Бакалавр
Дипломные и курсовые на заказ

Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS

Диссертация: Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Химический состав и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы принципиально не отличаются от таковых для других алмазоподобных полупроводников: химический состав экспонированной на воздухе поверхности представлен адсорбированными молекулами Н20, группами ОН", углеводородными соединениями и продуктами окисления поверхностных атомов. После термической вакуумной обработки… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Литера гурный обзор
    • 1. 1. Общая характеристика и объемные свойства соединений
  • AinBv, AnBVI и твердых растворов типа АШВУ — AHBVI
    • 1. 1. 1. Кристаллическая структура
      • 1. 1. 1. 1. Полупроводниковые соединения AniBv, AnBvl
      • 1. 1. 1. 2. Особенности кристаллической структуры 1вердых растворов AinBv — AnBVI
      • 1. 1. 2. Дефекты кристаллической структуры
      • 1. 1. 3. Взаимодействие компонентов в полупроводниковых твердых растворах AnIBv — AnBVI
      • 1. 1. 4. Химические, электрические и оптические свойства бинарных соединений InSb и CdS, а также твердых растворов типа AmBv — AnBVI
      • 1. 1. 4. 1. Ан гимонид индия
      • 1. 1. 4. 2. Сульфид кадмия
      • 1. 1. 4. 3. Твердые растворы AmBv — A"Bv
      • 1. 1. 5. Применение бинарных соединений InSb, CdS и твердых растворов A’V-AV
    • 1. 2. Поверхностные свойства соединений AH1BV, AnBVI, в том числе InSb и CdS, а также твердых растворов типа АИ|ВУ — AHBVI
      • 1. 2. 1. Физико-химическая природа поверхности
      • 1. 2. 2. Химический состав и кислотно-основные свойства поверхности соединений InSb, CdS
        • 1. 2. 2. 1. Антимонид индия
        • 1. 2. 2. 2. Сульфид кадмия
      • 1. 2. 3. Адсорбционные и электрофизические свойства соединений InSb, CdS
      • 1. 2. 4. Особенности поверхностных свойств твердых растворов A'"BV — AnBvl
    • 1. 3. Методы получения твердых растворов типа AmBv — AHBVI
    • 1. 4. Химические сенсоры-датчики газовою анализа
  • Глава 2. Экспериментальная час1ь
    • 2. 1. Получение твердых растворов системы (InSb)i.x (CdS)x
    • 2. 2. Идентификация твердых растворов (InSb)i x (CdS)x методом рентгеноструктурного анализа
    • 2. 3. Термогравиметрический анализ
    • 2. 4. Исследование микроструктуры, химического состава и кислотно-основных свойств поверхности бинарных соединений InSb, CdS и твердых растворов на их основе
      • 2. 4. 1. Метод атомно-силовой микроскопии
      • 2. 4. 2. ИК-спектроскопические исследования
      • 2. 4. 3. Определение рН-изоэлектрического состояния
      • 2. 4. 4. Механохимическое исследование кислотно-основных свойств
      • 2. 4. 5. Кондуктометрическое титрование
    • 2. 5. Исследование адсорбционных свойс1 В бинарных соединений InSb, CdS и твердых растворов на их основе методом пьезокварцевого взвешивания
    • 2. 6. Исследование электрофизических свойств пленок антимонида индия и твердых растворов системы (InSb)i.x (CdS)x
    • 2. 7. Получение аммиака и оксида азота (IV)
  • Глава 3. Результат и их обсуждение
    • 3. 1. Идентификация твердых растворов (InSb)i.4(CdS)x
      • 3. 1. 1. Рентгеноструктурный анализ
      • 3. 1. 2. Термографический анализ
      • 3. 1. 3. Зависимость изменения электропроводности пленок антимонида индия и твердых растворов (InSb)i.x (CdS)x от состава
    • 3. 2. Структура, химический состав и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы InSb-CdS
      • 3. 2. 1. Исследование микроструктуры поверхности
      • 3. 2. 2. ИК-спектроскопические исследования
      • 3. 2. 3. Определение водородного показателя изоэлектрического состояния (pi 1ию)
      • 3. 2. 4. Механохимические исследования
      • 3. 2. 5. Неводное кондуктометрическое титрование
    • 3. 3. Адсорбционные свойства компонентов системы InSb-CdS
      • 3. 3. 1. Адсорбция аммиака на поверхности компонентов системы InSb-CdS
      • 3. 3. 2. Адсорбция оксида азота (IV) на поверхности компонентов систем!, I InSb-CdS
      • 3. 3. 3. Сравнительная характеристика адсорбционных свойств компонентов системы InSb-CdS
    • 3. 4. Электрофизические измерения в процессе адсорбции
  • Глава 4. Анализ результатов комплсксно1 о исследования компонентов системы InSb-CdS, а 1акже пекоюрые аспект npoi позирования поверхностных свойс1 В твердых растворов типа А,||ВХ-А||ВХ
  • Выводы

Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Полупроводниковые материалы являются неотъемлемой частью современных приборов самых различных областей применения. Среди них особое место занимают бинарные соединения АШВУ и AnBVI. Благодаря широкому спектру свойств они используются для создания инжекционных лазеров, детекторов излучения, полевых транзисторов, люминофоров и т. п. Еще большие возможности при решении практических задач обнаруживают твердые растворы на их основе. Сохраняя свойства исходных веществ, они приобретают новые в широком диапазоне, прежде всею, электрофизические, фотоэлекфические, оптические, что позволяет получать материалы с контролируемыми характеристиками.

Получением и изучением свойств мноюкомпонентных полупроводниковых материалов на основе бинарных соединений AniBv и AHBVI многие Е’оды занимается творческий коллектив кафедры Физической химии ОмГТУ под руководством профессора И. А. Кировской. Основное внимание уделяется проблеме создания единого подхода к исследованию реальной поверхности алмазоподобных полупроводников и теории ее управления, так как параметры полупроводниковых приборов во многом определяются поверхностными процессами. Обнаруженные зависимости изменения физико-химических свойств твердых растворов от состава характеризуются не только участками с плавным изменением свойств, но и наличием экстремальных эффектов, предсказывать которые заранее не всегда возможно, но весьма актуально [1,2].

Настоящая работа является неотъемлемой частью данных исследований. Она посвящена изучению совершенно новой, ранее не полученной полупроводниковой системы InSb-CdS. Особенность входящих в нее бинарных компонентов состоит в абсолютной противоположности их свойств, проявляемых в рядах соединений одною типа и вытекающих из характера связи: InSb имеет самую слабую ковалентную, CdS — одну из самых сильных ковалентно-ионных. Вследствие этою исследование объемных и поверхностных свойств твердых растворов системы InSb-CdS представляет особый научный и практический интерес в связи с накоплением недостающих знаний о многокомпонентных полупроводниковых системах, а также возможным применением их в полупроводниковом катализе, опто-, микроэлектронике и сенсорном анализе различных газов.

Цель рабо! ы. Разработать, исходя из физико-химических свойств бинарных соединений InSb и CdS, технологию получения ранее неизвестных твердых растворов (InSb)1.4(CdS)xполучить и аттестовать их на основе исследований объемных свойств (рентгенографических, термографических, электрофизических). Изучить поверхностные атомно-молекулярные и электронные свойства компонентов системы InSb-CdS. Установить взаимосвязь между ними и закономерности изменений с составом. Определить возможности практического применения полученных новых материалов.

