Бакалавр
Дипломные и курсовые на заказ

Эффекты анизотропии и межчастичные обменные взаимодействия в полупроводниковых наноструктурах А2В6

Диссертация: Эффекты анизотропии и межчастичные обменные взаимодействия в полупроводниковых наноструктурах А2В6
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Свет — или, говоря шире, электромагнитное излучение видимого диапазона и примыкающих областей ультрафиолетового и инфракрасного диапазонов — является во многих отношениях идеальным агентом, позволяющим не только оказывать контролируемое воздействие на электронную подсистему полупроводника, но и выносить из кристалла информацию о происходящих в нем процессах. Хотя световая волна представляет собой… Читать ещё >

Содержание

  • Глава 1. Оптическая спектроскопия спиновых явлений в наногетероструктурах на рубеже XX — XXI вв
    • 1. 1. Новые идеи и экспериментальные методики
      • 1. 1. 1. Одиночные квантовые точки
      • 1. 1. 2. Спектроскопия быстрой спиновой динамики
    • 1. 2. Полумагнитные полупроводники и наноструктуры
      • 1. 2. 1. Структура и свойства твердых растворов (Сс1,Мп)Те
      • 1. 2. 2. Квантовые ямы с полумагнитными слоями
  • Глава 2. Экспериментальные подходы и методические вопросы
    • 2. 1. Экспериментальные методики, применявшиеся в работе
      • 2. 1. 1. Спектроскопия поляризованной люминесценции наноструктур
      • 2. 1. 2. Спектроскопия одиночных квантовых точек
      • 2. 1. 3. Спектроскопия комбинационного рассеяния с переворотом спина
    • 2. 2. Эффекты нагрева светом в полумагнитных квантовых ямах
      • 2. 2. 1. Нагрев, детектируемый по поляризации фотолюминесценции
      • 2. 2. 2. Обсуждение возможных причин нагрева
    • 2. 3. Выводы к Главе 2
  • Глава 3. Анизотропия состояний валентной зоны и поляризованная люминесценция квантовых ям и квантовых точек
    • 3. 1. Оптическая и магнитная анизотропия одиночного трионного состояния в КТ
      • 3. 1. 1. Нулевое магнитное поле
      • 3. 1. 2. Внешнее магнитное поле
    • 3. 2. Линейная поляризация фотолюминесценции из КЯ в магнитном поле, параллельном плоскости слоя
      • 3. 2. 1. Образцы и экспериментальные результаты
      • 3. 2. 2. Теория
      • 3. 2. 3. Обсуждение результатов
    • A. Низкая симметрия и влияние подложки
    • B. C2v -возмущение: регулярное или хаотическое?
    • C. Анализ вкладов в угловые гармоники поляризации
    • D. Соотношения между гармониками и природа четвертой гармоники
    • E. Спектральные зависимости поляризации
    • F. Полевые зависимости поляризации и дырочного расщепления
      • 3. 3. Выводы к Главе 3
  • Глава 4. Спин-флип комбинационное рассеяние света в квантовых ямах CdTe/(Cd, Mn) Te: виды отклика, механизмы, промежуточные состояния
    • 4. 1. Реплики, механизмы и промежуточные состояния
  • СФКР КЯ CdTe/(Cd, Mn) Te в поперечном и наклонном магнитном поле
    • 4. 1. 1. Исследованные образцы и обзор спектров СФКР
    • A. Поперечное магнитное поле (геометрия Фойхта)
    • B. Наклонное магнитное поле
      • 4. 1. 2. СФКР на зонных электронах
    • A. Профили возбуждения
    • B. Природа сигналов
    • C. Угловые зависимости интенсивности СФКР в фойхтовской геометрии
    • D. Реконструкция тензора дырочного g-фактора
      • 4. 1. 3. СФКР на 3d -электронах марганца
      • 4. 1. 4. Комбинированный процесс СФКР
      • 4. 2. Эффект гигантского изменения интенсивности СФКР под действием дополнительной подсветки в сине-зеленой области спектра
      • 4. 2. 1. Экспериментальные результаты
      • 4. 2. 2. Обсуждение
      • 4. 3. Выводы к Главе 4
  • Глава 5. Магнитооптическая спектроскопия экситонов при сильном обменном взаимодействии между электроном и дыркой
    • 5. 1. Эффект Ханле и динамика спиновой поляризации в квантовых ямах
      • 5. 1. 1. Модель
      • 5. 1. 2. Прямой расчет предельных случаев
    • A. Случай безызлучательной рекомбинации экситонов
    • B. Случай излучательной рекомбинации экситонов
      • 5. 1. 3. Экспериментальная реализация в КЯ CdTe/(Cd, Mg) Te
      • 5. 1. 4. Расчет методом матрицы плотности
    • A. Уравнения и их решение для стационарного случая
    • B. Динамика спина при сильном обменном взаимодействии
    • C. Возможности обобщения модели
      • 5. 2. Межполяризационные конверсии в КТ CdSe/ZnSe
        • 5. 2. 1. Расчет двухступенчатой и одноступенчатой моделей методом псевдоспина
    • A. Двухступенчатая модель
    • B. Одноступенчатая модель
      • 5. 2. 2. Экспериментальные результаты и обсуждение
      • 5. 3. Выводы к Главе 5

Эффекты анизотропии и межчастичные обменные взаимодействия в полупроводниковых наноструктурах А2В6 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Актуальность темы

Спиновые явления в полупроводниках на протяжении нескольких десятилетий вызывают интерес исследователей. Помимо фундаментального аспекта, связанного с выявлением закономерностей спиновых и спин-зависимых явлений, этот интерес имеет и значительный прикладной аспект. Полупроводники и полупроводниковые наноструктуры играют важнейшую и все увеличивающуюся роль в жизни общества. Совершенствование полупроводниковых микросхем, создание новых микрои нанотехнологий немыслимы без детального понимания физических процессов, протекающих в полупроводниковых кристаллах под действием света, электрического тока, внешних полей. Беспрецедентно важную роль в изучении свойств полупроводников играла и играет оптическая спектроскопия.

Свет — или, говоря шире, электромагнитное излучение видимого диапазона и примыкающих областей ультрафиолетового и инфракрасного диапазонов — является во многих отношениях идеальным агентом, позволяющим не только оказывать контролируемое воздействие на электронную подсистему полупроводника, но и выносить из кристалла информацию о происходящих в нем процессах. Хотя световая волна представляет собой векторное поле, во многих разновидностях оптической спектроскопии регистрируется лишь интенсивность световых колебаний в оптическом отклике кристалла, а информация об их направлении (о поляризации света) утрачивается. Полностью извлечь информацию, содержащуюся в оптическом отклике, позволяет лишь поляризационно-чувствительная оптическая спектроскопия. Здесь и проявляется важность спиновой физики — благодаря глубокой связи, существующей между спином, угловым моментом и поляризацией света.

Необходимо отметить, что через посредство спина в поляризационном отклике кристаллов и наноструктур проявляются отнюдь не только чисто спиновые, но и иныеструктурные, динамические и т. п. свойства объекта. Так, локальная анизотропия кристаллического поля посредством спин-орбитального взаимодействия влияет на правила отбора оптических переходовпри этом удается получить сведения о симметрии и форме областей кристалла размером в несколько десятков ангстрем — столь малых, что об их свойствах едва ли можно судить с помощью других методик. В методе оптической ориентации спинов разработаны способы получения информации об энергетической и импульсной релаксации, о транспорте «меченных по спину» электронов.

Новый импульс исследованиям физики спина в полупроводниковых объектах придали в последнее десятилетие идеи спинтроники и квантового компьютера. В их основе лежит естественная аналогия между спином электрона, характеризующимся двумя возможными проекциями на ось квантования («вверх» и «вниз»), и битом информации, принимающим в классической постановке два значения («ноль» и «единица»). Помимо перспективы революционной миниатюризации ячеек памяти, которую сулит использование одиночного электрона как информационного бита, имеются и качественные фундаментальные идеи, связанные с применением элементов квантовой логики в вычислительных устройствах. В действительности электрон подчиняется законам квантовой механики и может находиться не только в двух чистых состояниях «спин вверх» и «спин вниз», но и в бесконечно большом разнообразии смешанных (суперпозиционных) состояний. В развитие упомянутой выше аналогии ему сопоставляют квантовый бит информации, или кубит. Элементарные операции над кубитами лежат в основе квантовой логики и квантовых алгоритмов обработки данных. Теоретически доказано, что при решении некоторых важных типов задач квантовые алгоритмы принципиально эффективнее классических.

