Π‘Π°ΠΊΠ°Π»Π°Π²Ρ€
Π”ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ курсовыС Π½Π° Π·Π°ΠΊΠ°Π·

ИсслСдованиС биполярного транзистора

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Iэ = 0,1 мА, R1=100 кОм, R2=50 кОм,. Iэ = 0,5 мА, R1=10 кОм, R2=50 кОм,. Iэ = 1 мА, R1=10 кОм, R2=50 кОм,. Iэ = 5 мА, R1=1 кОм, R2=10 кОм,. Iэ = 10 мА, R1=1 кОм, R2=1 кОм,. IΠΊ, мА PA2 — 2…20mА. Π’ΠΎΠΊ экстракции. R1=100 ΠΊOΠΌ, R2=50 кОм,. PA1 — 2 mA, PV1 — 2 B. R1=10 ΠΊOΠΌ, R2=50 кОм,. IΠΊ, мА PA2 — 20mА. IΠΊ, мА PA2 — 20mА. R1=1 ΠΊOΠΌ, R2=1 кОм,. Π’ΠΎΠΊ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ. R3= 0 Ом, R4=100 OΠΌ; R3=0 Ом, R4=100 OΠΌ; R3=0… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

ИсслСдованиС биполярного транзистора (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

ЦСль Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ — снятиС ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик биполярного транзистора Π‘Π’, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠžΠ‘ (рис. 1, Π°) ΠΈ Ρ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠžΠ­ (рис. 1, Π±). ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ характСристикам графоаналитичСским способом h-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ².

Π°) Π‘Π’ структуры p - n - p, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠžΠ‘ Π±) Π‘Π’ структуры p - n - p, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ОЭ.

Рис. 1 Π°) Π‘Π’ ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρ‹ p — n — p, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠžΠ‘ Π±) Π‘Π’ ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρ‹ p — n — p, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ОЭ

Π₯ΠžΠ” Π ΠΠ‘ΠžΠ’Π«.

1. На Π½Π°Π±ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅ стСнда ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ схСму для снятия Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик для Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π‘Π’ ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΅Π³ΠΎ с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠžΠ‘, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹, согласно Рис. 2.

Рис. 2.

Рис. 2.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 1.

Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСмСнтов схСмы R1Ρ‡R4 ΠΈ ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ².

PA1, PV1, PV2.

R1=100 кOм, R2=50 кОм,.

R3=0 Ом, R4=100 Oм;

PA1 — 2 mA,.

PV1 — 2 B,.

PV2 — 2 B.

R1=10 кOм, R2=50 кОм,.

R3=0 Ом, R4=100 Oм;

PA1 — 2 mA,.

PV1 — 2 B,.

PV2 — 20 B.

R1=1 кOм, R2=1 кОм,.

R3= 0 Ом, R4=100 Oм;

PA1 — 20 mA,.

PV1 — 2 B,.

PV2 — 20 B.

UΠΊΠ± = 0 Π’.

Iэ, мА.

0,01.

0,05.

0,1.

0,5.

1,0.

5,0.

10,0.

Uэб, Π’.

0,5.

0,54.

0,557.

0,598.

0,615.

0,654.

0,674.

UΠΊΠ± = 2 Π’ (Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ полярности).

Iэ, мА.

0,01.

0,05.

0,1.

0,5.

1,0.

5,0.

10,0.

Uэб, Π’.

0,497.

0,538.

0,556.

0,595.

0,615.

0,654.

0,668.

UΠΊΠ± = 10 Π’ (Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ полярности).

Iэ, мА.

0,01.

0,05.

0,1.

0,5.

1,0.

5,0.

10,0.

Uэб, Π’.

0,494.

0,534.

0,551.

0,59.

0,609.

0,617.

0,628.

ИсслСдованиС биполярного транзистора.

Рис. 3.

2. На Π½Π°Π±ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅ стСнда ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ схСму для снятия Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик для Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π‘Π’ ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΅Π³ΠΎ с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠžΠ‘, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹, согласно Рис. 3.

Рис. 4.

Рис. 4.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 2.

Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСмСнтов схСмы R3, R4 ΠΈ ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ².

PA2, PV1.

R3=0 Ом, R4=100 Oм.

ΠŸΡ€ΡΠΌΠ°Ρ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ (П2).

*.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Π°Ρ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ (П2).

Π’ΠΎΠΊ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ.

*.

Π’ΠΎΠΊ экстракции.

PA2 — 20 mА.

PV1 — 2 B.

PV1 — 2 B.

PV1 — 20 B.

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π» ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ для PA2 соотвСтствуСт ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρƒ для PA1.

Iэ = 0,1 мА, R1=100 кОм, R2=50 кОм,.

PA1 — 2 mA.

UΠΊΠ±, Π’.

0,77.

0,7.

0.608.

0,5.

0,3.

0,1.

— 1.

— 3.

— 5.

— 10.

— 14.

Iк, мА.

— 14.85.

— 1.96.

0.104.

0.105.

0.105.

0.104.

0.105.

0.105.

0.105.

0.105.

0.106.

Iэ = 0,5 мА, R1=10 кОм, R2=50 кОм,.

PA1 — 2 mA.

UΠΊΠ±, Π’.

0,77.

0,7.

0.655.

0,5.

0,3.

0,1.

— 1.