В соответствии с целью диссертационной работы были поставлены следующие задачи:

1. Разработать технологию получения твердых растворов новой системы InSb-CdS.

2. Получить и идентифицировать их на основе рентгенографических, термографических и электрофизических исследований. Определить протяженность области образования твердых растворов и оценить влияние на нее основных характеристик элементарных составляющих системы (In, Sb, Cd, S).

3. Исследовать физико-химические свойства поверхности: микроструктуру, химический состав, кислотно-основные, адсорбционные (по отношению к NOi и NH3), изменение зарядового состояния.

4. Установить взаимосвязь, закономерности изменения изученных свойств в зависимости от внешних условий и состава системы. Получить диаграммы состояния «свойство (электрофизическое, кислотно-основное, адсорбционное) — состав».

5. На основе анализа диаграмм состояния системы InSb-CdS определить возможности получения новых материалов, отличающихся повышенной поверхностной чувствительностью.

6. Разработать практические рекомендации по использованию полученных материалов в качестве первичных преобразователей сенсоров-датчиков экологического назначения.

Научная новизна работы.

1. Впервые разработана технология и получены твердые растворы системы InSb-CdS различного габитуса (в форме порошков и пленок).

2. Исследованы объемные свойства полученных твердых растворов (рентгенографические, термографические, электрофизические), использованные для их аттестации. Установлено образование в системе InSb-CdS твердых растворов замещения с кубической структурой. Протяженность области их образования со стороны InSb составляет 0−4 мол. % CdS. Обнаруженный экстремальный характер изменения объемных свойств с составом системы увязан с такими физико-химическими свойствами ее элеменгарных составляющих (In, Sb, Cd, S), как упругость паров, соотношение теграэдрических и ионных радиусов, электроотрицателыюсть.

3. Впервые изучены физико-химические свойства поверхности твердых растворов (InSb)i 4(CdS)x, наряду с бинарными компонентами системы (микроструктура, химический состав, кислотно-основные, адсорбционные и электрофизические):

— пленки компонентов системы InSb-CdS имеют поликристаллическую структуру с неоднородным характером распределения кристаллитов.

— химический состав и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы принципиально не отличаются от таковых для других алмазоподобных полупроводников: химический состав экспонированной на воздухе поверхности представлен адсорбированными молекулами Н20, группами ОН", углеводородными соединениями и продуктами окисления поверхностных атомов. После термической вакуумной обработки поверхность содержит в небольших количествах остатки оксидных фаз. Экспонированная на воздухе поверхность имеет слабокислый характер, на ней присутствуют два типа кислотных центров — льюисовские (электронно-акцепторные) и бренстедовские (адсорбированные молекулы 1120 и группы ОН"). В зависимости от состава кислотно-основные свойства изменяются экстремально: максимум и минимум рНи30 приходятся соотвегственно на 2 и 3 мол. % CdSобщая концентрация кислотных центров изменяется в обратной последовательности;

— на основе анализа опытных зависимостей (а{>= f (T), а = f (P), а = f (t)), результатов расчетов термодинамических (теплоi адсорбции) и кинетических (энергии активации адсорбции) характеристик и с учетом изменения зарядового состояния поверхности установлен преимущественно химический характер адсорбции газов. Оценено влияние указанных газов на химическое и электронное состояния поверхности. Подтверждены природа активных центров и механизм преимущественно донорно-акцепторного взаимодействия Ы02 и NII3 с поверхностью компонентов системы InSb-CdS, а также одинаковое происхождение так называемых «химических» активных центров и поверхностных состояний. Наиболее активным из изученных.

1 О адсорбатов оказался диоксид азота: величина адсорбции NO2 (а ¦ 10' моль/м') на порядок выше, по сравнению с NH3.

4. Обнаруженный параллелизм между полученными диаграммами состояния системы InSb-CdS «электрофизическая характеристика — состав», «кислотно-основная характеристика — состав», «адсорбционная характеристика — состав», дополнительно высвечивающий физическую основу их тесной взаимосвязи, подтверждает ранее сделанное заключение о механизме атомно-молекулярных и электронных процессов на алмазоподобных полупроводниках и открывает путь поиска активных адсорбентов такого рода систем без проведения прямых адсорбционных исследований.

5. Показана возможность использования диаграмм «свойство — состав» для получения активных адсорбентов. Такими оказались компоненты системы InSb, (InSb)0,ys (CdS)о02 (по отношению к N02) и (InSb)o, 97(CdS)o, o3 (по отношению к NH3). Они были рекомендованы как первичные преобразователи сенсоров-датчиков на микроиримеси NO2 и NH3.

Защищаемые положении.

1. Результаты синтеза и аттестации, исследования объемных и поверхностных (структуры, химическою состава, кислотно-основных, адсорбционных, электронных) свойств компонентов системы InSb-CdS.

2. Установленное влияние на характер изменения изученных свойств с составом физико-химических характеристик элементарных составляющих (In, Sb, Cd, S) — упругости паров, соотношения теграэдрических и ионных радиусов, электроотрицательности.

3. Выводы, подтверждающие единую природу активных центров и поверхностных состояний, механизмы взаимодействия поверхности с молекулами газов различной электронной природы (N02, NII3).

4. Способ оценки адсорбционной активности компонентов не только изученной, но и других систем типа АШВУ-АИВУ| на основе диаграмм состояния «кислотно-основная характеристика — состав», «электрофизическая характеристика — состав».

5. Практические рекомендации по созданию активных адсорбентовпервичных преобразователей сенсоров-датчиков на микроиримеси N02 и NH3.

Практическая значимость работы.

1. Разработана технология и найдены оптимальные режимы получения твердых растворов (InSb)1.x (CdS)x в порошкообразном и пленочном состояниях.

2. Определены условия термовакуумной обработки пленочных бинарных компонентов и твердых растворов.

3. Показана необходимость учета физико-химических характеристик элементарных составляющих ири получении сложных многокомпонентных полупроводниковых систем.

4. Предложен и реализован на примере системы InSb-CdS способ оценки адсорбционной активности бинарных соединений (AmBv, AnBVI) и твердых растворов (AIIIBV)1.4(AIIBVI)K с использованием диаграмм «физическое или физико-химическое свойство — состав».

5. С применением данного способа:

— выявлены компоненты системы InSb-CdS с повышенной чувствительностью к диоксиду азога (InSb, (InSb)o, 9s (CdS)o 02) и аммиаку ((InSb)o, 97(CdS)o, 03);

— разработаны практические рекомендации по использованию их в качестве первичных преобразователей сенсоров-датчиков на микропримеси NO2 и N113- созданы соответствующие сенсоры-датчики, прошедшие лабораторные испытания.

Выводы.

1. Впервые разработана технология и получены твердые растворы системы InSb-CdS в виде порошков и пленок.