Представляется очевидным, что для «приборной» реализации функциональных элементов электронных устройств, базирующихся на спиновых переменных, необходимо глубокое понимание физики спиновых явлений в твердом теле — подобно тому, как хорошее понимание физических основ кинетики носителей заряда в полупроводниковых гомои гетеропереходах, достигнутое в 60-е — 70-е годы XX века, привело к бурному развитию микрои оптоэлектроники в 80-х — 90-х годах. При этом особенно важно, что интенсивно развивающаяся с начала 90-х годов нанотехнология полупроводников открыла возможность создавать объекты с управляемыми спиновыми свойствами. Такими объектами, в первую очередь, являются квантовые ямы и квантовые точки. Квантовые точки образно называют «искусственными атомами», и эта аналогия оказывается вполне оправданной в области спиновых свойств. Спектр электронных уровней в квантовой точке классифицируется подобно структуре электронной оболочки в атоме и формируется теми же законами. Разница состоит в том, что параметрами и тонкой структурой спектра в квантовой точке можно управлять, меняя ее размеры и форму.

С учетом перспективы практического применения ключевую роль играют следующие аспекты спиновых свойств наноструктур: (а) возможность сохранения спиновой поляризации в течение достаточно долгого времени, (б) способы произвольного изменения (записи) и детектирования (считывания) спинового состояния частицы, (в) способы вовлечения двух или более частиц в спин-зависимые взаимодействия с контролируемыми параметрами. Исследования, составившие основу настоящей диссертационной работы, в той или иной мере затрагивают все три перечисленные проблемы. В части (а) это спиновая релаксация, динамика спина в квантовых ямах и квантовых точках, в части (б) — оптическая ориентация спинов в наноструктурах, поляризованная люминесценция наноструктур, рассеяние света с переворотом электронного спина, в части (в) — магнитооптические проявления межчастичных обменных взаимодействий в наноструктурах.

Целью работы является исследование влияния структурной анизотропии и межчастичных обменных взаимодействий на спиновые свойства и оптический отклик полупроводниковых нанообъектов — квантовых ям и квантовых точек.

Практическая значимость работы заключается в том, что в ней получена новая информация о полупроводниковых наноструктурах, их оптических и магнитных свойствах, статических и динамических характеристиках. Экспериментальные данные по оптической поляризационной спектроскопии квантовых ям и квантовых точек стимулировали теоретическую разработку проблемы влияния структурной анизотропии нанообъектов на их спиновые свойства. Это позволило выявить важные закономерности, установить механизмы ряда оптических и спин-зависимых явлений.

Научные выводы носят общий характер и не ограничиваются объектами, непосредственно исследованными в работе. Часть их относятся к классу наноструктур с полумагнитными слоями, другая часть — к еще более широкому классу полупроводниковых наноструктур. Результаты работы могут быть полезны для разработки оптических методов характеризации наноструктур.

Основная научная и практическая значимость работы заключается в фундаментальном характере исследованных явлений и установленных закономерностей.

Положения, выносимые на защиту.

I) Излучение одиночной однократно заряженной полупроводниковой квантовой точки (одиночного триона) частично линейно поляризовано в направлении, определяемом анизотропией этой квантовой точки в плоскости слоя наногетероструктуры. Во внешнем магнитном поле, параллельном плоскости слоя, спектральная линия одиночного триона расщепляется на квартет линий различной интенсивности. Излучение в каждой из четырех линий полностью линейно поляризовано, причем направления поляризации также определяются анизотропией квантовой точки и не зависят от направления магнитного поля.

И) Магнитное поле, приложенное в плоскости слоя квантовой ямы или структуры с квантовыми точками, индуцирует линейную поляризацию люминесценции системы. Поляризация содержит несколько вкладов, разделить которые позволяют зависимости степени поляризации от угла поворота кристалла в азимутальной плоскости. Для наноструктур, выращенных в направлении [001], характерны вклады, имеющие симметрию нулевой, второй и четвертой угловых гармоник. За каждым из этих вкладов стоит механизм, связанный с расщеплением и/или смешиванием состояний валентной зоны.

III) Промежуточными состояниями резонансного спин-флип комбинационного рассеяния света квантовой ямой могут быть как экситонные, так и трионные состояния. Механизм рассеяния для этих двух случаев существенно различается даже для реплик, имеющих одинаковые стоксов сдвиг и уширение. Наблюдается зависимость интенсивности рассеяния от ориентации осей кристалла. Факторами анизотропии интенсивности рассеяния являются, в зависимости от типа реплики и типа промежуточного состояния, энергетическое положение вовлеченных спиновых подуровней и паулиевская блокада в трионе при низкой температуре.

IV) В квантовых ямах CdTe/(Cd, Mn) Te наблюдается изменение интенсивности резонансного оптического отклика при дополнительном освещении светом с большой энергией квантов. Эффект наиболее выражен в спин-флип комбинационном рассеянии света, интенсивность которого может при подсветке меняться на порядок величины, причем (в зависимости от образца) как увеличиваться, так и уменьшаться. Действие подсветки обусловлено модуляцией нерадиационного однородного уширения экситонных состояний.

V) В условиях оптической ориентации экситонов в квантовой яме при сильном обменном взаимодействии между электроном и дыркой контур кривой деполяризации фотолюминесценции (эффекта Ханле) содержит две составляющие, которые можно отождествить с электронным и дырочным вкладами в поляризацию. Электронная компонента деполяризации имеет лоренцевскую форму, а ее ширина зависит от величины обменного взаимодействия, времени жизни и времени спиновой релаксации дырки.

VI) При оптической ориентации экситонов в анизотропных квантовых точках (001)-Сс18е/2п8е наблюдаются магнитооптические межполяризационные конверсии. Наиболее адекватное описание комплекса эффектов конверсии дает двухступенчатая модель, учитывающая спиновую эволюцию в короткоживущем возбужденном состоянии экситона. Оси удлинения квантовых точек в плоскости слоя тяготеют к направлениям типа {110}, в особенности к одному из них (направлению [110]).

VII) В образцах с наноструктурами А2Вб в обычных условиях низкотемпературного оптического эксперимента наблюдаются эффекты нагрева под лучом. Локальная температура внутри освещенного пятна превышает температуру гелиевой ванны (~ 2 К) и составляет при умеренных плотностях засветки ~ 5−7 К.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на ряде отечественных и международных конференций, в том числе на V, VI и VII Российских конференциях по физике полупроводников, 10-м и 13-м Международных симпозиумах «Наноструктуры: физика и технология», 26-й Международной конференции по физике полупроводников, 13-й Международной конференции по полупроводникам А2В6, XI Международном симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника», Международном симпозиуме «Свет и спин» памяти Б. П. Захарчени. Работы докладывались на семинарах различных лабораторий ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, а также в С.-Петербургском государственном университете, университетах Бат (Великобритания) и Нотр-Дам (США). Цикл работ А. В. Кудинова и Ю. Г. Кусраева «Наблюдение новых магнитооптических эффектов в наноструктурах методом экситонной спектроскопии» в 2003 г. был удостоен премии им. Я. И. Френкеля, присуждаемой Ученым Советом ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН.

Публикации. Основные результаты диссертации отражены в 15 публикациях в отечественных и зарубежных изданиях ['Д^^Л^Л10/1,12э13>115].

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Объем диссертации составляет 256 страниц, включая 58 рисунков и список литературы из 214 наименований, в том числе работы автора.

Основные результаты диссертационной работы, определяющие ее научную новизну, можно кратко сформулировать следующим образом.

1. Обнаружено, что излучение одиночного триона в самоорганизованной квантовой точке частично линейно поляризовано, причем преимущественное направление колебаний электрического вектора излучаемого света индивидуально для данной квантовой точки.

2. Установлена природа квартетного расщепления линии одиночного триона в самоорганизованной квантовой точке в магнитном поле, направленном вдоль слоя наногетероструктуры. Найдена корреляция между степенью линейной поляризации излучения данной квантовой точки в нулевом поле и величиной поперечного д-фактора дырки в этой квантовой точке.

