Бакалавр
Дипломные и курсовые на заказ

Возбуждение и преобразование центров окраски кристаллов

Диссертация: Возбуждение и преобразование центров окраски кристаллов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Предложен механизм образования Р" центров в кристаллах М^Р2 при радиационном облучении, который заключается в локализации электронов зоны проводимости на Р центрах. Оптическое создание Р~ центров происходит в результате фототермической ионизации Р ЦО, заключающейся в оптическом возбуждении центра и термическом забросе электрона с возбуждённого уровня Р ЦО в зону проводимости, а также в результате… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ, МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ
    • 1. 1. Объекты исследования
    • 1. 2. Установка для измерения спектральных и кинетических характеристик люминесценции и оптического поглощения
    • 1. 3. Высокочувствительный метод измерения короткоживущего поглощения при оптическом и электронном возбуждениях
  • ГЛАВА 2. ОСОБЕННОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ СОБСТВЕННЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В КРИСТАЛЛАХ MgF
    • 2. 1. Центры окраски в кристалле
  • §-Р2 (обзор литературы)
    • 2. 2. Образование центров окраски в кристаллах
  • §-Р2 при радиационном облучении
    • 2. 3. Особенности преобразования центров окраски в кристаллах
  • §-Р2 при оптическом и радиационном воздействиях
    • 2. 4. Преобразование центров окраски в
  • §-Г2 при одновременном оптическом и термическом воздействии
    • 2. 5. Выводы
  • ГЛАВА 3. МЕХАНИЗМЫ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В КРИСТАЛЛАХ
    • 3. 1. Природа полосы поглощения 370 нм
    • 3. 2. Особенности строения и энергетическая структура центров в кристаллах М? р
    • 3. 3. Механизмы образования Р~ центров в кристаллах MgF
    • 3. 4. Особенности люминесценции центров окраски в MgF
    • 3. 5. Природа полос поглощения с А, тах 300, 358 и 435 нм
    • 3. 6. Выводы
  • ГЛАВА 4. ОСОБЕННОСТИ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ Ш
    • 4. 1. Механизмы преобразования электронных центров окраски в кристаллах фтористого лития (обзор литературы)
    • 4. 2. Особенности преобразования собственных центров окраски в кристаллах ОБ при электронном воздействии
    • 4. 3. Особенности преобразования собственных центров окраски в кристаллах 1лР при оптическом воздействии
    • 4. 4. Механизмы преобразования Р2 центров в кристаллах 1лР при оптическом и радиационном воздействиях
    • 4. 5. Выводы

Возбуждение и преобразование центров окраски кристаллов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Кристаллы фтористого лития (1лР) и магния (М^), благодаря наибольшей областью прозрачности (0.11 — 7 мкм), традиционно широко используются в устройствах ВУФ — УФ спектроскопии [1,2]. Высокие требования к стабильности оптических элементов, применяемых в данной аппаратуре, стимулировали изучение процессов радиационного образования и преобразования центров окраски (ЦО) в кристаллах 1лР и М^г-Полученные при этом результаты по влиянию примесного состава и температуры на эффективность образования радиационных дефектов определили значительный интерес к данным кристаллам в плане создания чувствительных термолюминесцентных детекторов ионизирующего излучения [3−8]. На базе системного анализа особенностей дефектообразо-вания и свойств ЦО, наведенных в ЬлР при дозах радиационного облучения, превышающих 107Р, были созданы активные элементы перестраиваемых по частоте лазеров [9−15]. Эти принципиально новые достижения дали толчок бурному развитию радиационной физики кристаллов и твердотельной квантовой электроники. К настоящему времени определены фундаментальные механизмы дефектообразования и выявлена природа многих ЦО в кристаллах 1лР, ЫаР, КС1, А1203 и др. [16−19]. Создано большое число активных и пассивных сред на основе ЦО в кристаллах 1лР, КС1, М^, А1203 и др. для различных типов перестраиваемых и од-ночастотных лазеров [9−15,20−23]. Благодаря использованию мощных пучков электронов, обеспечивающих высокие темпы окрашивания кристаллов, разработаны миниатюрные активные Р2: 1лЕ среды для эффективного усиления и формирования фемтосекундных лазерных импульсов [24].

