Бакалавр
Дипломные и курсовые на заказ

Исследование возможности использования тонкопленочных монолитных слоистых структур для создания устройств обработки широкополосных сигналов и мониторинга окружающей среды

Диссертация: Исследование возможности использования тонкопленочных монолитных слоистых структур для создания устройств обработки широкополосных сигналов и мониторинга окружающей среды
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Развитие акустоэлектроники однозначно показало, что из всех известных типов акустических волн с точки зрения практических применений наибольший интерес представляют поверхностные акустические волны (ПАВ), т. е. акустические волны, распространяющиеся вдоль поверхности твердых тел в относительно тонком приповерхностном слое. Такие волны доступны на всем пути их распространения, и это обстоятельство… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. ВЛИЯНИЕ ПОПЕРЕЧНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА ФАЗОВУЮ СКОРОСТЬ ПАВ В МОНОЛИТНОЙ СЛОИСТОЙ СТРУКТУРЕ п-Б1-Б10х-гпС)
    • 1. 1. Особенности технологии нанесения пьезоэлектрических пленок окиси цинка (объект исследований)
    • 1. 2. Экспериментальные исследования изменения фазы ПАВ, распространяющейся в слоистой структуре п-5з.-Б10х-2п0, при приложеншш поперечного постоянного напряжения
    • 1. 3. Расчет изменения волнового вектора ПАВ при подаче поперечного постоянного поля в монолитной слоистой структуре
    • 1. 4. Основные результаты главы
  • Глава II. ИССЛЕДОВАНИЕ ПАВ-КОНВОЛЬВЕРОВ, РАБОТАЮЩИХ НА УПРУГОЙ НЕЛИНЕЙНОСТИ ПЬЕЗОЭЛЕКТРЙКА
    • 2. 1. ПАВ-конвольверы, использующие упругую нелинейность пьезо-электрика (предварительные замечания)
    • 2. 2. Влияние периодических структур на выходные характеристики волноводных ПАВ-конвольверов
    • 2. 3. ВШП с емкостным взвешиванием электродов (выбор объекта исследований)
    • 2. 4. Экспериментальное исследование широкополосного ПАВ-конвольвера, использующего ВШП с емкостным взвешиванием электродов
    • 2. 5. Основные результаты главы
  • Глава III. НЕЛИНЕЙНОЕ АКУСТОЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В ТОНКОШЕ-НОЧНОЙ СЛОИСТОЙ СТРУКТУРЕ ПЬЕЗОЭЛЕКТРЖ LiNKy ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛЕНКА InSb
    • 3. 1. Расчет величины сигнала свертки для планарно-поперечного ПАВ-конвольвера на основе монолитной слоистой структуры пьезоэлектрик — тонкая полупроводниковая пленка
    • 3. 2. Особенности изготовления монолитных слоистых структур YZ-срез LiNbOn ~ sio — InSb — AI (описание объекта исследований)
    • 3. 3. Экспериментальные исследования планарно-поперечных ПАВ-конвольверов на основе монолитной слоистой структуры YZ-срез LiNb
  • Sio — InSb — AI
    • 3. 4. Основные результаты главы
  • Глава I. Y. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ СОЗДАНИЯ НИЗКОЧАСТОТНЫХ ШИРОКОПОЛОСНЫХ ЛИНИИ ЗАДЕРЖКИ НА ПАВ
    • 4. 1. Управляемое внешним напряжением электроакустическое преобразование
    • 4. 2. Демодуляция радиосигналов за счет акустоэлектрического эффекта
    • 4. 3. Низкочастотная широкополосная линия задержки
    • 4. 4. Основные результаты главы
  • Глава. Y. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ СОСТАВНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ РЕЗОНАТОРОВ ДЛЯ СОЗДАНИЯ СОРЕЦИОННЫХ ХИМИЧЕСКИХ СЕНСОРОВ ДЛЯ ГАЗОВОГО АНАЛИЗА
    • 5. 1. Исследование характеристик текстурированных пленок нитрата гуанидина и пьезопреобразователей, созданных на их основе
    • 5. 2. Резонансный характер чувствительности химических сенсоров на основе составных акустических резонаторов
    • 5. 3. Основные результаты главы

Исследование возможности использования тонкопленочных монолитных слоистых структур для создания устройств обработки широкополосных сигналов и мониторинга окружающей среды (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Одним из современных научных направлений в физике твердого тела является акустоэлектроника, изучающая процессы возбуждения, распространения и взаимодействия с электронами акустических (звуковых) волн высокой частоты в твердых телах, в частности в пьезодиэлектриках, пьезополупроводниках и слоистых структурах пьезоэлектрик-полупроводник. Влияние электронов проводимости на распространение акустических волн в пьезоэлектриках впервые было рассмотрено Шапошниковым в 1941 году [1]. Однако вопросы взаимодействия акустических волн со свободными носителями заряда в полупроводщках стали интенсивно исследоваться после наблюдения в 1961 году Хатсоном, Мак Ш и Уайтом усиления ультразвука в монокристаллах СсЗБ при сверхзвуковом дрейфе электронов [2]. Эта работа собственно и положила начало акустоэлектронике.

В практическом смысле целью акустоэлектроники является создание миниатюрных элементов высокочастотных трактов различных радиотехнических устройств, создание функциональных элементов акустоэлектронных систем обработки информации, а также ряда других приборов, использующих высокочастотный ультразвук.

Наблюдаемый быстрый переход от стадии первоначальных идей научных исследований к широкому использованию акустоэлектронных приборов объясняется, с одной стороны, тем, что акустоэлектронные элементы позволяют получить уникальные технические характеристики устройств обработки информации, причем зачастую такие характеристики вообще не могут быть реализованы другими известными методами. С другой стороны, для производства значительной части акустоэлектронных приборов можно использовать уже существующую технологическую базу, которая применяется для производства больших интегральных схем. Весьма существенно также то, что акустоэлектронные приборы по сравнению с их существующими радиотехническими аналогами отличаются малыми габаритами и весом, высокой степенью надежности, воспроизводимостью параметров при серийном производстве и относительно низкой стоимостью.

Развитие акустоэлектроники однозначно показало, что из всех известных типов акустических волн с точки зрения практических применений наибольший интерес представляют поверхностные акустические волны (ПАВ), т. е. акустические волны, распространяющиеся вдоль поверхности твердых тел в относительно тонком приповерхностном слое. Такие волны доступны на всем пути их распространения, и это обстоятельство обуславливает возможность создания обширного класса акустоэлектронных приборов самого различного функционального назначения. Уже внедрены в практику радиотехнические ПАВ-фильтры с различными частотными и фазовыми характеристиками, а так же высокочастотные линии задержки. Нерешенной осталась задача осуществления задержки низкочастотных радиосигналов. Это связано с тем, что преобразователи, которые возбуждали бы ПАВ в килогерцовом диапазоне, имеют, большие размеры и невысокую эффективность.