3. Идентифицированы механизмы и симметрийные свойства основных вкладов в магнитоиндуцированную линейную поляризацию квантовых ям на основе полупроводников А2Вб.

4. Экспериментально установлены и объяснены различия механизмов резонансного спин-флип комбинационного рассеяния света квантовой ямой для случаев, когда процесс рассеяния происходит через экситонное или через трионное состояние. Обнаружена анизотропия интенсивности спин-флип комбинационного рассеяния в квантовых ямах СёТе/(Сё, Мп) Те и выявлены два фактора, контролирующие эту анизотропию для различных процессов рассеяния.

5. В квантовых ямах Сс1Те/(Сс1,Мп)Те обнаружена линия спин-флип комбинационного рассеяния, соответствующая комбинированному процессу с переворотом спинов э-электрона в квантовой яме и с1-электрона на ионе марганца. Значительная вероятность комбинированного процесса, его резонансные и поляризационные свойства предсказаны на основе анализа механизмов односпиновых процессов спин-флип.

6. Обнаружен и объяснен эффект изменения интенсивности спин-флип комбинационного рассеяния света квантовой ямой при дополнительном освещении образца светом с большой энергией квантов.

7. Теоретически проанализирован экситонный эффект Ханле в квантовой яме при сильном изотропном обменном взаимодействии между электроном и дыркой. (Предсказания теории подтверждены экспериментами Астахова и Кусраева.).

8. Обнаружена 90-градусная анизотропия величины и направления оптического выстраивания спинов экситонов в ансамбле самоорганизованных квантовых точек. В рамках двухступенчатой модели эффекта межполяризационных конверсий получены выражения, описывающие полевые и угловые зависимости всех форм поляризационного отклика квантовых точек. Реконструирована функция распределения ансамбля квантовых точек CdSe/ZnSe по направлениям удлинения в плоскости слоя.

9. Показано, что в низкотемпературных оптических экспериментах на квантовых ямах (Cd, Mn) Te/(Cd, Mg, Mn) Te нагрев системы спинов марганца под лучом происходит вместе с нагревом кристаллической решетки, а локальная спиновая температура Т как функция плостности оптического возбуждения G следует закону Т ос (G + const)1'4.

Подводя итог проделанной работы, автор выражает искреннюю признательность всем людям, способствовавшим ее успеху, и в первую очередь соавторам оригинальных публикаций. В частности, непосредственно вести эксперимент в разное время доводилось совместно с Ю. Г. Кусраевым, Б. Р. Намозовым, Д. Волверсоном, И. А. Акимовым, И. Г. Аксяновым. В области теории плодотворным оказалось сотрудничество с К. В. Кавокиным и Н. С. Аверкиевым. Высококачественные гетероструктуры для оптических исследований были выращены Т. Войтовичем и Г. Карчевским в Институте физики Польской Академии наук, а также С. Ли в Университете Нотр-Дам (США).

Как научный работник автор диссертации сформировался в лаборатории, руководимой академиком Б. П. Захарченей. Неоценима его роль в создании атмосферы научного поиска и полной творческой свободы, характерной для этого коллектива. Всегда можно было рассчитывать на помощь или благожелательную консультацию со стороны сотрудников лаборатории Р. И. Джиоева, В. К. Калевича, В. Ф. Сапеги, М. В. Лазарева, A.B. Малышева и других. Большое влияние на мое научное мировоззрение оказали беседы с И. А. Меркуловым, К. В. Кавокиным, В. Л. Кореневым.

Автор благодарит за внимание участников семинара по физике низкоразмерных систем и его руководителей E.JI. Ивченко и В. П. Кочерешко. Мы считали дискуссии на этом семинаре важной проверкой вновь получаемых результатов на «прочность» и убедительность. Весьма ценными также были обсуждения отдельных вопросов с A.A. Клочихиным, E. J1. Ивченко, С. М. Рябченко, Е. Ю. Флегонтовой, Ю. К. Голиковым.

Особую благодарность автор испытывает к своему школьному учителю В. Е. Радионову, а также к учителю в науке, единомышленнику и неизменному соавтору Ю. Г. Кусраеву. Ему я обязан, в числе прочего, стремлением добиваться ясности и цельности в интерпретации экспериментальных результатов, не закрывая глаза на «неудобные» вопросы.

Исследования, представленные в диссертации, едва ли удалось бы провести без финансовой поддержки со стороны ряда фондов и ассоциаций. Мы признательны РФФИ, Фонду содействия отечественной науке, INTAS и CRDF за частичное финансирование работ. Сотрудничество с Университетом Бат (Великобритания) было инициировано при поддержке Королевского Общества, а с Берлинским Гумбольтовским университетомпри поддержке DFG.