2. Исследованы объемные свойства полученных твердых растворов (рентгенографические, термографические, электрофизические), использованные для их аттестации. Установлено образование в системе InSb-CdS твердых растворов замещения с кубической структурой. Протяженность области их образования со стороны InSb составляет 0−4 мол. % CdS. Обнаруженный экстремальный характер изменения объемных свойств с составом системы увязан с такими физико-химическими свойствами ее элементарных составляющих (In, Sb, Cd, S), как упругость паров, соотношение тетраэдрических и ионных радиусов, электроотрицательность.

3. В результате исследования физико-химических свойств поверхности (микроструктура, химический состав, кислотно-основные, адсорбционные и электрофизические) твердых растворов (InSb)j.x (CdS)x и бинарных соединений (InSb, CdS) выявлено следующее:

— пленки компонентов системы InSb-CdS имеют поликристаллическую структуру с неоднородным характером распределения кристаллитов;

— химический состав и кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы принципиально не отличаются от таковых для других алмазоподобных полупроводников. Кислотно-основные свойства поверхности твердых растворов (InSb)i.x (CdS)4 в зависимости от состава изменяются экстремально: максимум и минимум рНиз0 приходится соответственно на 2 и 3 мол. % CdSобщая концентрация кислотных центров изменяется в обратной последовательности;

— на основе анализа опытных зависимостей (яР= f (T), а = f (P), aj = f (t)), результатов расчетов термодинамических (теплот адсорбции) и кинетических (энергии активации адсорбции) характеристик и с учетом изменения зарядового состояния поверхности установлен преимущественно химический характер адсорбции газов. Оценено влияние указанных газов на химическое и электронное состояния поверхности. Подтверждены природа активных центров и механизм преимущественно донорно-акцепторною взаимодействия N02 и NII3 с поверхностью компонентов системы InSb-CdS, а также одинаковое происхождение так называемых «химических» активных центров и поверхностных состояний. Наиболее активным из изученных адсорбатов оказался диоксид азота: величина адсорбции N02 (а • 10″ 4.

— у моль/м) на порядок выше, по сравнению с NH3.

4. Выявленная в данной работе взаимосвязь поверхностных свойств компонентов системы InSb-CdS с физико-химическими свойствами ее элементарных составляющих позволила оценить их влияние и внести коррективы в методы прогнозирования поверхностных свойств четверных твердых растворов.

5. Предложен и реализован на примере системы InSb-CdS способ оценки адсорбционной активности бинарных соединений (AmBv, AnBVI) и твердых растворов (AIiIBv)i.x (AIIBv')x с использованием диаграмм «физическое или физико-химическое свойство — состав».

6. С применением данного способа: выявлены компоненты системы InSb-CdS с повышенной чувствительностью к диоксиду азота (InSb, (InSb)o, 98(CdS)o, o2) и аммиаку ((InSb)o, 97(CdS)o, o3);

— разработаны практические рекомендации по использованию их в качестве первичных преобразователей сенсоров-датчиков на микропримеси N02 и NH3- созданы соответствующие сенсоры-датчики, прошедшие лабораторные испытания.

