Бакалавр
Дипломные и курсовые на заказ

Особенности электронного строения интерметаллических соединений ванадия с дефектной структурой АI5

Диссертация: Особенности электронного строения интерметаллических соединений ванадия с дефектной структурой АI5
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Характерной особенностью структуры А15 является то, что А-атомы образуют семейства взаимно-ортогональных цепочек в направлениях типа (100). Расстояние между атомами в одной цепочке является наименьшим между атомами в структуре А15 и на 22% меньше, чем расстояние между А-атомами, принадлежащими различным цепочкам. Эта квазиодномерность кристаллического строения была подмечена Вегером ив дальнейшем… Читать ещё >

Содержание

  • I. ИНТЕРМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ СО СТРУКТУРОЙ AI5 (ОБЗОР)
    • 1. 1. Кристаллическое строение
    • 1. 2. Физические свойства упорядоченных соединений V3 $? и V5Ga. ч
      • 1. 2. 1. Удельная теплоемкость
      • 1. 2. 2. Удельное электрпротивление, термо-э.д эффект Холла
      • 1. 2. 3. Рентгеновские исследования
      • 1. 2. 4. Упругие свойства
      • 1. 2. 5. Магнитная восприимчивость и ядерный магнитный резонанс
    • 1. 3. Модели электронного строент. гсоединений AI5- результаты зонных расчетов
      • 1. 3. 1. Модель Клогстона и ЖакКарино
      • 1. 3. 2. Модель линейных цепочек
      • 1. 3. 3. Модель Горькова-Дорохова и Ли-Бирмана
      • 1. 3. 4. Зонные расчеты
    • 1. 4. Зависимость характеристик и параметров нормального состояния в модели линейных цепочек от степени упорядочения V$S? и Ц&а
      • 1. 4. 1. Связь температуры сверхпроводящего перехода с характеристиками сплавов в нормальном состоянии
      • 1. 4. 2. Влияние композиционного однородного беспорядка
      • 1. 4. 3. Термическое разупорядочение
      • 1. 4. 4. Радиационное разупорядочение
      • 1. 4. 5. Влияние гидрирования
    • 1. 5. Постановка задачи исследования
  • 2. ОБРАЗЦЫ -И. МЕТОДИКА ЭКСПЕРШЕНТОВ
    • 2. 1. Приготовление и аттестация образцов
    • 2. 2. Измерение магнитной восприимчивости
    • 2. 3. Регистрация стационарных спектров ЯМР
      • 2. 3. 1. йлпульсный метод
      • 2. 3. 2. Стационарный метод
    • 2. 4. Релаксационные измерения
    • 2. 5. Автоматизированная система регистрации спектров ЯМР
    • 2. 6. Анализ формы линии ЯМР
    • 2. 7. Приближение «сильной связи»
    • 2. 8. Сдвиг Найта
    • 2. 9. Спин-решеточная релаксация
    • 2. 10. Разделение вкладов в магнитную восприимчивость
  • Выводы
  • 3. СПЛАВЫ (Ftx)} S?, V3(Si^y Coy)
    • 3. 1. Магнитная восприимчивость, сдвиг Найта, плотность состояний
    • 3. 2. Распределение зарядовой плотности вблизи атома ванадия
    • 3. 3. Сдвиг Найта
    • 3. 4. Сдвиг Найта и спин-решеточная релаксация в V3fScf. yCoyJ
  • Выводы
  • 4. РАДИАЦИОННОЕ РАЗУПОРЯДОЧЕНИЕ V3 $?
    • 4. 1. Магнитная восприимчивость, сдвиг Найта, плотность состояний
    • 4. 2. Спин-решеточная релаксация, анизотропный сдвиг
  • Найта, распределение зарядовой плотности
    • 4. 3. Сдвиг Найта 29St
    • 4. 4. Оценка степени дефектности облученного V3Sc
    • 4. 5. Анализ двухфазности отжигаемого TJ&"
    • 4. 6. Корреляция степени дальнего порядка и плотности электронных состояний при радиационном разупорядо-чении
  • Выводы
  • 5. ЯМР В V3Gcl И VbGcLH0)0S
    • 5. 1. ЯМР в высокоупорядоченном V^Gcc
    • 5. 1. Л. Спектр ЯМР 5iV в высокоупорядоченном V^Gcc
      • 5. 1. 2. Плотность состояний
      • 5. 1. 3. Сдвиг Найта и скорость спин-решеточной релаксации 7*&-сс
      • 5. 1. 4. Проявление температурной неустойчивости электронного спектра и искажений решетки
  • V3Gcl
    • 5. 2. Термическое разупорядочение V^Gcl
      • 5. 2. 1. Плотность состояний на уровне Ферми
    • 5. 3. Влияние гидрирования на электронное строение V^ffet
      • 5. 3. 1. Плотность состояний
      • 5. 3. 2. Исследование протонного резонанса и релаксации
  • Выводы

Особенности электронного строения интерметаллических соединений ванадия с дефектной структурой АI5 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

В диссертационной работе представлены результаты изучения особенностей электронного строения интерметаллических соединений со структурой AI5 иЦ&с, в которых дефектное состояние кристаллической решетки создано внешними разупорядочивающими воздействиями: термической обработкой, нейтронным облучением, легированием третьим компонентом и гидрированием.

Актуальность темы

Важной технологической задачей в настоящее время является получение сплавов и соединений с возможно более высокими значениями сверхпроводящих параметров: второго критического поля Нс2 и температуры сверхпроводящего перехода Тс. Это достигается путем оптимизации состава и последующей термической обработки сплава. Практически важным является вопрос о стабильности сверхпроводящих свойств материалов, эксплуатирующихся в условиях радиационного воздействия.

Из известных к настоящему времени материалов высокими сверхпроводящими параметрами обладают соединения со структурой AI5- VASc (Тс=17К), Ц&а (TC=I6K), NBbBn (TC=I8K), NB^e (ГС=23К). Характерные для них значения второго критического поля НСг составляют сотни килоэрстед. Эти материалы являются одними из основных при конструировании сверхпроводящих устройств.

В последние годы ведется большая исследовательская работа по выявлению присущих высокотемпературным сверхпроводящим соединениям со структурой AI5 особенностей кристаллического строения, электронных и акустических свойств, обуславливающих высокие значения их критических параметров. Значения этих параметров определяются свойствами материала в нормальном состоянии. Наиболее важными из них являются: плотность электронных состояний на уровне Ферми, фононная спектральная плотность и параметр электрон-фононного взаимодействия. Эти характеристики определяются экспериментально. Изучение тенденций их изменения способствует целенаправленному поиску новых материалов, позволяет прогнозировать поведение изготовленных из них сверхпроводящих устройств при эксплуатации в условиях внешних воздействий.