Среди разнообразных практических применений акустоэлектронных явлений можно выделить, так называемые, конвольверы, формирование выходного сигнала в которых происходит таким образом, как будто сначала выполняется математическая операция умножения двух входных сигналов, а затем интегрирование полученного результата, т. е. выполняется операция свертки. В общем случае в конвольвере выходной сигнал максимален когда входные сигналы являются зеркальным отображением друг друга во времени. Следовательно, по своему функциональному назначению такое устройство является согласованным фильтром, который из множества сигналов, поступающих на его вход, выделяет только те сигналы, которые имеют определенную форму или определенный цифровой код.

Важным преимуществом конвольверов является то обстоятельство, что они производят операции над сигналами в реальном масштабе времени и при решении многих задач обеспечивают быстродействие недостижимое при использовании цифровой обработки сигналов. Таким образом, дальнейшие исследования направленные на поиск путей улучшения рабочих характеристик конвольверов представляют довольно важную нучно-практическую задачу.

В 1964 году Ю. В. Гуляевым и В. М. Пустовойтом было показоно, что в слоистых структурах пьезоэлектрик-полупроводник взаимодействие ПАВ с электронами проводимости наиболее сильное [31, что позволяет создавать акустоэлектронные устройства с уникальными характеристиками. После опубликования этой работы стала активно развиваться, так называемая, «активная» акустоэлектроника. С другой стороны, пассивные ПАВ-устройства, содержащие пьезоэлектрический звукопровод с нанесенными на его поверхность тонкопленочными металлическими структурами, также можно рассматривать как монолитные слоистые структуры. Таким образом, выбор в данной диссертационной работе в качестве обьекта исследований тонкопленочных монолитных структур является обоснованным, так как такие структуры используются для создания как пассивных, так и активных акустоэлектронных устройств обработки сигнальной информации.

К началу работы над диссертацией (1983;1984 гг.) акустоэлект-ронное взаимодействие в монолитных структурах было изучено довольно подробно. Тем не менее, ряд важных как с научной, так и с практической точки зрения вопросов остался не исследованным. Так, например, не было проведено исследование акуетоэлектронного взаимодействия в слоистых структурах с периодической системой омических контактов. Особый интерес к изучению таких структур, в частности, связан с тем, что межэлектродные промежутки могут быть сделаны довольно малыми и, поэтому, даже с помощью небольшого 10−20 В приложенного к ним напряжения можно эффективно воздействовать на акустоэлектронное взаимодействие. В недостаточной степени изучено взаимное влияние тонких слоев в сложных монолитных слоистых структурах. Не был изучен нестационарный акустоэлектри-ческий эффект, возникающий при распространении в слоистых структурах модулированных ПАВ. Кроме того, в последние годы резко возрос интерес к разработке разного рода сенсоров для контроля состояния окружающей среды. Одним из типов сенсоров являются селективные (т.е. избирательные) акустоволновые химические сенсоры на основе составных акустических резонаторов, представляющих собой многослойные акустические системы. Все это обуславливает необходимость дальнейшего исследования физических процессов происходящих при распространении и взаимодействии акустических волн в тонкопленочных монолитных слоистых структурах, что и определяет актуальность темы данной диссертационной работы.

Основные задачи работы заключались в:

— изучении природы акустоэлектронного взаимодействия в монолитных слоистых структурах полупроводник — диэлектрический подслойпьезоэлектрическая пленка и возможности определения электрофизических параметров таких структур акустоэлектронными методами;

— исследовании особенностей нелинейного взаимодействия ПАВ, распространяющихся в монолитных слоистых структурах пьезодиэлектрическая подложка — диэлектрический подслой — тонкая полупроводниковая пленка с целью создания высокоэффективных устройств свертки сигналов, а также изучении нестационарного акустоэлектрического эффекта, возникающего в таких структурах при распространении модулированных ПАВэкспериментальном исследовании переотражений: ПАВ, распространяющихся в монолитных слоистых структурах с периодическими системами электродов и переспектив применения двухрядных электроакустических преобразователей с планарным емкостным взвещиванием электродов для создания широкополосных ПАВ-конвольверов с улучшенными характеристикамиизучении переспективности использования тонких слоев органических материаллов и оптимизации их параметров (в частности, геометрии) для повышения чувствительности сорбционных химических сенсоров, созданных на основе составных акустических резонаторов.

Целью данной диссертационной работы являлось решение указанных выше задач.

Новизна и научно-практическая ценность полученных в работе результатов определяется тем, что.

— впервые показана возможность улучшения частотных характеристик и уменьшения уровня ложных сигналов в ПАВ-конвольверах за счет использования двухрядных электроакустических преобразователей с планарным емкостным взвешиванием электродов и подавления переотражений ПАВ между многополосковым концентратором и преобразователем в волноводных ПАВ-конвольверах;

— предложена методика определения концентрации носителей заряда в обогащенном слое для монолитных слоистых структур кремниевая подложка — диэлектрический подслой (БЮ) — пьезопленка (гпО) X неразрушающим экспресметодом, что позволяет оптимизировать величину акустоэлектронного взаимодействия в таких структурах;

— обосновано альтернотивное объяснение эффекта свертки сигналов в планарно-поперечном ПАВ-конвольвере на основе тонкопленочной монолитной слоистой структуры пьезодиелектрик — полупроводниковая пленка основанное на предположении что концентрация носителей заряда в приповерхностной области полупроводника изменяется за счет высокочастотного эффекта поля;

— предложена конструкция планарно-поперечного ПАВ-конвольвера, у которого полупроводниковая пленка выполнена в виде узкой полоски, которая расположена под некоторым углом к направлению распространения ПАВ и полностью перекрывает ширину звукового потока взаимодействующих волн. Проведенные эксперименты показали, что предложенная конструкция позволяет повысить эффективность работы планарно-поперечных ПАВ-конвольверов;

— детально исследованы эффекты управляемого электроакустического преобразования в монолитных слоистых структурах пьезодиелектрикполупроводниковая пленка с периодической системой омических контактов и демодуляции ПАВ за счет нестационарного зкустоэлектрическота эффекта, обе, снована возможность использования этих эффектов дли создания шрокогг^дооных низкочастотных (начиная ¦¦. герцового диапазона) линий задержи;

— продемонстрировано резкое увеличение чувствительности газоаналитических химических сенсоров сорбционного типа на основе составных акустических резонаторов за счет использования тонкопленочных органических материалов и правильного подбора толщины сорбирующего покрытия.

Положения выносимые на защиту:

— Изменение фазовой скорости ПАВ, распространяющейся в монолитной слоистой структуре полупроводник — диэлектрический подслой — пьезо-пленка (например, п-51 — БЮ — гпо) при приложении поперечного X постоянного электрического поля связано с изменением величины объемного заряда в приповерхностной области полупроводниковой подложки за счет «эффекта поля». Измерение изменения фазы ПАВ, распространяющейся в такой структуре при подаче постоянного поперечного электрического поля дает методику определения концентрации носителей заряда в обогащенном слое неразрушающим экспрессметодом и, следовательно, возможность оптимизации величины акустоэлектронного взаимодействия.

Использование двухрядных ВШП с пленарным емкостным взвешиванием электродов позволяет формировать амплитудно-частотную характеристику выходного сигнала свертки широкополосного ПАВ-конвольвера достаточно прямоугольной формы (коэффициент прямоугольности 1.2) с малыми (не более 5 град.) отклонениями фазочастотной характеристики от линейного закона.