В заключение автор выражает глубокую бчагодарность своему научному руководителю, Заслуженному деятелю науки и техники РФ, доктору химических наук, профессору Ирине Алексеевне Кировской за неоценимую помощь в подготовке диссертации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , И. А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Твердые растворы / И. А. Кировская. Томск: Изд-во ТГУ, 1984.- 160 с.
  2. , И.А. Адсорбционные процессы / И. А. Кировская. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1995. -310 с.
  3. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства / Н. Х. Абрикосов и др. М.: 11аука, 1967. — 256 с.
  4. , Н.А. Химия алмазоподобных полупроводников / I I.A. Горюнова. Л.: ЛГУ, 1963. — 23 с.
  5. , Я.А. Введение в химию полупроводников / Я. А. Угай. М.: Высшая школа, 1975.-320 с.
  6. Физика и химия соединений А2В6. М.: Мир, 1970. — 174 с.
  7. , Л.С. Эпитаксиальные пленки / Л. С. Палатник, И. И. Папиров -М.: Наука, 1971.-524 с.
  8. , А.В. Свойства пленок CdS, полученных из координационных соединений кадмия с тиомочевиной / А. В. Наумов, В. Н. Семенов, Е.Г. Гончаров// Неорган, материалы. -2001. Т. 37, № 6. — С. 647−652.
  9. Panchekha, Р.А. Structure and technology problems of A’B semiconductor films / P.A. Panchekha // Funct. Mater. 2000. — V. 7, № 2. — P. 261−265.
  10. Ju, S.C. Polymorphism and Crystal Structures of InSb at Elevated Temperature and Pressure / S.C. Ju, J.L. Spain, E.F. Skelton // J. Appl. Phys. 1978. — V. 49, № 9.-P. 4741−4745.
  11. Pearson, W.B. A Handbook of Lattice Spacings and Structures of Metals and Alloys / W.B. Pearson. N.Y.: Pergamon Press, 1967. — 1446 p.
  12. Smith, P.L. Structure of the High-Pressure Phase of Indium Antimonide / P.L. Smith, J.E. Martin // Nature. 1962. — № 24. — P. 763.
  13. Banus, M.D. The P-T Phase Diagram of InSb at High Temperatures and Pressures / M.D. Banus, M.C. Lavine // J. Appl. Phys. 1969. — V. 40, № 1. -P. 409−413.
  14. Straumanis, N.E. Lattice Parameters, 'I hernial Expansion Coefficients, Phase Width and Perfection of the Structure of GaSb and InSb / N.E. Straumanis, C.D. Kim // J. Appl. Phys. 1965. — V. 36, № 12. — P. 3822−3825.
  15. Giesecke, G. Pruazisionsbestimmung der Gitterkonstanten von AmBv -Verbindungen / G. Giesecke, H. Pfister // Acta Crystallogr. 1958. — V. 11, № 5. -P. 369−371.
  16. , Г. В. Антимониды / Г. В. Самсонов, М. Н. Абдусалямова -Душанбе: Дониш, 1977.-241 с.
  17. , В.М. Жидкие полупроводники / В. М. Глазов, С. Н. Чижевская, Н. Н. Глаголева М.: Наука, 1967. — 283 с.
  18. , И.А. Методология исследований физико-химических свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и основные направления практических разработок / И. А. Кировская // Омский научный вестник.2001. Вып.14. — С. 66−68.
  19. , И.А. Получение и исследование материалов на основе1 с /полупроводников, А В, А В / И. А. Кировская // Омский научный вестник. 2002. Вып. 19. — С. 74−76.
  20. Твердые растворы в полупроводниковых системах: справочник. -М.: Наука, 1978.- 167 с. С
  21. Рентгенографические исследования твердых растворов систем типа, А В1. О f
  22. А В / И. А. Кировская и др. // Омский научный вестник. 2001. — Вып. 14. -С.69−70.л /
  23. Синтез и оптическое поглощение твердых растворов систем InSb-A В / И. А. Кировская и др. // Неорган. Материалы. 2002. — Т. 38, № 2. — С. 135 138.
  24. , В.Н. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений А"В : справочник / В. Н. Томашик, В. И. Грыцив. Киев: Наукова думка, 1982. — 168 с.
  25. , В.А. Определение границы растворимости CdTe в InSb / В. А. Хабарова, Э. Н. Хабаров, П. В. Шаравский // Изв. вузов. Физика. 1963. — № 6. — С. 62−64.
  26. , А.В. Микроструктурное исследование кристаллов системы GaP-ZnS / А. В. Войцеховский, Л. Б. Панченко // Изв. АН СССР. Сер. Неорган. Материалы. 1977. — Т. 13, № 1. — С. 160−161.
  27. , А.В. О получении монокристаллов твердых растворов (GaP)x (ZnSe)i.x методом химических газотранспортных реакций /
  28. A.В. Войцеховский, Т. П. Стеценко // Исследования по молекулярной физике и физике твердого тела. Киев: Киев. пед. ин-т, 1976. — С. 38−40.
  29. , В.В. Материалы электронной техники / В. В. Пасынков,
  30. B.C. Сорокин СПб.: Лань, 2001. — 368 с.
  31. , В.М. Физико-химические основы легирования полупроводников / В. М. Глазов, B.C. Земсков М.: 11аука, 1967. — 372 с.
  32. , И.А. О получении и идентификации твердых растворов замещения на основе GaAs и ZnSe / И. А. Кировская, Г. М. Муликова // Тр. Том. ун-та. 1973. — № 8. — С. 155−156.
  33. , И.А. Система GaAs-ZnSe / И. А. Кировская, Г. М. Муликова // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1975. — Т. 11, № 6. — С. 1131 -1132.
  34. , В.М. Диаграмма состояния системы GaAs-ZnSe /
  35. B.М. Лакеенков, М. Г. Мильвидский, О. В. Пелевин // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1975. — Т. 11, № 7. — С. 1311 -1312.
  36. Особенности изменения постоянной решетки твердых растворов (InSb)i x (CdTe)4 / В. А. Бродовой и др. //1 Ieopr. матер. 1997. — Т. 33, № 3.1. C. 303−304.
  37. , Е.В. Рентгенографическое исследование системы InSb-CdTe / Е. В. Миронова // Матер. XL Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс». Новосибирск, 2002.-С. 232.
  38. , Г. Б. Кристаллохимия / Г. Б. Бокий М.: Изд. Моск. гос. ун-та, 1960.-194 с.
  39. Химия координационных соединений М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1960. -695 с.
  40. , И.Б. Строение и свойства координационных соединений / И.Б. Берсукер-М.: Химия, 1971. 614 с.
  41. , В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов / В. И. Фистуль. М.: Металлургия, 1977. — 126 с.
  42. , М.Г. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников / М. Г. Мильвидский, В. Б. Освенский М.: Металлургия, 1984.-256 с.
  43. , Т.В. Структурный тип преобладающих собственных точечных дефектов и область гомогенности InSb / Т. В. Абаева, В. Т. Бублик, А. Н. Морозов // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1988. — Т. 24, № 1.-С. 15−18.
  44. Расчет области гомогенности антимонида индия / Ф. А. Заитов и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1981. — Т. 17, № 9. — С. 1541 -1544.
  45. Dobson, T.W. Entalpy of Formation of Antisite Defects and Antistructure Pairs in III-V Compound Semiconductors / T.W. Dobson, J.F. Wager // J. Appl. Phys. -1989.-V. 66, № 5. -P. 1997−2001.
  46. Bublik, V.T. The Mean Square Atomic Displacements and Entalpies of Vacancy Formation in some Semiconductors / V.T. Bublik // Phys (A). Status Solidi. 1978. — V.45, № 2. — P. 543−548.