Большую ценность представляет научная сторона таких исследований. В этом случае появляются данные о влиянии реальной структуры кристалла на электронный и фононный спектры. В ряде работ по расчету электронной структуры и экспериментов по изучению теплоемкости, ядерного магнитного резонанса, эмиссионной рентгеновской спектроскопии выяснено, что высокотемпературные бинарные соединения обладают большими значениями плотности электронных состояний на поверхности Ферми. Для соединений и «Ц 57 г достигнуто удовлетворительное согласие между выводами расчетов и экспериментальными данными.

Прогнозирование изменений свойств соединений со структурой А15 при воздействии разупорядочивающих факторов в настоящее время основывается на выводах модельных представлений о характере трансформации электронного и фононного спектров. Экспериментальные исследования, большей частью, ограничиваются фиксацией изменений сверхпроводящих параметров без достаточного анализа причин, вызвавших эти изменения. Выяснение этих причин необходимо при сопоставлении с выводами теоретического анализа изменений электронного спектра при разупорядочении. Следует отметить, что теория свойств реальных кристаллов со структурой А15 еще недостаточно полно описывает имеющиеся экспериментальные факты.

Целью настоящей работы является выяснение изменений электронного строения вблизи уровня Ферми в соединениях и^^* под влиянием разупорядочивающих структуру воздействий, установлении границ применимости имеющихся модельных представлений о влиянии процесса разупорядочения на электронный спектр.

Сложность кристаллического строения, трудности получения совершенных монокристаллических образцов ограничивают применимость традиционных методов исследования поверхности Ферми в соединениях А15. В последнее время для исследования особенностей электронного спектра вблизи уровня Ферми, их изменений под влиянием различных факторов в интерметаллических соединениях с успехом используется метод ядерного магнитного резонанса. В данной работе он выбран в качестве основного. Наряду с оценками плотности электронных состояний на уровне Ферми, которые получаются из совместного анализа с данными магнитной восприимчивости, ЯМР дает уникальные сведения об анизотропии распределения электронной плотности в кристалле.

В методе ЯМР отклик ядерной спин-системы носит локальный характер. Это позволяет получать сведения о пространственном распределении измеряемых характеристик. Таким образом, этот метод имеет несомненные преимущества перед калориметрическим и методом магнитной восприимчивости, результаты которых дают усредненные по объему сведения об электронном спектре. Данные ЯМР химически различных атомов кристалла позволяют анализировать эффекты гибридизации электронных состояний вблизи уровня Ферми, их эволюцию при внешних воздействиях. Успешное применение методики ЯМР для изучения электронного строения требует достаточной информации о состоянии кристаллической структуры исследуемого материала. Это во многом обусловило выбор объектов для нашего исследования.

Научная новизна. Определен характер особенности электронного строения в высокоупорядоченном соединении К&а.: выяснен тип симметрии «¿—состояний ванадия, формирующих пик в плотности состояний вблизи уровня Ферми. Установлена корреляция изменений Тс и плотности состояний с параметром дальнего порядка Брэгга-Вильямса в соединении подвергнутом различной термообработке. Проанализированы изменения электронного строения «Цба при гидрировании в области малых концентраций внедренного водорода. Обнаружена температурная неустойчивость электронной и кристаллической структуры упорядоченного Ц&сс, проявляющаяся в температурной зависимости распределения параметров ЯМР.

Подтвержден характер электронного строения вблизи уровня Ферми соединения:. Установлены тенденции его изменения, обнаружена корреляция плотности электронных состояний и степени дальнего порядка при создании композиционного и радиационного разупорядочения в кристалле.

Выявлены границы применимости модели разупорядоченных линейных цепочек для описания деградации особенности электронного спектра вблизи уровня Ферми, присущего высокоупорядоченному Уз $ 4. Выяснено влияние упорядочивающего отжига на характер восстановления этой особенности в 1, подвергнутом нейтронному облучению до доз «насыщения» Г .

Практическая ценность. Исследована трансформация особенностей электронного строения технически важных сверхпроводящих материалов при воздействии на них разупорядочивающих факторов. Результаты могут служить основой для прогнозирования поведения сверхпроводящих изделий на основе этих материалов при их изготовлении и в условиях эксплуатации.

Апробация работы. Основные результаты доложены и обсуждены на выездной сессии АН СССР по сверхпроводимости (Свердловск,.

1976 г.), XIX Всесоюзном совещании по физике. низких температур (Минск, 1976 г.), Ш Всесоюзном совещании «Сплавы редких металлов с особыми физическими свойствами» (Москва, 1977 г.), XX Международном конгрессе AMPERE (Таллин, 1978 г.), П Всесоюзном научном семинаре «Металлофизика сверхпроводников» (Киев, 1981 г.), IX Всесоюзной школе по радиационным эффектам в твердых телах (Бакуриани, 1982 г.), Ш Всесоюзном совещании по радиационным дефектам в металлах (Алма-Ата, 1983 г.).

Публикации. Основное содержание диссертационной работы опубликовано в журнале «Физика металлов и металловедение» и документах конференций [159−167].

I. ИНТЕРМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ СО СТРУКТУРОЙ AI5.

ОБЗОР).

I.I. Кристаллическое строение.

Элементарная ячейка идеального кристалла соединений AI5, имеющих химическую формулу А0 В, представляет собой объемно-центо рированный куб из атомов В, занимающих 2а-позиции с координатами: Bj (0, 0, 0), В?(а/2, а/2, а/2). Атомы, А расположены попарно на гранях куба в трех взаимно ортогональных направлениях. Атомы каждой пары разнесены на половину длины элементарной ячейки, которая для комплектного соединения содержит шесть атомов А, находящихся в бс-позициях с координатами: Aj g3/^" ±-а/4> 0)" % 4 (О, а/2, +а/4), А^ g^+a/4, 0 а/2) (рис. 1 Л. а). Пространественная группа симметрии Oj? — РщЗп. Ближайшее окружение атомов, А (I и П координатные сферы) и В (I координационная сфера) изображено на рис. 1,1.6 и I.I.b. Атомы, А занимают позиции с тетрагональной симметрией (точечная группа Д-^)* Ближайшие соседи атома, А — два атома того же сорта, расположенные на расстоянии а/2. Во второй координационной сфере находятся 4 атома В, расположенные в вершинах тетраэдра на расстоянии a V5*/4 от атома А. Атомы В занимают позиции с кубической симметрией (точечная группа Тд), ближайшие соседи — 12 атомов, А на расстоянии a V^T/4. В качестве атома, А выступают обязательно переходные элементы 1У, У или У1 групп (Ti, Y tN6, Cr y Mo, Ta, W), тогда как атомы В могут быть как непереходные Л, Р, Sa^Se, Sn, P6, BL), так и переходные (преимущественно УШ группы: Ni ¡-Со yRu, А, Pet, 0s, и) элементы. Наибольшее число А3 В соединений со структурой AI5 образует ванадий.