В заключение хочу выразить признательность своей семье: жене Наталье — за любовь и терпение, сыновьям Фоме и Степану — за мотивацию к написанию данной работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Yu.G. Kusrayev, A.V. Koudinov, D. Wolverson, J. Kossut. Anisotropy of Spin-Flip Raman Scattering in CdTe/CdMnTe Quantum Wells. II Phys. Stat. Solidi (b) 229, 741−744 (2002).л
  2. A.V. Koudinov, Yu.G. Kusrayev, B.P. Zakharchenya, D. Wolverson, J.J. Davies, J. Kossut. Pauli blockade in spin-flip Raman scattering via donor bound excitons. 11 Proc. SPIE 5023, 542 545 (2002).л
  3. A.V. Koudinov, Yu.G. Kusrayev, I.G. Aksyanov. Light-induced heating effects in semimagnetic quantum wells. II Phys. Rev. В 68, 85 315/1−4 (2003).
  4. A.V. Koudinov, I.A. Akimov, Yu.G. Kusrayev, F. Henneberger. Optical and magnetic anisotropics of the hole states in Stranski-Krastanov quantum dots. H Phys. Rev. В 70, 241 305®/l-4 (2004).
  5. S. Gagis, K.V. Kavokin, A.V. Koudinov. Excitonic Hanle effect in nanostructures with strong exchange interaction. Proc. 13th Int. Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», St.-Petersburg, 2005. Ioffe Institute, 2005, p.350−351.о
  6. Yu.G. Kusrayev, A.V. Koudinov, B.P. Zakharchenya, S. Lee, J.K. Furdyna, M. Dobrowolska. Optical orientation and alignment of excitons in self-assembled CdSe/ZnSe quantum dots: The role of excited states. II Phys. Rev. В 72, 155 301/1−9 (2005).
  7. G. V. Astakhov, A. V. Koudinov, К. V. Kavokin, I. S. Gagis, Yu. G. Kusrayev, W. Ossau, L. W. Molenkamp. Exciton Spin Decay Modified by Strong Electron-Hole Exchange Interaction. II Phys. Rev. Lett. 99, 16 601/1−4 (2007).
  8. И.С. Гагис, K.B. Кавокин, A.B. Кудинов. Динамика спиновой поляризации и эффект Ханле при сильном обменном взаимодействии в экситоне. // ФТТ 49, 1298−1303 (2007).
  9. H.C. Аверкиев, A.B. Кудинов, Б. Р. Намозов, Ю. Г. Кусраев. Спектроскопия поляризованной люминесценции наноструктур. II Изв. РАН. Сер. физ. 72, 232−235 (2008).
  10. A.V. Koudinov, B.R. Namozov, Yu.G. Kusrayev, S. Lee, M. Dobrowolska, J.K. Furdyna. Two-step versus one-step model of the interpolarization conversion and statistics of CdSe/ZnSe quantum dot elongations. // Phys. Rev. В 77, in press (2008).
  11. K. Brunner, G. Abstreiter, G. Bohm, G. Trankle, G. Weimann. Sharp-Line Photoluminescence and Two-Photon Absorption of Zero-Dimensional Biexcitons in a GaAs/AlGaAs Structure. II Phys. Rev. Lett. 73, 1138 (1994).
  12. J.-Y. Marzin, J.-M. Gerard, A. Izrael, D. Barrier, G. Bastard. Photoluminescence of Single InAs Quantum Dots Obtained by Self Organized Growth on GaAs. II Phys. Rev. Lett. 73, 716 (1994).18
  13. D. Gammon, E. S. Snow, В. V. Shanabrook, D. S. Katzer, D. Park. Fine Structure Splitting in the Optical Spectra of Single GaAs Quantum Dots. Phys. Rev. Lett. 76, 3005 (1996).90
  14. M. Notomi, T. Furuta, H. Kamada, J. Temmyo, T. Tamamura. Microscopic excitation spectroscopy for zero-dimensional quantized states of individual InxGaj. xAs/AlyGai.yAs quantum dots. II Phys. Rev. В 53, 15 743 (1996).9 1
  15. Mitsuru Sugisaki, Hong-Wen Ren, Selvakumar V. Nair, Kenichi Nishi, Shigeo Sugou, Tsuyoshi Okuno, Yasuaki Masumoto. Optical anisotropy in self-assembled InP quantum dots. II Phys. Rev. В 59, R5300 (1999).
  16. V.D. Kulakovskii, G. Bacher, R. Weigand, T. Kummell, A. Forchel, E. Borovitskaya, K. Leonardi, D. Hommel. Fine Structure of Biexciton Emission in Symmetric and Asymmetric CdSe/ZnSe Single Quantum Dots. // Phys. Rev. Lett. 82,1780 (1999).9 «2
  17. A. Kuther, M. Bayer, A. Forchel, A. Gorbunov, V.B. Timofeev, F. Schafer, J.P. Reithmaier. Zeeman splitting of excitons and biexcitons in single In0.60Ga0.40As/GaAs self-assembled quantum dots. II Phys. Rev. В 58, R7508 (1998).
  18. R.J. Young, R.M. Stevenson, A.J. Shields, P. Atkinson, K. Cooper, D. A. Ritchie, K.M. Groom, A.I. Tartakovskii, M.S. Skolnick. Inversion of exciton level splitting in quantum dots. II Phys. Rev. В 72, 113 305 (2005).
  19. M. Bayer, О. Stern, A. Kuther, A. Forchel. Spectroscopic study of dark excitons in InxGaj. xAs self-assembled quantum dots by a magnetic-field-induced symmetry breaking. // Phys. Rev. В 61, 7273 (2000).
  20. R.J. Warburton, C.S. Durr, K. Karrai, J.P. Kotthaus, G. Medeiros-Ribeiro, P.M. Petroff. Charged Excitons in Self-Assembled Semiconductor Quantum Dots. II Phys. Rev. Lett. 79, 5282 (1997).
  21. T. Flissikowski, I.A. Akimov, A. Hundt, F. Henneberger. Single-hole spin relaxation in a quantum dot. Il Phys. Rev. B 68, 161 309 (2003).o
  22. A. Akimov, A. Hundt, T. Flissikowski, F. Henneberger. Fine structure of the trion triplet state in a single self-assembled semiconductor quantum dot. Appl. Phys. Lett. 81, 4730 (2002).90 ¦
  23. Y. Toda, S. Shinomori, K. Suzuki, Y. Arakawa. Polarized photoluminescence spectroscopy of single self-assembled InAs quantum dots. II Phys. Rev. B 58, R10147 (1998).
  24. C. Schulhauser, D. Haft, R.J. Warburton, K. Karrai, A.O. Govorov, A.V. Kalameitsev, A. Chaplik, W. Schoenfeld, J.M. Garcia, P.M. Petroff. Magneto-optical properties of charged excitons in quantum dots. //Phys. Rev. B 66, 193 303 (2002).
  25. D. Berman, N.B. Zhitenev, R.C. Ashoori, M. Shayegan. Observation of Quantum Fluctuations of Charge on a Quantum Dot. II Phys. Rev. Lett. 82, 161 (1999).
  26. F. Findeis, M. Baier, A. Zrenner, M. Bichler, G. Abstreiter, U. Hohenester, E. Molinari. Optical excitations of a self-assembled artificial ion. II Phys. Rev. B 63, 121 309 (2001).
  27. Dan Hessman, Jonas Persson, Mats-Erik Pistol, Craig Pryor, Lars Samuelson. Electron accumulation in single InP quantum dots observed by photoluminescence. // Phys. Rev. B 64, 233 308 (2001).
  28. M. Kroutvar, Y. Ducommun, D. Heiss, M. Bichler, D. Schuh, G. Abstreiter, J.J. Finley. Optically programmable electron spin memory using semiconductor quantum dots. II Nature (London) 432, 81 (2004).o c
  29. R. Hanson, B. Witkamp, L.M. Vandersypen, L.H. van Beveren, J.M. Elzerman, L.P. Kouwenhoven. Zeeman Energy and Spin Relaxation in a One-Electron Quantum Dot. U Phys. Rev. Lett. 91, 196 802 (2003).
  30. I.A. Akimov, J.T. Andrews, F. Henneberger. Stimulated Emission from the Biexciton in a Single Self-Assembled IE VI Quantum Dot. //Phys. Rev. Lett. 96, 67 401 (2006).
  31. A.J. Hudson, R.M. Stevenson, A.J. Bennett, R.J. Young, C.A. Nicoll, P. Atkinson, K. Cooper, D.A. Ritchie, and A.J. Shields. Coherence of an Entangled Exciton-Photon State. II Phys. Rev. Lett. 99, 266 802 (2007).
  32. Hiroshi Imamura, Peter A. Maksym, Hideo Aoki. Vertically coupled double quantum dots in magnetic fields. II Phys. Rev. В 59, 5817 (1999).
  33. Jonathan Baugh, Yosuke Kitamura, Keiji Ono, Seigo Tarucha. Large Nuclear Overhauser Fields Detected in Vertically Coupled Double Quantum Dots. II Phys. Rev. Lett. 99, 96 804 (2007).