  47. , Г. В. Отклонение от стехиометрии в ряду полупроводниковых соединений InP, InAs, InSb / Г. В. Семенова, Т. П. Сушкова, Е. Г. Гончаров // Журнал неорганической химии. 1994.-Т. 39, № 10.-С. 1612−1615.
  48. , Л.М. Введение в физическую химию кристаллофосфоров / A.M. Гурвич М.: Высшая школа, 1982. — 376 с.
  49. Shaw, D. The dependence of Cd diffusion and electrical conductivity in CdS on Cd partial pressure and temperature / D. Shaw, R.C. Whelan // Phys. stat. sol. -1969. V. 36, № 2. — P.705−716.
  50. , Я.Л. Диаграмма парциальное давление кадмия температура -состав сульфида кадмия / Я. Л. Хариф, Н. И. Кудряшов, П. В. Ковтуненко // Изв. АН СССР. I Ieopr. матер. — 1986. — Т. 22, № 12. — С. 1962−1966.
  51. Taylor, A.L. Identification of Cd vacancies in neutron-irradiated CdS by electron paramagnetic resonance / A.L. Taylor, G. Filipovich, G.K. Linberg // Sol. St. Comm. 1971. — V. 9, № 13. — P. 945−947.
  52. Kukk, P. High-temperature conductivity relaxation in undoped CdS and CdSe single crystals / P. Kukk, T. Varema // J. State Chem. 1982. — V. 43, № 3. -P. 320−326.
  53. Boer, K.W. Self-activated semiconductivity of CdS crystals / K.W. Boer, R. Boyn, 0. Goede //Phys. stat. sol. 1963. — V. 30,№ 9. — P. 1684−1694.
  54. Kumar, V. Self-diffusion and the defect structure of CdS / V. Kumar, F.A. Kroger//J. Sol. Stat. Chem. 1971. — V. 3, № 3. — P. 387−400.
  55. Дрейф междоузельных атомов в электрическом поле в чистых и легированных Li кристаллах CdS / Н. Е. Корсунская и др. // ФТП. 1981. -Т. 15, № 2. — С. 52−55.
  56. , И.В. Собственные дефекты в CdS, облученном тепловыми нейтронами / И. В. Ермолович, В. В. Горбунов, И. Д. Конозенко // ФТП. 1977. — Т. 11, № 9. — С. 1812−1817.
  57. Van Vechten, I.A. Point Defects and Deep Traps in III-V Compounds / I.A. Van Vechten // Czech. J. Phys. 1980. — V. 30, № 4. — P. 388−394.
  58. , P. Полупроводники / P. Смит M.: Мир, 1982. — 560 с.
  59. From amorphous to polycrystalline thin films: dependence on annealing time of structural and electronic properties / T. Mohammed-Brahim et al. // J. Non-Cryst. Solids. 1998. — V. 23. — P. 962−966.
  60. , Э.Н. К вопросу о критериях образования твердых растворов полупроводниковых соединений со структурой сфалерита / Э. Н. Хабаров // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1966. — Т. 2, № 6. — С. 1141−1143.
  61. , Э.Н. Взаимодействие компонентов в полупроводниковых твердых растворах с гетеровалентным замещением / Э. Н. Хабаров, А. А. Рязанцев // Изв. Сиб. отд. АН СССР. Сер. хим. наук. 1975. — Т. 2, № 1. -С. 126−136.
  62. , Э.Н. Твердые растворы алмазоподобных полупроводниковых соединений при гетеровалентном замещении / Э. Н. Хабаров, В. А. Лиопо // ФТП 1972. — Т. 6, № 10. — С. 2082−2085.1 с Of
  63. , Г. И. Зонная структура твердых растворов типа Экстремальные условия межзонного взаимодействия / Г. И. Бузевич, Л. А. Скоробогатова, Э. Н. Хабаров // ФТП. 1973. — Т. 7, № 11. -С. 2079−2083.
  64. , Э.Н. Двухчастичная модель примесей и их взаимодействие в атомарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях /
  65. Н. Хабаров // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1977. — Ч. 1. — С. 248−253.
  66. Квазихимический подход к взаимодействию взаимнокомпенсирующих3 5примесей в, А В / Е. А. Балагурова и др. // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок Новосибирск: Наука, 1977. — Ч. 1. — С. 253−255.
  67. Вигдорович, В. Н. Взаимодействие примесей II и VI групп периодической системы в соединениях типа А3В5 и природа твердых растворов типа А3В59 А
  68. А В / В. Н. Вигдорович, В. Б. Уфимцев, В. П. Шумилин // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Паука, 1977.4. 1.-С. 255−260.
  69. , П.И. Индий / П. И. Федоров, Р. Х. Акчурин М.: Наука, МАИК «Наука/Интерпериодика», 2000. — 276 с.
  70. Построение диаграммы состояния системы In-Sb по иредкристаллизационным переохлаждениям / В. Д. Александров и др. // Изв. РАН. Металлы. 1992. — № 6. — С. 184−195.
  71. , Л.С. Основы пленочного полупроводникового материаловедения / Л. С. Палатник, В. К. Сорокин М.: Энергия, 1973. -296 с.
  72. , К. Полупроводники типа А3В5 / К. Хилсум, А. Роуз-Инс
  73. М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1963. 524 с.
  74. , Ю.Г. Распределение кадмия в эпитаксиальных //-/^-структурах из антимонида индия / Ю. Г. Попов, Ш. О. Эминов, Э. К. Гусейнов // Неорган, материалы. 1993. — Т. 29, № 8. — С. 1148−1149.
  75. Получение, структурные и электрические свойства тонких слоев Ini xCdxSb (х = 0,001 0,003) / О. Н. Пашкова и др. // Неорган, материалы. -2001.-Т. 37.-С. 149−152.
  76. Кристаллохимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ: справочник. М.: Издательство стандартов, 1973.-208 с.
  77. , В.А. Исследование микротвердости и работы выхода электрона в полупроводниковых материалах и сплавах / В. А. Корольков, Х.И. Ибрагимов//Неорган, материалы. 1999. — Т. 35, № 9. — С. 1065−1071.
  78. Критическая оценка и согласование данных по диаграмме состояния системы In-Sb / И. А. Стрельникова и др. // Неорган, материалы. 1994. -Т. 30, № 4.-С. 467−473.
  79. , Е.В. Методы исследования эффекта Холла / Е. В. Кучис. М.: Сов. радио, 1974.-328 с.
  80. Тонкие пленки антимонида индия / В. А. Касьян и др. Кишинев: Штиинца, 1989.- 161 с.
  81. Ling, С.Н. Cerrier mobility and field effect in indium antimonide films / C.II. Ling, J.H. Fisher, J.C. Anderson // Thin.-Sol. films. 1972. — V. 14. — P. 267.
  82. Law, W.W. InSb Thin-Film Prepared by a Multilayer Vacuum Deposition / W.W. Law, I. Shih // Mater. Lett. 1993. — V. 16, № 1. — P. 8−13.
  83. Влияние термообработки на свойства антимонида индия / И. А. Стрельникова и др. // Неорган, материалы. 1993. — Т. 29, № 3. -С. 430−431.
  84. , В.А. О влиянии структуры слоя на величину подвижности носителей тока в пленках антимонида индия / В. А. Касьян, М. В. Кот // Изв. АН СССР. Сер. Физическая. 1964. — Т. 28, № 6. — С. 993−995.
  85. Tanenbaum, М. Optical properties of indium antimonide / M. Tanenbaum, H.B. Briggs // Phys. Rev. 1953. — V. 91, № 6. — P. 1561−1562.
  86. Burstein, E. Anomalous optical absorption limit in InSb / E. Burstein // Phys. Rev. 1954.-V. 93. — P. 632.
  87. Kurnick, S.W. Optical absorption in pure single crystal InSb at 298 0 and 78 °K /KurnickS.W., Powell J.M. //Phys. Rev. 1959. — V. 116, № 3. — P. 597−604.
  88. , И.А. Электрофизические и адсорбционные свойства образцов системы InSb-ZnSe / И. А. Кировская, О. П. Азарова // Неорган, материалы. -2003. Т. 39, № 12. — С. 1443−1447.
  89. Spitzer, W.G. Determination of optical constants and carrier effective mass of semiconductors / W.G. Spitzer, H.Y. Fan // Phys. Rev. 1957. — V. 106, № 5. -P. 882−890.
