Изготовление магниторезисторов. 
Преобразователи Холла

На рис. 10 показаны магниторезисторы, изготовленные из InSb: дисковый в корпусе из эпоксидной смолы и прямоугольные на стеклянно-керамических подложках. Изготовляются они следующим образом. На изоляционную подложку толщиной 0,5 мм наклеивается пластинка толщиной 20 мкм из полупроводникового материала. На поверхность пластинки наносят проводящие электроды.

Если требуется высокое начальное сопротивление матниторезистора, то методом фотолитографии пластине придается форма, показанная на рис. 11. Благодаря такой форме удельное сопротивление магниторезистора может достигать нескольких сотен ом.

Подобную конструкцию имеют отечественные магниторезисторы СМ 1−1, выполненные из сплава InSb—NiSb.

Высокие магниторезистивйые свойства сплава InSb—NiSb обусловлены большой подвижностью носителей заряда в фазе InSb и наличием включений хорошо проводящей фазы NiSb.

Вместе с тем сравнительно высокая проводимость сплава (200—250 Ом^-1см^-1) вызывает необходимость использования тонких и длинных образцов для получения практически приемлемых значений сопротивления магниторезисторов. Поэтому проводящая дорожка этих приборов выполнена в форме «меандра» с контактными площадками. Ширина дорожки около 100, толщина 60—100 мкм.

Для реализации сопротивления в диапазоне 22—220 Ом созданы три различных конструктивных варианта. При этом в магниторезисторах с номинальными сопротивлениями 150 и 220 Ом резистивный элемент выполнен в виде двух одинаковых проводящих дорожек с сопротивлением, вдвое меньшим номинального.

Для механической прочности магниторезисторов их резистивные дорожки закреплены на основании из пермаллоя и изолированы от него слоем лака; гибкие проволочные выводы, припаянные к контактным площадкам резистивных дорожек, и сами дорожки для защиты от внешних воздействий также покрыты лаком. Использование пермаллоя, обладающего высокими значениями магнитной проницаемости и индукции насыщения, обеспечивает малую эффективную вели чину зазора магнитной системы, в которой используется магниторезистор.

Максимальная толщина магниторезистора с учетом толщин участков пайки не превышает 0,6 мм.

Уменьшение температурных коэффициентов сопротивления и магниторезистивного отношения может быть достигнуто использованием сплавов InSb — NiSb, легированных Те, правда, за счет существенного уменьшения величины магниторезистивного отношения.

Максимальное изменение сопротивления магниторезисторов СМ1−1 в магнитном поле достигается при направлении магнитного поля, перпендикулярном плоскости магниторезистора. Его отклонение от это гонаправления приводит к уменьшению магниторезистивного отношения от направления магнитного поля. Это свойство его использовано при создании датчиков угла поворота.