Бакалавр
Дипломные и курсовые на заказ

Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx

Диссертация: Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Дальний Ж и субмиллиме тровый диапазоны являются сравнительно новыми и недостаточно освоенными диапазонами электромагнитных волн, которые в последние годы находят все более широкое применение в науке и технике. При освоении новых диапазонов длин волн для практического использования необходимы, с одной стороны, развитие технологии производства материалов, обладающих оптимальными для конкретного… Читать ещё >

Содержание

  • Глава I. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СПЛАВОВ ВИСМУТ-СУРЬМА
    • 1. 1. Кристаллическая структура и энергетический спектр сплавов висмут-сурьма
    • 1. 2. Законы дисперсии в висмуте и сплавах висмут-сурьма
    • 1. 3. Влияние внешних воздействий на энергетический спектр сплавов висмут-сурьма
    • 1. 4. Электрические и оптические свойства полупроводниковых сплавов Е>1ьх $Ь, г
    • 1. 5. Анализ литературных данных и постановка задачи исследований
  • Глава II. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ П-В[нх 5Ьх
    • 2. 1. Используемые образцы
    • 2. 2. Установки для исследования электрических и фотоэлектрических свойотв В1,~х $Ьх
    • 2. 3. Автоматизированная система для исследований спектрального распределения ФИ и ФМЭ
  • Глава III. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СПЛАВОВ П~Ь1,-х5Ьх
    • 3. 1. Элементы теории ФП и ФМЭ
    • 3. 2. Полевые зависимости ФП и ФМЭ при температурах 4,2+40°К
    • 3. 3. Спектральные зависимости ФП и ФМЭ
      • 3. 4. Примесные состояния в сплавах /
      • 3. 5. Анализ электрических свойств полупроводниковых сплавов П-Ыы $Ьх
    • V. ¦ Стр
  • Глава 17. РЕКОМБИНАЦИОНШЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СПЛАВОВ /7- ?ihX Sbx
    • 4. Х. Определение времен жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниковых сплавах Bi-Sb. юб v 4.2. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в полупроводниковых сплавах /7- ?i^x Sbx III
      • 4. 3. Фотоотклик в скрещенных электрическом и магнитном полях
  • Глава V. ПРИЕМНИКИ ДАЛЬНЕГО ИК ДИАПАЗОНА НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СПЛАВОВ n~?ihx Sbx
    • 5. 1. Характеристики приемников
    • 5. 2. Применение приемников из полупроводниковых сплавов ff- ЗЬл
  • ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Дальний Ж и субмиллиме тровый диапазоны являются сравнительно новыми и недостаточно освоенными диапазонами электромагнитных волн, которые в последние годы находят все более широкое применение в науке и технике. При освоении новых диапазонов длин волн для практического использования необходимы, с одной стороны, развитие технологии производства материалов, обладающих оптимальными для конкретного данного применения свойствами, а с другой стороны — глубокие и всесторонние исследования соответствующих физических явлений и процессов. Разработка устройств дальнего ИК и субмиллиме трового диапазонов длин волн вызвала интерес к исследованию физических свойств узкозонных материалов.

В настоящее время известен целый ряд узкозонных материалов. Например, большие успехи были достигнуты при исследовании и использовании узкозонных полупроводниковых соединений на основе халькогенидов ртути и свинца (Сс!, х Идх Те, РЬ,-х, Те обладающих тем свойством, что ширина запрещенной зоны этих материалов плавно меняется в зависимости от состава компонентов.

В 1959 году Джейн в своей работе [I] показал, что твердый раствор БЬХ в некотором интервале значений X является полупроводником. С этого момента к сплавам висмут-сурьма возник реальный практический интерес. Интерес этот, в частности, обусловлен возможностью создания на основе твердых растворов висмут-сурьма генераторов и широкополосных высокочувствительных приемников дальнего ИК и субмиллиметрового диапазонов длин волн, работающих на явлении собственной фотопроводимости.

В настоящее время полупроводниковые лазеры генерируют излучение в широком диапазоне длин волн от Д = 0,33 мкм (??/?5) •до 32 мкм (РЬоц 5е) [149]. Возможности продвинуться в область более длинных волн на основе использования указанных выше материалов, по-видимому, весьма незначительны, что объясняется тем, что в области больших длин волн в Р6^х .£е имеет место значительное поглощение излучения на оптических колебаниях решетки, что и препятствует получению генерации.

Не решен в дальнем ПК диапазоне окончательно и вопрос с приемными устройствами, так как существующие фотоприемники, работа которых связана с примесными состояниями, и приемники, работающие на тепловых эффектах, в силу тех или иных своих особенностей не могут полностью решить проблему приема излучения дальнего Ш диапазона длин волн (10+100 мкм). По этой причине необходимо исследование других полупроводниковых материалов.

Особый интерес, по-видимому, следует обратить на полупроводниковые сплавы. Известно, что при 0,07 < Х<0,22 эти сплавы являются полупроводниками с шириной запрещенной зоны от 0 до 25 мэВ, Таким образом, в случае обнаружения фотопроводимости в этом материале могут быть созданы широкополосные фо-топриемншеи дальнего ИК и субмиллиметрового диапазонов длин волн, а в случае реализации в лазерной генерации диапазон генерируемых длин волн будет больше 50+60 мкм.

