Бакалавр
Дипломные и курсовые на заказ

Процессы синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниках для нелинейной оптики ИК-диапазона

Диссертация: Процессы синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниках для нелинейной оптики ИК-диапазона
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В это же время в нашей стране профессором Ленинградского физико-технического института им. А. Ф. Иоффе АН СССР H.A. Горюновой были сформулированы главные правила, лежапдие в основе создания сложных алма-зоподобных материалов и предсказано наличие полупроводниковых свойств у тройных соединений со структурой халькопирита. Получение первых монокристаллов типа AAB’ACl и исследование их свойств также… Читать ещё >

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ
  • 1. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СОСТОЯНИЯ БИНАРНЫХ И ТРОЙНЫХ СИСТЕМ
  • 1. Л. Используемые расчётные методики
    • 1. 1. 1. Метод Тёмкина-Шварцмана
    • 1. 1. 2. Метод расчётаАОт реакции поАОт индивидуальных веществ
    • 1. 1. 3. Метод квазихимических реакций
      • 1. 1. 3. 1. Метод Брауэра
      • 1. 1. 3. 2. Метод «замороженных реакций» 32 1.2. Исходные данные
      • 1. 2. 1. Эмпирические и полуэмпирические методы оценки
      • 1. 2. 1. 1. Значения энтропии и теплоты плавления
      • 1. 2. 1. 2. Молярная теплоёмкость соединений
      • 1. 2. 1. 3. Стандартная энтропия
      • 1. 2. 1. 4. Стандартная энтальпия
      • 1. 2. 1. 5. Анализ степени достоверности результатов оценки
      • 1. 2. 2. Определение термодинамических параметров некоторых тройных полупроводников АЛВЛСЛ2 путём анализа состава газовой фазы при термообработке кристаллов
      • 1. 2. 2. 1. Экспериментальная часть
      • 1. 2. 2. 1. 1. Приготовление образцов
      • 1. 2. 2. 1. 2. Измерения потери массы
      • 1. 2. 2. 2. Расчетные модели
      • 1. 2. 2. 3. Расчётные уравнения
      • 1. 2. 2. 4. Полученные результаты и их обсуждение
      • 1. 2. 3. Анализ исходных данных методами математической статистики
      • 1. 2. 3. 1. Расчёт ошибок исходных данных 5 О
      • 1. 2. 3. 2. Проверка гипотезы об однородности результатов измерений. Оценка резко выделяющихся измерений
      • 1. 2. 3. 3. Проверка пригодности исходных данных
      • 1. 2. 4. Таблицы значений использовавшихся в расчётах исходных термодинамических параметров элементарных, бинарных и тройных компонентов систем АА-ВА-СА
      • 1. 2. 4. 1. Тройные соединения ААВА’Сг

      1.2.4.2 Таблица значений исходных термодинамических параметров компонентов систем АА-ВА-СА, использовавшихся в расчётах 60 1.2.4.3. Исходные термодинамические параметры компонентов систем ?-ВА-СА АА-ВА-СА, АА-ВА-СА АА-ВА-СА АА-ВА-СА, использовавшиеся в расчётах 62 1.3. Выводы по главе 1

      2. ТЕРМОДИНАМИКА РАСПЛАВНЫХ СПОСОБОВ СИНТЕЗА СЛОЖНЫХ СОЕДИНЕНИЙ ТИПА ААВАСА, ААВАСАА. Л’ВА^, ААВАСАА, 4вАСА. з, ААзВ’АСА

      2.1. Предварительные замечания. Обзор литературных данных

      2.2. Формирование гипотетических моделей процессов синтеза исследуемых соединений, А Ж С |

      2.3. Диаграммы относительной устойчивости двойных и тройных соединений в исследуемых системах. Расчёт температурных зависимостей изобарно-изотермических потенциалов реакций образования соединений 75 2.3.1 Расчёт для первой модели синтеза

      2.3.2. Расчёт для второй модели синтеза

      2.4. Расчёт степени равновесного превращения для различных моделей синтеза

      2.5. Термодинамический анализ возможности синтеза некоторых тройных соединений ЛАБАС1 методом СВС

      2.5.1. Обоснование и постановка задачи, решаемой в параграфе 2.

      2.5.2. Методика расчёта

      2.5.2.1. Расчётная модель

      2.5.2.2. Расчётное уравнение

      2.5.3. Исходные данные

      2.5.4. Результаты расчёта

Процессы синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниках для нелинейной оптики ИК-диапазона (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Объектами исследования данной работы являются тройные полупроводники типаЛАВ''с1 (? — Си, 2п, 5Л — 8п, Ое, 81, — Аз, Р), ААВАСА — АА ВА — Оа,.

— 8е, 8), АзВАс! А — Т1, ВА — Аз, — 8е), ААВзСА (Аа — Щ, ВА — Оа, — 8) ААСАз (Аа — Т1, 5Л — РЬ, — а, ВГ), А1ВАСЗ (Аа — Лg, ВА — 8Ь, Аз, — 8), относящиеся к анизотропным и нецентросимметричным кристаллам с высокой нелинейной восприимчивостью. Особенностью данных полупроводников, объединяющей их в отдельную группу, является возможность их использования как эффективных нелинейно-оптических материалов и, следовательно, возможность щирокого применения в качестве компонентов лазерных систем для получения перестраиваемых по частоте источников когерентного излучения ИК-диапазона.

Выбор объектов исследования был обусловлен следующими причинами. Результаты развития оптической электроники последних десятилетий со всей очевидностью показали, что её дальнейшие достижения и перспективы в значительной степени определяются успехами в области полупроводникового материаловедения и, в частности, в области создания новых полупроводниковых материалов, позволяющих как улучшать параметры уже имеюпщхся приборов, так и создавать устройства с принципиально новыми функциональными возможностями. Вполне естественно, что поиск новых полупроводниковых материалов идёт по пути усложнения химического состава кристаллов, что приводит к усложнению их зонной структуры и, как следствие, к появлению новых физических свойств, соответствующих требованиям современной твердотельной электроники [ 1 -5 ].

Существование новой группы тройных соединений со структурой халькопирита и общей формулой лллллс! предсказанное ранее [6], в 1957 году экспериментально подтвердил Ч. Гудмен [7]. Оптические исследования, выполненные на полученных им образцах, позволили отнести их к классу полупроводников и определить ширину запреш-ённой зоны некоторых соединений.

