Бакалавр
Дипломные и курсовые на заказ

Разработка плазмохимических методов получения мелкодисперсных порошков селенида, теллурида и оксида цинка

Диссертация: Разработка плазмохимических методов получения мелкодисперсных порошков селенида, теллурида и оксида цинка
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Научная новизна работы. Впервые показана принципиальная возможность формирования мелкодисперсных порошков селенида и теллурида цинка при бомбардировке механических смесей селена и хлорида теллура с сульфидом цинка атомами водорода. Установлено, что возникновение анионных вакансий в кристаллической решетке ZnS при бомбардировке атомами водорода стимулирует процесс диффузии атомов селена в решетку… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. Области применения, преимущества и свойства низкотемпературной плазмы
    • 1. 1. Место и роль низкотемпературной плазмы в получении полупроводниковых и диэлектрических материалов
    • 1. 2. Химически активные частицы и их вклад в протекание гетерогенных и твердофазных химических реакций. *
    • 1. 3. Генерация химически активных частиц (атомов водорода) в электрическом разряде
    • 1. 4. Основные методы получения и физико-химические свойства поликомпонентных катализаторов. ^
  • Глава II. Исследование роли атомов водорода в получении полупроводниковых порошков селенида и теллурида цинка
    • 2. 1. Принципиальная схема, составные части и принцип работы высокочастотной плазмо-химической установки
    • 2. 2. Кинетика перехода, а — р модификацию ZnS при легировании селеном и получение селенида цинка
    • 2. 3. Плазмохимический метод получения мелкодисперсных порошков теллурида цинка
  • Глава III. Место и роль атомов водорода в плазмохимическом формировании пигмента и катализаторов на основе оксида цинка
    • 3. 1. Исследование роли атомов водорода в плазмохимической переработки отработанного цинкового поглотителя и получения оксида цинка
    • 3. 2. Способ получения гидроокиси алюминия как носителя для формирования катализаторов
    • 3. 3. Об особенностях плазмохимического получения катализаторов на основе оксида цинка и гидроокиси алюминия
  • Глава IV. Разработка плазмохимического способа получения пигмента оксида цинка
    • 4. 1. Описание экспериментальной установки
    • 4. 2. Разработка плазмохимического способа получения оксида цинка из отработанного цинкового поглотителя

Разработка плазмохимических методов получения мелкодисперсных порошков селенида, теллурида и оксида цинка (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Необходимость повышения эффективности и производительности гетерогенных химических реакций определяет интерес к использованию методов плазменной химии.

Важно, что химические превращения в неравновесной плазме могут осуществляться преимущественно по одному выделенному механизму. При этом варьирование параметров плазмы позволяет управлять химическим процессом, направляя его по нужному каналу, и оптимизировать его энергетическую эффективность. Такое свойство плазмы открывает широкую перспективу в синтезе новых материалов с узким распределением физико-химических свойств и селективном извлечении компонентов из различного минерального сырья.

Одним из важнейших направлений в настоящее время является разработка безотходных и малоотходных ресурсосберегающих технологических процессов, обеспечивающих полное и комплексное использование сырья, экономию материальных и энергетических ресурсов, утилизацию отходов. В этом плане плазменная технология, обладающая оригинальными возможностями, может в ближайшие годы занимать передовые позиции.

Цель работы. Исследование роли атомов водорода, генерируемых в потоке плазмы в осуществлении твердофазных реакций получения мелкодисперсных полупроводниковых порошков и синтеза катализаторов на основе оксида цинка. Изыскание физико-химических и технологических основ плазмохимической переработки отработанного цинкового поглотителя и получения пигмента оксида цинка.

Научная новизна работы. Впервые показана принципиальная возможность формирования мелкодисперсных порошков селенида и теллурида цинка при бомбардировке механических смесей селена и хлорида теллура с сульфидом цинка атомами водорода. Установлено, что возникновение анионных вакансий в кристаллической решетке ZnS при бомбардировке атомами водорода стимулирует процесс диффузии атомов селена в решетку, а — ZnS и непрерывное обеспечение механической смеси энергией за счет рекомбинационных актов атомов водорода, приводит к образованию селенида цинка.

Обнаружено, что при бомбардировке механической смеси сульфида цинка и хлорида теллура атомами водорода происходит травление теллура с образованием его летучего водородсодержащего соединения.