В связи с этим исследования сплавов с целью создания указанных выше устройств должны включать в себя изучение как электрических, так и фотоэлектрических свойств, так как именно такие комплексные исследования позволяют изучить энергетическую структуру материала и рекомбинационные процессы в нем, и, как следствие, определить область возможного практического применения.

Учитывая изложенное выше, в задачи диссертационной работы входило:

— обнаружение и исследование полевых зависимостей ФП и ФКЭ в полупроводниковых сплавах $ЬХна длине волны Л = 10,6 мкм при различных температурах с целью определения диффузионных длин и времен жизни неравновесных носителей заряда;

— совместное исследование спектральных зависимостей ФП и ФЙЭ для изучения энергетической структуры этих материалов;

— исследование температурных зависимостей коэффициента Холла И Проводимости в /7- of. Si.г.

— исследование рекомбинационных свойств неравновесных носителей заряда в /7- Sbp

— создание высокочувствительного широкополосного приемника дальнего ИК диапазона длин волн на основе n~Bi-i~x

— исследование шумовых характеристик полупроводниковых спшвоъ п-BihK Sb%.

Спектральные исследования фотопроводимости и фотомагнитного эффекта проводились на автоматизированной системе для спектральных исследований, созданной на базе фурье-спектрометра и Весктап 720//? н и микро-ЭВМ «MERA -60м.Для обеспечения возможности исследований фотоэлектрических эффектов при гелиевой температуре фурье-спектрометр был модернизирован.

По результатам выполненной работы на защиту выносятся сле-дуицие научные положения:

1) Впервые в полупроводниковых сплавах h-Bihx 5^хобнаруже ны и проведены исследования ФП и ФНЭ на длине волны Л = 10,6 мкм в широком диапазоне температур, электрических и магнитных полей. Полученные результаты хорошо согласуются с современными теоретическими представлениями.

2) В полупроводниковых сплавах n-Bi,.x Sb% имеются глубокие примесные состояния донорного типа, положение которых изменяется в зависимости от содержания сурьмы. Концентрация этих примесей для различных образцов может достигать ~ 1016+1017 см" 3.

3) Показано, что доминирующим механизмом рекомбинации при температурах Т < 40°К является рекомбинация через центры типа Шокли-Рдца, роль которых выполняют обнаруженные глубокие донор-ные состояния.

4) Экспериментально показана возможность создания и изготовлен высокочувствительный широкополосный приемник дальнего ИК диапазона длин волн на основе Sbx ¦

5) Исследования шумовых характеристик полупроводниковых сплавов пBl,.x Sb* показали, что основным видом шумов при низких частотах в этих сплавах являются шумы типа 1 /j .

Изготовленные из Six приемники с успехом применялись в измерениях электрических параметров эпитаксиальных структур п-п* Go /?s путем исследований спектральных зависимостей отражения от структур в области плазменного резонанса.

Рассмотрена возможность работы приемников из Sbx в супергетеродинном режиме при накачке лазером соответствующей длины волны.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РА. БОТЫ

1. Впервые в полупроводниковых сплавах п-В}.^* обнаружены фотопроводимость и фотомагнитный эффект и проведены исследования этих эффектов в широком диапазоне температур, электрических и магнитных полей. Полученные результаты хорошо согласуются с современными теоретическими представлениями. Рассмотрены перспективы использования этих эффектов для решения рада научных и практических задач.

2. Показано, что в полупроводниковых сплавах п-Вк^* 5ЬХ имеется глубокий донорный уровень, расположенный вблизи валентной зоны* Положение этого уровня зависит от содержания сурьмы. Концентрация уровня для отдельных исследованных образцов может достигать Ю^-Ю17 см .

3. Измерены диффузионная длина и времена жизни неравновесных электронов и дырок при низких температурах. Исследованы рекомбинационные характеристики указанных сплавов. Показано, что доминирующим механизмом рекомбинации при температурах Т 40°К является рекомбинация через центре типа Шокли-Рида с участием обнаруженного глубокого донорного уровня.

4″ Предложен способ изучения глубоких примесных состояний с помощью совместных спектральных исследований ФП и ФМЭ.

5. Исследовано влияние деформации на спектральное распределение ФП и ФМЭ. Показано, что растяжение образцов в триго-нальной плоскости вызывает смещение глубокого донорного уровня в направлении валентной зоны.

6. Проведены теоретические и экспериментальные исследования фотоотклика в в скрещенных электрическом и магнитном полях. Показано, что такие исследования позволяют определять отношение времен жизни неравновесных электронов и дырок (Тп/Тр).

7. На основе полупроводникового сплава /7 — ВI нх создан высокочувствительный широкополосный приемник дальнего ЙК диапазона длин волн. Приемник использовался в спектральных иссдедоf ваниях плазменного отражения от эпитаксиальных структур /7-/7

6аЛ* .