В это же время в нашей стране профессором Ленинградского физико-технического института им. А. Ф. Иоффе АН СССР H.A. Горюновой [8, 9] были сформулированы главные правила, лежапдие в основе создания сложных алма-зоподобных материалов и предсказано наличие полупроводниковых свойств у тройных соединений со структурой халькопирита. Получение первых монокристаллов типа AAB’ACl и исследование их свойств также было выполнено во ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР [10]. Данные, полученные в результате именно этих исследований, вызвали большой интерес к тройным полупроводникам типа ААВАСА2- В Сибирском физико-техническом институте начало работ по данной тематике было положено статьёй В. А. Чалдышева и В. А. Покровского «Свойства симметрии энергетических зон кристаллов со структурой халькопирита», опубликованной в 1960 году [11]. Весьма скоро было установлено [2, 5, 12, 13], что новые материалы являются либо конкурентоспособными, либо не имеющими конкурентов во многих областях твердотельной электроники, так как для большинства кристаллов ААВАСА, как и для остальных тройных кристаллов АщВАпСк, явившихся объектом исследования данной работы, характерны уникальные физические свойства, к числу которых относятся, например, сильная анизотропия оптических и фотоэлектрических свойств, высокая нелинейная восприимчивость и двулучепреломление. Это делает данные кристаллы привлекательными с точки зрения использования их в качестве элементов оптико-электронных устройств различного назначения, используемых в настоящее время во многих областях науки и техники и имеющих всё более расширяющийся рынок потребления [14]. Применение материалов, являющихся объектом исследования настоящей работы, возможно как в военных (приборы наведения и контроля ракет, оптическая локация и обработка сигналов, и т-д.). так и в гражданских областях (оптическая диагностика, связь, мониторинг состава атмосферы, разделение изотопов, медицинские приложения и т. д.).

Одной из самых важных областей применения кристаллов, принадлежа-ш (их к данной группе, является нелинейная оптика. Созданные с использованием нелинейно-оптических элементов на основе данных кристаллов источники когерентного излучения ИК-диапазона надёжны, просты в обслуживании, технологичны, обеспечивают прецизионное варьирование спектральных и энергетических параметров выходного излучения. К настоящему времени на основе монокристаллов 2пОеР2 реализованы генераторы второй гармоники СО2-лазеров с эффективностью преобразования до 83,5% [15] и параметрические генераторы света с эффективностью до 68% [16].

Область возможных применений исследуемых тройных соединений постоянно расширяется [15−29] (работы автора, содержащие исследование прикладных возможностей некоторых сложных кристаллов, отражены в публикациях [30−43]). Это определяет всё возрастающий интерес к экспериментальным 44−57] и теоретическим [58−66] исследованиям свойств и технологических особенностей рассматриваемых кристаллов и возрастающее число публикаций по данной тематике.

Очевидно, что возможности практического использования конкретного полупроводникового материала определяются, в значительной степени, надёжностью и экономичностью технологии данного материала, и только в совокупности физические характеристики материала и технологические основы получения монокристаллов с заранее заданными и воспроизводимыми параметрами могут служить базой для принятия решения о его применении и о развёртывании работ в данном направлении. Поэтому с момента первого синтеза и до настоящего времени ведётся непрерывный поиск возможностей совершенствования качества кристаллов путём оптимизации технологии их получения. Ведутся работы по модификации и совершенствованию традиционных технологий выращивания [67−75] и одновременно разрабатываются новые подходы [76−79]. Так, например, авторы работ [76−79] впервые осуществили низкотемпературную кристаллизацию и низкотемпературный синтез соединений ААЙАС] методом твердофазных реакций. Полученные результаты указывают на повышение совершенства кристаллов АлВлСлз, полученных с использованием данной методики, по сравнению с кристаллами, выращенными традиционными «расплавными» методами. Сделаны выводы о перспективности низкотемпературной технологии для улучшения оптического качества материала.

Таким образом, уникальные прикладные возможности полупроводниковых нелинейно-оптических кристаллов, являющихся объектами исследования настоящей работы, обусловили интенсивные физические и химико-технологические исследования данных соединений, проводящиеся в настоящее время в таких ведущих научных центрах мира [80], как ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Физический институт им. П. Н. Лебедева и ИОФ РАН (Россия), Air Force Research Laboratory, Stanford University (США), Defence Evaluation and Research Agency (Великобритания) — Institute of Theoretical Physics, Hahn-Meitner-Institat (Германия), Japan Defence Agency (Япония) и многих других.

Тем не менее вопросы повышения воспроизводимости и удешевления технологии получения полупроводниковых монокристаллов требуемого качества пока нельзя считать решёнными [69, 76]. Отсутствие единого мнения по данным вопросам можно проиллюстрировать на примере одной из проблемпричины появления полосы оптического поглощения в диапазоне прозрачности дифосфида цинка-германия — одного из наиболее исследованных полупроводников AAB" C2 • По результатам исследования ЭПР [46, 81, 86, 88, 91], фото-индуцированного ЭПР [87], поглощения [82, 85], фотолюминесценции [44, 45, 48, 83, 89, 93], катодои рентгенолюминесценции [77, 84], ЭЯДР [88], теплового расширения [47, 94], проводимости и эффекта Холла [95], рентгеновского дифракционного анализа [47, 94] разными авторами сделаны выводы о том.

ЧТО причина нежелательного поглощения — атомы фосфора Р в узлах катион-ной подрешётки [81, 90], вакансии ¥-р [44, 48, 82, 83, Щ, Уг&bdquo-, (Уое), [83], комплексы на основе Рхп, 2пое, Сер, [84], переходы между уровнями Рг" и Ргл, Сер, 2пое [85], Овг"'А [91], Угп [86, 92], Ур*, УрА [87], донорно-акцепторная рекомбинация Угп и УрА [88, 89], перезарядка Угп, дефекты, связанные с разупо-рядочением в катионной подрешётке [93], — кластеры, дефекты разупорядо-чения [47, 94]. То есть спектр мнений и выводов, касающихся только одной проблемы и только в одном из тройных полупроводников, достаточно широк.

Таким образом, как следует из данного примера и как справедливо отмечают авторы многих работ [69, 76, 90], исследования возможностей получения тройных полупроводников с заданными параметрами нельзя считать завершёнными. Необходимо выполнить большой объем дополнительных экспериментов и теоретических расчётов прежде, чем будет достигнуто полное понимание причин, определяющих параметры данных тройных кристаллов и разработаны надёжные методики управления этими параметрами. Совокупность отмеченных обстоятельств определяет актуальность темы и обусловливает необходимость дальнейших исследований по поиску решений поставленных вопросов.

В частности, для разработки оптимальных технологических режимов получения рассматриваемых полупроводниковых нелинейно-оптических материалов и формулирования критериев целенаправленной модификации их свойств необходимы обоснованные рекомендации относительно условий получения однофазных кристаллов, базирующиеся на результатах изучения процессов образования и взаимодействия дефектов в этих материалах, определении особенностей фазовых равновесий в соответствующих бинарных и тройных химических системах, исследовании механизмов физико-химических процессов синтеза данных соединений и закономерностей формирования их областей гомогенности. При этом необходимость экономии материальных, финансовых и временных ресурсов, во-первых, и желательность сокращения объёма трудноосуществимых экспериментальных работ с токсичными, агрессивными, взрывоопасными тройными системами, к каковым принадлежат указанные полупроводниковые соединения, во-вторых, диктуют необходимость максимального привлечения теоретических, расчётных методик в процессе проведения исследований. Как отмечают авторы монографии [96], существенную роль в решении проблемы оптимизации условий синтеза и получения полупроводниковых материалов с заданными свойствами играет использование методов химической термодинамики в сочетаниями с возможностями компьютерной техники.

В связи с вышесказанным, цель работы заключалась в разработке фундаментальных физико-химических основ получения и управления свойствами тройных полупроводниковых соединений — новых перспективных материалов нелинейной оптики среднего ИК-диапазона — путём выполнения теоретических расчётов, а также экспериментальной проверки результатов расчёта на ряде модельных материалов.