  34. I.A. Akimov, D.H. Feng, F. Henneberger. Electron Spin Dynamics in a Self-Assembled Semiconductor Quantum Dot: The Limit of Low Magnetic Fields. II Phys. Rev. Lett. 97, 56 602 (2006)
  35. V. L. Korenev. Nuclear Spin Nanomagnet in an Optically Excited Quantum Dot. II Phys. Rev. Lett. 99, 256 405 (2007).
  36. E.A. Chekhovich, A.S. Brichkin, A.V. Chernenko, V.D. Kulakovskii, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov. Effect of sp-d exchange interaction on excitonic states in CdSe/ZnSe/Znj~xMnxSe quantum dots. //Phys. Rev. В 76, 165 305 (2007).
  37. L. Besombes, Y. Leger, L. Maingault, D. Ferrand, H. Mariette, J. Cibert. Probing the Spin State of a Single Magnetic Ion in an Individual Quantum Dot. // Phys. Rev. Lett. 93, 2 074 032 004)
  38. Y. Leger, L. Besombes, L. Maingault, D. Ferrand, H. Mariette. Hole spin anisotropy in single Mn-dopedquantum dots. //Phys. Rev. В 72, 241 309 (2005).
  39. R.R. Parsons. Band-To-Band Optical Pumping in Solids and Polarized Photoluminescence. II Phys. Rev. Lett. 23, 1152 (1969).52
  40. Оптическая ориентация (Современные проблемы науки о конденсированных средах)/ под ред. Б. П. Захарчени и Ф. Майера. Наука, Л., 1989.
  41. Е.О. Gobel, К. Leo, Т.С. Damen, J. Shah, S. Schmitt-Rink, W. Schafer, J.F. Muller, K. Kohler. Quantum beats of excitons in quantum wells. Il Phys. Rev. Lett. 64, 1801 (1990).
  42. V. Langer, H. Stolz, W. von der Osten. Observation of quantum beats in the resonance fluorescence of free excitons. I I Phys. Rev. Lett. 64, 854 (1990).
  43. K. Leo, E.O. Gobel, T.C. Damen, J. Shah, S. Schmitt-Rink, W. Schafer, J.F. Muller, K. Kohler, P. Ganser. Subpicosecond four-wave mixing in GaAs/AlxGai.xAs quantum wells. II Phys. Rev. B 44, 5726 (1991).
  44. O. Carmel, I. Bar-Joseph. Four-wave-mixing studies of quantum-well excitons in a magnetic field. II Phys. Rev. B 47, 7606 (1993).57
  45. J.J. Baumberg, D.D. Awschalom, N. Samarth, H. Luo, J.K. Furdyna. Spin beats and dynamical magnetization in quantum structures. II Phys. Rev. Lett. 72, 717 (1994).58
  46. J.J. Baumberg, S.A. Crooker, D.D. Awschalom, N. Samarth, H. Luo, J.K. Furdyna. Ultrafast Faraday spectroscopy in magnetic semiconductor quantum structures. II Phys. Rev. B 50, 7689 (1994).
  47. N.I. Zheludev, M.A. Brummeil, R.T. Harley, A. Malinowski, S.V. Popov, D.E. Ashenford, B. Lunn. Giant specular inverse Faraday effect in Cd0. gMn0.4Te. II Solid State Commun. 89, 823 (1994).
  48. J. Hubner, M. Oestreich. Time resolved spin dynamics and spin noise spectroscopy. In: Spin Physics in Semiconductors, ed. by M. I. Dyakonov (Springer, Berlin, 2008), p. 123.
  49. R.E. Worsley, N.J. Traynor, T. Grevatt, R.T. Harley. Transient Linear Birefringence in GaAs Quantum Wells: Magnetic Field Dependence of Coherent Exciton Spin Dynamics. II Phys. Rev. Lett. 76, 3224(1996).
  50. A.P. Heberle, W.W. Ruhle, K. Ploog. Quantum beats of electron Larmor precession in GaAs wells. II Phys. Rev. Lett. 72, 3887 (1994).
  51. T. Amand, X. Marie, P. Le Jeune, M. Brousseau, D. Robart, J. Barrau, R. Planel. Spin Quantum Beats of 2D Excitons. II Phys. Rev. Lett. 78, 1355 (1997).
  52. I.V. Mashkov, C. Gourdon, P. Lavallard, D. Yu Roditchev. Exciton quantum beats in type-II GaAs/AlAs superlattices in longitudinal and in-plane magnetic fields. II Phys. Rev. B 55, 13 761 (1997).
  53. M. Dyakonov, X. Marie, T. Amand, P. Le Jeune, D. Robart, M. Brousseau, J. Barrau. Coherent spin dynamics of excitons in quantum wells. II Phys. Rev. B 56, 10 412 (1997).
  54. S. Dohrmann, S. Hagele, J. Rudolph, M. Bichler, D. Schuh, M. Oestreich. Anomalous Spin Dephasing in (110) GaAs Quantum Wells: Anisotropy and Intersubband Effects. II Phys. Rev. Lett. 93, 147 405 (2004).
  55. M. Oestreich, J. Hubner, D. Hagele, P.J. Klar, W. Heimbrodt, W.W. Ruhle, D.E. Ashenford, B. Lunn. Spin injection into semiconductors. II Appl. Phys. Lett. 74, 1251 (1999).
  56. S.A. Crooker, D.D. Awschalom, J.J. Baumberg, F. Flack, N. Samarth. Optical spin resonance and transverse spin relaxation in magnetic semiconductor quantum wells. II Phys. Rev. B 56, 7574(1997).
  57. J.M. Kikkawa, D.D. Awschalom. Resonant Spin Amplification in n-Type GaAs. II Phys. Rev. Lett. 80, 4313 (1998).70
  58. A.B. Кудинов. Спектроскопия поляризованной люминесценции полумагнитных полупроводников CdMnTe и квантовых ям CdTe/CdMnTe. Дисс.. канд. физ.-мат наук, ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, СПб, 1996. 119 с.71
  59. Diluted Magnetic Semiconductors, ed. by J.K. Furdyna and J.Kossut. In: Semiconductors and Semimetals, Vol. 25, Academic Press, New York, 1988.72
  60. J.K. Furdyna. Diluted magnetic semiconductors. II J. Appl. Phys. 64, R29 (1988).
  61. J. Warnock, R.N. Kershaw, D. Ridgely, K. Dwight, A. Wold, R.R. Galazka. Localized excitons and magnetic polar on formation in (Cd, Mn) Se and (Cd, Mn) Te. II J. Lumin. 34, 25 (1985).
  62. Б.П. Захарченя, A.B. Кудинов, Ю. Г. Кусраев. Скрытая магнитная анизотропия в спиновых стеклах CdMnTe. //ЖЭТФ 110, 177−193 (1996).75
  63. Д.Р. Яковлев. Экситонные магнитные поляроны в полупроводниковых квантово-размерных гетероструктурах. Дисс.. докт. физ.-мат. наук, ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, СПб, 1998.266 с.
  64. Ю.Г. Кусраев. Фото- и магнитоиндуцированные эффекты в полумагнитных полупроводниках и квантоворазмерных структурах. Дисс.. докт. физ.-мат. наук, ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, СПб, 2000. 255 с.77
  65. А.В. Кавокин, К. В. Кавокин. Автолокализация экситона в квантовой яме с полумагнитным барьером. II ФТП 25, 1751 (1991).
  66. Б.П. Захарченя, Ю. Г. Кусраев. Оптическое проявление спин-стеколъных свойств полумагнитных полупроводников. // Письма в ЖЭТФ 50,199 (1989).79
  67. Ю.Г. Кусраев, А. В. Кудинов. Оптические исследования локализованных магнитных поляронов в спиновых стеклах CdMnTe. ФТТ 36, 2088−2098 (1994).
  68. G. Mackh, W. Ossau, D. R. Yakovlev, A. Waag, G. Landwehr, R. Hellmann, E.O. Gobel. Localized exciton magneticpolarons in Cdj.xMnxTe. II Phys. Rev. В 49, 10 248 (1994).о 1
  69. A.B. Кудинов, Ю. Г. Кусраев, B.H. Якимович. Поляризованная люминесценция CdMnTe во внешнем магнитном поле. II ФТТ 37, 660−666 (1995).82
  70. Yu.G. Kusrayev, A.V. Koudinov. Magnetic Field Induced Polarization of Luminescence in Paramagnetic and Spin Glass Phases of CdMnTe. II Phys. Stat. Solidi (b) 190, 315−320 (1995).
  71. И.А. Меркулов, Д. Р. Яковлев, К. В. Кавокин, G. Mackh, W. Ossau, A. Waag, G. Landwehr. Иерархия релаксационных времен при формировании экситонного магнитного полярона в (Cd, Mn) Te. // Письма в ЖЭТФ 62, 313 (1995).
  72. K.V. Kavokin, I.A. Merkulov, D.R. Yakovlev, W. Ossau, G. Landwehr. Exciton localization in semimagnetic semiconductors probed by magnetic polarons. II Phys. Rev. В 60, 16 499 (1999).1. Oi