Вместе с тем ряд важнейших вопросов относительно природы процессов радиационного преобразования и оптической устойчивости ЦО в Ы¥и остаются нерешёнными. Так, анализ литературных данных показывает, что во фториде магния однозначно определены только элементарные? центры [27−29]. Идентификацию Б-агрегатных центров и прежде всего Р2 ЦО нельзя считать завершенной, поскольку отсутствуют классические кинетические данные о поглощении в области Р полосы, о миграции и локализации анионных вакансий, а также о традиционных в таких случаях сопутствующих процессах перезарядки Р2+, Р2, Р~ ЦО.

Кроме того, в течение длительного времени при разработке активных сред перестраиваемых лазеров видимого диапазона на основе кристаллов ЫР с ЦО существует проблема оптической устойчивости рабочих ?2 и Р^ центров к излучению когерентной накачки. При этом установлено, что нежелательные процессы фотопреобразования ?2 и Р3+ ЦО обусловлены двухступенчатой ионизацией центров [30,31]. Вместе с тем было замечено, что число разрушенных в результате ионизации ?2 центров значительно превосходит количество созданных при этом Р2 ЦО [32]. Для объяснения этой особенности, а также сопутствующего процесса увеличения концентрации Р центров был предложен механизм фотодиссоциации возбуждённых ?2 ЦО [32]. Позже авторы [33] обнаружили эффективную секундную компоненту распада наведенных ЦО и показали, что происходит диссоциация Р2+, а не ?2 центров. Однако и в этой работе не установлена причина секундного распада Р2+ центров, а следовательно, и процессы, составляющие механизм фоторазрушения Р2 ЦО, остались нераскрытыми.

В связи с актуальностью представленных выше проблем была поставлена задача: исследовать кинетику оптического поглощения, выход люминесценции и стабильность ЦО в кристаллах 1лР и М§ Р2 при воздействии мощных электронных пучков и световых импульсов с целью установления механизмов образования и преобразования ЦО.

Научная новизна работы отражена в следующих положениях, выносимых на защиту:

1. В кристаллах М§ р2 наведенные электронными и оптическими пучками анионные вакансии неподвижны в температурном интервале 78 630 К. Этим объясняется низкая вероятность создания Р-агрегатных центров. Полосы поглощения при 300, 358, 370 и 435 нм, эффективно образующиеся в радиационно облученных кристаллах при УФ — фототермическом воздействии, обусловлены одновакансионными центрами анионной подрешетки.

2. В кристаллах фтористого магния за полосы поглощения при 370 нм и излучения при 420 нм ответственны Р~ центры. Образование РЦО происходит в результате захвата Р центрами электронов зоны проводимости.

3. При электронном облучении кристаллов Ы¥образование Р2ЦО по механизму локализации анионных вакансий на Р~ центрах происходит вследствие накопления Р* ЦО. Эффективный процесс захвата горячих электронов Р2+ центрами приводит к созданию возбуждённых Р2 ЦО с последующим образованием Р" центров в результате туннельного переноса электронов с возбужденных Р2 ЦО на близко расположенные Р центры.

4. Оптическое разрушение Р2 центров в кристаллах 1лР происходит вследствие туннелирования электронов с высокоэнергетического (Е > 4,5 эВ) возбуждённого уровня Р2 на Р ЦО. При этом образуются пары близкорасположенных Р2+ и Р~ центров. В результате взаимодействия близкорасположенных Р, Р2+ ЦО происходит их диссоциация и образуются три пространственно разделённых Р центра.

Практическая значимость работы.

В процессе выполнения поставленных задач разработаны и изготовлены оптические узлы и элементы мощной ВУФ-ИК наносекундной лампы. Разработан чувствительный метод измерения короткоживущего поглощения в области 190−1200 нм, наведенного в кристаллах мощными световыми импульсами. Полученные результаты используются в разработке высокоэффективных Р2: 1лР усилителей ультракоротких лазерных импульсов.

Апробация работы и публикации.

Материалы работы докладывались и обсуждались на Международной конференции по перестраиваемым лазерам (Иркутск, 1989 г.) — Всесоюзной конференции по радиационной физике неорганических материалов (Рига, 1989 г.) — Семинаре молодых ученых по радиационной физике и химии твёрдого тела (Львов, 1990 г.) — Международной конференции по изоляторам (Нагоя (Япония), 1993 г.) — Международной конференции по перестраиваемым твёрдотельным лазерам (Минск, 1994 г.) — Международном семинаре БСШТМАТ 96 (Екатеринбург, 1996 г.) — Школе-семинаре по люминесценции и сопутствующим явлениям (Иркутск, 1996;1998 г.) — Международной конференции ЕХЖСЮГМ 98 (Великобритания, 1998 г.) и на Международной конференции по физико-химическим процессам в неорганических материалах (Кемерово, 1998 г). Результаты исследований изложены в 15 публикациях.