— Сигнал свертки в планарно-поперечном ПАВ-конвольвере на основе тонкопленочной монолитной слоистой структуры пьезоэлектрик-полупроводник обусловлен нелинейностью, связанной с изменением проводимости полупроводниковой пленки под воздействием электрических полей, сопровождающих ПАВ («высокочастотный эффект поля»), причем эта нелинейность в ряде случаев значительно превосходит концентрационную нелинейность.

— Изготовление полупроводниковой пленки в планарно-поперечном ПАВ-конвольвере в виде узкой полоски, которая расположена под некоторым углом к направлению распространения ПАВ и полностью перекрывает ширину звукового потока взаимодействующих волн, позволяет повысить эффективность по сравнению с традиционными конструкциямив частности, для монолитных слоистых структур глшэ, — Б: Ю — 1пБЬ использование предложенной конструкции о X увеличивает эффективность работы ПАВ-конвольвера на 8 дБм при одновременном снижении величины напряжени смещения почти в 10 раз.

— Одновременно подавая на ВШ, расположенный на полупроводниковой пленке в монолитной слоистой структуре пьезоэлектрический звукопровод — тонкая полупроводниковая пленка, переменного сигнала с удвоенной частотой и постоянного напряжения в звукопроводе можно эффективно возбуждать ПАВ на удвоенной частотепри подаче вместо постоянного напряжения низкочастотного переменного сигнала в звукопроводе возбуждается амплитудно-модулированная ПАВ.

— Объединение описанного в предыдущем пункте эффекта возбуждения в звукопроводе амплитудно-модулированной ПАВ и возможности демодуляции ПАВ за счет акустоэлектрического эффекта, возникающего в тонкой полупроводниковой пленке, расположенной на поверхности звукопровода позволяет осуществить задержку низкочастотного сигнала, а в случае сверхнизких частот создать устройство обеспечивающее фиксированный фазовый сдвиг.

— Изменение частоты вынужденных высокочастотных колебаний составного акустического резонатора, содержащего тонкопленочный пьезопреобразователь, звукопровод и тонкий слой сорбирующего вещества связано с изменением толщины сорбирующего слоя при контакте с газовой средой и проявляется наиболее сильно в случае, когда начальная толщина сорбирующего слоя составляет четверть длины акустической волныэто позволяет при правильном выборе толщины сорбирующего покрытия увеличить чувствительность химического сенсора, созданного на основе такого составного резонатора, почти на два порядка.

Структура диссертации и публикации.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы из 140 наименований.

5.3. Основные результаты главы.

1. Систематезированы основные характеристики созданной в МОИХ текстурированной пьезопленки нитрата гуанидина (ее структура, ориентация оси текстуры, симетрия, плотность, скорость продольной звуковой моды, коэффициент электромеханической связи, коэффициент теплового расширения), а так же частотная зависимость потерь преобразования и динамический диапазон пьезопреобразователей, созданных на ее основе. Полученные данные позволили разработать высокоэффективные составные акустические резонаторы для создания акустоволновых сорбционных химических сенсоров.

2. Теоретически предсказано и экспериментально подтверждено, что оптимизация толщины пленки сорбента при создании акустоволнового сорбционного химического сенсора на основе составного акустического резонатора, а именно, выбор ее толщины равной четверти длины акустической волны, позволяет увеличить чувствительность таких сенсоров почти на два порядка.

3. Создана лабораторная установка для исследования работы сорбционных химических сенсоров в газовом потоке, позволяющая менять как аналиты (жидкости, газы, парафины), так и создавать паро-газовые смеси различных концентраций (от десятков ррт до 90%).

4. Исследован отклик сорбционных химических сенсоров типа ПСМ на реальные топлива при комнатной температуре. Показано, что для разных топлив отличаются не только величины частотного отклика сенсора, но и длительность переходного процесса (т.е.время выхода на насыщение), что позволяет производить селекцию видов топлив и экспресс контроль марок бензинов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Б заключение сформулируем основные результаты, полученные в данной дисертационной работе:

1. Экспериментально показано, что амплитуда ПАВ, распространи ющейся в монолитной слоистой структуре полупроводниковая подложка (п-Бд.) — подслой БЮ — пезопленка 2пО при приложении поперек X структуры постоянного электрического поля мало меняется, в то время как ее фаза почти линейно зависит от величины приложенного напряжения. Данный эффект связан с тем, что внешнее постоянное электрическое поле меняет концентрацию электронов в приповерхностном слое полупроводниковой подложки, что обуславливает изменение условий распространения ПАВ и, следовательно, приводит к изменению ее фазы.

2. Получено выражение для изменения величины волнового вектора ПАВ, распространяющейся в монолитной слоистой структуре полупроводниковая подложка — диэлектрический подслой — пьезопленка, при подаче поперечного постоянного электрического поля. Показано, что из сопоставления результатов расчета и эксперимента можно с хорошей степенью точности оценить концентрацию носителей в слое объемного заряда, образованного наличием поверхностных состояний в уже изготовленных монолитных слоистых структурах п-Б1−5Юл-гпО-А1 и тем самым обоснована методика определения неразрушающим методом концентрации носителей заряда в области распространения ПАВ в многослойных слоистых структурах.

3. Установлено, что причина немонотонности частотной характеристики волноводного ПАВ-конвольвера с многополосковыми концентраторами заключается в эффективном переотражении ПАВ между преобразователями и концентраторами. Доказано, что выходной сигнал конвольвера является суммой «истинного» сигнала свертки с сигналами, образованными при взаимодействиях прямая ПАВ — ПАВ отраженная от концентратора, две отраженные от концентраторов ПАВ, прямая ПАВ — ПАВ дважды отраженная от концентратора и т. д.

4. Экспериментально показано, что изменяя период многополоско-вого концентратора можно существенно снизить величину переотражений в структуре ПАВ-конвольвера с концентраторами. А именно, создан и исследован волноводный ПАВ-конвольвер с многополо сковыми концентраторами, осуществлявшими сжатие волнового пучка в 10 раз и имеющими период соответствующий частоте синхронизма г = 174 МГц, при рабочей частоте конвольвера = 190 МГц, эффективности -93 дБм, информационной емкости ВТ = 500, который обеспечивл подавление двухза-ходных сигналов на 23 дБ и имел неравномерность АЧХ порядка 3 дБ.

5. Впервые изучена возможность использования для широкополосных ПАВ-конвольверов двухрядных ВШП с пленарным емкостным взвешиванием электродов. Исследован лабораторный макет такого ПАВ-конвольвера с центральной частотой 95 МГц, временем интегрирования 20 мкс, информационной емкостью 720, уровнем подавления ложных сигналов 25 дБ и эффективностью работы -90 дБм. Проведенные исследования подтвердили возможность формирования с помощью двухрядных ВШП с емкостным взвешиванием электродов частотной характеристики выходного сигнала широкополосного ПАВ-конвольвера прямоугольной формы (коэффициент прямоугольности порядка 1.2 при полосе пропускания 36%) со сравнительно малыми (не превышающими 5°) отклонениями фазовой характеристики от линейного закона.