  90. , Ю.А. О механизме токопрохождения в пленках я-InSb / Ю. А. Никольский // ФТП. 2001. — Т.35, № 11. — С. 1309−1310.
  91. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука, 1975.-220 с.
  92. Экспериментальное и теоретическое исследование электронной структуры полупроводников CdS, InP, InPS4, CuGaS2, AgGaS2 / A.A. Лаврентьев и др. // ФТТ- 1996. Т. 38, № 8. — С. 2347−2362.
  93. Получение монокристаллических пленок CdS и CdSe в условиях, близких к равновесию / И. П. Калинкин и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1970. — Т. 6, № 9. — С. 1564−1567.
  94. High-resistivity р-type CdS / F. Chernow et al. J // Appl. Phys. Lett. 1966. -V. 9, № 4.-P. 145−146.
  95. , Б.Ф. О невоспроизводимости свойств соединений переменного состава (на примере TiO, ТаС и CdS) / Б. Ф. Ормонт, В. И. Смирнова // Изв. AII СССР. Сер. Неорган, материалы. 1971. — Т. 7, № 5. — С. 908−912.
  96. , Н.К. О растворимости кислорода в CdS / Н. К. Морозова,
  97. B.C. Зимогорский, А. В. Морозов // Неорган, материалы. 1993. — Т. 29, № 7.1. C. 1014−1016.
  98. , Н.К. Изменение собственно-дефектной структуры CdS (ZnSe) при легировании изоэлектронными примесями О и Те / Н. К. Морозова, Л. Д. Назарова, К. Н. Бутнев // Неорган, материалы. 1996. — Т. 32, № 5. -С. 542−545.
  99. , К. Тонкопленочные солнечные элементы / К. Чопра, С. Дас -М.: Мир, 1986.-435 с.
  100. Mohanchandra, К.Р. Thermoelectric power of CdS and CdSe films deposited on vibrating substrates / K.P. Mohanchandra, J. Uchil // Thin Solid Films. 1997. -V. 305, № 1−2.-P. 124−129.
  101. Hadiri, H. Properties of cadmium sulphide thin films deposited from a chemical solution / H. Hadiri, H. Oumous, L.E. Ameziane // Ann. chim. Sci. mater. 1999. — V. 24, № 6. — P. 457−462.
  102. , И.А. Химический состав и кислотно-основные свойства поверхности системы InSb-ZnSe / И. А. Кировская, О. П. Азарова // Журнал физической химии.-2003.-Т. 77, № 9.-С. 1663−1667.
  103. Влияние комплексообразования на электрические свойства твердых растворов (InSb)|.x (CdTe)x / В. А. Анищенко и др. // Неорган, материалы. -1993.-Т. 29, № 2.-С. 197−199.
  104. Квазихимический подход к взаимодействию взаимнокомпенсирующих примесей в AniBv/ Е. А. Балагурова и др. // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок.- Новосибирск: Наука, 1977. Ч. 1. — С. 78−80.
  105. , А.Г. Фотоэлектрические свойства неохлаждаемых детекторов на основе тонких слоев антимонида индия / А. Г. Падалко, В. Б. Лазарев, Ф. С. Перри // Неорган, материалы. 1994. — Т. 30, № 2. — С. 156−163.
  106. Электрические и фотоэлектрические свойства легированных тонких слоев InSb/Al203 при 300 К / А. Г. Падалко и др. // Неорган, материалы. -1996.-Т. 32, № 4.-С. 398−404.
  107. , О.Н. Влияние сверхстехиометрического содержания сурьмы на электрические свойства резистивных фотоприемников на основе InSb /а-АЬОз / О. Н. Пашкова, А. Г. Падалко, В. П. Саныгин // Неорган, материалы. -2003.-Т. 39,№ 5.-С. 525−528.
  108. Developments in InSb Materials and Charge Injection / M.D. Gibbons et al. // Proc. of the Meet. «Focal Plane Arrayas: Technology and Applications», 1987, Cannes, France / Ed. Redonto Beach (USA): SPIE, 1988. V. 865. — P. 52−58.
  109. Люминесцентные свойства пленок CdS, легированного медыо, полученных распылением растворов на нагретую подложку / В. Н. Семенов и др. //Неорган, материалы. 1993. — Т. 29, № 3. — С. 323−326.
  110. Влияние n-толуидина, нестехиометрии и легирования на интенсивность фотолюминесценции монокристаллов CdSe, CdS / В. В. Петрыкин и др. // Неорган, материалы. 1998. — Т. 34, № 2. — С. 142−147.
  111. Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра / И. Д. Анисимова и др. М.: Радио и связь, 1984. — 276 с.
  112. , С.С. Материаловедение полупроводников и диэлектриков / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский М.: Металлург ия, 1988. — 522 с.
  113. , В.Ю. Поляризационная фоточувствительность солнечных элементов ZnO/CdS/Cu (In, Ga) Se2 / В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь, H.W. Schock // ФТП 1999.-Т. 33,№ 4.-С. 484−487.
  114. Фотоэлектрическое преобразование в поверхностно-барьерных структурах на основе поликристаллического CdS / IO.II. Бобренко и др. // Оптоэлектрон. и полупровод, техн. 1996. — Т. 31. — С. 74−79.
  115. Optimisation of CdS-TCO bilayers for their application as windows in photovoltaic solar cells / M.A. Martinez et al. // Sol. Energy Mater, and Sol. Cells. 1996. — V.43, № 3. — P. 297−310.
  116. , И. А. Полупроводниковый анализ и контроль состояния окружающей среды / И. А. Кировская // Аналитика Сибири и Дальнего Востока: тез. докл. VI конференции. Новосибирск, 2000. — С. 164−165.
  117. , И.А. Новые возможности оперативной диагностики и контроля содержания оксида углерода / И. А. Кировская, Т. В. Ложникова, О. П. Азарова // Аналитика Сибири и Дальнего Востока: тез. докл. VI конференции. Новосибирск, 2000. — С. 413−414.
  118. , В.В. Полупроводниковый чувствительный элемент газоанализатора на основе сульфида кадмия / В. В. Голованов, А. И. Гудис,
  119. B.А. Смынтына // Журнал аналитической химии. 1991. — Т. 46, № 12.1. C. 2374−2379.
  120. , И.А. Адсорбционные сенсоры-датчики / И. А. Кировская, О. А. Старцева // Вопр. пол игр. пр-ва. 1996. — № 2. — С. 48−50.
  121. Адсорбционные свойства полупроводниковых соединений типа, А В по отношению к оксиду углерода / И. А. Кировская и др. // Омский научный вестник. 1998. — Вып.4. — С. 94−97.
  122. , В.В. Механизм хемосорбции монооксида углерода на тонких поликристаллических слоях сульфида кадмия / В. В. Голованов, В. В. Сердюк // Поверхность. Физика, химия, механика. 1993. — № 5. — С. 35−42.
  123. Surface Chemistry of Prototypical Bulk II-VI and III-V Semiconductors and Implications for Chemical Sensing / Seker Fazila et al. // Chem. Rev. 2000. -V. 100, № 7.-P. 2505−2536.
  124. , И.Л. Закономерности и механизм адсорбции оксида углерода на пленках твердых растворов и бинарных соединений системы InSb-ZnSe / И. Л. Кировская, О. П. Лзарова // Журнал физической химии. 2003. — Т. 77, № 12.-С. 2216−2220.
  125. , И.Л. Прогнозы поведения поверхности твердых растворов алмазоподобных полупроводников / И. А. Кировская // Журнал физической химии. 1985. — Т. 59, № 1. — С. 194−195.
  126. , И.Л. Возможные пути регулирования свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и некоторые аспекты их практической реализации / И. А. Кировская // Неорган, материалы. 1994. — Т. 30, № 2. -С. 147−152.
  127. , И.А. Истоки, задачи и перспективы исследований поверхности алмазоподобных полупроводников / И. Л. Кировская // Омский научный вестник. 1999. — Вып.9. — С. 43−44.