Личный вклад соискателя в опубликованных статьях. Печатные работы, представленные диссертантом, основаны на экспериментальных результатах, полученных в соавторстве и интерпретированных как лично автором, так и в соавторстве.

Объём и структура работы.

Диссертация изложена на 113 страницах, включая 80 страниц машинописного текста, иллюстрирована 33 рисунками и 2 таблицами, состоит из введения, 4 глав, заключения и списка литературы, включающего 118 наименований.

4.5. Выводы.

При электронном облучении кристаллов фтористого лития образование Р2 центров по механизму локализации анионных вакансий на Р" ЦО (Р'+а^Рг) происходит вследствие появления возбужденных Р2 ЦО при захвате горячих электронов Р2+ центрами.

Образование Р" центров в 1лР при радиационном или оптическом воздействии происходит по механизму туннельного переноса электрона с высокоэнергетического возбуждённого состояния Р2ЦО на близко расположенный Р центр.

Оптическая ионизация Р2 центров в кристаллах ГлР происходит вследствие туннелирования электронов с высокоэнергетического возбуждённого уровня (> 4.5 эВ) на Р ЦО. При этом создаются пары близко расположенных Р2+ и Р~ ЦО, которые взаимодействуют между собой и во временном интервале с х «3 с диссоциируют. В результате данного процесса происходит образование трёх пространственно разделённых Р центров (Р2+Р~—>ЗР).

Заключение

.

1. Установлено, что в кристаллах М? р2, наведённые электронными и оптическими пучками анионные вакансии, неподвижны в температурном интервале 78 — 630 К. Этим объясняется низкая вероятность образования Б агрегатных центров в данных кристаллах.

2. Установлено, что полоса поглощения с А, тах 370 нм в кристаллах М? р2 обусловлена Р" центрами. Данный центр в решётке фтористого магния имеет локальную симметрию С2иПереход а1 — аГ, дипольный момент которого ориентирован перпендикулярно главной оптической оси кристалла (Е 1 С), соответствует полосе поглощения с А, тах 370 нм и является основным переходом Р" центра.

3. Показано, что анизотропия оптических свойств Р~ центров в кристаллах М^Р2 обусловлена особенностью строения его кристаллической решётки, которая ограничивает ориентацию дипольного момента основно* го (а1 — а1) оптического перехода Р центра двумя взаимно ортогональными и перпендикулярными главной оптической оси кристалла направлениями.

4. Предложен механизм образования Р" центров в кристаллах М^Р2 при радиационном облучении, который заключается в локализации электронов зоны проводимости на Р центрах. Оптическое создание Р~ центров происходит в результате фототермической ионизации Р ЦО, заключающейся в оптическом возбуждении центра и термическом забросе электрона с возбуждённого уровня Р ЦО в зону проводимости, а также в результате прямого перевода электрона с основного уровня Р центра в зону проводимости при энергии возбуждающих фотонов больше 4.3 эВ.

5. Показано, что в кристаллах фтористого магния, наведённые фототермическим воздействием полосы поглощения при 300, 358 и 435 нм, принадлежат Б" подобным центрам.

6. Установлено, что при электронном облучении кристаллов фтористого лития образование ?2 центров по механизму локализации анионных вакансий на Б" ЦО (Р~+а-«Р2) происходит вследствие появления возбужденных Р2 ЦО при захвате горячих электронов Р2+ центрами.

7. Установлено, что в 1ЛР образование Р~ центров при радиационном или оптическом воздействии происходит по механизму туннельного переноса электрона с высокоэнергетического возбуждённого состояния Р2ЦО на близко расположенный Р центр.

8. Показано, что оптическая ионизация Р2 центров в кристаллах 1лР происходит вследствие туннелирования электронов с высокоэнергетического возбуждённого уровня (> 4.5 эВ) на Р ЦО. При этом создаются пары близко расположенных Р2+ и Е" ЦО, которые взаимодействуют между собой и во временном интервале с т"3с диссоциируют. В результате данного процесса происходит образование трёх пространственно разделённых Р центров (Р2++Р" -^ЗР).