6. Предложено альтернативное объяснение эффекта свертки в планарно-поперечном ПАВ-конвольвере, созданном на основе монолитной тонкопленочной слоистой структры пьезоэлектрик — полупроводник, за счет изменения проводимости пленки при высокочастотном эффекте поля. Получено выражение для величины сигнала свертки. Сопоставление величины выходного сигнала, рассчитанного по полученной формуле для тонкопленочных планарно-попе речных ПАВ-конвольверов, рассмотренных в работах других авторов, показывают хорошее совпадение с экспериментальными данными из этих работ.

7. Экспериментально показано, что изготовление интегрирующих электродов в планарно-поперечном ПАВ-конвольвере в виде решетки встречно-штыревого типа, расположенной вдоль направления распространения ПАВ позволяет снизить напряжение смещения в 5 раз без уменьшения эффективности работы конвольвера. Предложена конструкция планарно-поперечного ПАВ-конвольвера, у которого полупроводниковая пленка выполнена в виде узкой полоски, которая расположена под некоторым углом к направлению распространения ПАВ и полностью перекрывает ее апертуру. Это позволяет уменьшить полное электронное затухание ПАВ и, следовательно, увеличить эффективность работы конвольвера. Проведенные сравнительные исследования работы ПАВ-конвольверов с широкой полупроводниковой пленкой и предложенного вида показали, что эффективность работы конвольвера с наклонным расположением узкой пленки увеличилась на 8 дБм при одновременном снижении напряжения смещения почти в 10 раз.

8. Экспериментально исследован эффект управляемого электроакустического преобразования в монолитной слоистой структуре пьезоэлектрик — полупроводниковая пленка — периодическая система контактов встречно-штыревого типа. Показано, что потери на преобразование электрического сигнала в акустическую волну не превышают 20 дБ, а частота возбуждаемых ПАВ в два раза выше чем у обычных ВШП тех же размеров. Предложено объяснение данного эффекта основанное на том, что при приложении к периодической системе контактов постоянного электрического поля из-за зависимости волнового вектора ПАВ от величины и направления этого поля в соседних межэлектродных промежутках не происходит полной компенсации волн, возбуждаемых отдельными параш электродов, и такая структура довольно эффективно возбуждает ПАВ.

9. Проведен расчет нестационарного акустоелектрического эффекта, возникающего при распространении в монолитной слоистой структуре пьезоэлектрик — полупроводниковая пленка амплитудно-модулированных ПАВ. Показано, что сигнал акустоелектрического эффекта помимо постоянной составляющей содержит переменный сигнал частоты модуляции. Осуществлена экспериментальная проверка возможности демодуляции амплитудно-модулированных ПАВ за счет акусто-электрического эффекта в монолитной слоистой структуре пьезоэлектрик (Уг-срез — полупроводниковая пленка (Сс1Бе). Показано, что такой акустоэлектрический демодулятор обладает коэффициентом передачи до 15% и широким динамическим диапазоном.

10. Впервые принципиально решена задача о возможности создания широкополосной низкочастотной линии задержки. путем объединения эффекта управляемого электроакустического преобразования (используемого для возбуждения высокочастотной модулированной ПАВ) и нестационарного акустоелектрического эффекта (служащего для выделения низкочастотной огибающей прошедшей по звукопроводу модулированной ПАВ).

11. Систематезированы основные характеристики, созданной в Институте Общей и Неорганической Химии РАН, полимерной пьезопленки нитрата гуанидина (ее структура, ориентация оси текстуры, симетрия, плотность, скорость продольной звуковой моды, коэффициент электромеханической связи), а так же частотная зависимость потерь преобразования и динамический диапазон пьезопреобразователей, созданных на ее основе. Проведены температурные измерения «ухода» частоты пьезопреобразователей на подложках из кварца, алюмоиттриевого граната и ситала, определен коэффициент теплового расширения пьезопленки.