8″ Исследованы шумовые характеристики полупроводниковых сплавов п~ В1,-х $ЬХ" Показано, что основным видом шумов при низких частотах в этих сплавах являются шумы теш У/У • Исследования токовых зависимостей шумов показали, что они имеют степенную зависимость, причем ^ меняется от 4 на частоте 10 Гц до 2 на частоте 10 кГц. На частотах выше 100 кГц токовая зависимость шумов зарегистрирована не была. Эти исследования позволяют выбрать оптимальный режим работы фотоприемников.

9. Рассмотрена возможность создания супергетеродинного и фотовольтаического приемников на основе п-В1(-х ВЬХ* Показано, что для получения потенциального барьера на П-В1Нх БЬх пер*5″ пективным является олово.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Join A. L. Tempe x a tul e Dependence о/ t he
  2. Ръоре ъ tie $ о/ Bismuth Ontlmony — PhtfS. fiev., 19S9, v. л/6, p. /51Р- -/sz 9.
  3. I.A. Физические свойства висмута. УФН, 1968, т.94, в.1, 0.3−41.
  4. A.A., Фальковский Л. А. Теория электронного энергетического спектра металлов с решеткой типа висмут, 131 $, 1962, т.43, в.3(9), C. I089-II0I.
  5. B.C. Свойства электронов в висмуте. УФН, 1977, т.123, в.2, с.257−287.5. бо&п 5. Bond Sttuciute о/ Bismuth: Рse и do-pot entiad йрръояс/?-PhtfS. fie v., v. 166, A/3,
  6. Fq?icovLM.} LLnP*f. Bond structure &nd FetmL Su. к/a ce of Untimony: Ps eadopotential Upptooch. Phy%, fev., /066, и л/2,p. 562−56?.
  7. Woiff PA. TVailU elements and Selection tu? s. fet- the tu^o- #a/rd snodet? cf? ismuth-J. Phtfs. С hem. Sofrds, J9M, v. 25, a/10, p MS?-?06?.
  8. Л .А., Разина Г. С. Электроны и дырки в висмуте. -ЖЭТФ, 1965, Т.49, в.1(7), с.265−274.
  9. Tichovoesky? у., TVavtoides / 6. TVapneto-хе flection studies о/ the #and stxuctute.
  10. Bismuth- Untimony So? St. Comm., 1. JQ69, и л/15, p. 927−931.
  11. Srntifi 6E? ata^i PwetZ Sfficiive q Расtot 0/ one/ Mpfes in Sismul/t. Phys. Rev., v. S35, л/¿-/A, p.
  12. Go ?in S. ?o/jaf 77? оЖ£ fot? iismuih ?nti то/7 у Qitysr Phys. Rev., p s3&-s32.
  13. B.C., Хайкин М. С. Исследование поверхности Ферми висмута методом циклотронного резонанса. ЖЭТФ, Х965, т.49, в.1(7), с.107−116,
  14. Qnictlfoe. 6. A Bono/ Situeiuve. ??/ Siff
  15. Phys. Leit., v. 2PA, а/2, p 60J-?><22.17. fain U. L.} Йог nig s. H.? ted tens and Mo/esin Bismuth. Phys. Pev., v. -/27, л/2,p.
  16. Н.Б., Долголенко Т. Ф., Ступоченко Н. И. Исследование эффекта де Гааза-ван-Альфе на у висмута при сверхнизких температурах. ЖЭТФ, 1963, т.45, в.5(11), C. I3I9-I335.
  17. Н.Б., Любутзша Л. Г. Исследование частотной модуляции квантовых осцилляций магнитной восприимчивости у висмута. -ЖЭТФ, 1964, т.47, B.5(II), C. I7II-I7I6.
  18. Н.Б., Мюллер Р., Пономарев Я. Г. Исследование закона дисперсии носителей в висмуте, легированном примесями акцепторного типа. ЖЭТФ, 1976, т.71, в.6(12), с.2258−2277.
  19. М.И., Брандт Н. Б., Вавилов B.C., Пономарев Я.Г.
  20. Исследование оптических, осцилляционных и гальваномагнитных эффектов у легированных полупроводниковых сплавов? i/~x ~ ЖЭТФ, 1977, т.73, в.2(8), с.721−731.
  21. Д.В., Глински М., Мунтяну Ф. М. Особенности магнитосоп-ротивления сплавов Bi^ Sb/ (0,1 < X < 0,25). ФТТ, 1977, т.19, в.5, с.1450−1452.
  22. КулаковскиЙ В.Д., Егоров В. Д. Исследование плазменного отражения в висмуте и сплавах висмут-сурьма. ФТТ, 1973, т.15, в.7, с.2053−2059.
  23. A.B., Королюк А. П., Белецкий В. И., Коткевнч В. И. Магнит оакустические резонансы в висмуте&bdquo- ЖЭТ£, 1976, т.71, в. К7), с.330−340.