Адсорбция этих соединений на поверхности порошков, а — ZnS, и б наличие энергетического потенциала, связанного с тепловой и рекомбинационной энергией поступающих атомов водорода, создает благоприятное условие для протекания обменной реакции на границе фаз с образованием ZnTe.

Установлено, что формирование катализатора ZnO — AI2O3 протекает через образование промежуточной фазы (бемит), а увеличение продолжительности бомбардировки атомами водорода способствует возрастанию шпинельной фазы в составе катализатора.

Исследованием изотермы адсорбции двуокиси серы установлено, что наличие шпинельной фазы в составе катализатора обеспечивает его высокую активность.

Установлено влияние продолжительности механоактивации, воздействия плазменного потока, расхода плазмообразующего газа и мощности дуги на степень выхода пигмента оксида цинка при плазмохимической переработке отработанного цинкового поглотителя.

Практическая значимость работы.

— Разработан принципиально новый плазмохимический способ формирования мелкодисперсных полупроводниковых порошков;

— Разработан способ синтеза катализаторов на основе гидрооксида алюминия, получаемого при переработке отходов процесса травления алюминия особой чистоты;

— Разработан способ получения пигмента оксида цинка, путем переработки отработанного цинкового поглотителя в потоке низкотемпературной плазмы.

Апробация работы. Основные результаты работы были представлены на Международной научно практической конференции, посвященной 80-летию со дня рождения А. С. Сулейманова (Душанбе, 1988) — Международном симпозиуме «Металлводородные системы» (Гуанджу, Китай, 1988) — VII Международной конференции «Водородное материаловедение и химия гидридов металлов» (Кацивели, Украина, 1999), Международной конференции «Горные регионы Центральной Азии. Проблемы устойчивого развития» (Душанбе, 1999) — Научно-практической конференции памяти С. С. Сатбаева (Душанбе, 1999).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 11 работ, в том числе: 4 научных статей, 6 тезисов доклада и информационный листок.

Объем и структура работы. Диссертация изложена на страницах машинописного текста, содержит / таблиц у"?1рисунка, состоит из введения, 4 глав, заключения, выводов и списка литературы из 7.

Выводы.

1. Впервые установлена принципиальная возможность и разработан низкотемпературный способ получения мелкодисперсных порошков селенида и теллурида цинка, путем инициирования твердофазной реакции сульфида цинка с селеном и хлоридом теллура атомами водорода.

2. Обнаружено полиморфное превращение гексагональной модификации сульфида цинка в кубическую при непрерывной бомбардировке механической смеси сульфида цинка и селена атомами водорода.

3. Установлено, что взаимодействие атомов водорода с хлоридом теллура приводит к образованию летучего водородсодержащего соединения теллура, абсорбция и химическая реакция которого с сульфидом цинка завершается формированием теллурида цинка.

4. Установлена принципиальная возможность получения пигмента оксида цинка при улавливании и термической обработке продуктов хлоридовозгонки протекающей в процессе бомбардировки отработанного цинкового поглотителя атомами хлора и водорода.

5. Разработан способ получения мелкодисперсных порошков гидроокиси алюминия, как основа для формирования катализаторов с использованием отходов технологии производства алюминия особой степени чистоты. Установлена функциональная зависимость удельной поверхности порошков от температуры, расхода углекислого газа и продолжительности осаждения.

6. Разработан плазмохимический способ получения катализаторов на основе оксида цинка и гидроокиси алюминия, путем непрерывной бомбардировки пропитанного хлоридом цинка носителя (гидроокиси алюминия) атомами водорода. Обнаружено существенное влияние продолжительности бомбардировки и выдержки носителя в растворе хлорида цинка на фазовый состав и структурообразование катализатора.

7. Установлено, что образование шпинели типа Z11AI2O4 в процессе получения катализатора способствует увеличению его адсорбционной емкости.

8. Предложена принципиальная технологическая схема плазмохимического получения оксида цинка из отработанного цинкового поглотителя. Исследованием зависимостей степени извлечения оксида цинка от мощности плазмы, расхода плазмообразующего газа, температуры и продолжительности воздействия плазменного потока установлены оптимальные условия получения пигмента оксида цинка.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Плазменная технология давно стала неотъемлемой частью технологических процессов в химической металлургической промышленности и машиностроении.

Применение низкотемпературной плазмы в электронной промышленности привело к формированию и становлению новой области — твердотельной микроэлектроники.

В электронной промышленности для формирования полупроводниковых и диэлектрических материалов в основном широко используются высокочастотные плазмохимические установки.