12. Теоретически предсказано и экспериментально подтверждено резкое (до двух порядков величины) увеличение чувствительности сорбционных химических сенсоров для газового анализа, созданных на основе составных акустических резонаторов при выборе толщины сорбирующего покрытия равной четверти длины акустической волны. Исследован отклик таких сенсоров на реальные топлива при комнатной температуре. Показано, что для разных топлив отличаются не только величины частотного отклика сенсора, но и длительность переходного процесса (т.е.время выхода на насыщение), что позволяет производить селекцию видов топлив и экспресс контроль марок бензинов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.Г. О распространении звука в кристалле, обладающем пьезоэлектрическими свойствами.- ЖЭТФ, 1941, т.11, N 2−3, с.332−339
  2. Hutson A.R., McFee J.H., White D.L. Ultrasonic amplification in CdS. Phys. Rev. Lett., 1961, v. 7, N 6, p. 237−239.
  3. Ю.В., Пустовойт В. И. Усиление поверхностных волн в полупроводниках. ЖЭТФ, 1964, т.47, N 6, с.2251−2253.
  4. Г., Берлинкур Д. Пьезоэлектрические материалы для преобразователей.- ТИИЭР, 1965, т.53, N 10, с.1552−1557.
  5. Foster N. F., Rozgony G. A. Zinc oxide film transducers.- Appl. Phys. Lett., 1966, v. 8, N9, p. 221−223.
  6. Martin S.J., Schwarts S. S., Gunshor R.L., Pierret R. F. Surface acoustic wave resonators on ZnO-on~Si layered medium. J. Appl. Phys., 1983, v. 54, N 2, p. 561−569.
  7. Martin S.J., Gunshor R.L., Pierret R. F. Zinc oxide on -silicon surface acoustic wave resonators.- Appl. Phys. Lett., 1980, v. 37, N 8, p. 700−701.
  8. Miyasaka Y., Hoshino S., Takahashi S. Temperature compensated
  9. ZnO/SiC^/Si thin film resonator for VHF voltage controlled oscillator.- Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1985, p. 346−351.
  10. Altan B.S., Bobbins V. P. Tarnable ZnO~Si SAW devices using magnetostrictive thin film.- Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1981, p. 311−314.
  11. Urabe S. Voltage controlled monolithic SAW phase shifter and its application to frequency variablt oscillator.- IEEE Trans. Sonics and Ultrason., 1982, v. SU~29, N5, p. 255−261.
  12. M.C., Осипенко В. А., Сурыгин A.M., Усов В. И. Электронное управление фазовой скоростью ПАВ в структуре окись цинка на кремнии.- Письма в ЖТФ, 1988, т.4, N 18, с.743−747
  13. Palmieri L., Socino G., Verona E. Nonlinear electroelastic effect in acoustic layer mode propagation along ZnO/Si structures. -Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1986, p. 1093−1096.
  14. Palmieri L., Socino G., Verona E. Electroelastic effect in layer acoustic mode propagation along ZnO film on Si substrates.-Appl. Phys. lett., 1986, v. 49, N23, p. 1581−1583.
  15. Arya S. P. S., D’Amico A., Verona E. Stady of sputtered Zn0~Pd thin films as solid state and NHg gas sensors.- Thin Solid Films., 1988, v.157, p.169−174.
  16. I.А. Характеристики устройств из окиси цинка на кремнии для обработки и хранения сигналов.- ТШЭР, 1976, т.64, N 5, с.246−249.
  17. Г. С. Акустоэлектронное взаимодействие в устройствах на ПАВ.- ТИИЭР, 1976, т.64, N 5, с.188−217.
  18. Khuri-Yakub В. Т., Kino G. S. A detalied theory of the monolithic zinc oxide on silicon convolver.- IEEE Trans. Sonics and Ultrasonics, 1977, v. SU~24, N 1, p. 34−43.
  19. Matsumoto K., Yasudo T. Report on a ZnO/Si SAW convolver with nonlinear MIS-transistor effect.- Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1978, p.54−59.
  20. Kino G.S. Zinc oxide on silicon acoustoelectric devices.- Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1979, p.900−910.
  21. Cherne R.D. t Melloch M. R., Gunshor D. L., Pierret R. F. Bias stable ZnO-on-Si SAW devices.- Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1981, p. 780−783.
  22. Tuan H. C. t Grant P.M., Kino G. S. Theory and application of zink-on silicon monolithic storage correlator.- Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1978, p. 38−43.
  23. Augustine F.L., Schwartz R.J., Gunshor R. L. Experimental observation of charge transfer by surface acoustic waves in a monolithic metal/Zn0/Si02/Si (MZOS) device.- Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1981, p.769−773.
  24. Green J.B., Kino G. S., Walher J.T., Shott J. D. Integrated surface acoustic wave/fild~effeet transistor high-speed analog memory. Appl. Phys. Lett., 1983, v. 42, N 12, p. 1015−1017.
  25. Elliot J.K., Gunshor R. L., Pierret R. F., Day A. R. A wideband SAW convolver utilizing Sezawa waves in the metal-ZnO-SiO^-Si configuration. Appl. Phys. Lett., 1978, v. 32, N9, p. 515−516.
  26. Bowers J.E., Khuri~Yakub B.T., Kino G.S. Monolithic Sezawa wave storage correlators and convolvers.- Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1980, p.118−123.
  27. Thornton R.L., Bowers J.E., Green J.B. Recent developments in the ZnO on Si storage correlator.- Proc. IEEE Ultrason. Symp. f 1981, p.774−779.
  28. Lo F. S., Gunshor R.L., Pierret R. F. Monolithic (ZnO) Sezawa-mode pn-diode~array memory correlator.- Appl. Phys. Lett., 1979, v. 34, N 11, p. 725−726.
  29. Green J.b., Khuri-Yakub В. T., Kino G. S. A new narrow beamwidth high-efficiency zinc oxide on silicon storage correlator.- J. Appl. Phys., 1981, v. 52, N 1, p. 505−506.
  30. Tuan H. C., Bowers J.E., Kino G. S. Theoretical and experimental results for monolithic SAW memory correlators.- IEEE Trans. Son. and Ultrason. 1980, v. SU~27, N 6, p. 360−369.
  31. Melloch M. R., Gunshor R. L., Liu C. L., Pierret R. F. Interface transduction in the ZnO-SiC^'Si surface acoustic wave device configuration.- Appl. Phys. Lett., 1980, v. 32, N2, p. 147−150.
  32. Т.Д., Стрельцова H.H. Пленочные пьезоэлектрики.- М.: Радио и связь, 1986, 136 с.
  33. Hickernell F. S. The role of layered structures in surface acoustic wave technology.- Proc. Conf. Component perfomans andsystem application of SAW devices. 1973, p.11—21.
  34. Ф.С. Преобразователи поверхностных волн на тонких пленках окиси цинка.- ТИИЭР, 1976, т.64, N 5, с.70−76.
  35. Khuri-Yakub В. Т., Kino G.S., Galle P. Studies of the optimum condition for growth of rf-sputtered ZnO films.- J. Appl. Phys., 1975, v.46, N 8, p.3266−3272.
  36. Rozgonyi G. A., Polito W.J. Epitaxial thin films of ZnO on CdS and sapphire.- J. Vac. Sci. Tehnol. 1969, v. 6, N 1, p. 115−119.
  37. Fahmy A.H., Adler E.L. Structure and properties of rf-sputtered ZnO transducer.- IEEE Trans. Son. and Ultrason., 1972, v. SU-19, N 3, p.346−349.