Показать весь текст

Список литературы

  1. Лях В.В., Назьмов В. П. / Спектрометр для фотохимии // Тезисы доклада, 1. Всесоюзная конференция по физике ВУФ излучения и его взаимодействия с веществом (ВУФ-91), Томск (Москва), 1991, с. 233.
  2. D.F., Sacher P.A. / Effects of simulated high-energy space environment on the ultraviolet transmittance of optical materials between 1050A and 3000A // Applied optics, 1966, vol.5, № 6, p.937−943.
  3. K.K., Кристапсон Я. Ж., Лусис Д. Ю., Подинь A.B. / Фтористый литий: оптические свойства и применение в термолюминесцентной дозиметрии // Радиационная физика, Рига, 1967, в.5, с. 179−235.
  4. B.F., Шавер И. Х. / Люминофоры для термолюминесцентной дозиметрии // М: НИИТЭХИМ, 1978, 35 с.
  5. К.К., Грант З. А., Меж Т.К., Грубе М. М. / Термолюминесцентная дозиметрия//Рига, Зинатне, 1968, 183 с.
  6. М., Штольц В. / Твердотельная дозиметрия ионизирующего излучения // М.: Атомиздат, 1973, 248 с.
  7. А.И., Раджабов Е. А., Егранов A.B. / Центры окраски и люминесценция кристаллов LiF // Новосибирск, Наука, 1984, 113 с.
  8. В.А., Феофилов П. П. / Перестраиваемые лазеры на центрах окраски в ионных кристаллах (обзор) // Квантовая электроника, 1980, т.7, № 6, с.1141−1160.
  9. Т.Т., Воронько Ю. К., Миров С. Б. / Твёрдотельные перестраиваемые лазеры на центрах окраски в ионных кристаллах // Известия АН СССР, Сер. физ., 1982, т.46, № 8, с.1600−1610.
  10. И.А., Хулугуров В. М., Иванов H.A. и др./ Лазеры на центрах окраски в щелочно-галоидных кристаллах //Изв. АН СССР, сер.физ., 1981, т.45, № 2, с.309−313.
  11. E.F., Tokarev A.G., Grigorov V.A. / A1203 color center lasting in near infrared at 300 К // Optic Commun., 1985, v.53, № 4, p. 254−256.
  12. E.F., Baryshnicovv V.l., Grigorov V.A. / Lasting in A1203 color centers at room temperature in the visible // Optics Commun., 1985, V.53, № 4, p.257−258
  13. Е.Ф., Токарев А.Ф./ Генерация лазерного излучения в области 1 мкм центрами окраски в А120з // Журнал технической физики, 1985, Т.55, вып. 10, с.2038−2039
  14. Ю.Л., Маренников С. И., Чеботаев В. П. / Перестраиваемые лазеры на центрах окраски // Известия АН СССР, Сер. физ., 1980, т.44, № 10, с.2018−2028.
  15. J. / Optical properties and mechanism of formation of some F-aggregate centers//Phys. Rev. 1967, vol.158, № 3, p.814−825.
  16. .П., Вайсбурд Д. И., Москалев B.A. / Создание и превращение F2, F2+ и F2~ центров в кристаллах LiF при импульсном облучении плотными пучками электронов//Письма в ЖТФ, 1981, т.7, № 13, с.791−794.
  17. В.И., Мартынович Е. Ф. / Преобразование центров окраски в монокристаллах лейкосапфира // ФТТ, 1986, т.28, вып.4, с. 1258−1260.
  18. В.И., Мартынович Е. Ф., Колесникова Т. А., Щепина Л. И. / Механизмы преобразования и разрушения центров окраски в монокристаллах А1203 // ФТТ, 1990, т.32, вып.1, с.291−293.
  19. H.A., Парфианович И. А., Хулугуров В. М., Чепурной В. А. / Нелинейные насыщающиеся фильтры на основе щелочно-галоидных кристаллов с центрами окраски // Изв. АН СССР, Сер. физ., 1982, т. 116, № 10, с.1985−1991.
  20. А.П., Макуха В. К. и др. / Использование кристаллов LiF с F2~ центрами в качестве нелинейных фильтров в лазерных системах на стекле с неодимом // Письма в ЖТФ, 1980, № 6, в.15, с.941−943.
  21. В.М., Лобанов Б. Д. и др. / Пассивный модулятор добротности резонатора лазера // Авт. свид. № 818 423, 1979.
  22. .Д., Максимова Н. Т. / Пассивный модулятор добротности резонатора лазера и способ его изготовления // Авт. свид. № 1 037 818, 1981.