Для достижения указанной цели в рамках диссертационной работы решались следующие задачи:

1. Обоснованный выбор методик исследования, соответствующих особенностям объектов исследованияобеспечение полноты и анализ достоверности исходных термодинамических параметров тройных систем, как основы для термодинамических исследований.

2. Термодинамическое исследование закономерностей синтеза сложных соединений расплавными способами — расчёт диаграмм фазовой устойчивости, анализ возможных маршрутов синтеза и возможности существования второй фазы в синтезированном материале, а также исследование возможности и условий применения нетрадиционного для получения изучаемых тройных соединений метода самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС).

3. Термодинамический анализ возможности синтеза некоторых соединений типаАаВ" С2 методом химических транспортных реакций в системахАлВ, лСг — галоген, т. е. определение схемы массопереноса в системах АЛВЛС2 — галоген, термодинамическое исследование состава газовой и оценка возможных механизмов массопереноса.

4. Экспериментальные исследования закономерностей модификации свойств тройных полупроводников типа АаВ, лС2 при целенаправленном создаНИИ примесных дефектов в процессе выращивания кристаллов путём введения в расплав легирующих добавок при синтезе или перекристаллизации.

5. Теоретические термодинамические исследования закономерностей процессов образования и взаимодействия собственных точечных структурных дефектов в тройных полупроводниках ^бГС^ и АЛВЛСЛ, включающие: а) расчёт фрагментов поверхности ликвидуса тройных фазовых диаграмм вблизи точек кристаллизации рассматриваемых полупроводников и оценку равновесных парциальных давлений компонентовб) расчёт равновесных концентраций собственных точечных структурных дефектов, расчет областей гомогенности тройных полупроводников на основе предложенных моделей процессов дефектообразования.

6. Термодинамические и электрофизические исследования влияния на свойства соединений АЛВ’ЛСЛ2 изменения концентраций примесных и собственных точечных структурных дефектов в процессе послеростовых воздействий на кристаллы: а) термодинамический анализ процессов легирования и самолегирования соединенийАЛВ’ЛСЛ в рамках формализма квазихимических реакцийб) исследование на примере С (л8пАз2 и С (10еА82 закономерностей изменения физических свойств кристаллов за счёт образования и взаимодействия точечных структурных дефектов при их контролируемом введении в процессах термообработки кристаллов в вакууме, отжига в парах летучих компонентов. диффузионного отжига с примесью меди, облучения электронами с энергией 2 МэВ и низкотемпературного отжига легированных медью и облучённых образцов.

Научная новизна работы состоит в том, что в результате выполнения поставленных задач были получены новые данные по следующим направлениям.

1. На основе термодинамических расчётов исследованы закономерности синтеза широкого круга полупроводниковых соединений расплавными способами. Определены вероятные маршруты синтеза, величины выхода продукта и оценена возможность образования второй фазы в синтезированных материалах.

2. Впервые показана принципиальная возможность использования СВС-метода применительно к исследуемым соединениям. Сделаны выводы относительно общих закономерностей СВС-процессов и получены конкретные технологические параметры (например, оптимальные температуры в технологических системах), следующие из термодинамического расчёта.

3. С позиций термодинамики определён наиболее вероятный качественный состав паровой фазы в системах ААВ" с1- галоген и процессы, отвечающие благоприятным условиям массопереноса соединений Ал0еС1 в галогенидных системах.

4. На примере соединений СйЗпАзг и С (10еАз2 экспериментальным путём получены новые данные, касающиеся закономерностей влияния на параметры полупроводника примесных дефектов, целенаправленно создаваемых в кристалле путём введения в расплав легирующих добавок {Аи, Си, 2п, 1п, 8с, ОсГ) при синтезе или перекристаллизации материала.

5. На основе модифицированных применительно к исследуемым соединениям методик термодинамического расчёта определены температуры поверхности ликвидуса ряда тройных систем вблизи точки кристаллизации тройного соединения АЖС1, а также величины парциальных давлений составляющих соединение компонентов.

6. Для соединений со структурой халькопирита на основе модифицированных применительно к исследуемым соединениям методик термодинамического расчёта определены термодинамические характеристики процессов образования собственных точечных структурных дефектов.

7. Предложены модели образования и взаимодействия собственных структурных дефектов в ряде соединений со структурой халькопирита, на их основе рассчитаны равновесные концентрации дефектов и важный технологический параметр — область гомогенности тройного полупроводника.

8. Расчётным и экспериментальным путём изучены процессы дефектооб-разования, определяюпдие изменение свойств полупроводников аааа? а^и отжиге кристаллов в парах летучих компонентов (Аа, Са). Впервые экспериментально подтверждено наличие следующих из расчета значительных концентраций дефектов разупорядочения в соединении С (лСеЛз2.

9. Определены схемы процессов образования и взаимодействия точечных дефектов, соответствующие изменениям, наблюдаемым в экспериментах по диффузионному отжигу с примесью меди и облучению высокоэнергетическими электронами модельного соединения Сй8пЛ82 и соединения СсАСеА52, а также при последующем низкотемпературном отжиге легированных медью и облучённых кристаллов.

Практическая значимость работы определяется тем, что установленные закономерности позволили рационально сузить область поиска оптимальных методик и условий получения исследуемых полупроводников с контролируемыми параметрами, и заключается в следующем: а) определены конкретные технологические параметры синтеза тройных полупроводников расплавным, газофазным и СВС методамиб) определены условия создания в кристалле С (лСеЛз2 примесных дефектов, позволяющих воспроизводимо выращивать кристаллы с заданными параметрами (тип проводимости, удельная электропроводность) путём введения в расплав легируюпдих добавок (Аи, Си, 1п, 1п, 8с, ОсРАв) для ряда полупроводников ААВАС2 и ААВАСА оценены энтальпия и энтропия образования основных типов собственных структурных дефектов, а также определяемые этими параметрами равновесные концентрации дефектов и области гомогенности соединений, знание которых, в свою очередь, необходимо для получения монокристаллов заданного составаг) определены технологические параметры послеростовых воздействий (отжига в парах летучих компонентов, диффузионного отжига с примесью меди, облучения высокоэнергетическими электронами и последующих низкотемпературных обработок), позволяющих целенаправленно, плавно и при необходимости локально изменять параметры полупроводниковд) получены данные, позволяющие прогнозировать временную и температурную стабильность свойств кристаллов, полученных выщеупомянутыми способами (на примере Сс18пАз2).

Положения, выносимые на защиту.

1. Процесс синтеза тройных соединений АА1АС1 (Аа — Л&Ва — Оа, Са — 8е, 8), ААзВАа (аа — Т1, ва — Аз, С, а — 8е), ААВАсЧ (аа — И&В, а — О а, С, а — 8), АзВАС и ААВлАз2 при использовании расплавных методов осуществляется согласно модели, предполагающей непосредственное сплавление элементарных компонентов без участия в нём бинарных соединений. Увеличение температуры процесса не способствует возрастанию выхода тройного соединения. Образование тройных фосфидов ААВЛР2 может эффективно протекать по двухстадийному механизму с предварительным образованием бинарных фосфидов типа АЛР2,.