— А.

— б.

Рис. I.I. Элементарная ячейка решетки со структурой AI5 -(а): узлы 6с — атом, А переходного элемента, узлы 2а — атом В непереходного элемента- (б) — ближайшее окружение атома АС в) — ближайшее окружение атома В.

Большинство этих соединений имеет узкие области гомогенности. Такие соединения образуются в большинстве своем по перитек-тическим реакциям, например, TJSt [i, 2, з]. Однако, в ряде соединений ванадия с компонентами с близкими атомными радиусами образование структуры AI5 происходит не по перитектическим реакциям, а в процессе упорядочения высокотемпературной фазы твердого раствора с ОЦК решеткой. Эти соединения обладают достаточно протяженными областями гомогенности, например, V^Gcl [4, 5, б]. В пределах области гомогенности при отклонениях от стехиометрии в области состава Ад+хВ]-х избыток атомов, А занимает 2а-позиции. При составе AgxBj+x наиболее вероятным является расположение о.

В-атомов в позициях бс. ^.

Одной из особенностей А3 В фаз с решеткой типа AI5 являете их склонность к высокому упорядочению. Степень упорядочения зг висит от того, какого сорта атом В-непереход^5й («типичные» сфrCDf динения), либо переходный элемент («нетипичные» соединения) |gj.

Для «типичных» соединений максимальная степень упорядочения (параметр дальнего порядка Брэгга-Вильямса S близок к единице) реализуется при стехиометрическом составе А3 В. К этой группе принадлежат V3S?, Ц Gct, V5/h>f и другие. Для этих соединений преобладающим является ковалентный характер связи А-А и А-В атомов. В «нетипичных» соединениях требования стехиометрии и высоко/г го значения параметра дальнего порядка перестает играть важную роль. Эти соединения имеют область гомогенности смещенную от сте-хиометрического ооставапо своему поведению они близки к электронным соединениям, где для получения наибольшего упорядочения важную роль играет средняя концентрация валентных электронов в сплаве [I, 2, 7, 8]. В дальнейшем будут обсуждаться, в основном, представители «типичных» соединений AI5 и влияние появления беспорядка структуры на их электронное строение.

Характерной особенностью структуры А15 является то, что А-атомы образуют семейства взаимно-ортогональных цепочек в направлениях типа (100). Расстояние между атомами в одной цепочке является наименьшим между атомами в структуре А15 и на 22% меньше, чем расстояние между А-атомами, принадлежащими различным цепочкам. Эта квазиодномерность кристаллического строения была подмечена Вегером [II] ив дальнейшем использована при построении моделей электронного строения для объяснения уникальных физических свойств, наблюдаемых у соединений А15 с высокими значениями Тс. Ниже мы будем приводить данные, касающиеся, в основном, двух соединений вс и 6а, поскольку аномалии их свойств в достаточной мере отражают общую ситуацию. Кроме того, эти соединения выбраны в качестве базовых в нашем исследовании.

обще вывода.

В диссертационной работе проведено исследование особенностей электронного строения сверхпроводящих интерметаллических соединений со структурой AI5 на основе ванадия — и, подвергнутых различным внешним воздействиям, приводящим к раз-упорядочению кристаллической структуры.

В качестве основного метода исследования использовался ядерный магнитный резонанс. В области температур, соответствующих нормальному состоянию, получены температурные зависимости магнитной восприимчивости, спектральных и релаксационных характеристик ЯМР. Впервые выделены и проанализированы вклады, связанные с электронными состояниями вблизи уровня Ферми в интерметаллических соединениях T? St nJ? Gitt подвергнутых различным разупорядочивающим кристаллическую структуру воздействиям: композиционному, термическому, радиационному разупорядочению и гидрированию. Установлен характер восстановления электронного спектра при термическом упорядочении дефектного состояния в J? S? ц.

Обобщая полученный экспериментальный материал можно выделить, как основные, следующие результаты.

I. Обнаружено, что беспорядок замещения, созданный атомами переходного металла (железо, кобальт), приводит к значительным изменениям электронного спектра упорядоченного соединения V3 S?. С ростом концентрации легирующего элемента происходит уменьшение плотности ЗсС-состояний ванадия на уровне Ферми. Уменьшается анизотропия распределения зарядовой плотности электронов с энергией Ферми вблизи атома ванадия. Плотность состояний в ¿—зоне незначительно увеличивается. Совокупность данных ямр на ядрах 59(2> свидетельствует об отсутствии подмешивания ЗсСсостояний кобальта на уровне Ферми. На атомах железа и кобальта сплавов С^Х-х^® х^З^ и у в йсслеД°ванн°й области концентраций (х? 0,15, у^ 0,1) отсутствует локализованный магнитный момент.

2. Радиационное разупорядочение быстрыми нейтронами с энерта о гией? ^ I МэВ и флгаенсом 7″ 10 см приводит к существенному уменьшению плотности состояний на уровне Ферми. Анализ данных ЯМР крешия-29 образца &, облученного максимальным йлюен-сом, свидетельствует о наличии неоднородного распределения атомов кремния в кристалле.

3. Установлено, что упорядочивающий отжиг при Т = 800 °C полностью восстанавливает характер особенности в электронном спектре вблизи уровня Ферми в радиационно разупорядоченном образце ^ Л. Совокупность данных ЯМР свидетельствует о том, что процесс отжига дефектного состояния облученного идет, минуя стадию сосуществования фаз с различными характеристиками электронного спектра. В процессе термического упорядочения его имеет место подобие в поведении температуры сверхпроводящего перехода Тс и плотности состояний на уровне Ферми от температуры отжига Т0Г}Г,. Наибольший прирост плотности состояний происходит в интервале температур Тогж — 500*600°С.