Среди химически активных частиц генерируемых в потоке низкотемпературной плазмы особое внимание заслуживаеи водород в атомарном состоянии. Это прежде всего обусловлено тем, что водород является единственным в своем роде элементом, образующий широкий спектр соединений в молекулах или кристаллах, которых в зависимости от положения элемента — партнера в Периодической системе эффективный заряд на атоме принимает различные значения от +1 до -1. С одной атомной орбиталью и одним электроном в основном состоянии атом водорода ведет себя как чуткий инструмент, улавливающий и многократно усиливающий небольшие специфические различия в химических свойствах атомов партнеров и превращающий эти различия в доминирующие признаки соответствующих соединений.

Высокая реакционноспособность, диффузионная подвижность и огромный запас потенциальной энергии атомов водорода вызывают существенные изменения электрических, оптических свойств, а также приводят к глубоким структурным превращениям при их взаимодействии с конденсированной фазой, в частности полупроводниковых материалов.

Представленные во второй главе настоящей работы результаты демонстрируют о существенной роли атомов водорода их тепловой и рекомбинационной энергии в организации твердофазной химической реакции формирования селенида цинка. Именно энергетика атомов водорода способствует диффузионному внедрению атомов селена по вакантным узлам кристаллической решетки сульфида цинка. Следует отметить, что наличие вакансий в кристаллической решетке сульфида цинка является следствием восстановительных процессов поверхностных молекул сульфидца цинка атомами водорода.

Другая особенность атомов водорода было обнаружено при исследовании их гетерогенной реакции с механической смесью сульфида цинка и хлорида теллура. При бомбардировке механической смеси атомами водорода на рентгенограмме продуктов реакции обнаруживались слабые по интенсивности рефлексы отражений теллура. Это дает основание предположить, что образование теллурида цинка как и в случае селенида цинка обусловлено диффузией теллура в решетку сульфида цинка. С целью проверки данного предположения нами исследовалась реакция атомов водорода с механической смесью сульфида цинка и CuCl. На основании результатов рентгенофазового анализа и ИК-спектроскопических исследований было установлено, что тепловая и рекомбинационная энергия атомов водорода не в состоянии организовать диффузию теллура в кристаллическую решетку сульфида цинка. Предпочтительным механизмом образования теллурида цинка является абсорбция летучего водородосодержащего соединения теллура и его поверхностная реакция с сульфидом цинка.

В третьей главе диссертации представлены результаты исследований существенной роли химически активных частиц — атомов хлора и водорода в переработке отработанного цинкового поглотителя. Было обнаружено, что гетерогенная химическая реакция этих частиц с поглотителем приводит к хлоридовозгонке цинка и далее к формированию (при последующей обработке продуктов реакции) химически чистого пигмента оксида цинка.

С целью получения пигмента оксида цинка в достаточных количествах была разработана плазмохимическая установка с использованием плазменного генератора «ЭДП-104» на базе источника питания «АПР-404» .