4Р2,В'Р.

2. Определённое для каждой конкретной системыгалоген газообразное соединение галогена с компонентами аа, Се или са (аа — Сё, 2пСзР, Аз), используемое как транспортный агент, позволяет создавать условия. благоприятные для массопереноса соединений АА0еСл2- Использование в технологических системах чистого галогена для целей химического транспорта соединенийААВ'*С2 нецелесообразно.

3. Метод самораспространяюпсегося высокотемпературного синтеза (СВС-метод) может быть эффективно использован для синтеза тройных полупроводников. При этом без предварительного подогрева для соединений HgGa2S4 и Т1зАз8ез реализуются условия жидкофазного режима горения, для соединений Сё8пР2, СёОеРг, AgGaS2, AgGaSe2, AgзSbSз, AgзAsSз — смешанного, для соединений СёСеА82, С (18пА82, 2пОеР2, 2п8пР2, 2п8пА32, 2пОеАз2, 2п81А82, 2п81Р2, Сё81А82, Сё8гР2 — твердофазного.

4. Вводимые в расплав в процессе синтеза или перекристаллизации соединения СёОеА82 атомы Аи, располагаясь в междоузлиях, образуют нейтральные или проявляющие слабые донорные свойства дефекты Ащ, атомы переходного элемента 2п формируют глубокие донорные центры, атомы третьей группы таблицы Менделеева 1п и Оё — мелкие донорные центры (МЛг илиМ: Л), примеси редкоземельных элементов 8с и Оё являются эффективными геттерами.

5. Примесь меди в соединениях Сё8пА82 и Сб10еА82 имеет большой коэффициент диффузии, ретроградный характер растворимости и формирует эффективные акцепторные центры. Результат диффузионного и последующего низкотемпературного отжига образцов определяется взаимодействием примесных и собственных точечных дефектов в кристалле согласно схеме, предложенной в работе.

6. Дефекты разупорядочения, связанные с катионной подрешёткой, и вакансии летучих компонентов имеют наибольшие равновесные концентрации, определяющие преимущественный тип проводимости нелегированных тройных полупроводников со структурой халькопирита.

7. Проекции областей гомогенности соединений ААВАС1 и ААВЛС2 на концентрационный треугольник имеют наибольшую протяжённость в направлении, близком к Xc=const, и существенно более узки в направлениях JC4=const, JLg=const. Сдвиг точки, соответствующей максимальной температуре плавления, относительно стехиометрического состава по катионным атомам (Ал, В, А В'*) существенно больпхе, чем по анионнным (Сл, Сл).

8. Собственные точечные дефекты в исходных кристаллах определяют направление изменения электрофизических параметров нелинейно-оптических материалов CdSnAs2 и CdGeAs2 при послеростовых отжигах в различных условиях (температура, давление летучих компонентов, присутствие примеси меди) и облучении быстрыми электронами.

Основные результаты работы были доложены и обсуждены на следующих конференциях, совещаниях и семинарах: Всесоюзной конференции по электрическим и оптическим свойствам кристаллов АЛВЛ и сложных соединении типа, А 'В' С2 (Ашхабад, 1971), Всесоюзных конференциях по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (Москва, 1975, 1979), Всесоюзных конференциях «Тройные полупроводники и их применение» (Кишинёв, 1976, 1979, 1983, 1987), Конференции по технологии получения, исследованию свойств, применению редких металлов, их соединений, и полупроводниковых материалов (Москва, 1976), VI Всесоюзном совещании по физике поверхностных явлений в полупроводниках (Киев, 1977 г.), Всесоюзных школах по физико-химическим основам получения материалов электронной техники (Улан-Удэ, 1981, Иркутск, 1988), Всесоюзной конференции «Физические основы надёжности и деградации полупроводниковых приборов» (Кишинёв, 1982), Всесоюзных конференциях «Термодинамика и. материаловедение полупроводников» (Москва, 1986, 1989), Всесоюзной конференции «Применение математических методов для описания и изучения физико-химических равновесий» (Новосибирск, 1989), 8*, 9*, 10*, 11*А and 12* International Conferences on Ternary and Multinary Compounds (Kishinev, 1990;

Yokohama, 1993; Stuttgart, 1995; Salford, 1997; Hsinchu, 2000), Всесоюзной конференции «Моделиро-вание на ЭВМ дефектов и процессов в металлах» (Одесса, 1990), International Conferences on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics (Uzhgorod, 1996; Kiev, 1998), First International Conference on Inorganic Materials (Versailles, 1998), Международной конференции по росту и физике 1фисталлов, посвященной памяти М. П. Шаскольской (Москва, 1998), Materials Research Society (Spring Meeting, San Francisco, 2001; Fall Meeting, Boston, 2001).

Работа выполнялась в соответствии координационным планом АН СССР на 1985;1990 гг. по направлению «Физико-химические основы полупроводникового материаловедения» (раздел 2.21.1.3.), а также научно-технической программой Гособразования СССР по проблеме «Лазерные системы» (задание 04.22) и поддерживалась Грантом INTAS-94−396 «Mid infrared laser nonlinear spectroscopy» (1994;1996 гг.). Грантом Минобразования РФ «Разработка физико-химических основ и оптимизация технологии получения крупных монокристаллов сложного состава и нелинейно-оптических элементов на их основе для лазерных систем среднего ИК-диапазона» (1996;1998 гг.), Грантом МНТЦ № 1604р «Исследование возможности получения полуизолирующих кристаллов CdGeAs2 путём легирования глубокими примесями «(1999;2000 гг.).

1. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ АНАЛИЗА ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СОСТОЯНИЯ БИНАРНЫХ И ТРОЙНЫХ СИСТЕМ.

9.9. Выводы по главе 9.

В главе 9 на основе термодинамического квазихимического анализа процессов образования и взаимодействия собственных и примесных дефектов и полученных результатов экспериментальных исследований изменения электо-рофизических параметров образцов С (л8пАз2 и С<�лСеАз2 при отжигах в вакууме, парах летучих элементов, а также при диффузионном отжиге с примесью меди, облучении высокоэнергетическими электронами и отжиге облучённых и насыщенных медью образцов получены данные о природе и поведении точечных структурных дефектов в соединениях АЛВЛС2. Результаты, полученные в главе.

9, отражены в публикациях [39, 364−375]. По полученным результатам сделаны следующие выводы.

1. При отжиге в вакууме исследователи чаще наблюдают изменение ансамбля собственных структурных дефектов, соответствующее сдвигу электрофизических параметров образцов Сс18пА82 и СсАОеЛзг в сторону «-типа проводимости. Хотя, при определённых условиях, возможен также небольшой сдвиг в противоположном направлении, не превышаюпщй 30% для изменения концентрации носителей заряда.

2. Из экспериментов по отжигу в парах летучих компонентов получены новые данные о природе собственных структурных дефектов в кристаллах С (Л8пА82 и С (ЛОеА82. Как и при отжиге в вакууме, в обоих случаях наблюдается проявление двух конкурирующих процессов, протекающих с разной скоростью. Для Ссл8пА82 это процессы, связанные с изменением концентраций дефектов разупорядочения в катионной подрешётке 8пса и вакансий в анионной подрешётке УАЗДЛЯ С (ЮеА82 это наблюдавшиеся ранее процессы, связанные с Уса, УАЗ, а также наблюдаемые впервые процессы, связанные с дефектами ра-зупорядочения. Причём, процессы, связанные с вакансиями, являются существенно более быстрыми по сравнению с процессами, обусловленными раззтю-рядочением.