  23. В.И. / Малоинерционная люминесценция, возбуждение и преобразование дефектов диэлектрических кристаллов в интенсивных радиационных полях // Автореф. докт. диссертации, Иркутск, 1997, 44 с.
  24. Л.М., Карнаухов E.H., Пензина Э. Э., Ружников Л. И. / Нестационарная спектроскопия и кинетика пикосекундной релаксации фотовозбуждённых Z2 центров в щелочно-галоидных кристаллах // Оптика и спектроскопия, 1988, т.64, в.5, с.1056−1061.
  25. В.В., Лукин A.B., Пензина Э. Э., Соболев Л. М. / Щелочно-галоидные кристаллы с Z4 центрами как фототропные затворы для лазеров // Оптика и спектроскопия, 1989, т.67, в. З, с.701−703.
  26. W.E., Fasey O.E., Sibley W.A. / Additive coloration of MgF2 // Phys. stat. sol. (a), 1970, vol.1, p.679−683.
  27. W.P., Nelson L.G., Lewis J.T., Kolopus J.L. / The F center in MgF2. I: Epr and Endor// J. Phys. Chem., 1971, vol.4, p.2992−3005.
  28. J.L., Lewis J.T., Unruh W.P., Nelson L.G. / The F center in MgF2. II: Optical absorption and epr // J. Phys. Chem., 1971, vol.4, p.3007−3014.
  29. Т.Т., Воронко Ю. К. и др. / Превращение центров окраски в кристаллах LiF под действием лазерного излучения // Краткие сообщения по физике, 1982, № 3, с.3−9.
  30. Е.Ф., Барышников В. И., Григоров В. А. / Лазерные среды на кристаллах LiF с предельно высокими концентрациями F2 центров // Письма в ЖТФ, 1985, т.11, вып. 14, с.875−878.
  31. Е.Ф., Григоров В. А., Колесникова Т. А. / Оптическое преобразование центров окраски фторида лития // Шестая всесоюзная конференция по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Рига, 1986. 4.1, с.189−180.
  32. В.И., Колесникова Т. А. / Взаимодействие мощных наносе-кундных оптических вспышек и лазерных импульсов с центрами окраски фторида лития // Оптика и спектр., 1994, т.11, № 1, с.57−60.
  33. С. // Optical Properties of fluorides //1985, Academic Pressm, Inc. P.477−487.
  34. А. Ф. Дмитриенко A.O. /Физико-химические свойства кристаллов // М., Химия, 1980. 208с.
  35. P.A., Андреева Л. Л., Молочко В. В. / Справочник по неорганической химии: константы неорганических веществ // М., Химия, 1987, 318с.
  36. Кристаллография / Под редакцией Шаскольской М.П.- Москва: Высшая школа, 1976, 386 с.
  37. Кристаллография / Под редакцией Костова И.- Москва: Мир, 1965, 400 с.
  38. В.И. / Люминесценция центров окраски и механизмы их преобразования при облучении монокристаллов А120з пучками электронов высокой плотности // Диссертация на соискание ученой степени канд. физ. мат. наук, Иркутск, 1986.
  39. В.И., Дорохов С. В., Колесникова Т. А. / Мощная наносе-кундная ВУФ ИК лампа // Тезисы докладов IX Всесоюзной конференции по физике ВУФ излучения и его взаимодействия с веществом (ВУФ-91), Томск (Москва), 1991, с.220−221.
  40. В.И., Дорохов С. В., Мартынович Е. Ф. / Малогабаритный наносекундный лазер с ламповой накачкой F2 центров в LiF // Тезисы доклада, Международная конференция по перестраиваемым лазерам, 1989, Иркутск, 4.1, с. 121−124.
  41. И.А., Саломатов В. Н. / Люминесценция кристаллов // Иркутск: Издательство Ирк. университета, 1988, 248 с.
  42. R.F., Cohen M.I. / Irradiation induced color centers in magnesium fluoride//Physical Review, 1967, vol.153, № 3, p.1031−1038.
  43. M.B., Умрейко Д. С., Шкадаревич А. П. и другие / Спектрально люминесцентные свойства электронных центров окраски в кристаллах MgF2 // Оптика и спектроскопия, 1986, том 60, № 2, с. 307.
  44. Р.Т., Marquardt C.L., Williams J.W., Kabler M.N. / Transient absorption and luminescence in MgF2 following electron pulse excitation // Physical Review B, 1977, vol.15, № 10, p.5003−5010.
  45. O.E., Sibley W.A. / Optical absorption and luminescence in irradiated MgF2 // Physical Review, 1969, vol.186, № 3, p.926−932.