  128. , И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Химический состав поверхности. Катализ / И. А. Кировская. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1988. — 220 с.
  129. , И.А. Поверхностные явления: Монография / И. А. Кировская.- Омск: Изд-во ОмГТУ, 2001. 174 с.
  130. Получение и исследование новых полупроводниковых катализаторов / И. А. Кировская и др. // Современные наукоемкие технологии. 2006. — № 1.- С. 97−98.
  131. , Д. Структура поверхности полупроводниковых соединений АШВУ / Д. Ханеман // В кн.: Полупроводниковые соединения AniBv М.: Металлургия, 1967. — С. 593−604.
  132. , И.В. Химическая электроника / И. В. Крылова. М.: Изд-во МГУ, 1993.-168 с.
  133. , С. Химическая физика поверхности твердою тела / С. Моррисон. М.: Мир, 1980. — 488 с.
  134. , И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов / И. А. Кировская. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1984.-186 с.
  135. , И.А. Физико-химические свойства поверхности соединений InBv / И. А. Кировская // Неорган, материалы. 1999. — Т. 35, № 5. -С. 535−540.
  136. , B.JI. Химический состав поверхности соединений InBv / B.JI. Штабнова, И. А. Кировская // Изв. АН СССР. Сер. I Ieopran. материалы. -1989.-Т. 25,№ 2.-С. 207−211.
  137. , И.А. Химический состав и природа активной поверхности соединений типа А3В5 / И. А. Кировская // Журнал физической химии. 1998. -Т. 72, № 5.-С. 912−917.
  138. Исследование состояния поверхности соединений типа А3В5 (А-1п) методом электронного парамагнитного резонанса / И. А. Кировская и др. // Изв. АН СССР. Сер. Пеорган. материалы. 1987. — Т. 23, № 10. — С. 17 321 734.
  139. , И.А. Исследование поверхностной активности алмазоподобных полупроводников в процессе их диспергирования / И. А. Кировская, А. В. Юрьева, В. В. Даныпина // Журнал физической химии. -1982.-Т. 56, № 4.-С. 911−915.
  140. Кислотно-основные свойства поверхности алмазоподобных соединений А3В5, А2В6, А’В7 / И. А. Кировская и др. Омск, 1984. — 6 с. — Деп. в ОНИИТЭХим., № 988ХП-84.
  141. , И.А. Адсорбция газов на поверхности соединений А3В5 индиевой группы / И. А. Кировская // Журнал физической химии. 1998. -Т. 72, № 6.-С. 1106−1110.
  142. , О.П. Получение и исследование пленок соединений ZnSe и InSb / О. П. Азарова // Динамика систем, механизмов и машин: тез. докл. III
  143. Международной научно-технической конференции. Омск, 1999. — С. 348 349.
  144. , И.Л. Адсорбционные и зарядовые характеристики эпитаксиального арсенида галлия / И. А. Кировская, Ф. Е. Шакалов // Журнал физической химии. 1980. — Т. 54, № 10. — С. 2493−2497.
  145. , И.А. Исследование поверхности электролитически окисленного антимонида индия / И. А. Кировская, B. J1. Штабнова, И. В. Вотякова // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1983. — Т. 19, № 8. -С. 1250−1253.
  146. Wilmsen, C.W. Chemical composition and formation of thermal and anodic oxide III-V compound semiconductor interfaces / C.W. Wilmsen // J. Vac. Sci. and Technol. 1981. — V. 19, № 3. — P. 279−289.
  147. , В.И. Окислительно-восстановительные электрохимические и химические превращения на поверхности полупроводниковых соединений А3В5/ В. И. Белый, Т. П. Смирнова, А. Н. Голубенко Новосибирск: Наука, 1981.-19с.
  148. Wieder, II.H. Perspectives on III-V compound MIS structures / H.H. Wieder //J. Vac. Sci. and Technol. 1978. — V. 15, № 4. — P. 1498−1506.
  149. Inversion layer transport and properties of oxides on In As / D.A. Baglee etal.//J. Vac. Sci. and Technol.- 1980.-V. 17, № 5.-P. 1032−1036.
  150. Langan, J.D. Characterization of improved InSb interfaces / J.D. Langan, C.R. Viswanathan // J. Vac. Sci. and Technol. 1979. — V. 16, № 5. — P. 14 741 477.
  151. , И.А. Исследование каталитической активности соединений InX в реакции разложения изоиропилового спирта / И. А. Кировская, В. А. Хомич. Черкасы, 1986. — 6 с. — Ден. в ОНИИТЭХим., № 229. хп — 86.
  152. , И.А. Химическое состояние реальной поверхности1. Л £соединений типа, А В / И. А. Кировская // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1989. — Т. 25, № 9. — С. 1472−1476.
  153. Shubert, R. Perturbed bands in real semiconducting glasses / R. Shubert, K.W. Boer // J. Phys. Chem. Solids. 1971. — V.32, № 1. — P. 77.
  154. , В.Л. Аномальная температурная зависимость электропроводности пленок CdS / В. А. Смынтына, А. Е. Турецкий, Г. Г. Чемересюк // Журнал физической химии. 1985. — Т. 59, № 1. -С. 127−131.
  155. , Т.Т. Влияние нагрева на стимулированную светом десорбцию кислорода со слоев CdS и CdSe / Т. Т. Быкова, Э. Ф. Лазнева // Журн. техн. физики. 1979. — Т. 49, № 4. — С. 828.
  156. , В.Л. Адсорбция паров воды и кислорода на соединениях InBv / В. Л. Штабнова, И. А. Кировская // Изв. AI1 СССР. Сер. Неорган, материалы. 1989.-Т. 25,№ 2.-С. 338−340.
  157. , Л.Г. Теплоты адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки / Л. Г. Майдановская, И. А. Кировская // Журнал физической химии. -1966. Т. 40, № 3. — С. 609−613.
  158. , B.JI. Состав и физико-химические свойства поверхности полупроводников типа А3В5. Автореф. дисс.. канд. хим. наук. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1985.- 15 с.
  159. , А.В. Кислотно-основные свойства поверхности бинарных и более сложных алмазоподобных полупроводников. Автореф. дисс.. канд. хим. наук. Свердловск: Изд-во УПИ, 1981. — 16 с.
  160. Kirovskaja, J.A. Termodesorptive analysis of GaAs and ZnSe surfaces / J.A. Kirovskaja, J.M. Zeleva, A.V. Juryeva //Talanta. 1985. — V. 32. — P. 57−59.
  161. Оптические, магнитные и электрофизические исследования адсорбцииу сводорода на полупроводниках, А В индиевой группы / И. А. Кировская и др. //М., 1986.4 с. Деп. в ПИИТЭХим,№ 1066-XII-86 Деп.
  162. Кинетика адсорбции кислорода и зарядка поверхности эпитаксиальных пленок сульфида кадмия / A.M. Курбанова и др. // Неорган, материалы. -2001. Т. 37, № 1. — С. 21−23.
  163. Характеристические параметры кинетики фотоадсорбции кислорода на эпитаксиальных слоях халькогенидов кадмия (CdS, CdSe, w-CdTe) / М. А. Магомедов и др. // Журнал физической химии. 1999. — Т. 73, № 6. -С. 1122−1124.
  164. , В.В. Влияние «биографических» и сорбционных дефектов на токоперенос в поликристаллических пленках сульфида кадмия / В. В. Голованов, Г. Г. Чемересюк, A.M. Шмилевич // Журнал физической химии. 1992. — Т. 66, № 4. — С. 1098−1100.
  165. , Т.В. Адсорбция монооксида углерода на тонких пленках сульфида кадмия // Динамика систем, механизмов и машин: тез. докл. III Международной научно-технической конференции. Омск, 1999. — С. 350 351.