На основании полученных экспериментальных результатов предложена технологическая схема плазмохимической переработки тработанного цинкового поглотителя и получения пигмента оксида цинка.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Кинетика и термодинамика химических реакций в низкотемпературной плазме. /Под ред. Л. С. Полака.М.: Наука.1965. 254 с.
  2. Очерки физики и химии низкотемпературной плазмы. /Под ред. Л. С. Полака. М.: 1971. 434 с.
  3. Моделирование и методы расчета физико-химических процессов в низкотемпературной плазме /Под ред. Л. С. Полака. М.: Наука.1973.272 с.
  4. Плазменные процессы в металлургии и технологии неорганических материалов: Сб. статей к 70-летиюакад. Н. Н. Рыкалина. М.: Наука.1973.242с.
  5. Л.С., Овсянников А. А., Словецкий Д. И., Вурзель Ф. Б. Теоретическая и прикладная плазмохимия. М.: Наука.1975. 304 с.
  6. С.Н., Пархоменко В. Д. Получение связанного азота в плазме. Киев: Вища, 1976. 196 с.
  7. Ю.М., Коган Я. Д. Азотирование Стали.М.Наука.1977, 316 с.
  8. Плазмохимические реакции и процессы /Под ред. Л. С. Полака.1. М.: Наука. 1977. 316 с.
  9. Химичесике реакции в низкотемпературной плазме: Сб. статей/Под.ред. Л. С. Полака М.: Ин-т нефтехимического синтеза им. Топчиева А.В.АН СССР. 1977, 201 с.
  10. Химия плазмы: Сб. статей /Под ред. Б. М. Смирнова. М.: Атом-издат.1974. Вып.1. 304 е., Вып.2. 208 с, 1976. Вып.З. 302 е., 1977.Вып.4. 222 е., 1978. Вып.5. 328 с.
  11. Reaction under Plazma Conditions /Ed. M. Venugopalan New-York: Wiley Intersci., 1971. vol.112.
  12. Technics and Applications of Plazma Chemistry //Ed.J.R.Hollahan, A.Bell. Washington, New-York: Willey Intersci., 1974. 403 p.
  13. С.Я. Механизм и кинетика радиционно-химических реакций. М.: Химия, 1968. 368 с.
  14. И., Джонстон Т., Бачинский М. Кинетика частиц плазмы.Перевод с англ. М.: Атомиздат. 1969. 396 с.
  15. К.Г., Любимов В. К. Применение низкотемпературной плазмы в микроэлектронике //Физ. и хим. обработки мат'-ов.1978.№ 2. С.64−69
  16. И.Д., Любимов В. К., Марин К. Г. и др. Плазменный процесс получения моноокиси кремния //Изв. АН СССР. Неорг. м-лы. 1968. Т.4. № 11. С.2035−2038
  17. .А., Марин К. Г., Любимов В. К. и др. Высокотемпературное восстановление двуокиси кремния до моноокиси //Изв.
  18. АН СССР. Неорг. м-лы. 1968. Т. 4. № 11. С. 2035−2038.
  19. И.н., Коробов А. И., Науменко А. С. и др. Качество пленок, полученных термическим испарением в вакууме бариевосиликатных стекол //Электронная техника. 1971. Сер.12. Вып.1 (7). с.84−92
  20. Сер геев B.C., Воженин И. Н. Интегральные гибридные микросхемы //Сов .радио. 1973.
  21. В.И., Любимова О. Н., Долгополов В. М. Техника плаз-мохимической обработки в производстве интегральных схем / /Обзоры по электр. тех-ке. 1979. Сер.7 Вып. 18 (689).
  22. Reinberg A.R. Plazma deposition of inorganic thin films //Ann. Rev. Mat.Sci.1979. V.9. P. 341−372.
  23. Hess D.W. Plazma onhanced CVD: oxides, nitrides, transition metals, and transition metal silicides //J. Vac. Sci. Techol. A. 1984. V.2.№ 2 P.244−252.
  24. Veprek S. Plazma induced and plazma assisted chemical vapour deposition // Thin Sol. Films. 1985. V.130. №½. P.135−154.
  25. Shimanouchi R., Yamamoto Т., Kikkawa Sh., Koizumi M. Plazma -enhanced chemical vapor deposition of Titanium sulfides //Chem.Lett.1985.P.1323−1326.
  26. Yamaga S., Yoshikawa A., Kasai H. Electrical and optical properties of donor doped ZnS films grown by low pressure MOCVD //J.Crys. Growth. 1988. V.86. P.252−256.
  27. Souletie P., Bethke S., Wessels B.W., Pan H. Growth and chara-cterizationof Heteroepitaxial ZnO thin films by organometallic chemical vapor deposition //J. Crys. Growth. 1988. V.86. P. 248−251.