4. Обнаруженная корреляция плотности электронных состояний и параметра дальнего порядка Брэгга-Вильямса при композиционном и при малых дозах радиационном разупорядочении и последующем термическом упорядочении сильнооблученного У^ удовлетворительно описывается в рамках модели разупорядоченных линейных цепочек. Основная причина наблюдаемых отклонений экспериментальных значений от предсказываемой зависимости состоит в появлении гибридизации на уровне Ферми состояний За?-зоны ванадия с состояниями примесного атома или атома кремния.

5. Установлено, что в высокоупорядоченном соединении «^Неплотность состояний на уровене Ферми определяется, в основном, Sc? -состояниями ванадия симметрии «Eg*. Максимум зарядовой плотности электронов с энергией, равной ЕР, лежит на цепочках атомов ванадия.

6. Установленная корреляция плотности электронных состояний на уровне Ферми, параметра дальнего порядка и температуры сверхпроводящего перехода при термическом упорядочении ОЦК твердого раствора указывает на определяющую роль совершенства кристаллического строения в формировании его сверхпроводящих свойств. С ростом упорядочения увеличивается анизотропия зарядовой плотности электронов с энергией Ферми вблизи атома ванадия.

7. Внедрение водорода в кристаллическую решетку приводит к уменьшению плотности состояний на уровне Фергли. На ядрах 1Н имеет место отрицательный и зависящий от температуры сдвиг Най-та, что указывает на наличие отрицательной спиновой плотности в междоузлиях решетки AI5.