  46. A.B., Родный П. А. / Исследование механизмов образования центров окраски фторидов магния, кальция и лития импульсным рентгеновским методом // Отчёт о НИР, 1986, № гос. per. 61 940 083 524 Ленинградский политехнический институт.
  47. Y. / Epr study of hole centers in MgF2 crystals irradiated with x-rays and neutrons at low temperatures// J. of Phys. Soc. Jap., 1976, vol.41, № 4, p.1255
  48. C.D., Halliburton L.E. / Radiation-induced fluorine interstitial atoms in MgF2 // Phys. Rev B, 1977, vol.15, № 12, p.5883−5889.
  49. A.B., Головин A.B., Ершов H.H., Родный П. А. / Природа рент-генолюминесценции облучённых кристаллов фторида магния // Изв. Акад. Наук СССР, серия физика, 1986, т.50, № 3, с. 544.
  50. Н.Г., Родный П. А. / Механизмы возбуждения центров люминесценции в кристаллах MgF2-Mn // ФТТ, 1988, т. ЗО, № 12, с. 3698.
  51. В.М., Яковлев В. Ю., Корепанов А. П. / Кинетика разрушения М-центров после импульсного облучения электронами в кристалле MgF2 //ФТТ, 1978, т.20,№ 3, с. 731.
  52. A.B., Головин A.B., Родный П. А. / Люминесценция центров окраски во фториде магния // Оптика и спектроскопия, 1986, т.60, № 2, с. 297.
  53. Н.Г. / Особенности рентгенолюминесценции F2 центров в MgF2 //ЖПС, 1981, т.35, № 1, с.170−172.
  54. В.В., Лисицын В. М. / Энергия образования дефектов по Френкелю в MgF2 // Известия вузов, Физика, 1976, № 5, с. 128.
  55. С.Н., Welch D.O., Royce S.H. // Phys. St. Sol. (b), 1972, vol.49, p.609, vol.50, p.241.
  56. Y., Lambert M., Smoluchowski R. // Phys. Rev., 1967, vol.159, p.700.
  57. В.И., Лисицын В.М.//Извест. вузов СССР, Физика, 1975, № 8.
  58. В.И., Колесникова Т. А., Щепина Л. И., Дорохов С.В, Соцер-дотова Г. В. / УФ спектроскопия монокристаллов MgF2 при воздействии наносекундных оптических и электронных пучков // Оптика и спектроскопия, 1989, т.67, в. 1, с.217−219.
  59. W.A., Facey O.E. //Phys. Rev. В. 1970, vol.2, № 4, p. l 111−1116.
  60. В.И., Копайлова Е. Ф. / Генерация F-центров в кристаллах MgF2 при низких температурах // Тезисы доклада VI Международной конференции по радиационным гетерогенным процессам, Кемерово, 1995, с. 86.
  61. В.И., Щепина Л. И., Дорохов С. В., Колесникова Т. А. / Фототермические преобразования центров окраски в монокристаллах MgF2 // Оптика и спектроскопия, 1992, т.73, в. З, с.499−501.
  62. V.I., Dorohov S.V., Kolesnikova Т.A., Schepina L.I. / Creation mechanism of point defects in annealing processes and electron, light irradiation of MgF2 crystals // Abstract, International conference REI-7, 1993, Na-goya, Japan, РАЗ 6.
  63. V.I., Dorohov S.V., Schepina L.I. / Photothermal destruction mechanism of F-center in MgF2 crystals // Abstract, International conference SCINTMAT-96, Ekaterinburg, Russia, 1996, P6.
  64. И.А., Пензина Э. Э. / Электронные центры окраски в ионных кристаллах // Иркутск, 1977, Вост-Сиб. книжное издательство.
  65. Р.Е., Shouehem A.M., Tasrer P.W. / Self-trapped holes (Vk) in alkali halide crystals like NaCl // Phys. Rev. B, Condens. Matter., 1984, v.30, № 8, p. 4621−4639.
  66. D.S., Nowick A.S. / Ionic conductivity and point defects in pure and doped MnF2 and MgF2 single crystals // J. Phys. Chem. solids, 1976, vol.37, p.607−617.
  67. В.И., Дорохов С. В. / Особенности образования электронных центров окраски в кристаллах MgF2 // Тезисы докл., Школа-семинар по люминесценции и сопутствующим явлениям, Иркутск, 1997, с. 210.
  68. А.Б., Лушников И. Ф., Шкадаревич А. П. и др. / Кластерные расчёты электронной структуры F подобных центров в кристаллах MgF2 методом рассеянных волн // ФТТ, 1991, т. ЗЗ, № 1, с. 144.