  28. Lucovsky G., Tsu D.V. Deposition of Silicon based dielectrics by remote plazma — enhanced chemical vapor deposition //J. Crys.
  29. Growth. 1988. V.86. P. 804−814.
  30. Takata S., Minami Т., Miyata Т., Nanto H. Growth of Hexagonal ZnS thin films by MOCVD using CS2 as as a sulfur source //J. Crys. Growth. 1988. V. 86. P. 257−262.
  31. И.Ш., Шерматов H., Мирсаидов У. Об особенностях влияния атомарного водорода на плазмохимическое воссатановление хлоридов металлов / /Шиз. и хим. обраб. мат-лов.1990. № 3. С. 140−141.
  32. И.Ш., Шерматов Н., Мирсаидов У. Спектроскопическое и рентгенофазовое исследование продуктов взаимодействия атомов водорода с хлоридом олова //Физ. и хим. обраб. м-ов.1992.№ 1. С. 75−77.
  33. И.Ш., Мирсаидов У., Шерматов Н., Холиков Н. Ш. Механизм формирования тонких пленок при плазмохимическом восстановлении хлорида алюминия / /Неорганич. мат-лы.1993. Т. 29. № 6. С. 847−849.
  34. Д.И. Механизмы химических реакций в неравновесной плазме. М.: Наука. 1980. 310 с.
  35. Weling F.A. A model for the plasma activated chemical vapor deposition process //J. Appl. Phys. 1985. V. 57. № 9. P. 4441−4446.
  36. Turban G., Cetherine Y.A. A kinetic model for radio frequency plasma activated chemical vapor deposition //Thin Sol.Films. 978.V.48. № 1. P. 57−65.
  37. Л.С. Неравновесная химическая кинетика и ее применение. М.: Наука. 1975. 248 с.
  38. В.Ю., Кузнецов В. И., Кустов В.Л. Распределение свободных атомов и радикалов в потоке низкотемпературной плазмы
  39. Ж. физ. химии. 1983. Т. L VII. № 6. С.1494−1499.
  40. В.К., Русанов В. Д., Фридман А. А. Диагностика неравновесной химически активной плазмы. М.: Энергоатомиздат. 1985. 216 с.
  41. И.В., Певгов В. Б., Полак А. С. Плазмохимические процессы. М.: Наука. 1979. С. 5−46.
  42. А.Ф., Животов В. К., Малков С. Ю. и др. Вопросы атомной науки и техники . Сер. Атомно-водородная энергетика. Вып.1. -М.: ИАЭ им. И. В. Курчатова. 1983. С. 37−51.
  43. Вурзель Ф.6., Полак Л. С. Плазмохимия. М.: Наука. 1985. 48 с.
  44. В.Д., Фридман А. А., Шолин Г. В. Физика химически активной плазмы с неравновесным колебательным возбуждением молекул //Успехи Физ. наук. 1981. Т.134. № 2. с. 185−235.
  45. Corrigan S.I.В., Engel A.V. Exitation and dissociation of Hydrogen by an electron swarm //Roc.Roy. Soc. (Lond.). 1958. V. A245. P. 335−351.
  46. В.А., Смирнов Б. М., Чайванов Б. Б. Интенсивные химические процессы с участием атомов . В кн.: Химия плазмы. Под ред. .М.Смирнова. М.: Энергоиздат. 1982. С. 100−117.
  47. Jeffers W.Q., WisWall С.Е. Dissociation of gas molecule in the RF -plasma //J. Quant. Electr. 1974. V. 10. P. 861−864.
  48. Шоу Т. Применение электрического разряда для получения радикалов. В кн.: Образование и стабилизация свободных радикалов.1. М.: ИЛ. 1962. С.65−84.
  49. К.В. Бюро переводов ВИНИТИ. Перевод № 6 363 317. 1967.
  50. Н.И., Званцев А. В. Использование без электродного емкостного ВЧ-плазмотрона для нанесения тугоплавких диэлектрических покрытий //Теплофиз. выс. температур. 1976. Т. 14. № 4. С. 853−865.
  51. Р. В. Безэлектродные высокочастотные разряды при высоких давлениях. В кн.: Теория электрической дуги в условиях вынуж-денного теплообмена. Под ред. М. Ф. Жукова. Новосибирск:1. Наука. 1977. С.289−304.
  52. Дж. Изучение влияние расстояния между пальцевыми электродами на эффект Джоши в высокочастотном разряде в парахйода //Ж. Физ. хим. 1981. Т.14. Вып.2. С.576−592.
  53. А.В., Митин Р. В., Прядкин К. К. Безэлектродные ем-костнве разрядды дугового типа //Ж. Тех.физики. 1975. Т.45. Вып.2. С. 278−285.
