389 с.
  90. Светодиоды на основе твердых растворов GaSb для средней инфракрасной области спектра 1,
  91. Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие на длине волны 1,94 мкм / Н. В. Зотова, Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Шленский // ФТП. 2006. — Т. 40. — Вып. 3.1. C. 356−361.
  92. Свид. 2 005 611 210 Российская Федерация. Программа обработки рентгеновских фотоэлектронных спектров / Зубрилов В. Г., Крикун С. А.,
  93. Твердый раствор InxGai. xAsySbzPiyz новый материал инфракрасной оптоэлектроники / М. П. Михайлова, A.M. Литвак, Н. А. Чарыков, Ю. П. Яковлев // ФТП. — 1997. — Т. 31. — Вып. 4. — С. 41015.
  94. Термодинамический расчет фазовых равновесии в пятикомпонентных полупроводниковых системах на основе антимонида галлия / В. Н. Лозовский, Л. С. Лунин, Т. Г. Аскарян // Изв. СКНЦ ВШ. Естеств. науки. 1988. — № 3. -С. 80−86.
  95. Технология получения гетероструктур InGaAsSbBi/InSb для фотоприемных устройств / А. В Благин, Л. С. Лунин, В. А. Овчинников,
  96. B.П. Попов // Изв. Вузов. Сев.-Кав. регион. Техн. науки. 1997. — № 2.1. C. 89−93.
  97. Физико-химические равноверия в системе In Ga — As — Sb — Bi / Д. Л. Алфимова, А. В. Благин, Л. С. Лунин, В. А. Овчинников и др. // Изв. вузов. Сев. — Кавк. регион. Техн. науки. — 1998. — № 3. — С. 69−73.
  98. Фотолюминесценция твердых растворов Gai. xInxAsySb|.y (0.08<х<0.22), изопериодных InAs / М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, Я. В. Терентьев, А. А. Торопов, Ю. П. Яковлев // ФТП. 2000. — Т. 34. — Вып. 12. — С. 1432−1437.
  99. Фотопреобразователи на основе варизонных Gai. xAlxAs (Sb) структур / К. Аннаев, К. Атаджанов, А. Буркелиев, Д. Мелебаев, Н. Назаров // Сб. науч. тр. / Ашхабад. 1983. — Солнечная фотоэлектрическая энергия — С. 256−263.
  100. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел / Под ред. Дж. Вэнника, В. Декейсера и Л. Фирмэнса: пер с англ. М.: Мир, 1981.
  101. Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых растворов GaInSbAs: Mn / Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, М. П. Михайлова, М. А. Сиповская, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев // ФТП. 1991. — Т. 25. -Вып. 2. — С. 276−282.
  102. Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GalnAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb) в зависимости от состава / Т. И. Воронина, Б. Е. Джуртанов,
  103. Т.С. Лагунова, М. А. Сиповская, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев // ФТП. 1998. -Т. 32. — Вып. 3.-С. 278−284.
  104. , А.В. Сглаживание спектров с использованием информации о частотном составе шума / А. В. Яковенко // ПТЭ. 1991. — № 5. — С. 91−94.
  105. A compact polarimetric glucose sensor using a high-performance fibre-optic Faraday rotator / T. Kenmochi, Y. Sato, I. Yamaguchi, M. Yokota, T. Yoshino // Meas. Sci. Technol. 2004. — Vol. 15. — P. 143−147.
  106. Andreev, A.D. Mechanism of suppression of Auger recombination processes in type-II heterostructures / A.D. Andreev, G.G. Zegrya // Appl. Phys. Lett. 1995. -V. 67 (18).-P. 2681−2683.
  107. A study of phase equilibria and heterojunctions in Ga-In-As-Sb quaternary system / L.M. Dolginov, P.G. Eliseev, A.N. Lapshin, M.G. Milvidskii // Kristall and Tecnik. 1978. — V. 13. — № 6. — P. 631−650.
  108. Band discontinuities in GaAs/AlxGai.xAs heterojunction photodiodes / J.J. Coleman, M.A. Haase, S.C. Smith, G.E. Stillman // Appl. Phys. Lett. 1987. -Vol. 50-P. 404.
  109. Banna M. S., ShirlettD. A. // Chem. Phys. Lett. 1975. — V. 33. — P. — 441.
  110. Chan, Y.A. Thermodynamic analysis and phase equilibia calculation for the InSb and GaSb system / Y.A. Chan, T. Leo-Ngai, R.C. Sharma // J. Electr. Mater. -1987.-V. 16.-№ 5.-P. 307−314.
  111. Charykov, N.A. General theory of multy-phase melt crystallization / N.A. Charykov, A. Krier, V.V. Sherstnev // J. of Cryst. Growth. 2002. — V. 234. -P. 762−772.
  112. Densities and mobilities of coexisting electrons and holes in GaSb/InAs/GaSb quantium wells / L. Esaki, Y. Iye, E.E. Mendez, H. Munekata, // Surf. Sci. 1986. -Vol. 174.-P. 449.
  113. Dohler, G. Electron-hole subbands at the GaSb-InAs interface / G. Dohler // Surf. Sci. 1980. — Vol. 98. — P. 108−116.
  114. Electroluminescence and lasing in type II Ga (Al)Sb/InGaAsSb heterostructure in the spectral range 3−5 цт / O.V. Andreychuk, T.I. Voronina, M.P. Mikhailova,
  115. K.D. Moiseev, N.D. Stoyanov, Yu.P. Yakovlev, B.E. Zhurtanov // Appl. Surf. Sci. -1999. Vol. 142.-P. 257−261.
  116. Esaki, L. A bird’s-eye view on the evolution of semiconductor superlattices and quantum wells / L. Esaki // IEEE Quantum. Electron. 1986. — Vol. 22. — P. 1611−1624.