3. Исследовано влияние на электрофизические параметры образцов С (18пА82 и Сд. ОеА82 примеси меди, вводимой путём диффузионного насыщения. Найдено, что результатом взаимодействия Си с собственными точечными дефектами является появление в кристалле акцепторных центров. При этом растворимость электроактивной меди носит ретроградный характер, величина растворимости акцепторной примеси меди зависит от концентрации присутствующей в исходном образце донорной примеси.

4. Определены параметры растворимости электроактивной меди. В уравнении растворимости электроактивной меди Ыа = Ыо ехр (-ЛН/кТ), Ир’ААОА.

4>102А см" А, АНА (0.5 — 0.69) эВ для соединения Ссл8пАз2 при Т< 773 К и Писхл: (2−3 0)-10″ см’А и Ыо лА6−10АА см" А, АНлАО. З эВ для соединения Сс1СеАз2 при Т< 873 К и/7"А-, -А2−10АА см' 1.

5. На основе критериев Юм-Розери и Хагга, а также из рассмотрения геометрического соответствия получено, что медь может находиться во всех, кроме кремниевых, узлах соединенийААВ’АА82, преимущественно в катионных узлах соединений на основе Р, 8и5е и достаточно легко продвигаться по междоузлиям полупроводников ААВАСА и ААВАСА что позволяет предположить, возможность и наибольшую вероятность диссоциативного механизма диффузии Си в данных кристаллах.

6. Полученные высокие значения коэффициентов диффузии электроактивной меди в С (18пАз2 и Сс1СеА82 (для 0=Воехр (-ЛЕ/кР) Во = 2−10″ а смА/сЛЕ = 0.6 эВ для С (Л8пА8 иОо = 2Л0-А смАсАЕ = 0.68 эВ для СсАСеАз) подтверждают предположение о диссоциативном механизме диффузии в данных полупроводниках ААВ’АСА2.

7. Исследованы процессы деградации в твёрдых растворах на основе меди, введенной путём диффузионного насыщения. Установлено, что а) при комнатной температуре свойства С (Л8пА82, легированного примесью меди, введенной путём диффузионного насыщения, с течением времени незначительно сдвигаются в сторонур — типа проводимостиб) кинетика распада твёрдого раствора С (18пАз2:Си при нагреве на воздухе или в вакууме до температур в интервале (150 — 400) °С носит двухста-дийный характер с резким нарастанием концентрации дырок на первой стадии (что позволяет уверенно получать материал со стабильными параметрами, соответствующими р-шпу) и постепенным убыванием на второй. Величина максимальной концентрации дырок зависит от исходной дефектности кристалла, параметров предшествующего диффузионного отжига с медью, а также от временного интервала между диффузионным и низкотемпературным отжигами (для интервала исчисляемого несколькими месяцами) — в) предложены квазихимические модели образования и взаимодействия точечных дефектов при диффузии Си и при последующем низкотемпературном отжиге.

8. Исследовано влияние на свойства модельного материала диарсенида кадмия — олова структурных дефектов, вводимых путём электронного облучения. Установлено, что а) путём облучения высокоэнергетическими электронами (2 МэВ) можно целенаправленно, плавно и при необходимости локально изменять электрофизические параметры полупроводника С (л8пА82 в направлении «-типа проводимости, то есть противоположном тому, которое реализуется при диффузионном легировании данного соединения примесью меди с последующим низкотемпературным отжигомб) радиация активно взаимодействует с собственными и примесными структурными дефектами, присутствующими в образцах до облученияв) при увеличении дозы облучения (до интегрального потока электронов Ф ~ 2Л0ЛЛ эл/смЛ) электрофизические параметры стремятся к предельным значениям (7″ 1.4−10Л Ом’Асм» А, цн «2.5−10А смА/В-с, Кн 1.8 смАК, одинаковым для образцов пи р-типа, что соответствуют закреплению уровня Ферми в зоне проводимости полупроводника, а независимость от исходных параметров материала величин предельных значений говорит о преобладающем влиянии радиационных доноров в данной ситуации.

9. Предложена модель взаимодействия радиации со структурными дефектами, имеющимися в кристалле до облучения, соответствующая наблюдаемым экспериментально изменениям концентрации и подвижности носителей заряда в облучаемых образцах и предполагающая возможность образования радиационных доноров трёх типов (УАЗ ', Сф ', Азса ') в кристаллах п.

Сс18пА82, в кристаллах р-Сс18пАз2 возможно, кроме того, появление донора.

Сш:

10. Путём анализа результатов комбинированного изохронного и изотермического отжига облучённых быстрыми электронами образцов исследована проблема стабильности параметров, полученных в результате облучения. Установлено, что а) в температурном интервале 77 — 300 К электрофизические параметры материала, полученные за счёт электронной бомбардировки, являются весьма устойчивыми, как во временном, так и в температурном отношении, независимо от исходных характеристик образцовб) при изохронном отжиге облучённого п-С (й5пА82 отчётливо проявляются три стадии, совпадающие по числу с числом возможных радиационных доноров предложенной модели взаимодействияв) в образцах достаточно высокого структурного совершенства и чистоты наблюдается полный отжиг введённых электронным облучением дефектовг) при наличии в образце большей концентрации структурных несовершенств и примесей процесс отжига идёт более сложным образом, возникают взаимодействия между дефектами, препятствующие полному отжигу введённых электронным облучением доноров.

11. Предложено квазихимическое описание модели процессов, протекание которых в кристалле может обеспечить изменения, наблюдаемые экспериментально.

12. Полученные данные могут оказаться интересными при прогнозировании возможных изменений параметров рассматриваемого полупроводника при работе в радиационных полях.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В настоящей диссертационной работе выполнены расчётные и экспериментальные работы по исследованию сложных полупроводников типа ЛЛВ’ЛС2 (? — 2п, — 8п, Ое, 81, — Аз, Р), а также, А (? — Лg, — Оа, — 8е, 8), А’ЗВ’С! (А' - П в' - Аз, с' - 8е), А’ВЛСА (А' - Щ, В' - Оа, С' - 8), Лв’с] (А' -Р1, 5А — РЬ, — а, Вг), 4ВЛСЛ (Ал — Лg Вл — 8Ъ, Аз, Сл-8), входящих в группу нелинейно-оптических кристаллов, объединяющей особенностью и достоинством которых является их способность служить основой нелинейно-оптических элементов и, в качестве компонентов лазерных систем, широко применяться везде, где требуются надёжные источники когерентного излучения ИК-диапазона.

В диссертационной работе выполнены комплексные теоретические и экспериментальные исследования процессов синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниковых соединениях, входящих в группу нелинейно-оптических кристаллов. Основные результаты исследований заключаются в следующем.