— 3.

— 5.

— 10.

— 14.

Iк, мА.

— 13.3.

.-1.29.

0.499.

0.503.

0.504.

0.505.

0.506.

0.506.

0.506.

0.506.

0.506.

Iэ = 1 мА, R1=10 кОм, R2=50 кОм,.

PA1 — 2 mA.

UΠΊΠ±, Π’.

0,77.

0,7.

0.676.

0,5.

0,3.

0,1.

— 1.

— 3.

— 5.

— 10.

— 14.

Iк, мА.

— 13.38.

— 1.13.

1.004.

1.008.

1.009.

1.01.

1.014.

1.016.

1.017.

1.017.

10.18.

Iэ = 5 мА, R1=1 кОм, R2=10 кОм,.

PA1 — 20 mA.

UΠΊΠ±, Π’.

0,77.

0,7.

0,729.

0,5.

0,3.

0,1.

— 1.

— 3.

— 5.

— 10.

— 14.

Iк, мА.

— 10.63.

2.67.

4.92.

4.93.

4.93.

4.94.

5.03.

5.1.

5.06.

4.98.

Iэ = 10 мА, R1=1 кОм, R2=1 кОм,.

PA1 — 20 mA.

UΠΊΠ±, Π’.

0,77.

0,7.

0.752.

0,5.

0,3.

0,1.

— 1.

— 3.

— 5.

— 10.

— 14.

Iк, мА.

— 6.38.

7.44.

10.03.

9.91.

9.91.

9.92.

9.93.

9.99.

.9.97.

9.93.

9.96.

ИсслСдованиС биполярного транзистора.

Рис. 5.

биполярный транзистор эмиттСр

3. На Π½Π°Π±ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅ стСнда ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ схСму для снятия Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик для Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π‘Π’ ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΅Π³ΠΎ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ОЭ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹, согласно Рис.

Рис. 6.

Рис. 6.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 3.

Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСмСнтов схСмы R1Ρ‡R4 ΠΈ ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² PA1, PV1, PV2.

R1=100 кOм, R2=50 кОм, R3=1 кОм, R4=100 Oм;

PA1 — 2 mA, PV1 — 2 B.

Uкэ = 0 Π’.

PV2 — 2 B.

Uбэ, ΠΌΠ’ (Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ полярности).

— 420.

— 450.

— 475.

— 500.

— 525.

— 550.

— 575.

— 600.

— 612.

Iб, мкА.

— 1.

— 4.

— 9.

— 21.

— 44.

— 86.

— 124.

Uкэ = 2 Π’ (Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ полярности).

PV2 — 20 B.

Uбэ, Π’ (Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ полярности).

— 450.

— 500.

— 550.

— 575.

— 600.

— 625.

— 650.

— 670.

Iб, мкА.

— 1.

— 2.

— 8.

— 25.

— 68.

— 122.

Uкэ = 10 Π’ (Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ полярности).

PV2 — 20 B.

Uбэ, Π’ (Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ полярности).

— 450.

— 500.

— 550.

— 600.

Iб, мкА.

— 3.

— 21.

ИсслСдованиС биполярного транзистора.

Рис. 7.

4. На Π½Π°Π±ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅ стСнда ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ схСму для снятия Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик для Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π‘Π’ ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΅Π³ΠΎ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ОЭ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹, согласно Рис. 5.

Рис. 8.

Рис. 8.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 4.

Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСмСнтов схСмы R1Ρ‡R4 ΠΈ ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² PA1, PA2, PV1.

R1= 47 кОм, R2= 50 кОм, R3= 1 кОм, R4= 100 Ом.

PV1 — 2 B.

PV1 — 20 B.

Iб=20 мкА.

PA1−2mA.

Uкэ, Π’ (Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ полярности).

— 0,1.

— 0,2.

— 0,3.

— 0,5.

— 0,75.

— 1,0.

— 2,0.

— 3,0.

— 5,0.

— 10,0.

— 14,0.

IΠΊ, мА PA2 — 2…20mА.

— 1,12.

— 2,88.

— 2,92.

— 2,95.

— 2,96.

— 3.

— 3,11.

— 3,2.

— 3,36.

— 3,75.

— 3,75.

Iб=50, мкА.

PA1−2mA.

Uкэ, Π’ (Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ полярности).

— 0,1.

— 0,2.

— 0,3.

— 0,5.

— 0,75.

— 1,0.

— 2,0.

— 3,0.

— 5,0.

— 10,0.

— 14,0.

IΠΊ, мА PA2 — 20mА.

0,96.

— 4,38.

— 6,79.

— 6,91.

— 7.

— 7,11.

— 7,23.

— 7,91.

— 8,38.

— 8,58.

— 9,75.

— 10,8.

Iб=80, мкА.

PA1−2mA.

Uкэ, Π’ (Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ полярности).

— 0,1.

— 0,2.

— 0,3.

— 0,5.

— 0,75.

— 1,0.

— 2,0.

— 3,0.

— 5,0.

— 10,0.

— 14,0.

IΠΊ, мА PA2 — 20mА.

— 6,6.

— 10,68.

— 10,96.

— 11,11.

— 11,26.

— 11,43.

— 11,86.

— 12,25.

— 13,16.

— 15,4.

— 17,5.

ИсслСдованиС биполярного транзистора.

Рис. 9.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