  38. Л.А. Характеристики устройств из окиси цинка на кремнии для обработки и хранения сигналов.- ТИИЭР, 1976, т.64, N 5, с.246−249.
  39. Hata Т., Noda Е., Morimoto 0. High rate deposition of piezoelectric zinc oxide films using new reactive sputtering techique.- Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1979, р.936~939.
  40. Webb J.В., Williams D.F., Buchanan M. Transparent and highly conductive films of ZnO prepared by rf reactive magnetronsputtering.- Appl. Phys. Lett., 1981, v.39, N 8, p. 640−642.
  41. Hickernell F.S., Brewer J.T. Surface-elastic-wave properties of deOtriode-sputtered zinc-oxide films.- Appl. Phys. Lett., 1972, v. 21, N 8, p.389−391.
  42. Larson I.D., Vinslow D.K., Littelly L.T. RF~diode sputtered ZnO transducers.- IEEE Trans. Son. and Ultrason., 1972, v. SU-19, N 1, p. 18−22.
  43. Barnes J.O., Leary D.J., Jordan A. G. Relationship between deposition conditions and physical properties of sputtered ZnO. -J. Electrochem. Sos., 1980, v. 127, N7, p. 1636−1640.
  44. Mitsuyu T., Ono S., Wasa K. Structures and SAW properties rf-sputtered singl~crystal films of ZnO on sapphire.- J. Appl. Phys., 1980, v. 51, N5, p. 2461−2470.
  45. Wasa K., Hayakawa S., Hada T. Excitation of shear mode elastic wave in co-sputtered ZnO films.- IEEE Trans. Son. and Ultrason., 1974, v. SU-21, N4, p. 298−299.
  46. Wasa K., Ohji K., Yamaza Ki.O., Hayakawa S. Surface wave transducer of ZnO films with controlled derection of c~axis.- J. J. Appl. Phys., 1974, suppl. 2, pt. 1, p. 745−747.
  47. Foster N. F. Crystallographiс orientation of zinc oxide film deposited by triode sputtering.- J. Vac. Sci Techno1., 1969, v. 6, N 1, p. 111−114.
  48. Hickernell F.S. Surface acoustic wave propagation loss in zinc oxide films.- Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1982, p.325−328.
  49. С.В., Лавренов А. А., Мансфельд Г. Д. Влияние внешних электрических полей на фазовую скорость ПАВ в монолитной структуре ZnO-Si.- Радиотехника и Электроника., 1990, т.35, N 5, с. 1090.
  50. Auld В. A. Acoustic field and waves in solides.- 1973, Inc., v. 2, 414 p.
  51. Г. Е. Основы теории полупроводниковых приборов.-М.:"Наука", 1965, 448 с.
  52. Нелинейные акустоэлектронные устройства и их применение./ Под. ред. Бондаренко B.C. М.: Радио и Связь, 1985, 160 с.
  53. Поверхностные акустические волны./ Под. ред. Олинера А. М.: Мир, 1982, 390 с.
  54. Maerfeld С. Raylaigh wave поп-linear components / Rayleigh wave theory and application. — Berlin: Springer-verlag, 1985, p. 191−218.
  55. Wang W. S., Das P. Surface wave convolver via space charge nonlinearity. Proc. Ultrason. Symp. 1972, p.316−321.
  56. Quate C. F., Thomson R. B. Convolution and correlation in real time with non-linear application.- Appl. Phys. Lett., 1970, v. 16, N 10, p. 494−496.
  57. Lukkala M., Kini G. S. Convolution and time inversion using parametric integration of acoustic surface wave.- Appl. Phys. Lett., 1972, v.18, N 9, p.393−394.
  58. Kino G. S., Ludvik S., Shaw H.J. et al. Signal processing by parametric interactions in delay-line devices.- IEEE Trans., 1973, v. MTT-21. N 4, p. 244−255.
  59. Monks Т., Paige E.G.S., Woods R. C. SAW convolvers using the transverse-horizontal bilinear field.- Electr. Lett., 1983, v. 19, p. 466−467.
  60. Maugin D. Nonlinear electromechanical effects and applications.-Hong-Kong: World Scientific, 1987.
  61. В.А., Лямоб B.E., Солодов И. Ю., Еленский В. Г. Нелинейные акустические устройства обработки сигнальной информации.- Зарубежная радиоэлектроника. 1981, N 1, с.50−77.
  62. Л.Р. Новый режим работы конвольверов на поверхностных волнах.- ТИИЭР, 1976, т.64, N 5, с.234−238.
  63. П.Х., Маерфельд С. Пленарный пьезоэлектрический конвольвер на поверхностных волнах.- ТИИЭР, 1976, т.64, N 5, с.218−222.
  64. Cho У., Yamonouchi К. Theoretical and experimental studies of LiNbOg degenerate acoustic elastic convolvers.- J. Appl. Phys., 1987, v.61, N 5, p.1728−1739.
  65. Malocha D. C. Elastic convolver with a modificied multistrip coupler compressor.- Proc. Ultrasonics Symp., 1981, p. 192−198.
  66. Nakagava Y., Makio S. Surface acoustic wave convolver using multiple waveguide.- Trans. Inst. Electronic and Commun. Engeneering Japan, 1986, v. J69, N A2, p. 190−198.
  67. Darby B.J., Gunton D.J., Lewis M.F. The design and performance of a small efficient SAW convolver.- Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1980, p.53−58.
  68. Coldren L.A., Schmidt R.V. Acoustic surface wave dV/V waveguides on anizotropic substrate.- Appl. Phys. Lett., 1973, v.22, N 10, p. 482−483.
  69. С. S., Bell D. Т., Rosenfeld R. S. Impulse model design of acoustic surface wave filter.- IEEE Trans., 1973, v. MTT-21, N 4.
  70. Slobodnik A.J.~ SAW filtres at UHF: design and analysis.- Air force Cambrige research laboratories, LZM-TR, 7 500 311, 1975.
  71. Trencrell R. H., Holland M. G. Acoustic surface wave filters.-Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1971, v.59, N3.
  72. Reddy A.R. Design of SAW bandpass filter using new window function.- IEEE Trans., 1988, v. UFFC~35, N 1.
  73. Ф.Дж. Использование окон при гармоническом анализе методом дисктетного преобразования Фурье.- ТШЭР, 1978, т.66, N 1.
  74. Ray М. К. A Rayleigh wave compressor using dV/V-type guidance.-IEEE Tranc., 1976, v. SU-23, N4, p. 276−279.
  75. Yao J. High performance elastic convolver with parabolic horns.~ Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1980, p.37−42,
  76. Davis K.L., Weller J. F. Elastic convolver using planar prism waveguide couplers. Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1980, p. 74−76.
  77. Vaerfeld C., Defranould P., Farnell G. W. Some applications of a nonsymmetrical multistrip coupler.- Proc. IEEE Ultraso. Symp., 1973, p. 155−158.
  78. Green J.В., Kino G. S., Khuri~Yakub В. T. Focused surface wave transdusers on anizotropic substrates: a theory developed for the waveguided storage correlator.- Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1980, p. 69−73.
  79. Tancrell R. H. Analytie design of surface wave bandpass filters. Proc. Ultrasonics Symp. 1972, p.215−217.
  80. Tancrell R.H., Williamson R. C. Wave front distortion of acoustic surface waves from apodized a piezoelectric crystal. ~ Appl. Phys. Lett. 1971, v.19,
  81. Авторская заявка N 2 431 620 (ФРГ), МКИ: Н03К 9/00.
  82. Rosenfeld R.С. Capacitive weghted acoustic surface wave filters. USA patent N 3 904 969.