  24. Н.Б., Разуменко М. В. К вопросу о влиянии примесей на энергетический спектр электронов у висмута. ЖЭТФ, i960, т.39, в.2(8), с.276−284.26. fevceiw* L. G. fieiutivLstic в and Sttvatvte.
  25. Cti?cu?atic>/? &LS/nui/r. y. Pbys.
  26. So&afs, Ргъдагно/? fites s, J96% к 2S, WJOt p. Jfffj- J902.
  27. L. ? ?anaf Situcture Gz&v&fti*/? ?-0t. 2tTliA &Х/оглUm- ^ fi/-ys. C/t*/7t. Se^iafs, Р-еъ^амм fite-ss, И 29, />.
  28. Btown P. M TVwceiafes, ??f. C. Wapneiots/Saz -«Li&f l/r ?Lswut/j-Phyi. fev-, К S29> A/f р. 2055−2Об
  29. Н.Б., Ястребова В .А., Пономарев Я .Г. Электронные фазовые переходы И.М.Лв?шща у висмута. ФТТ, 1974, т.16, B. I, с, 102−109.30. '??Ые.г. R. M Smaii- fLet? f 6а? van о mag г? е. ?L с- Te/?sot of Bismuth at v. 12 J, л/5, p. 1ЧИ- iVSO,
  30. Н.Б., Чудинов С. М., Караваев В. Г. Исследование бесщелевого состояния, индуцированного магнитным полем в сплавах висмут-сурьма. ЖЭТФ, 1976, т.70, в.6, с.2298−2317.
  31. Н.Б., Пономарев Я. Г. Электронные переходы в сплавах висмут-олово, висмут-свинец, висмут-сурьма и висмут-сурьма-свинец под действием давления. ЖЭТФ, 1968, т.55, в.4(10), с. I215−1237.
  32. Н.Б., Диттманн X., Пономарев Я .Г. Переходы металл-полупроводник в сплавах 5t/-y5fcx под действием давления. -ФТТ, 1971, т.13, в. Ю, с.2860−2872.
  33. Lethet ?S., Cuff K. R, Wtiica^s Z. к. ?негд?-Вайс/ Pazatnetezs q*c (Re ?ative ВаидГ-Ыде Tnoiions ¿-и Si-Sb Qf? o
  34. BzokSH 2). М., в1?1/егюаи S.^ ?factions, си Bi-Sb Uffoys-Phys. Re», /964, ia ?36, л/1 A, p. A Z 90-A299.
  35. В.Г., Заец Н. Ф., Кудряшов A.A., Ормонт А. Б. Зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниковых твердых растворах от концентрации сурьмы. ФТИ, 1976, т.10, в.12, с.2243−2247.
  36. Иьаок IV, DefyuKt Schneidet Меъъмопя P.
  37. The Semiconductor- Sen? imetoa TtansiiLan? n
  38. BiHX Sbx aeeocfs v*ith Xk0,22~ Pfy s. Stat. Sae./C/, V. ss, /VY, p. JOC- fjo.
  39. Oefyubt Меъътапп P. Cycfotton TTIasses in Semiconducting 3i,~x SSx Phys. Stat. Sotfel J9I6, V.75, л/J, p. /S9-/9&.
  40. H.Б., Свистова Е. А., Семенов M.B. Электронные перехода у оплавов висмут-сурьма с высокой концентрацией сурьмы в сильных магнитных полях. ЮТ, 1970, т.59, в.2(8), с.434−444.
  41. Wehtai /у. Die Magnetische Suszeptifi&tat von Bi und? i-Sb-Lepieti/npen. Pesics of Condensed TVotte^, л/2, p. ?i-S/3.
  42. Г. А., Судакова М. В., Пономарев Я. Г. Закон диспер-оии носителей в сплавах? l/-xх. ФТТ, 1980, т.22, в.12, с.3628−3634.
  43. Н.Б., Любутива Л. Г., Крюкова H.A. Исследование энергетического спектра электронов в сплавах Bi Sb . — ЖЭТФ, 1967, т.53, в. К7), е.134−141.
  44. Г. А., Судакова M .В., Пономарев Я. Г. Исследование зонной структуры полупроводниковых епдавов S6* . -ЖЭТФ, 1980, т.78, в.5, с.1830−1851.
  45. Oefyutt ?¦> Schneidet S., И г oak IV., //еъъюапп Р. The Semi conductor Seminretae Ttansition in? ihxSbA ???toys-Phi/s. SШ. Sof. feJ, /9?б, I/ fy1. A/1, p. KI5-HU.
  46. И one f. О. Bono! Stbuc? u*e. о/- УлЖит? Intimo-niofe. ?f. Phys. CAesr?. Soeiais, Sfr?, л/4,
  47. M.B. Оже рекомбинация дырок через глубокие доноры в Уп? Ь П -типа. ФТП, 1984, т.18, в. З, с.441−445.
  48. Н.Б., Щекочихина В. В. Исследование влияния примесей сурьш на эффект де Гааза-ван Альфе на у висмута. ЖЭДФ, 1961, т.41, в.5(11), с.1412−1420.
  49. Dte-sse?Mus № В., 777av*c?i?/e>$ S. Oese
  50. Н.Б., Ястребова В. А., Белоуеова O.H., Хессе Д., Пономарев Я.Г. Некоторые новые данные о структуре энергетического спектра
  51. В i и сплавов Bi /-я $bx, Полуметаллы и полупроводники с узкими запрещенными зонами. Материалы Ш Всесоюзного симпозиума, Львов, 1973, с.102−107.