  117. Esaki, L. InAs-GaSb superlattice energy structure and 1st semiconductor semimetal transition / Esaki, L. Harrison W., Sai-Halasz C.A.H., // Phys. Rev. -1978. Vol. 18 -№ 6. -P. 2812.
  118. Esaki, L. Optoelectronic devices based on type II polytype tunnel heterostructures / L. Esaki, E.E. Mendez, H. Ohno // Appl. Phys. Lett. 1992. — Vol. 60.-P. 3153.
  119. ESCA: Atomic, Molecular and Solid State Structure Studied by Means of Electron Spectroscopy / K. Siegbahn et al. // Almqvist and Wiksells, Uppsala, 1967. (Имеется перевод: К. Зигбан и др. Электронная спектроскопия. -М.: Мир, 1971).
  120. Feucht, D.L. Heterojunctios and Metal-Semiconductor Junctions / D.L. Feucht, A. Milnes New York: Academic, 1972. — 127 p.
  121. Fabrication details of GalnAsSb-based photodiode heterostructures / I.A. Andreev, E.V. Kunitsyna, M.P. Mikhailova, Ya. A. Parkhomenko, Yu. P. Yakovlev // Proc. SPIE. 2000. — V. 4340. — P. 244−253.
  122. Goodman, A.M. Metod for measurements of minority carrier diffusion length in semiconductors / A.M. Goodman // J. Appl.Phys. 1961. — v.32. — p. 2550.
  123. Guggenheim, E.A. Thermodinamics / E.A. Guggenheim 3-th ed. Amsterdam, 1957.-250 p.
  124. Handbook of Auger Electron Spectroscopy, / Davis L.E., MacDonald N.C. et al. 2nd edition, Physical Electronics inc., Eden Prarie, Minn, 1976. — 336 c.
  125. Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy / L.E. Davis, C.D. Wagner et al. Perkin-Elmer Corporation, Physical Electronics Division, Eden Prarie, Minnesota, — 1978.
  126. Ilegems, M. Solid-liquid equilibria for quaternary solid solutions / M. Ilegems, A.S. Jordan // J. Phys. Chem. Sol. 1975. — V. 36. — № 4. — P. 329−342.
  127. Jordan, A.S. Activity coefficients for a regular multicomponent solution / A.S. Jordan//J. Electrochem. Soc. 1972. — V. 119.-№ 1.-P. 123−126.
  128. Jotaro, M. Experiments ant calculation of the AlGaSb ternary phase diagram / Jotaro M., Kazno, N Kozo O. // J. Electrochem Soc. 1979. — V. 126. — № 11. -P. 1992−1997.
  129. H., Griffths G. // Electron Device left. 1983. — Vol. 4. — P. 20.
  130. LED-based NIR spectrometer module for hand-held and process analyzer application / C. Eddison, M. Kansakoski, J. Malinen, R. Rikola // Sensors and Actuators B. 1998. — Vol. 51. — P. 220−224.
  131. Lee, G.S. Band structure of InAsSb strained-layer superlattices / G.S. Lee, L. Liu, A.H. Marshak // Appl. Phys. 1992. — Vol. 71. — P. 1842−1845.
  132. Liquid phase epitaxial growth of AlGalnPAs lattice matched to GaAs / S. Mukai, H. Jajima, J. Mitsuhashi, S. Janagisawa, N. Kutsuwada // Appl. Phys. Lett. 1984. — V. 44. — № 9. — P. 904−906.
  133. Yu.S. // Fiz. Tekh. Poluprovodn. 1980. — Vol. 14. — P. 1763.
  134. Mikhailova M.P. Type II heterojunctions in the GalnAsSb/GaSb system / M.P. Mikhailova, A.N. Titkov // Semicond. Sci. Technol. 1994. — № 9. -P.1279−1295.
  135. On the prediction of properties of heterostructures based on quinary1. A3BJ solidsolutions / V.V. Kuznetsov, L.S. Lunin, V.I. Ratushny, E.R. Rubtsov // Inst. Phys. Conf. Ser. No 155: — 1995.-Chapter 3. L. P. 335−338.
  136. Onabe, К. Thermodinamics of type. Ai. xBxCi-yDy III-V quoternary solid solutions / K. Onabe // J. Phis. Chem. Solids. 1982. — V. 43. — № 11. -P. 1071−1086.
  137. Pearsall, T.P. GalnAsP Alloy Semiconductors / T.P. Pearsall New York: Willey, 1982.-73 p.
  138. Schwarze, H. Continuous fat analysis in the meat industry / H. Schwarze // Proc. Cont. Qual. 1997. — Vol. 9. — P. 133−138.
  139. Staggered-lineup heterojunction in the system of GaSb-InAs / A.N. Baranov, A.N. Imenkov, M.P. Mikhailova, A.A. Rogachev, A.N. Titkov, Yu.P. Yakovlev // Superlatt. Microstruct. 1990. — Vol. 8. — № 4. — P. 375.
  140. Stringfellow, G.B. Calculation of ternary and quaternary III-V phase diagram / G.B. Stringfellow//J. Crist. Growth. 1974. -V. 27. -№ 1. -P. 21−34.
  141. Willson, B. Carrier dynamics and recombination mechanisms in staggered-alignment heterostructures / B. Willson // IEEE Quantum. Electron. 1988. -Vol. 24.-P. 1763−1777.
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!