  73. D.R. Yakovlev, U. Zehnder, W. Ossau, A. Waag, G. Landwehr, T. Wojtowicz, G. Karczewski, J. Kossut. Optical study of spin glass-like transition in epilayers and quantum well structures containing Cdi-X MnxTe. II J. Magn. Magn. Mater. 191, 25 (1999).86
  74. D.R. Yakovlev, K.V. Kavokin. Exciton magnetic polarons in semimagnetic quantum wells and superlattices. II Comments Cond. Mat. Phys. 18, 51 (1996).87 *
  75. B. Kuhn-Heinrich, W. Ossau, E. Bangert, A. Waag, G. Landwehr. Zeeman pattern of semimagnetic (Cd, Mn) Te/(Cd-Mg)Te quantum wells in inplane magnetic fields. II Solid State Commun. 91,413 (1994).
  76. J.A. Gaj, W. Grieshaber, C. Bodin-Deshayes, J. Cibert, G. Feuillet, Y. Merle d’Aubinge,
  77. A. Wasiela. Magneto-optical study of interface mixing in the CdTe/(Cd, Mn) Те system. II Phys. Rev. В 50, 5512 (1994).
  78. G. Mackh, W. Ossau, D.R. Yakovlev, G. Landwehr, R. Hellmann, E.O. Gobel, T. Wojtowicz, G. Karczewski, J. Kossut. Exciton magnetic polarons in CdTe/(Cd, Mn) Те quantum wells with high manganese contents. II Solid State Commun. 96, 297 (1995).
  79. Yu.G. Kusrayev, A.V. Koudinov, B.P. Zakharchenya, W.E. Hagston, D.E. Ashenford,
  80. B. Lunn. Optical Orientation ofExcitons in Quantum Wells with Semimagnetic Barriers. II Solid State Commun. 95, 149−151 (1995).
  81. Б.П. Захарченя, A.B. Кудинов, Ю. Г. Кусраев. Эффект Ханле в асимметричной двойной квантовой яме CdTe/CdMnTe. II Письма в ЖЭТФ 63, 241 -245 (1996).
  82. I.A. Merkulov, G.R. Pozina, D. Coquillat, N. Paganotto, J. Siviniant, J.P. Lascaray, and J. Cibert. Parameters of the magnetic polaron state in diluted magnetic semiconductors Cd-Mn-Te with low manganese concentration. II Phys. Rev. В 54, 5727 (1996).
  83. Yu.G. Kusrayev, A.V. Koudinov, I.G. Aksyanov, B.P. Zakharchenya, T. Wojtowicz, G. Karczewski, J. Kossut. Extreme In-Plane Anisotropy of Heavy-Hole g Factor in (001)-CdTe/CdMnTe Quantum Wells. II Phys. Rev. Lett. 82, 3176−3179 (1999).
  84. S.N. Jasperson, S.E. Schnatterly. An Improved Method for High Reflectivity Ellipsometry Based on a New Polarization Modulation Technique. II Rev. Sei. Instrum. 40, 761 (1969).
  85. C.M. Рябченко, Ю. Г. Семенов, О. В. Терлецкий. Спиновая поляризация локализованных магнитных моментов в Cdo.95Mno.05Te при обменном рассеянии фотовозбужденных носителей. //ЖЭТФ 82, 951 (1982).
  86. S.I. Gubarev, Т. Ruf, М. Cardona. Resonant spin-flip Raman scattering on photoexcited carriers in p-type Cd0.95Mn0.05Te crystals. II Phys. Rev. В 43, 14 564 (1991).
  87. D. Wolverson, S.V. Railson, M.P. Halsall, J.J. Davies, D.E. Ashenford, B. Lunn. Selective excitation of spin-flip Raman scattering from electrons bound to donors in semiconductor quantum well structures. II Semicond. Sei. Technol. 10, 1475 (1995).103
  88. A.B. Кудинов, Ю. Г. Кусраев, B.H. Якимович. Поляризованная люминесценция CdMnTe во внешнем магнитном поле. II ФТТ 37, 660−666 (1995).
  89. V.F. Aguekian, D.E. Ashenford, В. Lunn, A.V. Koudinov, Yu.G. Kusrayev, B.P. Zakharchenya. Photoluminescence Spectra of CdMnTe Quantum Well Structures CdTe/CdMnTe in an External Magnetic Field. II Phys. Stat. Solidi (b) 195, 647−652 (1996).
  90. A. Hundt, J. Puls, A. V. Akimov, Y. H. Fan, F. Henneberger. Photocarrier-induced spin heating and spin-lattice relaxation in diluted magnetic Stranski-Krastanov quantum dots. // Phys. Rev. В 72, 33 304 (2005).
  91. T. Schmidt, M. Scheibner, L. Worschech, A. Forchel, T. Slobodskyy, L.W. Molenkamp. Sign reversal and light controlled tuning of circular polarization in semimagnetic CdMnSe quantum dots. 1/3. Appl. Phys. 100, 123 109 (2006).
  92. R.W. Martin, R.J. Nicholas, G.J. Rees, S.K. Haywood, N.J. Mason, P.J. Walker. Two-dimensional spin confinement in strained-layer quantum wells. II Phys. Rev. В 42, 9237 (1990).
  93. E. L. Ivchenko, G. E. Pikus. Superlattices and Other Heterostructures: Symmetry and Optical Phenomena. Springer-Verlag, Berlin, 1997.7 1 -2
  94. A.V. Koudinov, Yu.G. Kusrayev, K.V. Kavokin, I.A. Merkulov, B.P. Zakharchenya. Magnetic anisotropy in Cd/.xMnxTe alloys revealed by polarized luminescence. II Inst. Phys. Conf. Ser. 155, Ch.10, 747−750 (1997).
  95. A.B. Кудинов, Ю. Г. Кусраев, Б. П. Захарченя, В.H. Якимович. Анизотропия кубических полумагнитных твердых растворов Cdi. xMnxTe и энергия экситонного магнитного полярона из спектров поляризованной люминесценции. // ФТТ 40, 894−896 (1998).
  96. M. Rabe, M. Lowisch, F. Henneberger. Self-assembled CdSe quantum dots formation by thermally activated surface reorganization. 11 J. Cryst. Growth 184/185,248 (1998).
  97. S. Sadofev, S. Blumstengel, F. Henneberger. Formation of CdSe quantum dots on homoepitaxial ZnSe. II Appl. Phys. Lett. 84, 3678 (2004).1 1 о
  98. J. Puls, M. Rabe, H.-J. Wunsche, F. Henneberger. Magneto-optical study of the exciton fine structure in self-assembled CdSe quantum dots. II Phys. Rev. B 60, R16303 (1999).
  99. I. A. Akimov, К. V. Kavokin, A. Hundt, F. Henneberger. Electron-hole exchange interaction in a negatively charged quantum dot. II Phys. Rev. В 71, 75 326 (2005).
  100. Valery Zwiller, Linda Jarlskog, Mats-Erik Pistol, Craig Pryor, Pedro Castrillo, Werner Seifert, Lars Samuelson. Photoluminescence polarization of single InP quantum dots. II Phys. Rev. В 63, 233 301 (2001).
  101. Y.G. Semenov, S.M. Ryabchenko. Effects of photoluminescence polarization in semiconductor quantum wells subjected to an in-plane magnetic field. II Phys. Rev. В 68, 45 322 (2003).
  102. Г. JI. Бир, Г. Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.&bdquo- Наука, 1972.
  103. G. E. Pikus, F. G. Pikus. The mechanism of heavy and light hole mixing in GaAs/AlAs superlattices. II Solid State Commun. 89, 319 (1994).
  104. X. Marie, T. Amand, P. Le Jeune, M. Paillard, P. Renucci, L.E. Golub, V.D. Dymnikov, E.L. Ivchenko. Fiole spin quantum beats in quantum-well structures. Il Phys. Rev. В 60, 5811 (1999).126
  105. И.Г. Аксянов, А. В. Кудинов, Ю. Г. Кусраев, Б. П. Захарченя, Т. Wojtowicz, G. Karczewski, J. Kossut. Орторомбическая симметрия состояний валентной зоны в квантовых ямах CdTe/Cd,.xMnxTe. // ФТТ 41, 903−906 (1999).
  106. Е. Oh, С. Parks, I. Miotkowski, M. Dean Sciacca, A.J. Mayur, A.K. Ramdas. Optical properties of Mg-based II-VI ternaries and quaternaries: Cdj. xMgxTe and Cdi-x.yMgxMnyTe. II Phys. Rev. В 48, 15 040 (1993).
  107. T.Stirner, W.E. Hagston, M. O’Neill, P. Harrison. Exciton dynamics in multiquantum well CdTe-Cdi~xMnxТе systems. II J. Vac. Sci.Technol. В 12, 1150 (1994).129 •
  108. К. Kheng, R. T. Cox, Y. Merle d’Aubigne, F. Bassani, К. Saminadayar, S. Tatarenko. Observation of negatively charged excitons X in semiconductor quantum wells. II Phys. Rev. Lett. 71, 1752 (1993).130 •