8. Обнаружено, что при понижении температуры происходит рост распределения ГЭП на ядрах ванадия в У^л, в то время как на ядрах галлия распределение ГЭП практически не меняется. Это свидетельствует о нарастающих статических искажениях ближнего порядка в ванадиевой подрешетке, оставляющих симметричным ближнее окружение атомов галлия. С ростом беспорядка (гидрирование, термическое разупорядочение) температурная зависимость распределения ГЭП ослабевает. Сама же величина распределения ГЭП является очень чувствительной к степени упорядочения соединения. Внедрение водорода и термическое разупорддочение приводит к существенному росту исходного распределения, свидетельствуя о наличии неоднородного зарядового распределения в кристалле • Эта неоднородность долзкна приводить к уишрению узкого пика плотности состояний вблизи уровня Ферми.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Е.М., Ефимов Ю. В., Козлова Н. Д., Михайлов Б. П., Успенский Ю. А. Сверхпроводящие соединения переходных металлов.-М.: Наука, 1976, 215 с.
  2. J. А15 Type Superconductors. Rep. Prog. Phys., 1980, v.43, N5, p.641−687.
  3. E.M., Барон B.B., Ефимов Ю. В., Бычкова Н. И., Мызенкова Л. Ф. Металловедение сверхпроводящих материалов. -М.: Наука, 1969, 265 с.
  4. Ю.В. Образование соединений в двойных системах ванадия. -Изв. АН СССР, сер."Неорг.матер.", 1966, т.2, № 4, с.598−603.
  5. Н.П., Воробьева Н. С., Кунаков H.H., Ронами Г. Н. Диаграмма состояния системы ванадий-галлий.- ДАН СССР, 1968, т.178, № 2, с.341−344.
  6. Flukiger R., Staudenmann J.L., Fischer P. The detection of variations on the LRO parameter of V^Ga by means of X-ray and neutron diffraction. J. Less-Common Met., 1976, v.50, p.253−273.
  7. C.B., Изшов Ю. А., Курмаев Э. З. Сверхпроводимость переходных металлов, их сплавов и соединений. М.: Наука, 1977, 383 с.
  8. Л., Вегер М., Гольдберг И. Сверхпроводящие соединения со структурой ^/3-вольфрама.- М.: Мир, 1977, 435 с.
  9. V/eger M. The electronic band structure of V^Si and V^Ga. Rev. Mod. Phys., 1964, v.36, N1, p.175−176.
  10. Testardi b.R., Batterman B.W. Lattice Instability of High-Transition-Temperature Superconductors. II. Single-Crystal Y^Si Results. Phys. Rev., 1967, v.154, N2, p.402−410.
  11. Wiesmann H., Gurvitch M., Lutz H., Chosh A.K., Schwartz B. Strongin M, Allen P.В., Halley J.W. Simple model for characterizing the electrical resistivity on A15 superconductors.
  12. Phys. Rev. Lett., 1977, v.38, N14, p.782−785.
  13. Марченко В.А.-Температурная зависимость электросопротивления v5 $i. ФТТ, 1973, т.15, № 6, с.1893−1895.
  14. Cohen R.W., Cody C.D., Halloran J.J. Effect of Fermi-level motion on normal- state properties of-tungsten superconductors. Phys. Lett., 1967, v.19, N15, p.840−844.
  15. Testardi L.R., Meek R.L., Poate J.M., Royer W.A., Wemick J.H. Preparation and analysis of superconducting Nb-Gefilms. Phys. Rev. B, 1975, v.11, N11, p.4304−4317.
  16. Э.З., Немнонов С. А., Белаш В. П., Ефимов Ю. В. Электронная структура бинарных соединений ванадия с непереходными элементами. ФММ, 1972, т.33, вып. З, с.578−583.
  17. Sarachik М.Р., Smith G.E., Wemick J.H. The thermoelectric power of V^X compounds. Canad. J. Phys., 1963, v.41, N10, p.1542−1546.
  18. С.Г. Физические свойства и некоторые особенности электронного строения тройных сверхпроводящих фаз со структурой AI5 на основе ванадия и зфома.- Диссертация на соискание уч. степ, кандидата физ.-матем. наук. УПИ, Свердловску 1974.
  19. Kurmaev E.Z., Werfel P., Brummer 0., Flukiger R. X-Ray ptotoemission spectra of valence electrons in V^X and Ub^X compounds.- Solid State Commun., 1977, v.21, M2, p.239−243.
  20. Arko A.J., Lowndes D.H., Muller P.A., Roeland L.W., Wolfart J., van Kessel A.T., Myron H.W., Mueller P.M., Webt G.W. de Haas-van Alphven effect in tiie higt-Tc superconductors Nb^Sn and V3Si.- Phys. Rev. Lett., 1978, v.40, N24, p.1590−1593.
  21. Shulman R.G., Wyluda B.J., Matthias B.T. Diamagnetic nuclear magnetic resonance shifts in alloys.- Phys. Rev. Lett., 1958, v.1, N8, p.278−279.
  22. Clogston A.M., Jaccarino V. Susceptibilities and negative Knight shifts of intermetallic compounds.- Phys. Rev., 1961, V.121, N5, p.1357−1362.
  23. Clogston A.M., Gossard A.C., Jaccarino V., Yafet Y. Orbital paramagnetism and Knight shift of d-band superconductors.- Phys. Rev. Lett., 1962, v.9, N6, p.262−266.
  24. Blumberg W.E., Eisinger J., Jaccarino V., Matthias B.T. Correlations between superconducting and nuclear magnetic resonance properties. Phys. Rev. Lett., 1960, v.5, N4, p.149−152.
  25. Silbernagel B.G., Weger M., Clark W.G., Wemick J.M. Nuclear relaxation measurements in the superconducting and normal states of some V^X compounds. Phys. Rev., 1967, v.153> N2, p.535−546.
  26. Pradin P.Y., Zamir D. Bare density of states at the Fermi level in V, Ga- Sn: a nuclear magnetic resonance study.1. J I Л
  27. Phys. Rev. В., 1973, v.11, F7, p.4861−4873.
  28. Pradin P.Y., Williamson J.D. Relationship between TQ and N (0): an UMR study of ^Ga^^i^. Phys. Rev. В., 1974, v.10, N7, p.2803−2811.
  29. С.В., Степанов А. П., Штольц А.К.-Ядерный магнитный резонанс в сплавах % • ФММ, 1975, т.40, вып. З, с.529−536.
  30. С.В., Степанов А. П. Изменение плотности состояний в квазибинарных сплавах при их легировании ниобием. -ФММ, 1976, т.41, вып. З, с.522−528.
  31. Mattheiss Ъ.Р. Energy bands for V^X compounds. -Phys. Rev., 1965, v.138, N1A, p. A112-A128.
  32. Mattheiss L.P. APW-bCAO band model for A15 compounds.-Phys. Rev. В., 1975, v.12, N6, p.2161−2180.
  33. А.В., Степанов А. П., Марченко В.A., Пан В.М., 5У.
  34. А.Д. Ядерный магнитный резонанс V в монокристалле V3Sc выше и ниже температуры структурного превращения. -КЭТФ, 1979, т.77, 1е6, с.2313−2323.
  35. .H., Кодесс Б. Н., Курицын В. Б. Особенности магнитных свойств V$?c со структурным переходом.- Изв. ВУЗов, Физика, 1974, $ 5, с.141−143.
  36. Курицын В. Б. Исследование особенностей электронной структуры сверхпроводящих интерметаллических соединений типа