  83. Rosenfeld R. C. et al. Unidirectional acoustic surface wave filters with 2 dB insertion loss. IEEE Ultrason. Symp. 1974, p. 425−428.
  84. А.С., Багдасарян А. С., Гуляев Ю. В., Кмита A.M. Устройство на ПАВ. А.С. N 726 648 (МКИ: Н03Н 9/00), опубликовано БИ0 N 13, 1980.
  85. И.П. Расчет преобразователей с емкостным взвешиваниемэлектродов методом эквивалентных схем. Радиотехника и электроника. 1985, т.30, в.4, с.671−677.
  86. A.M., Кмита A.M., Марков И. А., Федорец В. Н. Преобразователь поверхностных акустических волн. А.С. N 2 821 084 от 27 марта 1980.
  87. Ю.В., Кмита A.M., Багдасарян А. С. Преобразователь поверхностных акустических волн с емкостным взвешиванием электродов. Письма в ЖТФ. 1979, т.5, N 1, с.697−701.
  88. W.R., Gerard Н. М., Jonrs W.R. Analysis and design of dispersive interdigital surface wave transducers. IEEE Trans, microwave Theory Tech. 1972, v. MTT-20, N H, p. 458−477.
  89. H.B., Долбин E.B., Кочемасов В. Н. Аналоговые фурье процессоры и их применение. Зарубежная радиоэлектроника. 1983, N 4, с.47−69.
  90. С.С. Устройства обработки сигналов на ультразвуковых поверхностных волнах. М.: Сов. радио, 1975, 176 с.
  91. А. К., Davis К. Nonlinear interaction in degenerated surface acoustic wave elastic convolvers. J.Appl.Phys. 1980, v. 51, N 2, p. 920−926.
  92. Shreve M. R. Signal processing using surface acoustic waves. -IEEE Communications magazine. 1985, v.23, N 4, p.6−11.
  93. Hickernell F. S. ZnO processing for bulk and surface wave devices. Proc. IEEE Ultrason. Symp. 1980, p. 785−794.
  94. И.М., Федорец B.H. Свертка сигналов в структуре LiNb03-CdSe. Письма в ЖТФ. 1978, т.5, N 1, с.56−57.
  95. Onishi S., Eschwei М., El~Asiz В., Vang V.Ch. Enchancement of a thin film indium antimonide on lithium niobat convolver output by transverse biasing. J.Appl.Phys. 1893, v. 22, N 5, p. L273-L274.
  96. Vu Z.S., Onishi S., Chen K. S. Monolithic thin film semiconductor acoustoelectric convolver. Proc. IEEE Ultrason. Symp. 1981, p.243−247.
  97. A.M., Гаврилин B.H., Гуляев A.M., Белый С. Ф. Влияние продольного и поперечного электрического поля на эффект конволюции ПАВ в тонкопленочной монолитной структуре. Письма в ЖТФ. 1984, т.10, N 9, с.544−547.
  98. Ocrwaldowski М. The magnetic fild dependence of the РЕМ effect in melt-grown InSb thin layers. J. Phys. Chem.Solids. 1979, v. 40, N 9, p. 675−681.
  99. А.И., Зевенс Т. А., Толомасов В. А. Получение слоистых структур LiNb03 inSb. — В кн.: Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск, Наука, 1981, с.59−62.
  100. Л.С., Ейикин В. Я., Федоренко А. И. Пленка InSb с высокой подвижностью носителей заряда. Неорг. материалы. 1976, т.12, N 6, с.1008−1010.
  101. В.И., Веселов А. Г., Синицин Н. И. и др. Тонкие пленки InSb для акустоэлектроники. Микроэлектроника. 1979, т.8, N 6, с.539−545.
  102. И.М., Крикунов А. И., Медведь А. В. и др. 0 роли защитных слоев в технологии изготовления акустоэлектронного усилителя на основе LiNb03-lnSb. Микроэлектроника. 1977, т.6, N 1, с.88−90.
  103. Ю.В. Акустоэлектронные устройства для систем связи и обработки информации. в кн.: Проблемы современной радиотехники и электроники. Под ред. Котельникова В. А. М.: Наука, 1980, с.297−319.
  104. А.И., Проклов В. В., Станковский Б. А. Пьезоэлектрические преобразователи для радиоэлектронных устройств.-М.: Радио и связь, 1981, 165 с.
  105. Ю.В., Мансфельд Г. Д., Орлова Г. А., Воритко C.B., Миргородская E.H., Крикунов А. И. Акустоинжекционный транзистор -новый тип управляемого акустоэлектронного преобразователя.- Письма в ЖТФ, 1981, т.7, N 7, с.339−343.
  106. Kino G.S., Reeder T.M. A normal mode theory for Reilegh wave amplifier.- IEEE Trans. 1977, v. ED~18, N 10, p. 909−920.
  107. Parmenter R. H. The acousto-electric effect.- Phys. Rev., 1953, v. 89, N 5, p. 996−998.
  108. Weinreich G. Acoustodynamic effect in semiconductors.- Phys. Rev., 1956, v. 104, N2, p. 321−324.
  109. В.JI., Эфрос A.JI. К теории акустоэлектрического эффекта.- ЖЭТФ, 1963, т.14, N6, с.2131−2141.
  110. В.В., Коган Ш. М. Акустоэлектрические эффекты впьезоэлектрических полупроводниках.- ФТТ, 1963, т. 5″ N 7, с.1894−1899.
  111. Butcher Р. N., Ogg N. R. А поп linear theory of acoustoelectric gain and current in piezoelectric semiconductors. Brit. J. Appl. Phys. (J.Phys. D.), 1968, ser. 2, v. 1, p. 1271−1275.
  112. Proclov V.V., Gulyaev Yu. V., Horozov A.I. On some acoustoelectric phenomena in piezosemiconductors at lage sound intensities. Phys. Stat. Sol. (a), 1972, v. 12, N 1, p. Kl~K4.
  113. B.E. Акустоэлектрический эффект в монокристаллах пьезополупроводников.- В кн." Некоторые вопросы взаимодействия ультразвуковых волн с электронами проводимости в кристаллах", М., Б.И., 1965, с.77−94.
  114. Vang V.S. Strong acoustoelectric effect in CdS. -Phys.Rev. Lett., 1962, v.9, N 11, p.443−445.
  115. А.И. Исследование акустоэлектрического эффекта в кристаллах сульфида кадмия.- ФТТ, 1965, т.7, N 10, с.3070−3078.
  116. В.И., Байбаков В. И., Падо Г. С. Акустоэлектрический эффект в CdSe в режиме непрерывного усиления ультразвука потоком электронов.- ДАН СССР, 1967, т.174, N 4, с.791−794.
  117. А.П., Рой В.Ф. Акустоэлектрический эффект в теллуре.-ФТТ, 1972, т.14, N 1, с.260−262.
  118. J.R. А., Pomerantz М. Acoustoelectric effect of microwave phonons in GaAs.- Phys. Rev. Lett., 1964, v. 13, N6, p. 148−200.
  119. Ю.В., Карабанов А. Ю., Кмита A.M., Медведь А. В., Туреунов Ш. С. К теории электронного поглощения и усиления поверхностных звуковых волн в пьезокристаллах.- ФТТ, 1970, т. 12, N 9, с.2595−2601.
  120. Г. И., Кучеров И. Я., Островский В. И. Генерация второй гармоники поперечной волной в пьезополупроводниковой пластине.-ФТТ, 1976, т.18, N 9, с.2840−2843.
  121. Ostrovski I.V., Bulakh G.I. Second harmonic of the acoustoelectric current in piezosemiconductors. Phys.Stat.Sol. (a), 1980, v. 59, N 1, p. 83−89.
  122. Ю.В., Кмита A.M., Медведь А. В., Плесский В. П., Шибанова Н. Н., Федорец В. Н. Исследование нелинейных акустоэлектрических эффектов и акустопроводимости в слоистой структуре LiNb03-si.- ФТТ, 1975, т.17, N 12, с.3505−3515.
  123. A.M., Медведь А. В. Акустоэлектрический эффект в слоистойструктуре пьезоэлектрик-полупроводник, — ФТТ, 1972, т.14, N 9, с.2646−2655.
  124. А.П., Гаршка Э. П., Милькявиченс З. А., Юцис А. И. Акустоэлектрический эффект в слоистой структуре пьезоэлектрик -металлическая пленка.- ФТТ, 1974, т.16, с.2455−2456.