  109. T.Wojtowicz, M. Kutrowski, G. Karczewski, J. Kossut. Graded quantum well structures made of diluted magnetic semiconductors. II Acta Phys. Pol. A 94, 199 (1998).131
  110. И.Л. Алейнер, Е. Л. Ивченко. Природа анизотропного обменного расщепления в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II. // Письма в ЖЭТФ 55, 662 (1992).132
  111. Е.Л. Ивченко, А. Ю. Каминский, И. Л. Алейнер. Обменное расщепление экситонньгх уровней в сверхрешетках типа I и II. И ЖЭТФ 104, 3401 (1993).
  112. Е. L. Ivchenko. Fine Structure of Excitonic Levels in Semiconductor Nanostructures. II Phys. Status Solidi A 164, 487 (2001).134
  113. J. Domagala, J. Bak-Misiuk, J. Adamczewska, Z. R. Zytkiewicz, E. Dynowska, J. Trela, D. Dobosz, E. Janik, M. Leszczynski. Anisotropic Misfit Strain Relaxation in Thin Epitaxial Layers. II Phys. Status Solidi A 171, 289 (1999).1 ¦> г
  114. Worschech, W. Ossau, G. Landwehr. Characterization of a strain-inducing defect in CdTe bymagnetoluminescence spectroscopy. //Phys. Rev. В 52, 13 965 (1995).
  115. D.N. Krizhanovskii, A. Ebbens, A.I. Tartakovskii, F. Pulizzi, T. Wright, M.S. Skolnick, M. Hopkinson. Individual neutral and charged InxGa?As-GaAs quantum dots with strong inplane optical anisotropy. II Phys. Rev. В 72, 161 312® (2005).
  116. S. Moehl, I.C. Robin, Y. Leger, R. Andre, L. Besombes, K. Kheng. Strong heavy-hole-light-hole mixing in CdZnSe quantum dots. II physica status solidi (b) 243, 849 (2006).
  117. Y. Leger, L. Besombes, L. Maingault, H. Mariette. Valence-band mixing in neutral, charged, and Mn-doped self-assembled quantum dots. II Phys. Rev. В 76, 45 331 (2007).
  118. Xiaodong Xu, Yanwen Wu, Bo Sun, Qiong Huang, Jun Cheng, D.G. Steel, A.S. Bracker, D. Gammon, C. Emary, L.J. Sham. Fast Spin State Initialization in a Singly Charged InAs-GaAs Quantum Dot by Optical Cooling. И Phys. Rev. Lett. 99, 97 401 (2007).
  119. A.C. Бричкин, A.B. Черненко, E.A. Чехович, П. С. Дорожкин, В. Д. Кулаковский, C.B. Иванов, А. А. Торопов. Отрицательно заряженные экситоны в полумагнитных квантовых точках CdSe/ZnSe/ZnMnSe. //ЖЭТФ 132, 426 (2007).
  120. Y. Leger, L. Besombes, L. Maingault, J. Fernandez-Rossier, D. Ferrand, H. Mariette. Spin properties of charged single Mn-doped quantum dots. // physica status solidi (b) 243, 3912 (2006).
  121. Y. Leger, L. Besombes, J. Fernandez-Rossier, L. Maingault, H. Mariette. Electrical Control of a Single Mn Atom in a Quantum Dot. II Phys. Rev. Lett. 97, 107 401 (2006).
  122. L. Besombes, Y. Leger, L. Maingault, H. Mariette. Spin properties of charged Mn-doped quantum dot. II J. Appl. Phys. 101, 81 713 (2007).
  123. Jitendra Kumar, Sheetal Kapoor, Saral K. Gupta, Pranay K. Sen. Theoretical investigation of the effect of asymmetry on optical anisotropy and electronic structure of Stranski-Krastanov quantum dots. // Phys. Rev. В 74, 115 326 (2006).
  124. Weidong Sheng. Origins of optical anisotropy in artificial atoms. II Appl. Phys. Lett. 89, 17 3129(2006).
  125. T. Kiessling, A.V. Platonov, G.V. Astakhov, T. Slobodskyy, S. Mahapatra, W. Ossau, G. Schmidt, K. Brunner, L. W. Molenkamp. Anomalous in-plane magneto-optical anisotropy of self-assembled quantum dots. II Phys. Rev. В 74, 41 301 ® (2006).
  126. A. K. Ramdas and S. Rodriguez. Raman scattering in diluted magnetic semiconductors. In: Light scattering in solids VI. Vol.68 of Topics in Applied Physics, p. 137−206. Springer, Berlin, 1991.
  127. X.C. Zhang, S.K. Chang, A.V. Nurmikko, L.A. Kolodziejski, R.L. Gunshor, S. Datta. Interface localization of excitons in CdTe/Cdj.xMnxTe multiple quantum wells. // Phys. Rev. В 31, 4056 (1985).
  128. H. Mariette, F. Dal’bo, N. Magnea, G. Lentz, H. Tuffigo. Optical investigation of confinement and strain effects in CdTe/Cdj-xZnxTe single quantum wells. Il Phys. Rev. В 38, 12 443 (1988).
  129. K. Kheng, R.T. Cox, V.P. Kochereshko, K. Saminadayar, S. Tatarenko, F. Bassani, A. Franciosi. Negatively charged excitons and the optical properties of modulation-doped quantum wells. II Superlattices Microstruct. 15, 253 (1994).152
  130. R.C. Miller, A.C. Gossard, W.T. Tsang, O. Munteanu. Bound excitons in p-doped GaAs quantum wells. II Solid State Commun. 43, 519 (1982).153
  131. M. Kutrowski, K. Kopalko, G. Karczewski, T. Wojtowicz, J.Kossut. Luminescence study of CdTe/Cdi-xMnxTe quantum wells grown by MBE. II Thin Solid Films 267, 64 (1995).
  132. D.L. Peterson, A. Petrou, M. Dutta, A.K. Ramdas, S. Rodriguez. Spin-flip Raman scattering in a diluted magnetic semiconductor: Cd-.xMnxTe. 11 Solid State Commun. 43, 667 (1982).
  133. A.A. Sirenko, T. Ruf, M. Cardona, D.R. Yakovlev, W. Ossau, A. Waag, G. Landwehr. Electron and hole g factors measured by spin-flip Raman scattering in CdTe/Cdi.xMgxTe single quantum wells. 11 Phys. Rev. B 56, 2114 (1997).
  134. V.F. Sapega, T. Ruf, M. Cardona, K. Ploog, E.L. Ivchenko, D.N. Mirlin. Resonant Raman scattering due to bound-carrier spin flip in GaAs/AlxGaj.xAs quantum wells. II Phys. Rev. B 50, 2510(1994).1
  135. R. Meyer, G. Schaack, A. Waag. Resonant Spin-Flip Raman Scattering on Donor-Bound Electrons in Cd. xMgxTe/ Cdi-yMnyTe Quantum Well Structures. II Mater. Sci. Forum 463, 1822 (1995).
  136. M. Hirsch, R. Meyer, A.Waag. Excitons as intermediate states in spin-flip Raman scattering of electrons bound to donors in Cdi. xMnxTe epilayers. II Phys. Rev. B 48, 5217 (1993).
  137. G.D. Thomas, J.J. Hopfield. Spin-Flip Raman Scattering in Cadmium Sulfide. II Phys. Rev. 175, 1021 (1968).162Y. Oka, M. Cardona. Resonant spin-flip Raman scattering on donor and acceptor states in ZnTe. II Phys. Rev. B 23, 4129 (1981).
  138. J.F. Scott. Spin-flip Raman scattering in p-InSb. II Phys. Rep. 194, 379 (1990).
  139. R. Romestain, S. Geschwind, G.E. Devlin, P.A. Wolff. Raman Scattering from Coherent Spin States in n-Type CdS. //Phys. Rev. Lett. 33, 10 (1974).
  140. J. A. Gaj, R. Planel, G. Fishman. Relation of magneto-optical properties of free excitons to spin alignment of Mn ions in Cd-.xMnxTe. II Solid State Commun. 29, 435 (1979).
  141. D. Heiman, P.A. Wolff, J. Warnock. Spin-flip Raman scattering, bound magnetic polaron, and fluctuations in (Cd, Mn) Se. //Phys. Rev. В 27, 4848 (1983).167
  142. Д.Л. Алов, С. И. Губарев, В. Б. Тимофеев. Спин-флип комбинационное рассеяние света в вырожденном электронном газе в магнитосмешанных кристаллах Cd. xMnxS:In. И ЖЭТФ 86, 1124(1984).168
  143. S.M. Ryabchenko, Yu.G. Semenov. ЕРЕ and spin-flip Raman scattering in the n-type magnetically mixed semiconductors. II Phys. Status Solidi В 134, 281 (1986).
  144. D. Scalbert, A. Mauger, J.A. Gaj, J. Cernogora, M. Nawrocki, C. Benoit a la Guillaume. Magneto-optical properties of the Van Vleck semimagnetic semiconductor Cdi.xFexSe. 77. The bound magnetic polaron. II Phys. Rev. В 43, 7109 (1991).170