1. Проведен комплексный анализ термодинамических параметров тройных нелинейно-оптических полупроводников с использованием расчётных и экспериментальных данных, полученных автором, а также известных из литературы. На основе этого анализа составлены таблицы наиболее вероятных — с точки зрения математической статистики — значений исходных термодинамических параметров элементарных, бинарных и тройных компонентов исследованных систем ЛА-Ж-С, средних квадратичных ошибок и доверительных границ для выбранного уровня значимости.

2. Путём проведения термодинамических расчётов исследованы особенности синтеза тройных полупроводниковых нелинейно-оптических кристаллов при использовании расплавных и газофазных методик синтеза, а также нетрадиционного для данных соединений метода самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. Сделаны выводы относительно общих закономерностей процессов синтеза и выполнена оценка конкретных технологических параметров. Получены данные, позволившие сконструировать модели для дальнейших расчётов.

3. На примере соединений диарсенида кадмия-олова и диарсенида кадмия-германия экспериментально исследовано влияние на параметры получаемых полупроводников примесных структурных дефектов, возникающих при введении в расплав легирующих добавок в процессе синтезе или перекристаллизации материала. Получены данные об электрической активности, о влиянии на электрофизические свойства исследуемых полупроводников примесных дефектов, создаваемых атомами Аи, Си, 2п, 1п, 8с, С (1 при легировании кристаллов диарсенида кадмия-германия и атомами Аи, Си, 1п при легировании кристаллов диарсенида кадмия-олова.

Установлено, что атомы 1п в обоих кристаллах иСслв С (}СеА82 образуют дефекты типа «примесь в узле элемента, А «или «примесь в междоузлии», являясь эффективными мелкими донорамиатомы Си образуют дефекты типа «примесь в узле» и являются эффективными мелкими акцепторамиатомы Аи, 2п, 8с (два последних элемента исследованы только для С (10еА$ 2) являются электрически слабо активными глубокими донорами.

Максимальная растворимость электроактивной примеси наблюдается для Си и 1п («10^А см’А), для Сй («Ю» см''А), а растворимость Аи, 2п и & значительно меньше. Найдено также, что легирование редкоземельными элементами 8с и Gd существенно улучшает структурные характеристики выращиваемых кристаллов диарсенида кадмия-германия — вероятнее всего, за счёт эффекта геттерирования.

В результате проведенных экспериментов подтверждены выводы о решающем влиянии ансамбля собственных структурных дефектов на свойства полупроводников ААЙАСА и о необходимости получения данных относительно определяемой равновесными концентрациями собственных структурных дефектов области гомогенности этих соединений как основы, позволяющей осуществлять выращивание монокристаллов с заданными свойствами.

4. Выполнены следующие этапы расчета областей гомогенности:

4.1. Модифицирована применительно к исследуемым тройным соединениям АщЩСк методика расчёта температур ликвидуса, разработанная для бинарных соединений. Определены необходимые для расчёта температур ликвидуса параметры полученного уравнения ликвидуса: бинарные параметры взаимодействия, коэффициенты активности компонентов тройных систем и величины разности энтропии в точке плавления тройного соединения. На этой основе рассчитаны температуры ликвидуса тройных систем вблизи точки, соответствующей кристаллизации соединения АтВАСк, а также величины парциальных давлений составляющих соединение компонентов. Сопоставление результатов расчета с имеющимися экспериментальными данными показало удовлетворительное соответствие.

4.2. Сформированы квазихимические модели образования и взаимодействия основных типов собственных точечных структурных дефектов (вакансий, межузельных атомов, дефектов разупорядочения). Модифицированы применительно к исследуемым тройным соединениям методики расчёта термодинамических параметров процессов образования собственных структурных дефектов. Рассчитаны равновесные концентрации основных типов точечных дефектов в рассматриваемых тройных кристаллах.

4.3. Установлено, что основными дефектами, определяющими процессы самолегирования, устойчивость типа проводимости нелегированных кристаллов и оказывающими наибольшее влияние на свойства полупроводников типа ААВ’АСг иААВАСЛ2, являются дефекты разупорядочения, связанные с катионной подрешёткой, а также приближающиеся к ним по величине концентрации вакансии летучих компонентов.

4.4. На основе рассчитанных равновесных концентраций основных типов собственных дефектов в тройных соединениях со структурой халькопирита проведены оценки областей гомогенности этих соединений и составов, отвечающих максимальной температуре плавления. Из сравнения результатов выполненных оценок с имеющимися в литературе экспериментальными данными сделан вывод о соответствии на качественном уровне результатов расчёта и эксперимента.

5. Получены данные о природе собственных и примесных точечных структурных дефектов в соединениях ААВ’АСА (диарсенида кадмия-олова и ди-арсенида кадмия-германия), механизмах процессов их образования и взаимодействия при различных послеростовых воздействиях на кристаллы (отжигах в вакууме и в парах летучих элементов (Ал,), диффузионном отжиге с примесью меди, облучении высокоэнергетическими электронами (с энергией 2 МэВ) и последующих изотермических и изохронных термообработках легированных медью и облучённых образцов) путём комплексного анализа экспериментальных температурных зависимостей кинетических параметров и широкого использования формализма квазихимических реакций.

5.1. На основе результатов квазихимического анализа, касающихся отжига тройных соединений АлВ’ЛСЛг в парах летучих элементов Лл или СА сконструирована схема соответствия наблюдаемых изменений электрофизических параметров кристаллов конкретным процессам образования и взаимодействия собственных структурных дефектов. Сделаны выводы о наиболее вероятных структурных дефектах в ряде соединений АЛВ’ЛСЛ2- В экспериментах по отжигу в парах летучих компонентов диарсенида кадмия-германия впервые наблюдалось проявление процессов, связанных с дефектами разупорядочения.

5.2. Определены параметры растворимости и сделан вывод о диссоциативном механизме диффузии меди в кристаллах диарсенида кадмия-олова и диарсенида кадмия-германия. Исследованы процессы деградации в кристаллах, легированных медью путём диффузионного насыщения. Установлено, что кинетика распада твёрдого раствора CdSnAs2: Cu при низкотемпературном отжиге в интервале (150 — 400) °С носит двухстадийный характер с резким нарастанием концентрации дырок на первой стадии и постепенным убыванием на второй. Предложены квазихимические модели образования и взаимодействия точечных дефектов при диффузии меди в полупроводник и при последующем низкотемпературном отжиге легированного кристалла.

5.3. Выяснены закономерности образования и взаимодействия структурных дефектов в модельном материале диарсениде кадмия-олова при облучении 2 МэВэлектронами. Установлен донорный характер и наличие трёх типов радиационных дефектов, определены предельные значения электрофизических параметров и закономерности отжига радиационных дефектов в этом материале. Предложены квазихимические модели, соответствующие экспериментально наблюдаемым изменениям электрофизических параметров полупроводника в процессе данных послеростовых обработок.

6. Найдены методики послеростовых обработок, позволяющие воспроизводимо, плавно и, при необходимости, локально изменять электрофизические параметры кристаллов диарсенида кадмия-олова и диарсенида кадмия-германия в направлении пили р-типа проводимости .

7. Для каждого этапа работы составлены, отлажены и использованы соответствующие пакеты программ на алгоритмическом языке «Фортран- 1У» .