  125. Morita S., Tsubuchi К., Micohiba N. Convolution and acoustoeleotric effect by elestic surface waves in coupled semiconductor piezoelectric system.- Jap. J. Appl. Phys., 1976, v. 5, N 6, p. 1019−1028.
  126. С.В., Балакирев М. К. Основы акустоэлектроникм, ч.11.- Новосибирск, 1968, с.9−15.
  127. И.С. Радиотехнические цепи и сигналы.- М.: Сов. Радио, 1977, 607 с.
  128. Т. М. Reeder, D. К. Winslow. IEEE Trans. 1969, v. MTT-17, p. 927.
  129. Ochi, Koji, at al. Gas generator composition. US Patent N 5 482 579.
  130. Sedat, Georges A. Smoke-produsing pyrotechnic composition and its application. US Patent N 4 366 010.
  131. А.И.Китайгородский. Молекулярные кристаллы. М.:Наука. 1971.
  132. Л.М., Дорошенко B.C., Красилов Ю. М., Кузнецов Н. Т., Мурашов Д. А., Розанов И.А.- Журнал Аналитической Химии. 1995. т.50. п. 9. с. 979.
  133. Dorojkine L.M., Volkov V.V., Doroshenco V. S., Lavrenov A. A., Mourashov D. A., Rozanov I. A.- Sensors and Actuators. 1997. v. B44. p. 488.
  134. А.В., Дорошенко B.C., Дорожкин Л. М., Локтев O.A., Магомедов З. А., Погибелъский А. П., Польских Э. Д., Пустовойт В. И., Чаянов Б. А. Пленочный пьезопреобразователь продольных акустических волн.- А.С. N1568829, приоритет от 04.07.1988.
  135. С.Ф., Вашкиров A.M., Гаврилин В. И., Гуляев A.M., Лавренов А. А. Монолитные акустоэлектронные устройства на основе структуры LiNbOg пленка inSb. — Известия вузов. Сер. Радиоэлектроника. Киев 1988. с.56−62.
  136. С.Ф., Башкиров A.M., Гаврилин В. И., Гуляев A.M. и др. Свертка сигналов в монолитной структуре LiNbOg- InSb. Тр. Моск. энерг. ин-та. 1983, N22, с.117−123.
  137. В.И., Гуляев A.M., Башкиров A.M., Белый С. Ф. и др. Температурные характеристики приборов для обработки радиосигналов на поверхностных акустических волнах. Тр. Моск. энерг. ин-та. 1981, вып.536, с.100−105.
  138. Публикации по теме диссертации.
  139. А1.Боритко С. В., Лавренов А. А., Мансфельд Г. Д. Влияние внешних электрических полей на фазовую скорость ПАВ в монолитной структуре ZnO-Si. Радиотехника и электроника. 1990, т.35, N 5, с. 1090.
  140. А2.Боритко С. В., Лавренов А. А., Мансфельд Г. Д. Влияние внешних электрических полей на фазовую скорость ПАВ в монолитной структуре ZnO-Si. Материалы конференции «Акустоэлектронные устройства обработки информации на ПАВ», Черкассы 1990, с. 64.
  141. АЗ.Боритко С. В., Лавренов А. А., Мансфельд Г. Д. Влияние поперечного электрического поля на распространение ПАВ в монолитной структуре на основе кремния. Радиотехника и электроника. 1991, т.36, N 4, с. 835.
  142. А5.Боритко С. В., Лавренов А. А., Нисафи A.M. ПАВ-конвольверы для широкополосных систем связи. Тезисы докладов XYI Всероссийской конференции по акустоэлектронике и физической акустике твердого тела. Сыктывкар, Секнтябрь 1994 г., с. 125.
  143. Аб. Боритко С. В., Лавренов А. А. Вторичные эффекты в волноводных конвольверах на ПАВ. Радиотехника и электроника. 1994, т.39, N 12, с. 2065.
  144. A8.C.B.Боритко, В. И. Григорьевский, А. М. Кмита, A.M.Нисафи.
  145. Исследование возможности использования ВШП с емкостным взвешиванием электродов для создания широкополосных ПАВ-кон-вольверов. Письма в ЖТФ, 1996, т.22, N 19, с. 24.
  146. A9.S. V. Boritko, V.I. Grigorievskii, A.M.Kmita. Broadband SAW-convolver, using dispersiv IDTs with capacitive weighting.- IEEE Symp., 1996, p.77.
  147. A10. Боритко С. В., Мансфельд Г. Д., Гаврилин В.И.
  148. Высокочастотный поперечно-планарный конвольвер с пониженным напряжением питания. Материалы конференции «Акустоэлектронные устройства обработки информации», Черкасссы 1988, с. 320.
  149. A13. Боритко С. В., Мансфельд Г. Д., Веретин B.C., Лавренов А. А., Нагирняк В. Н. Акустоелектронный конвольвер на основе слоистой структуры пьезоэлектрик-полупроводниковая пленка. Радиотехника и электроника. 1989, т. 34-, N 7, с. 1553.
  150. А15.Боритко C.B., Мансфельд Г. Д., Мевлют Ш. Т., Нисафи A.M. Исследование планарно-поперечных ПАВ-конвольверов на основе тонкопленочной слоистой структуры пьезоэлектрик-полупровод-ник. Радиотехника и электроника. 1996 г., т.41, N11, с. 1406.
  151. А16.С. В. Боритко, Ю. В. Гуляев, Г. Д. Мансфельд. Использование акустоэлектрического эффекта для демодуляции радиосигналов. Материалы XII Всесоюзной конференции по акустоэлектронике и квантовой акустике. Саратов, 1983, с. 187.
  152. А17.С. В. Боритко, Ю. В. Гуляев, Г. Д. Мансфельд. Особенности детектирования радиосигналов с помощью акустоэлектрического эффекта. Радиотехника и электроника. 1984, т.29, в.6, с. 1179.
  153. А18.С. В. Боритко, Г. Д. Мансфельд, В. Н. Нагирняк. Электроакустическое преобразование в слоистых структурах с периодической системой омических контактов. Письма в ЗКТФ, 1986, т. 12, в.10, с. 604.
  154. А19.С. В. Боритко, Г. Д. Мансфельд, В. Н. Нагирняк. Электроакустическое преобразование в слоистой структуре с периодическими контактами. Материалы XIII Всесоюзной конференции по акустоэлектронике и квантовой акустике. Черновцы, 1986, с. 166.
  155. A20.S.V. Boritko, Yu.V. Gulyaev, G.D.Mansfel' d. Nonstationary acoustoelectric effect and SAV demodulation. Proceedings of the international symposium «Surfase waves in solids and layered structures», Novosibirsk, 1986, v.2, p. 137.
  156. А21.С. В. Боритко. Демодулятор радиосигналов. A.С. К 1 337 993 от 15 мая 1987 г.
  157. А22.С. В. Боритко. Линия задержки на поверхностных акустических волнах. АС N 1 627 049 от 8 октября 1990 г.
  158. S.V. Boritko, L. M. Dorojkine, V.S.Doroshenko, A. A. Lavrenov, I.A.Rozanov. Thin-film piezoelectric acoustic sensor to the detection of hydrocarbons. 9th International Fair and Conference «SENSOR-99». May 18−20, 1999, Nuranberg, Germany
  159. A25. С. Г. Алексеев, С. В. Боритко, Л. М. Дорожкин, Г. Д. Мансфельд. Резонансный характер чувствительности газоаналитических химических сенсоров на основе составного акустического резонатора.- Письма в ЖТФ, 1999, т.25, в. 14, с. 76.
  160. А2 6. Л. М. Дорожкин, С. В. Боритко, А. В. Фокин, Г. Н. Дорожкина, И. А. Розанов. Резонансный характер чувствительности акустоволновых химических газовых сенсоров.- Журнал аналитической химии. 2000, т.55, N 2, е.133.
  161. А27. С. В. Боритко, А. А. Лавренов, Л.М.Дорожкин-, И. А. Розанов. Сенсор для газового анализа на основе составного акустического резонатора. Тезисы докладов Всеросийской конференции «СЕНС0Р-2000», Санкт-Петербург, 21−21 июня
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!