  145. O.Z. Karimov, D. Wolverson, J.J. Davies, T. Ruf, L. N.Tenishev. Resonant Spin-Flip Raman Scattering Studies of Il-VI Semiconductor Heterostructures. II Phys. Status Solidi В 215, 373 (1999).
  146. J. Stuhler, G. Schaack, M. Dahl, A. Waag, G. Landwehr, K.V. Kavokin, I.A. Merkulov. Multiple Mn2±Spin-Flip Raman Scattering at High Fields via Magnetic Polaron States in Semimagnetic Quantum Wells. // Phys. Rev. Lett. 74, 2567 (1995).172
  147. K.V. Kavokin, I.A. Merkulov. Multispin Raman paramagnetic resonance: Quantum dynamics of classically large angular momenta. И Phys. Rev. В 55, R7371 (1997).174
  148. V.F. Sapega, T. Ruf, M. Cardona. Spin-Flip Raman Study of Exchange Interactions in Bulk GaAs.Mn. II Phys. Status Solidi В 226, 339 (2001).
  149. A. Naumov, D. Mi, M. Sturge, W. Ge, L.S. Dang, H. Mariette, N. Magnea. Low-level photomodulation of exciton absorption in CdTe single quantum wells. II J. Appl. Phys. 78, 1196 (1995).1 nr
  150. A.J Shields, M. Cardona, R. Notzel, K. Ploog. Influence of the exciton lifetime on resonant Raman scattering in quantum wells. II Phys. Rev. В 46, 10 490 (1992).
  151. A.J. Shields, G.O. Smith, E.J. Mayer, R. Eccleston, J. Kuhl, M. Cardona, K. Ploog. Homogeneous-linewidth dependence of resonant Raman scattering in GaAs quantum wells. II Phys. Rev. В 48, 17 338 (1993).
  152. L.C. Andreani, G. Panzarini, A.V. Kavokin, M.R. Vladimirova. Effect of inhomogeneous broadening on optical properties of excitons in quantum wells. II Phys. Rev. В 57, 4670 (1998).
  153. В.А. Кособукин, M.M. Моисеева. Оптика квазидвумерных экситонов в ограниченных периодических структурах. Поляризационные эффекты. II ФТТ 37, 3694 (1995).
  154. V.A. Kosobukin. Theory of Exciton-Polaritonic Absorption in Multiple Quantum Wells. II phys. stat. sol. (b) 208, 271 (1998).181
  155. C. Andreani, F. Tassone, F. Bassani. Radiative lifetime of free excitons in quantum wells. // Solid State Commun. 77, 641 (1991).182
  156. E.JI. Ивченко. Экситонные поляритоны в периодических структурах с квантовыми ямами. IIФТТ 33, 2388 (1991).183
  157. Т. Ruf, J. Spitzer, V.F. Sapega, V.I. Belitsky, M. Cardona, K. Ploog. Interface roughness and homogeneous linewidths in quantum wells and superlattices studied by resonant acoustic-phonon Raman scattering. 11 Phys. Rev. В 50, 1792 (1994).184
  158. J. Maultzsch, S. Reich, A.R. Goni, C. Thomsen. Resonant Raman scattering in GaAs induced by an embedded InAs monolayer. II Phys. Rev. В 63, 33 306 (2000).185
  159. A.J. Shields, J.L. Osborne, M.Y. Simmons, D.A. Ritchie, M.Pepper. Comparison of optical and transport measurements of electron densities in GaAs/AlxGai xAs quantum wells. II Semicond. Sci. Technol. 11, 890 (1996).i о с
  160. P. Kossacki, J. Cibert, D. Ferrand, Y. Merle d’Aubigne, A. Arnoult, A. Wasiela, S. Tatarenko, J.A. Gaj. Neutral and positively charged excitons: A magneto-optical study of a p-doped Cdi"xMnxTe quantum well. II Phys. Rev. В 60, 16 018 (1999).187
  161. S. Glasberg, G. Finkelstein, H. Shtrikman, I. Bar-Joseph. Comparative study of the negatively and positively charged excitons in GaAs quantum wells. II Phys. Rev. В 59, R10425 (1999).1.oo
  162. W. Maslana, P. Kossacki, M. Bertolini, H. Boukari, D. Ferrand, S. Tatarenko, J. Cibert, J.A. Gaj. p-type doping of 11 VI heterostructures from surface states: Application to ferromagnetic Cdj. xMnxTe quantum wells. II Appl. Phys. Lett. 82, 1875 (2003).
  163. Phys. Rev. В 56, 13 405 (1997).
  164. P. Van Dorpe, W. Van Roy, J. De Boeck, G. Borghs. Nuclear spin orientation by electrical spin injection in an AlxGaj-xAs/GaAs spin-polarized light-emitting diode. II Phys. Rev. В 72, 35 315 (2005).
  165. P.И. Джиоев, Б. П. Захарченя, М. В. Лазарев, М. Н. Ткачук. Фильтрация электронов по спину в поле объемного заряда в GaAs/AlGaAs. IIФТТ 47, 1522 (2005).
  166. Г. Л. Бир, Г. Е. Пикус. Оптическая ориентация экситонов в полупроводниках. Материалы IV Зимней школы по физике полупроводников. ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Л., 1972. с. 74 96.
  167. Г. Л. Бир, Г. Е. Пикус. Оптическая ориентация экситонов в одноосных кристаллах. Большое обменное расщепление. IIЖЭТФ 64, 2210 (1973).
  168. V. Ciulin, P. Kossacki, S. Haacke, J.-D. Ganiere, В. Deveaud, A. Esser, M. Kutrowski, T. Wojtowicz. Radiative behavior of negatively charged excitons in CdTe-based quantum wells: A spectral and temporal analysis. II Phys. Rev. В 62, R16310 (2000).
  169. Е.Л. Ивченко, А. Ю. Каминский. Оптически детектируемое антипересечение уровней локализованных экситонов в полупроводниках. II ФТТ 37, 1418 (1995).
  170. Н.Г. Романов, И. В. Машков, П. Г. Баранов, Ф. Лаваллар, Р. Планель. Экситоны в сверхрешетках GaAs/AlAs в области перехода тип II — тип I. II Письма в ЖЭТФ 57, 788 (1993).901
  171. Yu.G. Kusrayev, В.Р. Zakharchenya, G. Karczewski, Т. Wojtowicz, J. Kossut. Fine structure of exciton levels in CdTe/CdMgTe quantum wells. И Solid State Commun. 104, 465 (1997).
  172. E. Vanelle, M. Paillard, X. Marie, T. Amand, P. Gilliot, D. Brinkmann, R. Levy, J. Cibert, S. Tatarenko. Spin coherence and formation dynamics of charged excitons in CdTe/Cdi-x.yMgxZnyTe quantum wells. II Phys. Rev. В 62, 2696 (2000).
  173. Sophia E. Economou, T. L. Reinecke. Theory of Fast Optical Spin Rotation in a Quantum Dot Based on Geometric Phases and Trapped States. II Phys. Rev. Lett. 99, 217 401 (2007).90S
  174. E.M. Гамарц, Е. Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, Б. С. Разбирин, В. И. Сафаров, А. Н. Старухин. Индуцируемый магнитным полем переход ориентация выстраивание на связанных экситонах в кристалле GaSb. II ФТТ 24, 2325 (1982).206
  175. W.A.J.A. van der Poel, A.L.G.J. Severens, С.Т. Foxon. Quantum beats in the exciton emission of type II GaAs/AlAs quantum wells. 11 Opt. Commun. 76, 116 (1990).
  176. С. Gourdon, P. Lavallard. Fine structure of heavy excitons in GaAs/AlAs superlattices. II Phys. Rev. В 46, 4644 (1992).
  177. E. Blackwood, M.J. Snelling, R.T. Harley, S.R. Andrews, C.T.B. Foxon. Exchange interaction of excitons in GaAs heterostructures. II Phys. Rev. В 50, 14 246 (1994).
  178. T. Kiessling, G.V. Astakhov, A.V. Platonov, T. Slobodskyy, S. Mahaparta, W. Ossau, G. Schmidt, K. Brunner, L.W. Mollenkamp. Optical anisotropy of CdSe/ZnSe quantum dots. phys. stat. solidi © 3, 912 (2006).
  179. G. Bacher, R. Weigand, J. Seufert, V.D. Kulakovskii, N.A. Gippius, A. Forchel, K. Leonardi, D. Hommel. Biexciton versus Exciton Lifetime in a Single Semiconductor Quantum Dot. II Phys. Rev. Lett. 83, 4417(1999).
  180. B. Patton, W. Langbein, U. Woggon. Trion, biexciton, and exciton dynamics in single self-assembled CdSe quantum dots. II Phys. Rev. В 68, 125 316 (2003).
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!