  54. К.А. Использование высокочастного безэлектродного разряда при эмиссионном спектральном анализе растворов //Ж. Прикл. спектроскопии. 1967. Т.6. Вып.1. С.168−172.
  55. Современное состояние элктропечестроения по материалам VII Международного конгресса по электротермии. Дуговой нагрев и новые виды нагрева (Обзорная информация). Под. ред. А. П. Альт- гаузена. М.1975.
  56. Е.Б., Пономарев А. Н., Тальрозе В. Д. Изучение вероятности рекомбинации атомарного водорода на различных поверхностях при низких концентрациях атомов в газовой фазе //Кинетика и катализ. 1966. Т.?. № 2. С. 577−582.
  57. А.И., Гутман Э. И., Мясников И. А., Фурса В. И. и др. Анализатор атомарного кислорода с полупроводниковыми чувствительными элементами для исследований верхней атмосферы земли. //Приборы и тех. экспер-та. 1981. № 3. С. 177−180.
  58. Flias Lome. Measurement of atomic concentration in dicharged nutrogen oxyden and hydcogen //J.Chem. Phys.1966. V.44. № 10. P. 38 103 815.
  59. A.M., Аширов P.X., Василяк P.X., Марковец В. В. К вопросу об измерении коэффициента диффузии атомарного водорода //Теплофиз. выс. тем-тур. 1979. Т.17. № 5. С. 912−915.
  60. Rong Peter R., Hangen D.D. Theory of the origin of the internalrotation barrier in the Ethane Molecule //J.Chem.Phys.1966,1. V.44. № 6. P.1529−1545.
  61. В.В., Шавард А. А., Гуссак Б. Л., Интезарова Е. И. Изменение эффективности гетерогенной рекомбинации в результате реакций рекомбинируюгцих частиц //ДАН СССР. 1975. Т. 224. № 4. С. 941- 943.
  62. А.В., Лавренко В. А. Метод определения степени атоми-зации газа в потоке и каталитической эффективности металлических поверхностей в процессах рекомбинации атомов / /ДАН
  63. СССР. 1958. Т.120. С.1298−1301.
  64. И.А. Исследование гетерогенных химических процессов на границе твердое тело-газ //ДАН СССР. 1958. Т.120. С.1298−1301.
  65. В. И., Мясников И. А. Исследование промежуточных активных частиц в химически газовых реакциях методом полупроводниковых зондов //Ж.Физ.Хим.1965. Т.39. С.2376−2379.
  66. И.Н., Мясников И. А. Исследование рекомбинации атомов зондов //Кинетика и кализ. 1966. Т.7. Вып. 2. С. 195 201.
  67. С., Каулинг Т. Математическая теория неодноразрядных газов. Перевод с англ. М.:ИЛ.1960. 310 с.
  68. Ф.Ф., Горбань А. Н., Соколов В. А. Радикало-рекомбинационная люминенсценция полупроводников. М.: Наука.1976. 286 с.
  69. В.П., Горбань А. Н., Корнич Б.Г. Некоторые эффекты, стимулированые рекомбинацией атомов на поверхности твердых тел
  70. Ж. Тех. физики. 1974. Т. 44. № 6. С. 1287−1291.
  71. Нор матов И.Ш., Мирсаидов У. Влияние давления водорода на степень гидрирования кобальта //Докл. АН Тадж.ССР.1986.Т.29.7. С. 419−421.
  72. В.П., Горбань А. Н., Корнич В.Г. О фигурах травления на некоторых полупроводниках при воздействии атомарного водорода
  73. Укр.физ.журн. 1975.Т.20. № 11. С.1821−1835.
  74. И.Ш., Мирсаидов У. Влияние растворенного водорода на формирование микроструктуры пленок кобальта / /Изв. АН
  75. СССР. Сер. Неорг. м-лы. 1991. Т.27. № 5. С.960−962.
  76. И.Ш., Матейкина Е. В., Мирсаидов У., Шерматов Н. Плазмохимическое восстановление хлорида железа атомами водорода. //Физ. и хим. обраб. м-ов. 1991. № 1. С.143−146.
  77. Bernard J. Wood, Wise H. Kinetics of Hydrogen atom recombination on surfaces //J. Chem. Phys. 1961. V.65. P.1976−1983.
  78. И.А., Григорьев Е. И., Цавенко В. И. Электронно-возбужденные атомы и молекулы в системах твердое тело газ //Успехи химии. 1986. Т.55. Вып.З. С. 161−190.
  79. М.А. Теоретические проблемы химической физики. М.: Наука. 1982. 238 с.