  69. V.I., Dorohov S.V. / Particularities of forming of electron color centres in MgF2 crystal // Abstract, International conference EURODIM 98, Keele, (Great Britain), 1998 r. .
  70. G.P. Summers / Photoconductivity in MgF2 // J. Phys. C: Solid State Phys., 1975, vol.8, p.3621−3627.
  71. Baryshnicov V.I., Dorohov S.V./ Particularities of forming of electron color centers in MgF2 crystal // Abstract, International conference EURODIM 98, Keele, (Great Britain), 1998 r.
  72. Г. М., Никитинская H.M. и др. / Температурная зависимость выхода рентгенолюминесценции MgF2 Мп // Оптика и спектроскопия, 1976, т.40, № 4, с. 766.
  73. В.И., Дорохов С. В., Колесникова Т. А., Мартынович Е. Ф., Щепина Л. И. / Малоинерционная широкополосная ВУФ-УФ накачка кристаллических сред // Известия АН СССР, серия Физика, 1990, т.54, № 8,с.1484−1486.
  74. Ю.Л., Коноплин С. Н., Маренников С. И. / Генерация когерентного излучения на F2 центрах окраски в монокристаллах LiF // Квантовая электроника, 1977, т.4, № 9, с.2024−2025.
  75. Т., Kacmarek F. // Opt. Commun., 1979, № 28, р.101.
  76. L.F., Bloom D.M. // Opt. Lett., 1979, № 4, p.247.
  77. Т.Т., Воронко Ю. К., Миров C.B., Осико В.В, Прохоров A.M. / Кинетика накопления и генерации F2+ центров в кристаллах LiF (F2) //, Письма в ЖЭТФ, 1979, т.30, № ю, с.661−665.
  78. Т.Т., Воронко Ю. К., Миров C.B., Осико В. В., Прохоров A.M., Соскин М. С., Тараненко В. Б. // Квантовая электроника, 1982, № 9, с. 175.
  79. Zeng L.X., Wan L.F. // Opt. Commun, 1985, № 55, p.277.
  80. Mollenauer L. F, Bloom D.M., Guggenheim H. / Simple two step photo-ionization yield high density’s of laser-active F2+centers // Apll. Phys. Lett, 1978, vol.33, № 6, p.506−509.
  81. В.M. / Центры окраски, люминесценция и вынужденное излучение кристаллов LiF с катионо- и анионо- замещающими примесями // Автореферат канд. дисс, Иркутск, 1978, 24с.
  82. Мартынович Е. Ф, Барышников В. И, Григоров В. А, Щепина Л. И. / Миниатюрные лазерные элементы на ЦО с предельно низким порогом генерации // Квантовая электроника, 1988, Т. 15, № 1, с.47−50.
  83. Nahum J, Wiegard D.A. / Optical properties of some F-aggregate centers // Phys. Rev, 1967, vol.154, № 3, p.817−830.
  84. Адуев Б. П, Вайсбурд Д. И. / Образование F2 центров в кристаллах LiF при импульсном облучении плотными пучками электронов // ФТТ, 1981, т.23, № 6, с.1796−1797.
  85. Адуев Б. П, Вайсбурд Д. И. / Создание и разрушение F2+ центров в кристаллах LiF при импульсном облучении плотными пучками электронов // ФТТ, 1981, т.66, № 23, с. 1869−1871.
  86. .П., Вайсбурд Д. И. / Исследование перескока дырок валентной зоны LiF при наносекундном облучении плотными пучками электронов // ФТТ, 1978, т.20, № 12, с.3739−3740.
  87. B.C., Михнов С. А., Овсейчук С. И. / Изменение спектров поглощения у-облученных кристаллов фторида лития в области вакуумного ультрафиолета в зависимости от дозы облучения и последующих световых воздействий // Минск, 1987, Препринт, № 496.
  88. О.Н., Калинов B.C., Михнов С. А., Овсейчук С. И. / Спектры одновалентных центров окраски в кристаллах фторида лития и натрия // Оптика и спектроскопия, 1989, т.66, вып.2, с.312−316.
  89. С.А., Калинов B.C., Овсейчук С. И., Салтанов A.B. / Определение ориентации поглощения диполей в гамма облученных кристаллах фторида лития и натрия по исследованиям спектров поворота электрического вектора // Минск, Препринт, № 575.
  90. Л.А., Кравченко В. А., Рейтеров В. М. / Образование сложных электронных центров окраски в кристаллах LiF под действием импульсов электронов // ЖПС, 1989, т.50, с.658−664.