  37. AI5 методом ЯМР.- Автореферат диссертации на соискание уч. степ, кандидата физико-мат. наук, ЦНИШМ, M., 1977.
  38. Gossard А.С. Effect of low-temperature structural51transformation on ^ V Knight shifts and. electric field gradients in V-jSi.- Phys. Rev., 1966, v.149, N1, p.246−251.
  39. Bhatt R.N. Structural transition on A15 compounds-.possible Landau theory description.- Phys. Rev. B, 197B, v.17"1. N7, p.2947−2955.
  40. J., Fridel J. Instabilte electronique et changement de phase cristalline des composes du type V^Si a basse temperature." J. de Physique, 1966, v.27, .N3−4″ p.153−165.
  41. Weger M. Some considerations regarding the application of a linear chain model to some compounds of the ^/8-Y/ structure.- J. Phys. Chem. Solids, 1970, v.31, N7. p.1621−1639.
  42. Weger M. The linear chain model for the J2 -W lattice. Physica, 1971, v.55, N2, p.545−553.- 45. Изкмов Ю. А. 0 температуре сверхпроводящего перехода в соединениях со. структурой jb -вольфрама.- ФММ, 1973, т.35, вып.4, с.687−698.
  43. Coulson С.A. Note on the Applicability of the Free-Electron Network Model to Metals.- Proc. Phys. Soc., 1954, v.67, part 7, N415A, p.608−614.
  44. Weger M., Alexander S., G. Delia Riccia Description of a system of interaction linear chains by means of the electron network model.- J. Math. Phys., 1973, v.14, N2, p.259−262.
  45. JI.П. к теории свойств сверхпроводников со структурой ^а-вольфрама.- КЭТФ, 1973, т.65, № 4, с.1658−1676.
  46. Gor’kov L.P., Dorokhov О.М. On the theory of the structural properties of A15 type materials.- J. Low Temp. Phys., 1976, v.22, N1−2, p.1−26.
  47. Lee Т.К., Birman J.L. New three-demensional kp model for the electronic structure of A15 compounds and application to anomalous properties of V^Si and Nb^Sn in the cubic phase.-Phys. Rev. B, 1978, v.17, N12, p.4931−4941.
  48. Goldberg I.B. The electronic band structure of V^Ga: II.- J. Phys. C: Solid State Phys., 1975, v.8, N8, p.1159−1180.
  49. Barak G., Goldberg I.B., Weger M. Band structure for some Nb^X compounds.- J. Phys. Chem. Solids, 1975, v.36, N9, p.847−857.53* Jarlborg T. Self-consistent LMTO band calculation on A15 compounds, — J. Phys. F: Metal Phys., 1979, v.9, N2, p.283−305.
  50. Klein B.M., Boger L.L., Papaconstantopoulos D.A., Mattheiss L.P. Self-consistent APW electronic structure calculation for A15 compounds YyL and Nb^X, X=Al, Ga, Si, Ge, Sn.-Phys. Rev. B, 1978, v.18, N12, p.6411−6438.
  51. Labbe J., van Reuth E.G. Model to Explain Large Changes in the Electronic Density of States with Atomic Ordering in V-jAu.- Phys. Rev. Lett., 1970, v.24, N22, p. 1232−1235.
  52. Junod A. Linear-chain model to explain density ofstates and T changes with atomic ordering.- J. Phys. I1: c
  53. Metal Phys., 1978, v.8, N9, p.1891−1898.
  54. Pfihnle M. Atomic disorder and superconductivity in A15 materials.- J. Low. Temp. Phys., 1982, v.46, H½ p.3−2558″ Mc Millan W.L. Transition temperature of strong-coupled superconductors.- Phys. Rev., 1968, v.167, N2, p.331−344.
  55. Allen P.B., Dynes R.C. Transition temperature of strong-coupled superconductors reanalyzed.- Phys. Rev. B, 1975, v.12, N3, p.905−922.
  56. Hopfield J.J. Angular Momentum and Transition-Metal Superconductivity.- Phys. Rev., 1969, v.186, N2, p.443−451.
  57. Barisic S. Rigig-Atom Electron-Phonon Coupling in the Tight Binding Approximation. I. Self Consistent Electro-Phonon Coupling in the Tight-Binding Approximation. II.- Phys. Rev. B, 1972, v.5, N3, p.932−941, p.941−951.
  58. Junod A., Muller J., Rietschel H., Schneider E. Chaleur specifique et transformation martensitique dans le systeme
  59. J* Phys* Chein* Solids, 1978. v.39, N3, p.317−328.
  60. Junod A., Plukiger R., Treyvaud A., Muller J. Specific heat and magnetic suscrptibility vs long range order in V^GA.-Solid State Commun., 1976, v.19, N3, p.265−267.
  61. P.Y., Willey C.L., Downey J.W. 51V nuclear spinlattice relaxation in VQ 75xGaQ 25+x*~ Solid State Commun., 1979, v.30, N11, p.737−741.
  62. Г. Н. Атомное и электронное строение фаз %У (SljGctjGe) легированных хромом, железом и кобальтом. -Диссертация на соиск. уч. степ, кандидата физ.-мат. наук, УПИ, Свердловск, 1982. .
  63. .Н., Курицын В. Б. Исследование сверхпроводящих свойств и .параметров ЯМР сплавов системы V-Ga. В сб. «Прецизионные сплавы», ЦНИШМ, М.: Металлургия, 1971, вып.78, с.128−133.
  64. А.П., Верховский С. В. ЯМР в интерметаллических соединениях со структурой AI5 и CI5. В сб."Электронная структура и свойства твердых тел", КЕМ УНЦ АН СССР, Свердловск, 1982.
  65. Knapp G.S., Bader S.D., Gulbert H.V., Pradin P.У., Klippert Т.Е. Heat capacity of YyL compounds and the relationship between Tc and anharmonicity. Phys. Rev. B, 1975, v.11, N11, p.4331−4338.
  66. Staudenmann J.L. Observation du farteur Debye-Waller anisotrope du vanadium dans V^Si.- Helv. Phys. Acta, 1974, v.47, N1, p.39−41.
  67. Syaudenmann J.L. The electron charge distribution in V3Si.- Solid State Commun., 1978, v.26, N8, p.461−468.
  68. ФММ, 1977, т.44, вып. I, с.78−82. .
  69. Гощицкий Б.Н. .Радиационные .эффекты в сверхпроводящих материалах. ФММ, 1979, т.48, вып.4, с.707−735.
  70. Guha A., Sarachik М.Р., Smith P.W., Testardi L.R. Effect of neutron irradiation on single-crystal Y^Si: sound velocity, magnetic susceptibility and upper critical field.-Phys. Rev. B, 1978, v.18, U1, p.9−14.
  71. Karkin A.E., Goshchitskii B.N., Arkhipov V.E., Va-leev E.E., Sidorov S.K. Electrical Resistivity and Transition Temperature of Highly Disordered Fb^Sn.- Phys. Stat. Sol. (a), 1978, v.46, N2, p. K87-K90.
  72. Testardy L.R., Poate J.M., Levinstein H.J. Anomalous electrical resistivity and defects in A15 compounds.
  73. Phys. Rev. B, 1977, v.15, N5, p.2570−2580.
  74. Fisk Z., Webb G.W. Saturation of the High-Temperature Normal-State Electrical Resistivity of Superconductors.-Phys. Rev. Lett., 1976, v.36, N18, p.1084−1086.