  80. И.Ш. Роль водорода в твердофазной реакции образования сульфида кадмия. //Неорг. мат-лы. 1992. Т. 28. № 8. С. 1800−1802.
  81. М.А., Кустарев В. Г., Шуб Б. Р. Гетерогенная релаксация колебательной энергии молекул на металлах. / /ДАН
  82. СССР. 1977. Т.237. С. 871−873.
  83. В.Ф., Тюрин Ю. И., Стыров В. В., Кабанский А. Е. Меха-низмы и эффективность электронного возбуждения полупроводников в актах химических превращений на поверхности. //Теорет. и экспер. химия. 1978. Т.14. № 6. С.788−795.
  84. Gordon R.I., Hsu D.S.Y., Lee Y.T., Herschbuch D.R. Detection of hydrogen atom beams by stimulated surface ionization //J. Chem.
  85. Phys. 1975. V. 63. P. 5056−5058.
  86. В.В., Харламов В. Ф. Радикалорекомбинационная эмисия электронов и отрицательных ионов с поверхности твердого тела.
  87. Ж. физ. Хим. 1975. Т.49. № 4. С. 979−982.
  88. В.Г., Пинчук В. П., Горбань А. Н. Распыление цинк-сульфидных фосфоров при возбуждении радикалореком-бинационной люминесценции атомарным водородом. //Изв. ВУЗов. Физика. 1975. № 3. С. 107−110.
  89. В.И., Чеснокова Т. А., Садина И. Ю. Травление арсенида галия в тлеющем водородном разряде. //Изв. ВУЗов. Химия, и химич. техн. 1987. Т.30. Вып. 7. С. 50−53.
  90. В.А., Горбань А. Н. Люминесценция и адсорбция. М.: Наука. 1968. 268 с.
  91. В.Ф., Стыров В. В., Ильин А. П., Горфункель И. З. Электронно-дырочный механизм разложения сульфида цинка в атмосфере водорода. //Изв. ВУЗов. Физика. 1976. № 10. С. 42−46.
  92. М.Г. О физико-химических основах процессов химической технологии. //Хим. промыш. 1979. № 11. С. 642−643.
  93. Темкин ' М.И. О кинетике сложных реакций. //Хим. промыш.1979. № 11. С. 649−653.
  94. Г. К. В кн.: Современные проблемы науки о катализе. Новосибирск: Наука, — 1978. — с. 169−176.
  95. В.И., Каргин С. И. Технология азотной кислоты. М.:1. Химия. 1970. 493 с.
  96. Д.В., Попова Н. М. Каталитическая очистка выхлопных газов. Алма-Ата: Наука. — 1970. — 196 с.
  97. Т.А. и др. Очистка технологических газов. М.: Химия. 1968. 213 с.
  98. Т.А., Клевке В. А. Очистка газов от окислов азота восстановлением метаном, окисью углерода и водородом в присутствии катализаторов платиновой группы. //Ж.ВХО им. Д.И.
  99. Менделеева. 1969. — Т.14. С. 410−414.
  100. Е.М., Кувалдина Н. Н., Певный Н. И. Активность бинарных окисных катализаторов при восстановлении окислов азота окисью углерода и водородом. //Хим. пром. 1974. — № 8. — С.597.598.
  101. Г., Голамбик Н., Андерсон Р. Синтез углеводородов из окиси углерода и водорода. М.: Издатинлит. — 1954. — 261 с.
  102. А.А., Силакова А. А., Вассерберг В. Э. Никель-глиноземные катализаторы, полученные путем управляемой адсорбции из газовой фазы. //Хим. пром. 1972. № 10. — С. 756 758.
  103. Н.Г., Костюковская А. А. Очистка выбросных газов. -Киев: техника. 1971. — 98 с.
  104. О. Г., Добросельская Н. П. Способы улавливания и утилизации слабоконцентрированных сернистых газов. М.: Цветметинформация. — 1971. — 10 с.
  105. В.И., Кельцев Н.В., Рахлин Е. С. В кн.: Пылеулавливание и очистка газов в цветной металлургии. М.: Металлургия. — 1970. С. 142−148.
  106. С.А., Кельцев Н. В., Смола В. И., Торочешников Н. С. Адсорбционная очистка отходящих промышленных газов от двуокиси серы //Хим. пром. 1974. — № 3. С. 199−201.
  107. Н.Д., Губанова А. Н., Егоров Ю. В. и др. Тонкопленочные неорганические сорбенты и перспективы их применения в радиохимии / / Радиохимия. 1976. — Т.18. — № 4. -С. 627−628.
  108. Н.Д., Егоров Ю. В., Пузако В. Д. Применение тонкослойных неорганических сорбентов в гидрометаллургии и радиохимии. //Хим. и техн. неорг. сорбентов: Межвуз. сб. науч. тр.
  109. Пермь: ППИ. 1980. С.115−120.