  52. H.A., Редько H.A., Иванов Г. А. Кинетические явления в сплавах Bl0eg S60/i2 с малым содержанием дырок зоны. ФТТ, 1979, T.2I, в.9, с.2556−2562.
  53. Н.Б., Чан Тхи Нгок Бик, Пономарев Я.Г. Изменение анизотропии поверхности Ферми у полупроводникового сплава
  54. Н.Б., Чудинов С. М. Осцилляционные эффекты в полуметаллических сплавах Bihx $bx подавлением. ЖЮТ, Ï-970,т.59, в.5(1), с.1494−1508.
  55. Boyfe W.S., 5taits
  56. A/onney C. A, вяълеу. Р Co/?ti^uous line-tevcseaf Coherent Rac/Lafies?- Pcs/rrp&af Bl Q2 S bos? fee-it ?a- ffuu^z^potf ?e-vets-Pfys. fiev. Lett,, v.2s, p//e9-/d?5.
  57. БенеславскиЙ С. Д., Фальковский Л .А. Об инвертировании близких зон магнитным полем. ФТТ, 1974, т.16, в.5, с.1360−1368.60. /АХ/. The- Enevfy Вяло/ TffoufU Bismuth Re so tut ten Off u Dis--съероглеу.- Low Tesvp. Pfys., И 2S, 1. А/5/6, p.$ 2?-Mu.
  58. McCaute. / Cacu H. S*"*' Tffeaka UHtif Pt?>f etiles Seee-tt^rts Ln ois/rruth. -Sut St. к 21, A/M, p /0S5- -/U/S.
  59. E.H., Евсеев B.B., Иванов Г. A., Миронова Г. А., Пономарев Я. Г. Определение параметров закона дисперсии носителей у полупроводниковых сплавов? l^x Sbx И -типа. ФТТ, 1978, Т.20, в.7, с.1937−1946.
  60. Н.Б., Диттманн X., Пономарев Я. Г. Бесщелевое состояние, возникающее в полупроводниковых сплавах Bi/~/ Sbx под действием давления. ФТТ, 1973, т.15, в. З, с.824−835.
  61. В.А., Трифонов В. И. 0 точности измерений коэффициента поглощения сред. Всесоюзн. симп. по приборам, технике и распространению ОД и субММ волн в атмосфере. Тезисы докладов, M., 1976, с.163−16?.
  62. В.А., С тукан В.А., Трифонов В. И., Шевченко ВЛ. Измеритель мощности ИМ и сусШ диапазонов радиоволн на основе Уп Sb: a/l Sb. Всесоюзн. симп. по МИ и субММ волнам. Тезисы докладов, Харьков, 1978.
  63. Vctts/inc УR Te/rtpetaiute 2) e. per?a/e#c& ?he S-rtccyy Pap ?'/7 Se/7?icerrc/uztots Physica,
  64. V. В If, /1//, p. /?/9-jM.
  65. Vec-c/il M. P,. ???ag/?etia1.of- is? Louy-Qua*tc//n- ?7u/1.mit P/, yS. Rev 8, /9Щ V. 9, A/S, p. 3257−3265-.
  66. Vecc/jL M.P.t Dtessefhaus M.S. Tempetatc/te. Depen-0/enc.e. of? he. Вале/ PQta/Heiets of Bis/nat/i, — Phys. Rev B, v. jo, a/2, p.
  67. .Г. Исследование оптических и фотоэлектрических свойств узкозонных полупроводниковых твердых растворов вис-мут-сурьма. Кацд.днсс., ЙРЭ АН СССР, М., 1979.
  68. Н.Б., Пономарев Я. Г. К вопросу о влиянии давления на энергетический спектр электронов в сплавах висмут-сурьма. -ЖЭТФ, 1966, т.50, в.2, е.367−371.
  69. Н.Б., Диттманн X., Пономарев Я. Г., Чудинов С.М. Переход полупроводник-«квазиметалл—полупроводник в сплавах
  70. Bi~x под действием давления. Письма в ЖЭТФ, 1970,1. T. IX, в.5, с.250−253.
  71. Н.Б., Свиотова Е. А., Вале ев Р.Г. Исследование перехода полупроводник-металл в магнитном поле у системы висмут-сурьма. ЖЭТФ, 1968, т.55, в.2(8), е.469−485.
  72. Н.Б., Свистова Е. А. Электронные переходы в сильных магнитных полях. УФН, 1970, т.101, в.2, с.249−272.
  73. Н.Б., Свистова Е. А., Каширский Ю. Г. Взаимодействие зон и переход из металлического в полупроводниковое состояние в магнитном поле. Письма в ЖЭТФ, 1969, т.9, в.4, с.232−236.
  74. ShocAeey Mt Peac/Vl/T Statistics of the. Re-c0/r?a?/7atie?/r$ of /-/o?es Оме/ Phys. Rev., -/962, V. St, A/5, p. &S5-S42.
  75. М.Я., Брандт Н. Б. Превращение металла в диэлектрик и особенности электронных характеристик металлов в сильных магнитных нолях. ЮН, 1965, т.48, в.4, с.1206−1209.
  76. Ю.П. К изучению электрофизических параметров ж зонной структуры полупроводниковых растворов. ФТП, 1975, т.9, в. II, с.2049−2053.