  91. Л.А. / Закономерности создания электронных центров окраски в кристаллах LiF при импульсном радиационном воздействии // Известия вузов, Физика, 1996, т.39, № 11, с.57−75.
  92. Л.А. / Механизм возбуждения радиолюминесценции ионизованных центров окраски в LiF // Международная конференция по физико-химическим процессам в неорганических материалах, Кемерово, 1998, с. 135.
  93. Е.П., Соцердотова Г. П., Сидоровская Т. И. // Известия вузов, Физика, 1972, № 3, с. 149−151.
  94. В.И., Колесникова Т. А., Квапил И. / Возбуждение люминесценции примесных ионов широкозонных кристаллов мощными электронными пучками и оптическими вспышками // ФТТ, 1994, т.36, № 9, с. 2045.
  95. A.B., Раджабов Е. А. / Спектроскопия кислородных и водородных примесных центров в ЩГК // Новосибирск, Наука, 1992.
  96. A.B. / Водородные дефекты в кристаллах фторидов лития и натрия // Автореферат док. дис., Иркутск, 1997.
  97. А.Ф., Улуханов И. Т., Еречушников Б. Н. / Дихроизм у-облучённых деформированных кристаллов LiF // Тезисы докладов Седьмой всесоюзной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов, Рига, 1989, с. 257.
  98. Л.И., Мартынович Е. Ф., Барышников В. И., Мунхогыйн Е, Колесникова Т.А. / Механизм образования F2 центров при облучении кристаллов фтористого лития сильноточными электронными пучками // ЖИС, 1989, т.51, депонирована в ВИНИТИ 20.04.89, № 2590-В89.
  99. В.И., Колесникова Т. А. / Возбуждение собственных дефектов в ионных кристаллах мощными оптическими и электронными пучками // ФТТ, 1998, т.40, № 6, с.1030−1035.
  100. Baryshnicov V.l., Kolesnikova Т.A., Harikawa О, Segawa Y / Laser media at lithium fluoride with super-high concentration of F2+ color centers // abstract’of international conference on tunable solid state lasers (TSSL, 94), Minsk, 1994, p.22.
  101. В.И., Мартынович Е. Ф. / Тушение люминесценции Г2 центров фторида лития, наведённых плотными пучками электронов //
  102. .Д., Максимова Н. Т., Титов Ю. М., Шуралёва Е. И. / Механизм оптического разрушения F и F2 центров в кристаллах LiF // Оптика и спектроскопия, 1987, т.62, в.6, с.1315−1319.
  103. Lee R., Merklin J., Marrs D., Richter M. // Phys. St. Sol. (b), 1981, v.33, p.506−509.
  104. Л.И., Лобанов Б. Д., Максимова Н. Т., Мыреева З. И. // Оптика и спектроскопия, 1986, т.60, в. З, с.402−403.
  105. Е.Ф. / Преобразование центров окраски и пространственные модуляционные явления в диэлектрических лазерных кристаллах // Докторская диссертация, Иркутск, 1991.
  106. Ed. By W.B. Fowler / Physics of color centers // N.-Y., Academic Press, 1968, p.655.
  107. A., Wood R.F. / Electronic structure of the M-center in LiCl and LiF //Phys. Rev., 1964, v. 133A, p. 1436−1440.
  108. V.l., Kolesnikova T.A., Dorohov S.V. / Formation and transformation of defects in LiF at powerful electron beam and optical influence // Abstr., International conference EURODIM 98, Keele, (Great Britain), 1998.
  109. В.И., Колесникова T.A., Дорохов C.B. / Преобразование центров окраски в LiF при мощном электронном и оптическом воздействии // Тезисы доклада, Школа-семинар по люминесценции и сопутствующим явлениям, Иркутск, 1998, с. 17−18.
  110. N.W. / M-center spin resonance and oscillator strength in LiF // Phys. Rev., 1957. v.106, p.1100−1110.
  111. В.В. /взаимодействие пространственно разделённых точечных дефектов и «эксимероподобные» состояния в щелочных кристаллах // Автореферат док. диссертации, Иркутск, 1988.
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!