Бакалавр
Дипломные и курсовые на заказ

Поле, создаваемое тонким заряженным диском

РефератПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Видно, что при х «R этот результат совпадает с формулой (7.59) для поля диполя, как и должно быть. При х —> d/2 получим внешнее поле плоского конденсатора вблизи пластины. Задача 7.18. Найти поле на оси симметрии, создаваемое двумя дисками, заряженными с постоянной поверхностной плотностью о иа. Расстояние между дисками d (рис. 7.49). Решение. Ось х совместим с осью симметрии, и начало координат… Читать ещё >

Поле, создаваемое тонким заряженным диском (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Пусть заряд q равномерно распределен по тонкому диску радиусом R. Очевидно, поле обладает осью симметрии, которая совпадает с осью диска. Совместим ось х с осью симметрии. Радиус-вектор точки Рна оси симметрии, в которой .ищем поле, будет R = 1х. Рассмотрим на диске кольцо радиусом г и шириной dr и элементарный заряд dq' на этом кольце в точке г.

Потенциал, создаваемый этим зарядом в точке Р,.

Поле, создаваемое тонким заряженным диском.

Видим, что этот потенциал зависит лишь от |г|, т. е. вклад всех элементов кольца будет одинаков. Поэтому потенциал от всего кольца будет равен.

Поле, создаваемое тонким заряженным диском.

где dq — заряд всего кольца, равный pd V: dq = — • а • 2nr dr. Здесь.

nR а

а — толщина диска, 27irdr — площадь кольца. Итак, потенциал, создаваемый кольцом в точке Р:

Поле, создаваемое тонким заряженным диском.

Суммируя потенциалы всех таких колец, составляющих диск, т. е интегрируя по г, найдем потенциал, создаваемый всем диском:

Поле, создаваемое тонким заряженным диском.

В качестве проверки посмотрим, как ведет себя полученная функция при больших значениях X (заранее ясно, что на большом расстоянии потенциал должен вести себя как 1/Х, так как любое ограниченное распределение заряда из бесконечности выглядит как точечный заряд). При больших X имеем:

Поле, создаваемое тонким заряженным диском.

и для потенциала получим ф (Л') = kq/X, как и должно было быть. Напряженность поля.

Поле, создаваемое тонким заряженным диском.

знак минус при ^>0, плюс — при Х< 0. На оси симметрии Еу= Ez = 0, так что окончательно.

Поле, создаваемое тонким заряженным диском.

При X R приближенно.

Поле, создаваемое тонким заряженным диском.

и при X -> 0.

Поле, создаваемое тонким заряженным диском.

Должно быть ясно, что нахождение поля вне оси симметрии не просто.

Задача 7.18. Найти поле на оси симметрии, создаваемое двумя дисками, заряженными с постоянной поверхностной плотностью о иа. Расстояние между дисками d (рис. 7.49).

Решение. Ось х совместим с осью симметрии, и начало координат поместим в середине отрезка d. В точке (х, 0, 0), х > d/2, на основе формулы (7.63) для Е получим.

Рис. 7.49.

Рис. 7.49.

Поле, создаваемое тонким заряженным диском.

Это точная формула. Если d достаточно мало, точнее, если d2 «х2 + R2, формула (7.64) упрощается:

Поле, создаваемое тонким заряженным диском.

Видно, что при х «R этот результат совпадает с формулой (7.59) для поля диполя, как и должно быть. При х —> d/2 получим внешнее поле плоского конденсатора вблизи пластины.

Между дисками в точке (х, 0, 0), 0 < х < d/2, при условии d «С R из формулы (7.63) для Е (х) получим.

Поле, создаваемое тонким заряженным диском.

или.

Поле, создаваемое тонким заряженным диском.

Это любопытный результат. При d R мы имеем плоский конденсатор. Поле Е между пластинами, согласно (7.66), однородно в окрестности оси симметрии, но не равно а/е0, как мы полагали раньше. Формула (7.66) дает более точный результат.

Показать весь текст
Заполнить форму текущей работой