  77. B.C., Маслов Ю. П., Рымкевич П. П., Маслов П. Г., Пере-вознаков Е.Н. Температурная зависимость важнейших параметров зонной структуры Si, Sb и их сплавов. Полуметаллы и сегнетоэлектрики. Сборник научн. трудов ЛГПИ им. Герцена, Л., 1976, с.101−107.
  78. T/Iartin В. Leir? e*-… Вапс/-?а%е Со? auctions fez. &?smuih one/ Bismuth- ?/ntisnoni/ (2??0?/S-Pfys. Re-V В, V 6, A/2, p. 3032−30M.
  79. Н.Б., Кульбачивский В .А., Минина Н. Я. Влияние растяжения на поверхность Ферми у висмута. Письма в ЖЭТФ, 1977, т.26, в. З, с.173−176.
  80. БенеславскиЙ С.Д., Брандт Н. Б., Голямина Е. М., Чудинов С. М., Яковлев Г Д. Магнитное вымораживание в полупроводниковых сплавах Bi~. Письма в ЖЭТФ, 1974, т.19, в.5, с.256−260.
  81. Н.Б., Яковлев Г. Д. Магнитное вымораживание в полупроводниковом сплаве Bi 0,905 ^^, 095 при сверхнизких температурах. ФНТ, 1977, т. З, в.7, с.864−868.
  82. Бонч-Бруевич В. Л. Сб. „Физика твердого тела“, ВИНИТИ, 1955, с. 129.
  83. Du (ju? М. Pzoptie. t?$ ?/&s so-?atiorts ?p?l?/e-S #?s/7?uu/?- anIL/noi/te. P/?ys. Stat. ?965, v. SJ, VJ, p ??/9-J5&.
  84. H.A., Полынин В. Й., Иванов Г .А. Механизм рассеяния электронов в сплавах? ihX Sbx (0 < X ^ 0,16) при низких температурах.- ФТТ, 1984, т.26, в. I, с.10−13.
  85. Е.В., Владимиров В .В., Горшков В. Н. Комбинированный пробой в полупроводниковых сплавах висмут-сурьма. ЖЭТФ, 1983, т.84, в.4, с.1468−1473.
  86. Ldnni*у. CutfKE Hoi sfecibo* W the. Band Situate. ^?i^Sfo The. Phys. o/- SetrrLfrre-ia^s а/к/ Ttaiteisgap Sesntaonc/., Pt
  87. Н.Б., Свистов E.A., Свистова E.A., Яковлев Г. Д. Межзонный пробой и пинч-эффект в сплавах висмут-сурьма. ЖЭТФ, 1971, т.61, в.3(9), с.1078−1086.
  88. Н.Б., Богданов Е. В., Мананков В. М., Яковлев Г. Д. Измерение скорости ударной ионизации в полупроводниковых сплавах висмут-сурьма. ФТТ, 1981, т.15, в.4, с.813−815.
  89. В.И. Исследование несовершенств 1фисталлической структуры сплавов висмут-сурьма рентгенографическим методом. -Автореф.кавд.диссерт., ЛПШ им. Герцена, Л., 1971.
  90. А.Г., Казарян Р. К., Хачатрян A.M. Полупроводниковый лазер на основе Bi /-/ $Ьх. Квантовая электроника, 1984, T. II, в. З, с.492−496.
  91. A.A., Алексеева В .Г., Заец 6.Ф., Лившиц Т. М., Ор-монт А.Б., Чиркова Е. Г. Оптические свойства сплавов висмут-сурьма. Письма в ЖЭТФ, 1973, т.17, в.6, с.292−295.
  92. Т.М., Ормонт А. Б., Чиркова Е. Г., Шульман А. Я. Оптическое пропускание полупроводникового твердого раствораihX Sbx . ЖЭТФ, 1977, т.72, в. З, C. II30-II39.
  93. В.Г., Лифшиц Т. М., Чиркова Е. Г., Шульман А.Я.
  94. Si /-x Sbx новый полупроводниковый материал. — РиЭ, 1978, т. ХХШ, в.9, с.1926−1938.
  95. Т.М., Ормонт А. Б., Чиркова Е. Г., Шульман А. Я. Оптические свойства Si h-x Sbx . Препринт № 4(227) ИРЭ АН СССР, M., 1977.
  96. Н.Б., Германн Р., КульбачинскиЙ В.А., Лавренюк М. Ю., Минина Н. Я., Шнайдер г. Исследование валентной зоны у и сплавов BihX $bx при деформациях типа одноосного растяжения. ФТТ, 1982, т.24, в.7, с.1966−1972.
  97. Н.Б., КульбачинскиЙ Б.А., Минина Н. Я., Широких В. Д. Изменение зонной структуры и электронные фазовые переходыу Si и сплавов ВL /- х Sbx при деформациях типа одноосного растяжения. ЖЭТФ, 1980, т.78, в. З, C. III4-II3I.
  98. Т. Оптические свойства полупроводников. М., ИЛ, 1961, 304 с. (стр.53).
  99. Ю.Г., Поншсаров Б. Б., Цидильковский И. М., Шелушинина H .Г. Об аномалии температурной зависимости коэффициента Холла в НдСс/Те. ФШ, 1979, т.13, в. Ю, с.1932−1940.