  75. Ю.М., Архипов В. Е., Гощицкий Б. Н., Карькин А. Е. Сидоров С.К., Угольникова Т. А. О механизме радиационного разупо-рядочения в сверхпроводящих соединениях ниобий-олово со структурой? -вольфрама.- ФММ, 1976, т.41, вып.1, с.202−203.
  76. Arkhipov V.E., Voronin V.l., Karkin А.Е., Mirmel-stein A.I. Radiation disordering in V^Si.- Phys.- Stat. Sol. (a), 1982, v.70, N1, p.17−21.
  77. Cox P.E., Tarvin J.A. Effect of neutron irradiation on single-crystal V^Si: Neutron diffraction studies.- Phys. Rev. B, 1978, v.18, N1, p.22−29.
  78. Karkin A.E., Arkhipov V.E., Marchenko V.A., Goshcit-skii B.N. Electrical Resistivity of V^Si and Nb^Sn under Neutron Radiation.- Phys. Stat. Sol. (a), 1979, v.54, N1, p. K53-K58.
  79. Frankavilla T.L., Meussner R.A., Sekula S.T. Neutron-induced disorder in V^Ga as revealed by isoghronal annealing,-Sol. State Commun., 1977, v.23, N4, p.207−209.
  80. Luhman Т., Sweedler A, R. Influence of В atom diameter on annealing recoyvery rates of superconducting transition temperatures in irradiated A15 (A^B) compounds.- Phys. Letters, 1976, v.58A, N5, p.335−336.
  81. Dew-Hughes D., Mochlecke S., Welch S.O. Recovery of T by Annealing of Irradiated A15, Compounds.- J. Nucl. Mater., 1978, v.78, N2, p.225−232.
  82. Nakajama I., Tsuneto T. Properties of superconductors with defects.-Prog. Theor. Phys., 1978, v.59, N5, p.1418−1427,
  83. A.C., Елесин В. Ф., Козеко М. П. К теории влияния радиационных эффектов на критическую температуру.-ФТТ, 1979, т.21, № 7, с.2062−2072.
  84. А.Б., Карькин А. Е., Архипов В. Е., Воронин В. И. Теплоемкость соединения Мо2 $С сверхпроводимость и смягчение фононного спектра.- ФММ, 1983, т.55, вып.1, с.79−89.
  85. Skripov A.V., Stepanov A.P., Pan V.M., Shevchenko A.D., Michailov S G. Effect of neutron irradiation on MR properties of single-crystalline V^Si.- Phys. Stat. Sol. (a), 1980, v.102, N2, p.671−679.
  86. Vieland L.J., Wicklund A.W., White J.G. Structure and properties of Nh^SnH^. Phys. Rev. B, 1975, v.11, N9, p.3311−3316.
  87. В.Ф., Палурец JI.H. Сверхпроводимость соединений М63Х . {Х-^б, SrijGe), содержащих водород.- ДАН СССР, 1979, т.246, № 5, c. II82-II84.
  88. Huang S.Z., Skowskiewicz Т., Chu C.W., Smith J.L. Study of some hydrogenated vanadium-based A15 compounds.-Phys. Rev. B, 1980, v.22, H1, p.137−141.
  89. А.В. Ядерный магнитный резонанс в интерметаллических .соединениях ванадия со структурой AI5.- Диссертацияна соиск. уч. степ, кандидата физ.-матем. наук, УПИ, Свердловск, 1981.
  90. Matthias В.Т., Geballe Т.Н., Compton V. Bi Superconductivity.- Rev. Mod. Phys., 1963, v.35, N1, p.414−430.
  91. Avogadro A., Bonera G., Villa M. The Clark method of recording lineshapes.- J. Magn. Reson., v.35, Ю, p.387−407.
  92. А.П., Медведев E.IO., Верховский С. В. Регистрация сигнала спектра ядерного магнитного резонанса низкого разрешения.- ПТЭ, 1975, М, с.119−121.
  93. Е.Ю., Корюкин Н. В., Верховский С. В. Транзисторный магнитометр.- ПТЭ, 1975, № 5, с.149−150.
  94. М.Ю., Медведев Е. Ю. Микротермостат для датчика Холла.- ПТЭ, 1981, J63, с.238−239.
  95. Bloembergen N., Rowland T.J. Nuclear Magnetic Resonance in Metals and Compounds.- Acta Met., 1953, v.1, N6, p.731−746.
  96. А. Ядерный магнетизм.- M.: ИИЛ, 1963, 550 с.
  97. Jones W.H., Graham T.R., Barnes R.G. Nuclear Magnetic Resonance Line Shapes Resulting from the Combined Effects of Nuclear Quadrupole and Anisotropic Shift Interactions.-Phys. Rev., 1963, v.132, N5, p.1898−1909.
  98. Cohen M.M., Reif F. Sol. State Phys. ed. Seitz P., Turnbull D., New York: Academic Press, 1957, v.5, 371 p.
  99. ПО. Винтер Ж. Магнитный резонанс в металлах.- М.: Мир, 1976, 288 с.
  100. Clogston A.M., Jaccarino V., Yafet Y. Interaction of Knight shifts and susceptibilities of transition metals: platinum. Phys. Rev., 1964, v.134, N3A, p. A650-A66l.
  101. Kubo R., Obata Y. Note on the paramagnetic susceptibility and gyromagnetic ratio in metals.- J. Phys. Soc. Japan, 1956, v.11, N5, p.547−550.
  102. Boon M.H. The dependence of the anisotropic Knight shift on crystal symmetry.- Physica, 1964, v.30, N7, p.1326−1340.
  103. А., Блини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов. М.: Мхф, 1972, т.1, 651 с.
  104. Swartz J.С., Swartzendruber L.J., Bennett L.H., 57
  105. Watson R.E. Nuclear magnetic resonance of ^'Pe in paramagnetic alloys TiPe1 Co Phys. Rev., 1970, v. I, N1, p.146−1521.*"л л
  106. Redfield A, G. Nuclear Magnetic Resonance Saturation and Rotary Saturation in Solids.- Phys. Rev., 1955, v.98, N6, p.1787−1809.
  107. Ч. Основы теории магнитного резонанса. М.: Мир, 1981, 448 с.
  108. Narath A. Nuclear spin6lattice relaxation in hexagonal transition metals: titanum.- Phys. Rev., 1967, v.162, N2, p.320−332.119″ Obata Y. Nuclear magnetic relaxation in transition metals.- J. Phys. Soc. Japan, 1963, v.18, N7, p.1020−1024.
  109. Butterworth J. Spin echoes in solids.- Proc. Phys. Soc., 1965, v.86, N2, p.297−304.
  110. Ganguly B.N. Nuclear Spin Relaxation and Knight Shiftin Transition Metals.- Phys. Rev. B, 1973, v.8, N3, р. Ю55-Юб0.51
  111. J. ^ V Knight shift in the V^Si type of compounds in the normal state.- Phys. Rev., 1967, v.158. N3, p.655−657.
  112. Testardi L.R., Mattheis L.F. Electron lifetime effects on properties of A15 and bcc materials.- Phys. Rev., Lett. 1978, v.41, N23, p.1612−1615.
  113. Pickett W.E., Ho K.M., Cohen M.L. Electronic properties of Nb^Ge and NbyLL from self-consistent pseudopotentials.
  114. Band structure and density of states.- Phys, Rev. B, 1979, v.19, N4, p.1734−1750.
  115. Heine V. s-d Interaction in Transition Metals.-Phys. Rev., 1967, v.153, ИЗ, p.673−682.
  116. Watson R.E. Iron series Hartree-Fock calculations.1. Phys. Rev., 1960, v.119, N6, p.1934−1939.
  117. Watson R.E., Gossard A.C., Yafet Y. Role of conduction electrons in electric-field gradients of ordered metals.-Phys. Rev., 1965, v.140, N1A, p. A375-A388.