Таким образом, совокупность полученных в работе результатов можно подытожить как разработку физико-химических основ получения и управления свойствами тройных полупроводниковых нелинейно-оптических соединений. Выполненная работа на основе последовательных взаимных корректировок.

302 расчёта и эксперимента способствовала пониманию механизмов процессов синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниковых кристаллах и разработке методик, позволяющих получать данные соединения с требуемыми параметрами. В табл. 9 приведены базовые характеристики некоторых тройных нелинейно-оптических кристаллов, получаемых в лаборатории полупроводникового материаловедения СФТИ. Кристаллы по всем показателям соответствуют лучшим мировым образцам и востребованы как в нашей стране, так и за рубежом.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Полупроводники ААВЛС21 Под ред. Н. А. Горюновой, Ю. А. Валова / А.С.Бор-щевский, А. А. Вайполин, Ю. А. Валов и др.- М.: Советское радио. 1974.-376 с.
  2. Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Советское радио. 1968. — С. 267.
  3. В.Д., Рудь Ю. В. Перспективы практического применения полупроводников Л . // ФТП. 1978. — Т. 12, вып.2. — С. 209−229.
  4. КогЬ J., Hein К. Ein Beitrag zur Themiodynamik im System Zn Si — P. II Frei-berger Forschunghefte Metallurgie imd Werkstoffiechnik Nichteisen metallurgie. В 186. — Leipzig: VEB Deutscher Verlag fiir Grundstoffindusrie. 1976. — 65 p.
  5. Shay J.L. and Wemick J.H. Ternary Chalcopirite Semiconductors: Growth, Electronic Properties, and Applications. -Oxford: Pergamon Press.- 1975. 330 p.
  6. Goodman C.H.L., Douglas R.W. New Semiconducting Compounds of Diamondtype Structure // Physica. 1954. V.20. — P. 1107−1109.
  7. Goodman C.H.L. A New Group of Compounds with Diamond-type (Chalkopyrite) Structure. //Nature. 1957. — V.179. — P. 828−829.
  8. Н.А. Некоторые вопросы кристаллохимии соединений со структурой цинковой обманки. // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1957. — Т. XXI, № 1.-0.120−132.
  9. Goryunova N. A. Some problems concemiug the formation of semiconducting tet-rahedral phase. // Proc. Int. Conf. Semiconductor Physics. Prague, 1960. — P. 17.
  10. Ю.Горюнова H.A., Мамаев С, Прочухан В. Д. О некоторых свойствах полупроводника CdSnAs2 электронного аналога арсенида индия // ДАН СССР. -1962. — Т. 142, № 3. — С. 623 — 626.
  11. Wagner S. Device Apphcations of Ternary Compounds. // Ternary Compounds, 1977 / Ed. G.D. Holah / The hist, of Physics. Confer. Ser. Bristol and London, 1977.-N35.-P. 73 -88.
  12. Элементная база оптико-электронных приборов. / Ю. М. Андреев, Д. М. Буткевич, В. Г. Воеводин и др. / Под ред. В. Е. Зуева, М. В. Кабанова. ' Томск: РАСКО. 1992.- 274 с.
  13. Andreev Yu. M., Voevodin V. G. Frequency conversion for a middle IR-range: recent developments // Proceedings of the 5-th Russian-Chinese Symposium on Laser Physics and Laser Technology. Tomsk. October 23, AA-28*. 2000. Tomsk: TSU.2000.-P.265−272.
  14. Photoluminescence study ofp-ZnGeP2 crystals. / Rud Yu. V., Rud V. Yu., Ohmer
  15. М.С., Shunemam P.G. // Infrared Applications of Semiconductors: Materials, Processing and Devices: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1997. — N 450. — P. 339 344.
  16. Medvedkin G. A., Optical sensors sensitive to the hght polarization: Phenomenologicai consideration through electronic parameters. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. — V. 39, Suppl. 39−1. — P. 355−356.
  17. Schunemann P. G., Schepler K. L., Budni P. A. Nonlinear Frequency Conversion Performance ofAgGaSes, ZnGeP2, and CdGeAs2. HMRS Bulletin. 1998. — 23, 7. — C. 45 — 49.
  18. Ohmer M. C., Pandey R. Emergence of Chalcopyrites as Nonlinear Optical Materials. // MRS Bulletin. 1998. — 23, 7. — C. 16 — 20.
  19. Удвоение частоты излучения СО-лазеров с эффективностью 3%. / Ю. М. Андреев, А. Д. Белых, В. Г. Воеводин и др. // Квантовая электроника. 1987. -Т.14,№ 4.-С. 782−783.
  20. Трассовый газоанализатор на основе перестраиваемого СОг-лазера с удвоением частоты. / Ю. М. Андреев, В. Г. Воеводин и др. // Журнал прикладной спектроскопии. 1987. — Т.47, № 1. — С. 15 — 20.
  21. Vodopyanov K. L., Voevodin V.G. Type I and II ZnGeP2 travelling-wave optical parametric generator tuneable between 3.9 and 10 pm. // Optics Conununication.1995. ТЛ17, № 3−4. — с. 277 — 282.
  22. Two-phonon аЬзофиоп in GaSe and CdGeAs2.1 K.L. Vodopyanov, S.B.Mirov, V.G. Voevodin, P.G.Schimeraann // Optics Communication. 1998. — T.155. — C. 47 — 50.
  23. Р.П., КоханенкоТ.И., Воеводина O.B. Поверхностно-барьерные структуры M&TZjm-CdSnAs2. //Изв.вузов. Физика. 1979. — № 6. — С. 100−101.
  24. Р.П., КоханенкоТ.И., Воеводина О. В. Граница раздела в контактах MAzjm-CdSnAs2. //VI Всесоюзное совещание по физике поверхностных явлений в полупроводниках. Киев. Ноябрь. 1977 г.:Тез. докл. Киев.: Наукова думка. 1977. — Ч. 2. — С. 75−76.
  25. Фотоэлектрические свойства соединения CdSnAs2 и поверхностно-барьерных структур на его основе. / О. В. Воеводина, М. А. Кривов, В. С. Морозов, Г. Е.Ткаченко// Фотоэлектрические явления в полупроводниках Киев.: Наукова думка. 1979. — С. 75−76.
  26. О.В., Морозов B.C., Ткаченко Т. Е. Исследование параметров фотоприёмников на основе CdSnAs2- // Энергетика, электроника, связь: Материалы третьей региональной научно-практической конф. Томск. 1980 г. -Томск: Изд. ТГУ. 1980. С. 24−25.
  27. О.В., Кривов М. А., Ткаченко Г. Е. Фотоэлектрические свойства монокристаллов CdSnAs2 в области собственного поглощения . // Тройные полупроводники и их применение: Тез. докл. IV Всесоюзной конф. Кишинёв: Штиинца. 1983.- С. 61.