  100. А.Н., Олейников, А .Я., Панкрац Е. В., Смирнов А. Я., Стрельников В. Н., Фурщик А. Б. Автоматизация измерений на фурье-спектрометрах длинноволнового инфракрасного диапазона.-Автометрия, 1978, в.2, с.75−83.
  101. В.А., Олейников А. Я., Смирнов А. Я., Стукан В. А., Трифонов В. И. Спектральные характеристики приемников дальнего ИК диапазона на основе узкозонного полупроводникаff-Ô-Lf-x Sbx . ФТП, 1980, т.14, в.9, с. 1716−1719.
  102. A.M., йценко Е.Л. Система для обучения и решения задач в режиме диалога с вычислительной системой. Кибернетика, 1973, в. З, с.134−145.
  103. Диалоговые системы моделирования. Под ред. Пирогова В. В., Риtга, „Зинатне“, 1977, 176 с.
  104. Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М., „Сов.ра-диои, 1974.
  105. Ю.Й. Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение. „Сов.радао“, М., 1967, 96 с.
  106. .И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М., 1979, 416 с.
  107. П.С. Физика полупроводников. М., 1969, 592 с.
  108. В.М. Генерационно-рекомбинационные процессы и пин-чевание электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых сплавах висмут-сурьма. Кацд.дисс., М., МГУ, 1982, 129 с.
  109. .М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Л., 1970, 304 с.но. Ictwac/iki W., Cewatciyk R., Ko? oafziejc?ak^ The Geneее/ fe-2)1 ta/r %tegtaf $. -Phys. Stat. So?, -f965, v. JO, а/2, p. 5-fS- 54*.
  110. И inch M. A. f Вгои n.^., Simmons A, fie.c.??mei nailon mecho ni s/77s in S-M-j* Яр MTe
  111. Phys., /97а J v.M. p. J61/9- 466 $.
  112. Дк. Статистика электронов в полупроводниках. М., 1964, 392 с.
  113. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., 1963, 496 с.
  114. С. Полупроводники. М., 1982, 560 с.
  115. Отчет ЙРЭ АН СССР Jfc 149/217−2-75, шифр „Вес-ИРЭ“. Исследование возможностей создания измерительных генераторов миллиметрового и субмшшшетрового диапазона радиоволн. М., 1976, 72 с.
  116. L о VC“ F. ?f. Low-Tentpevatuve беъ/палшт oo^o/v-eits. -fi Upi. Soc. urrte’c., 4961, к 5d, л/jj, p. ?ЗОО-^ЗО//.
  117. Ш. М. К теории фотопроводимости, основанной на изменении подвижности носителей тока. ФТТ, 1962, т.4, в.7, с.1891−1896.
  118. Гельмонт Б Д., Дьяконов M.II. Примесные состояния в полупро-л воднике с нулевой запрещенной зоной. ЖЭТ1, 1972, т.62,в.2, с.7X3−724.
  119. Отчет ЙРЭ АН СССР & IIQ/179−10−71 том I, Шв$р „Линия-АН“, Приемные устройства субмшшиме трового диапазона для целей связи и исследования распространения радиоволн в атмосфере. M., 1971, 97 с.
  120. В.А., Трифонов В, И. Глубокий донорный уровень в fl-?Lhx $bx. ФТП, 1985, T. I9, в. З, с.407−411.
  121. И.Д., Выставкин А. Н., Мартяхин В. А., Олейников А. Я., Смирнов А. Я., Трифонов В. Й. Исследование фотомагнитного эффекта в ff-Oif-x Sbx с помощью автоматизированной системы для спектральных исследований. РиЭ, 1986, т. XXXI, в.1, с.216−218.
  122. .В., Мартяхин В .А., Трифонов В. И. Измерение ширины запрещенной зоны в полупроводниковых сплавах п- Ol h х $bx.
  123. Бонч-Бруевич В.Л., Гуляев Ю. В. К теории ударной рекомбинации в полупроводниках. ФТТ, i960, т.2, в. З, с.465−473.
  124. Бонч-Бруевич В.Л. К теории оптических переходов в полупроводниках. -ФТТ, 1962, т.4, в Л, с .298−299.
  125. A.B. Примесная рекомбинация в узкозонном полупроводнике с возбуждением локальных фононов. ФТП, 1983, т.17, в.12, с.2222−2224.
  126. П.И., Клочков В. П., Потнкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Справочник, Киев, 1975, 704 с. j 130. Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. М., 1976, 432 с.