  118. Kaufmann E.N., Vilanden R, J, The electric field gradient in noncubic metals.- Rev. Mod. Phys., 1979, v.51, N1, p.161−214.
  119. Raghaven R.S., Kaufmann E.N., Raghaven P. Universal correlation of electronic and ionic field gradients in noncubic metals.- Phys. Rev. Lett., 1975, v.34, N20, p.1280−1283.
  120. Drain L.F. NMR in V-Co alloys.- Bull. AMPERE, 1960, v.9, p.425−427.
  121. Namura M., Fujiwara H., Fujiwara Y. Nuclear Magnetic Resonance of Iron-Rich Fe-V Alloys.- J. Phys. Soc. Japan, 1975, v.38, N1, p, 55−60.
  122. Schoep O.K., Poulis N.J. Nuclear spin-lattice relaxation in stochiometric and non-stochiometric A15 intermetal-lic compounds.- Physica, 1976, v.82, B+C, N2, p.227−238.
  123. P.E., Фримен А. Хартри-фоковская теория электрических и магнитных сверхтонких взаимодействий в атомах и магнитных соединениях.- В кн. «Сверхтонкие взаимодействия в твердых телах» М.: Мир, 1970, с.62−102.
  124. Clogston A.M. Strong Phonon Effect in High Temperature superconductors. Phys. Rev., 1964, v.36, N1A, p. A8-A10.
  125. B.C. Электронная структура и квадрупольные взаимодействия в соединении на основе кластерной модели.-ФТТ, 1981, т.23, вып.4, с.1257−1261.
  126. Э.З. Рентгеновская эмиссионная спектроскопия сплавов и соединений на основе переходных металлов. Диссертация на соиск. уч. степ, доктора физ.-матем. наук, ИФМ УНЦ АН СССР, Свердловск, 1978 г.
  127. Carter G.C., Bennett L.H., Kahan D.J. Metallic shifts in UMR. Prog. Mater. Science, 1970, v.20, part 1, 378 p.
  128. Г. Н., Штольц А. К., Гельд П. В., Прекул А. Ф., Криволуцкая Е. В. Структура и некоторые физические свойства сплавов I- Депонир. ВИНИТИ 20.05.1980, № 2010−80.
  129. Zegler S.T., Downey J.U. Ternary Cr^O-Type Phases with Vanadium.- Trans. Met. Soc. AIME, 1963, v.227, p.1407−1411.
  130. Bardos D.I., Beck P.A. Electron Phases in Certain Ternary Alloys of Transition Metals with Silicon. Trans. Met. Soc. AIME, 1966, v.236, p.64−69.
  131. Viswanathan R., Caton R., Pande C.S. Superconductivity Transition-Temperature Widths in Neutron-Irradiated Single-Crystal V^Si. Phys. Rev. Lett., 1978, v.41, N13, p.906-(910.
  132. Viswanathan R., Caton R., Pande C.S. Superconductivity in Irradiated A15 Compounds at Low Fluenses. I. Neutron-Irradiated V-jSi.- J. Low Temp. Phys., 1978, v.30, N¾, p.503−511.
  133. B.M., Прядеин В. И., Степанов А. П. ЯМР в соединениях ванадий-хром-кремний, имеющих структуру AI5.- ФММ, 1973, т.36, вып.5, с.987−993.
  134. Суриков В.И., .Прядеин В. И., Штольц.А.К., Степанов А. П., Гельд П. В., Прекул А. Ф., Загряжский В. Л. Физические свойства и. электронное строение тройных сплавов (Х-х Л ЗШ, 1972, т.33, вып.6, с.1222−1227.
  135. Ю.А. О влиянии дефектов кристаллической решетки на температуру сверхпроводящего перехода.- ФММ, 1972, т.33, вып.5, с.908−920.
  136. Wulffers L.A.G.M. The influence of the composition on the electronic properties of A15 compounds.- Thesis, Leiden, 1977, 117 p.
  137. A.B., Степанов А. П. Низкотемпературные особенности ядерного магнитного резонанса в фмм, 1983, т.55, вып.1, с.90−95.
  138. В.Н., Романов Е. П., Верховский С. В., Степанов А. П. Низкотемпературное структурное превращение в интерметаллических соединениях У^г и У^Н^- .- ФММ, 1979, т.48, вып.6, с.1249−1255.
  139. Pickett W.E. Generalization of the theory of the elec-tron-phonon interaction: Thermodynamic formulation of superconducting- and normal-state properties.- Phys. Rev. В., 1982, v.26, N3, p.1186−1207.
  140. С.В. Исследование особенностей электронного строения сплавов со структурой AI5 на основе ванадия и ниобия. -Диссертация на соиск. уч. степ, кандидата физ.-матем. наук, УПИ, Свердловск, 1975.
  141. Junod A. Electron and phonon properties of A15 superconductors obtained from heat capasity measurements in superconductivity in d- and f-band metals. Proc. of the IV Conference, Karlsruhe, 1982, p.88−96.1. T с л «
  142. Hechtfischer D. Temperaturabhangigkeit von Knightиschift und Susceptibilitat von Vanadium und Niobium. Zs. Physic, 1976, v.23 В, H3, p.255−264.
  143. Cort В., Stewart G.B., Huang S.Z., Meng R.L., Chu C.W. Specific Heat Studies of V^GaH^ Physica, 1981, v.108 B+C, N1−3, p.923−924.
  144. Vetrano J.В., Guthrie.G.L., Kissinger H.E. Superconductivity in hydrides with A15 structure. Phys. Lett., 1967, v.26A, N1, p.45−46.
  145. Drain L.E. The Broadening of Magnetic Resonance Lines due to Field Inhomogeneties on Powdered Samples. Proc. Phys. Soc. (Lond.), 1962, v.80, N518, p.1380−1382.
  146. Kasama S., Fukai Yu. Local Electronic Environment of Protons in VHx Alloys: Knight shift and T1 of Proton NMR.
  147. J. Phys. Soc. Japan, 1977, v.42, N1, p.119−127.
  148. .А., Романов Е. П., Степанов А. П., Галошина Э. В. ЯМР и магнитная восприимчивость У^бос с различной степенью дальнего порядка. Тез. докл. XIX Всесоюзн.сов. по физике низких темп. (HT-I9), Минск, 1976, с. 674.
  149. .А., Степанов А. П., Верховский С. В., Романов Е. П., Галошина Э. В. Ядерный магнитный резонанс и магнитная восприимчивость V$Gci с различной степенью дальнего порядка.-ФММ, 1878, т.45, вып.1, с.54−58.
  150. Stepanov А.Р., Skripov A.V., Aleksashin В.A. Spin-lattice relaxation in intermetallides V^Ga and V^Si.- Abstracts Ja-th Congress AMPERE, Tallin, 1978, p.438.
  151. .А., Степанов А. П., Медведев А. И., Галоши-на Э.В., Воробьева Г. Н. ЯМР в соединениях В сб. «Физико-химические методы анализа сверхпроводящих сплавов», М.: Наука, 1979, с.55−58.
  152. .А., Верховский С. В., Степанов А. П., Гало-шина Э.В. Ядерный магнитный резонанс в сплавах ty.- ФММ, 1981, т.51,вып.3, с.519−529.
  153. .А., Верховский С. В., Угодникова Л. А., Степанов А. П., Архипов В. Е., Гощицкий Б. Н. Ядерный магнитный резонанс в облученном нейтронами соединении . Влияние отжига.-ФММ, 1982, т.53, вып. З, с.497−504.
  154. К.Н., Верховский С. В., Алексашин Б. А. Гелиевый испарительный криостат для экспериментов по ядерному магнитному резонансу.- ПТЭ, 1983, № 1, с. 203.
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!