Биполярные транзисторы. 
Электроника и схемотехника

Структура транзистора.

Биполярные я-р-я-транзисторы содержат два встречно включенных р-/?-перехода, расположенных в непосредственной близости один от другого благодаря весьма малой толщине внутренней р-области. Для улучшения усилительных свойств транзисторы имеют асимметричную структуру (рис. 2.17, а): площадь перехода пх-р гораздо меньше площади перехода р-п2. Кроме того, слой п{ с меньшей площадью легирован значительно сильнее, чем слой п2. Асимметрия повлияла и на название крайних слоев. Слой /г, с меньшей площадью называют эмиттером (Э), а слой п0 с большей площадью — коллектором (К). Внутренний слой называется базой (Б). Соответственно различают эмиттерный (пх-р) и коллекторный (р-я2) переходы, каждый из которых имеет донную и боковые части. Рабочей областью транзистора является область, расположенная под донной частью слоя пЛ (она выделена пунктиром). Остальная часть структуры транзистора представляет собой пассивные участки, которые можно моделировать резисторами RK, 7? в, подключенными к рабочим слоям коллектора и базы. На рис. 2.17, б показаны:

• • активная часть транзистора в горизонтальном положении (п*-р-п);
• • места подключения паразитных резисторов /?_к, /?_Б;
• • высоколегированный слой гТ.

Взаимодействие между эмиттерным и коллекторным переходами обеспечивается малой шириной базы (порядка 1 мкм) по сравнению с диффузионной длиной, составляющей 5—10 нм.