  166. , Н.В. Влияние адсорбции сернистого ангидрида на поверхностный потенциал пленок сульфида кадмия / Н. В. Головань, В. А. Смынтына, A.M. Шмилевич // Журнал физической химии. 1992. -Т. 66,№ 4.-С. 1073−1076.
  167. Afify, II.H. Oxygen interaction with CdS based gas sensors by varying different preparation parameters / H. I I. Afify, I.K. Battisha // Indian J. Pure and Appl. Phys. 2000. — V. 38, № 2. — P. 119−126.
  168. , Е.В. Новая многокомпонентная полупроводниковая система InSb-CdTe. Ее поверхностные физико-химические свойства: дис. канд. хим. наук / Е. В. Миронова. Омск, 2003. — 158 с.
  169. , Е.Г. Получение твердых растворов системы InSb ZnTe. Ее адсорбционные, электрофизические и оптические свойства: дис. канд. хим. наук / Е. Г. Шубенкова. — Омск, 2005. — 263 с.
  170. , А.Н. Давление пара химических элементов / А. Н. Несмеянов. М.: Изд-во АН СССР, 1961. — 396 с.
  171. Addamiano, A. Some observations on the system ZnS-AlP // J. Electrochem. Soc. 1960. — № 12. — P. 1006−1007.
  172. , В.М. Фазовое равновесие и характер межмолекулярного взаимодействия в квазибинарных системах GaSb-Zn(Cd)Te / В. М. Глазов, JI.M. Павлова, 11Л. Грязева // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. -1975.-Т. 11,№ 3.-С. 418−423.
  173. Фазовое равновесие в системе In-Sb-Zn-Te / Т. Е. Пурис и др. // Изв. AI1 СССР. Сер. Пеорган. материалы. 1970. — Т. 6, № 10. — С. 1811−1815.
  174. , В.М. Совместная растворимость и донорно-акцепторное взаимодействие селена и кадмия в арсениде галлия / В. М. Глазов, Л. М. Павлова, Л. И. Передерий // Журнал физической химии. -1985. Т. 59, № 1.-С. 32−36.
  175. Получение материалов твердых растворов А3В5 А2В6, близких к собственным / Е. В. Калашникова и др. // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. — Новосибирск: Наука, 1975. — Ч. 2. — С. 232−236.
  176. Твердые растворы в системах InAs-CdS и InAs-CdSe / А. В. Войцеховский и др. // Изв. АН СССР. Сер. Пеорган. материалы. 1968. -Т. 4, № 10.-С. 1681−1684.
  177. , А.В. О взаимодействии арсенида галлия с соединениями типа А2В6 / А. В. Войцеховский, А. Д. Пашун, В. К. Митюрев // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1970. — Т. 6, № 2. — С. 379−380.
  178. , В.М. Раздельная и совместная растворимость Zn, Cd и Те в InAs / В. М. Глазов, В. А. Нагиев, Н. Н. Глаголева // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы.-1975.-Т. 11,№ 7. С. 1181−1183.
  179. Некоторые исследования твердых растворов на основе соединений типа А3В5 и А2В6 / А. Инюткин и др. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1964. — Т. 28, № 6.-С. 1010−1016.
  180. Stuckes, A. D. Electrical and thermal properties of alloys of InAs and CdTe / A. D. Stuckes, R.P. Shasmar // J. Phys. Chem. Sol. 1964. — V. 25, № 5. -P. 469−476.
  181. Скоробогатова, J1.A. Зонные параметры системы твердых растворов (InSb)x (CdTe)|.4 / JI.A. Скоробогатова, Э. Н. Хабаров // Физика полупроводников. 1974. — Т. 8, № 2. — С. 401−403.
  182. Sonomura, II. Synthesis and some properties of solid solutions in the GaP-ZnS and GaP-ZnSe pseudobinaiy systems / H. Sonomura, T. Uragaki, T. Miyauchi // Jap. J. Appl. Phys. 1973. — V. 12, № 7. — P. 968−973.
  183. Ku, S. M. Synthesis and some properties of ZnSe: GaAs solid solutions / S. M. Ku, L. J. Bodi Hi. Phys. Chem. Sol. 1968. — V. 29, № 12. — P. 2077−2082.
  184. , M.A. Квазиравновесные состояния твердых растворов / М. А. Захаров // ФТТ. 1999. — Т. 41, № 1. — С. 60−63.
  185. , И.А. Полупроводниковый анализ и контроль состояния окружающей среды / И. А. Кировская // Аналитика Сибири и Дальнего Востока: Тез. Докл. Новосибирск, 2000. — С. 164−165.
  186. Indium oxide-based gas sensor for selective detection of CO / Yamaura Hiroyuki et al. // Sensors and Actuators. 1996. — В 35−36. — P. 325−332.
  187. NO2 response of 1п20з thin film gas sensors prepared by sol-gel and vacuum thermal evaporation techniques / C. Cantalini et al. // Sensors and Actuators. -2000.-В 65.- P. 101−104.
  188. A. c. 1 798 672. Датчик влажности газов / И. А. Кировская, Е. Д. Скутин,
  189. B.Г. Штабнов Бюл. Изобретений и открытий, № 8. — 1993.
  190. Электрофизические исследования поверхности селенида цинка / И. А. Кировская и др. //Деп. В ВИНИТИ, 1980. № 4038. — С. 80.
  191. , С.С. Рентгенографический и электроннооптический анализ /
  192. C.С. Горелик. М.: Металлургия, 1970. — 368 с.
  193. , С.Е. Справочник по рентгеноструктурному анализу / С. Е. Миркин.-М.: Гос. физ. мат. лит-ры, 1961. — 863 с.
  194. , Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул / Л. Литтл.- М.: Мир, 1969.-628 с.
  195. , А.А. ИК спектроскопия в химии поверхности окислов / А. А. Давыдов. — Новосибирск.: Изд — во «Наука» Сибирское отделение, 1984.- 245 с.
  196. , О.В. Адсорбция и катализ на переходных металлах и оксидах / О. В. Крылов, В. Ф. Киселев. М.: Химия, 1981. — 288 с.
  197. , И.А. Кинетика химических реакций / И. А. Кировская. -Омск: Изд-во ОмГТУ, 1994. 96 с.
  198. , А.Н. Кислотно-основное титрование в неводных растворах / А. П. Крешков, Н. А. Казарян. М.: Химия, 1967. — 192 с.
  199. , И.П. Охрана природы. Справочник / И. П. Кирпатовский. -М. Химия, 1980.-376с.
  200. , Ф.М. Лабораторные методы получения чистых газов / Ф. М. Рапапорт. М., 1963. — 419 с.
  201. , Н.С. Общая и неорганическая химия: учеб. пособие / Н. С. Ахметов. М.: Высшая школа, 1988. — 453 с.
  202. , И.А. Исследование кислотно-основных свойств поверхности системы InSb-ZnTe / И. А. Кировская, Е. Г. Шубенкова // Динамика систем, механизмов и машин: матер. V Междунар. науч.-техн. конф. Омск: ОмГТУ, 2004. Кн. 3. С. 49−53.
  203. , А. Химия твердого тела. Теория и приложения. В 2-х ч. Ч. I / А. Вест. М.: Мир, 1988. — 558 с.
  204. Физико-химические свойства полупроводников: справочник. М.: Наука, 1979.-220 с.
  205. , Е.А. Инфракрасная спектроскопия в гетерогенном кислотно-основном катализе/ Е. А. Паукштис. Новосибирск: Наука, 1992.-235 с.
  206. Адсорбция окиси углерода на полупроводниках типа цинковой обманки /И.А. Кировская и др. //ЖФХ, 1970. Т. 44, № 5. — С. 1260−1266.
  207. , И.А. Адсорбционные свойства компонентов системы ZnSe CdSe / И. А. Кировская, Е. М. Буданова // ЖФХ — 2002. — Т. 76, № 7. -С. 1246- 1254.
  208. , Е.В. Новая многокомпонентная полупроводниковая система InSb CdTe. Ее поверхностные физико-химические свойства: автореф. дис. канд. хим. наук / Е. В. Миронова. — Омск: Изд-во ОмГТУ, 2003. 18 с.
  209. , М.П. Кристаллография / М. П. Шаскольская. М.: Высшая школа, 1976.-392 с.
  210. , С.С. Экспериментальные основы структурной химии / С. С. Бацанов. М.: Изд-во стандартов, 1986. — 240 с.
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!