  110. В.В., Никифоров А. Ф. Сорбция радионуклидов солями гетерополикислот. М.: Энергоатомиздат. — 1982. — 112 с.
  111. Неорганические композиционные сорбенты коллекторы микроэлементов (Инф. листок. № 321−87. авторы: Бетенков Н. Д., Ипатова Н.Г.)
  112. Ю.Г., Пузако В. Д., Егоров Ю. В. Синтез и сорбционные свойства тонких слоев основных солей никеля. //Хим. и техн. неорг. сорбентов: Межвуз. сб. науч. тр. Пермь: ППИ.1973. С. 67−70.
  113. Е.А., Ремез В. П. Сорбционные материалы на носителях в технологии обработки воды. //Хим. и техн. воды. 1995. — Т.17. — № 1. — С. 50−60.
  114. В.Ф., Лисецкий В. Н., Савельев Г. Г. Динамический эффект при рекомбинации атомов водорода на поверхности полупроводников. //Хим. физика. 1990. — Т.9. — № 5. — С. 603 610.
  115. В.Ф. Эмиссия электронов и излучение света в актах рекомбинации атомов на поверхности диэлектриков. //Кинетика икатализ. 1979. — Т.20. — Вып.4. — С. 946−951.
  116. Мак В. Т. Стимулированная облучением диффузия меди в поликристаллических пленках CdS. //Неорг. м-лы. 1996. — Т.32. № 10. С. 1184−1186.
  117. Hsieh H.C. The effect of Cu diffusion in CU2S CdS Heterojunction Solar Cell. //J. Appl. phys. — 1982. — V.53. — P. 1727−1733.
  118. М.И., Пискунов Ф. А., Чапланов A.M. Активация окислением пленок хрома лазерным излучением. //Неорг. м-лы. 1996.- Т.32. № 10. — С. 1220−1224.
  119. И.Ш., Хакимова Н. У., Шерматов Н. Влияние гидрида алюминия на инициирование водородом реакции получения иодида кадмия из CdS и J2 //Неорг. м-лы. 1996. — Т.32. — № 10. С. 924−926.
  120. Кире в В.Ю., Данилин Б. С. Травление материалов химически актив-ными частицами, образующимися в плазме газовых разря-дов. //Химические реакции в неравновесной плазме. М.: Наука.1983. С. 115−134.
  121. В. А., Русанов В. Д., Фридман А. А. Неравновесные плазмо-химические процессы в гетерогенных процессах. //Химия плазмы. Вып.5. /Под ред. Б. М. Смирнова. М.: Атомиздат.1978. С. 116−147.
  122. И.Ш. О возможности существования гидрохлорида кальция в продуктах взаимодействия атомарного водорода со смесью А12Оз и СаС12 в плазме. //Ж. Прикладной химии. 1993. -Т.66. — Вып.8. С. 1858−1860.
  123. ИЗ. Айнспрука Н., Браун Д. Плазменная технология в производстве
  124. СБИС. м.: Мир. 1987. — 469 с.
  125. .С., Киреев В. Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энерго-атомиздат. 1987. 269 с.
  126. В.И., Ефремов A.M., Куприяновская А. П., Чеснокова Т. А. Плазмохимическое травление металлов при разряде в С12 /Тез.докл. Межд. Симпозиума по Теорет. и Прикл. Плазмохимии. Рига, сентябрь. 1991. С. 370−372.
  127. И.Д., Максимов А. И., Светцов В. И. О сравнении диссоциации аммиака, хлора и брома в тлеющем и высокочастотномразрядах //Ж.Физ. хим. 1976. — Т.1. — № 5. — С. 1209−1211.
  128. Д.И. Гетерогенные реакции в неравновесной галогенсодержащей плазме. //Сб. статей. Химия плазмы. 1989.1. Вып.15. С.208−265.
  129. Ю.В., Ангелов И. И. Чистые химические вещества. М.: Химия. 1974. — 407 с.
  130. В.В., Воронин А. П., Ляхов Н. З., Канимов Б. К. Неорганические реакции в мощных пучках ускоренных электронов. //Ж. Всесоюз. хим. об-ва им. Д. И. Менделеева. 1990. — Т.35. № 5. — С. 540−545.
  131. Е.Г. Механические методы активации химических процессов. Новосибирск: Наука. 1986. 304 с.
  132. Механохимический синтез в неорганической химии. /Под ред. Е. Г. Аввакумова. Новосибирск: Наука, 1991. С. 5−32.
  133. Зак М.С., Резник И. Д., Лейзерович Г. Я. Процессы хлоридной металлургии для переработки сырья тяжелых цветных металлов.
  134. Цв. металлы. 1979. № 7. — С. 41−43.
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!