  127. Е.В., Брандт Н. Б., Мананков В. М., Флейшман Л. С., Резонансная ударная ионизация у полупроводниковых сплавовi/-/ Sbx в магнитном поле. Письма в ЖЭТФ, 1982, т.35, в.2, с.75−77.
  128. Е.В., Брандт Н. Б., Мананков В. М., Флейшман Л.С.
  129. Рекомбинация носителей заряда в полупроводниковых сплавах? Lhx Sbx. ФТП, 1984, T. I8, в.7, с.1263−1268.
  130. Н.Б., Богданов Е. В., Мананков В. М., Яковлев Г. Д. Рекомбинация горячих носителей тока в полупроводниковых сплавах висмут-сурьма. ФТП, 1981, т.15, в.4, с.810−813.v 134. Акимов Б. А., Брандт Н. Б., Свистова S.A., Свистов Е. А.,
  131. Г. Д. Высокочастотная проводимость полупроводниковых сплавов? L-Sb в условиях межзонного пробоя. ФТП, 1973, т.7, в.7, с.1342−1346.
  132. J. Патли Е. Фотопроводимость в далекой инфракрасной области. Сб."Длинноволновая инфракрасная спектроскопия», Мир, М., 1966, с.177−254.
  133. П., Макглоулин Л., Иакквистон Р. Основы инфракрасной техники. Воен. изд-во МО, М., 1964, 464 с.
  134. А.В., Саяьков Е. А., Сизов Ф. Ф. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники. Киев, 1984, 256 с.
  135. А.Н., Годик Э. Э., Губанков В. Н., Коган Ш. М., Лиф-шиц Т.М., Надь Ф. Я., Франце с с он А. В. Высокочувствительные приемники электромагнитных излучений. Проблемы современной радиотехники и электроники. М." 1980, с .359−412.
  136. Г. Н. Тепло- и массообмен в радиоэлектронной аппаратуре. М., 1984, 248 с. (стр.31).
  137. В.Н., Межов-Деглин Л .П. Исследование кинетических коэффициентов висмута при гелиевых температурах. ЖЭТФ, 1973, т.65, в.2, с.720−734.141. Get^S TS., Ho? ste СЛ. Heat
  138. Capacities floin { to 300К oj Zh, Cc/t Bi and Y.-Phys. Re{969, Ш, a/3,p6?9 6<$>s.
  139. А.Г., Коган Ш. М., Лившиц T.M., Олейников А. Я. Электропроводность сурьмянистого индия И -типа при низких температурах. ФТТ, 1964, т.6, в.6, с.1657−1663.
  140. . G.K. Т^гтав expansion о/ efemenis ai? ovr 7ktoipetatt4? e$:J?s,$b ctnd Bi.-g. Phf/s. С: Soft с/ Siate Ph
  141. Маделунг 0. Физика полупроводниковых соединений элементов Ш и У групп. М., 1967, 480 с.
  142. В.А. Рекомбинационные свойства полупроводниковых сплавов Bii-ytSb* . ФТП. В печати.
  143. Thomas PL Rocftig, ?/awes RMouck. /thefca^-l Coop? ес/во^омeiet system jot one tnitftmeUt
  144. Cobiinuuvn oisezvaiton .-?of frfta*"/*"* IllitftmdeA. Waves, у/, Ч, А/Л, р.2.9Э-ЗОЭ.
  145. W.A/L??KWt U/a?po?& Cafowa //?, Ноьтая T. С. fHe ta /- Se/77? c??/7?/?/? contacts P4/-x Т. е.-The Pht/s. of se/nl/veiaes an?/ Senrccenaf.
  146. Pi oc. %t. &nf да?? as, Texas, p/?s~S9?.
  147. A.H., Мигулин В. В. Приемники миллиметровых и субмиллиметровых волн. РиЭ, 1967, т.12, в. II, с.1989−2005.
  148. П.Г. Исследование инжекционных квантовых генераторов. Труды ФИАН, т.52 «Квантовая электроника», M., 1970, с .3−117.
  149. Hoan P. T., Gieson^W, Paeik? D.
  150. Pe.fAfiance stu?/?es cf 3u? P and Spitaxiaef??/r? fj-type. P? ys, Vit, и//,
  151. Pet/cou/iii S., Thot fanaiP. H. 6e~ne*?r??ze-?/ Dieeec? n?n?., /975, К, А р. /U93-JU96.
  152. PetA-ou/iez S.} Steele*- fi Chataceetizatlon of Sa /s ey Раг C/nftate.// Pef^ecILyiiy.- Jnft. Pht/s., /??3, V./3, sVI, p. 324−326.
  153. Gout, MH.S. Lun^??uai?na? Phonon-Poasnwn Cuuptfin^ In 6a/??'Phc/sLca, 1. И 6?/, УЗ, p 6/3 620.
  154. Poee*ci fi. ¿-onp¿-¿-и¿-/¿-na/¿-?pt¿-catf Phonon-Peasmo" Caup? ir?f ?n CSS-fi Opp?. fihys., ?96?, V./9, A/d, p 5d.
  155. Ван-дер-Зил А. Фдуктуационные явления в полупроводниках. -ИЛ, M., 1961, 232 с.
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!