  28. О.В., Вяткин А. П., Воеводин В. Г. Исследование деградации фотоприёмников на основе CdSnAs2 и структур Al-CdSnAs2. //Физические основы надёжности и деградации полупроводниковых приборов: Тез. докл .- Кишинёв: Штиинца. 1981. 4.1. — С. 81.
  29. О.В., Кривов М. А., Воеводин В. Г. Влияние обработки поверхности на фотопроводимость кристаллов CdSnAs2. //Изв. вузов. Физика.1985. № 2.-С. 118−119.
  30. Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур М-CdSnAs2.1 О. В. Воеводина, А. П. Вяткин, В. Г. Воеводин, М. А. Кривов,
  31. B. СМорозов // ФТП. 1983. — Т.17, В. 3. — С.556. Деп. Р-3424/82
  32. В.Г., Воеводина О. В. Диарсенид кадмия-олова,— Томск.: Изд. ТГУ. 1988. 161 с.
  33. Физика сложных полупроводниковых кристаллов и структур. / В.Н.Бруд-ный, СВ. Воеводйна, В. Г. Воеводин и др. // Физика.-1998.-Т. 41, № 8-С.26−28.
  34. ZnGeP2 crystal is the leader among nonlinear crystals for middle JR. / Y.M.Andreev, A.V.Vemik, V.G.Voevodin, O.V.Voevodina, P.P.Geiko // Proc. SPIE. 1999. — V. 3983. — P. 395- 406.
  35. VoevodinV.G., Voevodina O. V., Morozov A.N. Research of domains structure of Z/7577C2-compounds. // Japan. J. Appl. Phys. V. 39. Suppl. 39−1. 2000. P. 52−53.
  36. C, Schunemann P. G., Pollak T. M. //. Mater. Res. Soc. Symp. Proc- 1997. V. 450. — P. 327−332.
  37. Electron-nuclear double resonance study of the zinc vacancy in zinc germanium phosphide {Zn GeP2) J Stevens K. T., Setzler S. D., Halliburton L. E., Femelius N. C, Schunemann P. G., Pollak T. M.// Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1998. — V. 484.-P. 549−554.
  38. X-ray diffraction analysis ofmelt-grown ZnGeP2 (ZGP). / Shimony Y., Kimmel G., Raz O., Dariel M. P. // J. Cryst. Growth -1999.-V. 198/199, Pt. 1.- P. 583−587.
  39. Moldovan M., Giles N. C. Broad-band photoluminescence from ZnGeP2. IIJ. Appl. Phys. 2000. — V. 87, N 10. — R 7310−7315.
  40. Gonzalez J., Power Ch. Pressure -Induced F-N Crossover in the Conduction Band ofCdGeP2. IICryst. Res. Technol. -1996. V.31, SI.l. — P. 225 — 229.
  41. Calderon E., Gonzalez J. Pressure Dependence of Energy Gap mAgGaSe2ll Cryst. Res. Technol. -1996. V.31, SI.l. — P. 251 — 257.
  42. Study ofResonant Roman and Luminescence onAgGaS2. I K. Wakita, Y. Sakai, N. Yamamoto, M. Susaki// Cryst. Res. Technol. 1996. — V.31, SI.l. — P. 33 — 36.
  43. Gonzalez J., Guinet Y., Lefebvre J. Temperature Dependence of the Raman-Active Phonons mAgGaS2.11 Cryst. Res. Technol.- 1996.- V.31, SI. l- P. 453 459.
  44. VoevoduiV.G., Voevodina O.V., Vedemikova T.V. The photoelectromagnetic effect in CdGeAs2 temary compound. //11th International Conference on Temary & Multinary Compounds. Salford. 8−12 September 1997: Abstracts, 1997.-P. P1.92.
  45. VoevodinV.G., Voevodina O.V., Vedemikova T.V. Effect ofimpurity level widening on electrophysical properties ofAAB'*CA2 compounds. // Cryst. Res.Technol. 1996. — V. 31, S. — P. 93 — 96.
  46. Noda Y., Kurasawa T., Furukawa Y. Thermodynamical consideration on che-mical transport ofAgGaSs. //Ciyst. Res. Technol.- 1996.- V.31, SI.l. P. 23 — 28.
  47. An experimental and theoretical analysis of Cu/Ag chalcopyrites. / T.N. de Pascale, F. Meloni, M. Serra, A. Continenza, A. Shaukat, H. Burzlaff, R. Spengler //
  48. Ternary andMultinary Compounds: Proceedings oflCTNC-ll. Salford. 8−12 September 1997/ Ed. R.D.Tomlinson, A.E.Hill and R.D.Pilkington / Inst. Physics. Conf. Ser. 1998. — N 152. — P. 549 — 552.
  49. Zapol P., Pandey R. Atomistic calculations of defects in ZnGeP2. II J. Appl. Phys. 1996. — V. 79, No. 2. — P. 671 — 675.
  50. Pandey R., Ohmer M. C., Gale J.D. A theoretical study of native acceptors in CdGeAs2. II J. Phys.: Condens. Matter. 1998. — V. 10. — P. 5525 — 5533.
  51. Density functional study of the structure, tiiermodynamics and electronic properties ofCdGeAs2.1 P. Zapol, R. Pandey, M. Seel, J.M.Recio, M.C.Ohmer // J. Phys. Condens. Matter. 1999. — V. 11. — P. 4517 — 4520.
  52. CdGeAs2 and their optical properties. // MRS Bull. 1998. — 23,7. — C. 23−27.
  53. Timmons M.I., Bachmann K.J. Growth of chalcopyrite materials by OMVPE. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1998. — V. 484. — P. 507−518.
  54. Buehler E. Simple pressurized chambers for hquid encapsulated Chochralski crystal growth. // J. Cryst. Growth 1978. — V. 43, N 5. — P. 584−588.
  55. Электронные свойства кристаллов ZnGeP2, полученных методом твердофазных реакций. / Вайполин А. А., Рудь В. Ю., Рудь Ю. В., Ушакова Т. Н. // ФТП.- 1999. Т. ЗЗ, вып. 12. — С. 1411 -1415.
  56. В.Ю., Рудь Ю. В., Ушакова Т. Н. Физические свойства кристаллов CdGeAs2, полученных методом твердофазного синтеза. // ФТП. 1999. — Т. 33, вып. 12. — С. 1320 — 1326.
  57. Kaufinann U., Schneider J., Raeuber A. ESR detection of antisite lattice defects in gallimn phosphide, cadmium sihcon phosphide (CdSLP2), and zinc germanium phosphide (ZnOePs). If Appl. Phys. Lett. 1976. — V. 29, N 5. — P. 312−313.
  58. Вакансии фосфора в монокристаллах фосфида цинка германия (ZnGePA. II Г. А. Грищенко, С. К. Петрусенко, И. Г. Трегуб, Г. В. Третьякова, И. И. Тычина // Укр. Физ. Жури. 1978. — V. 23, N 6. — Р. 1023−1026.
  59. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев твёрдого раствора ZnGeP2 -2GeP. / И. А. Бобровникова, В. Г. Воеводин, Л. Г. Нестерюк, Ю. Г. Катаев,
  60. A. Н. Морозов, Т.Н.Пегова//Изв. вузов. Физика. 1982. — № 7. — С. 110 -112. 84. Люминесценция кристаллов дифосфида цинка германия. // И. С. Горбань,
  61. B. В. Грищук, И Г. Трегуб, М. В. Чукичев // ФТП. 1984. — V. 18, N 8. — Р. 1426−1429.
  62. Примесное поглощение и энергетический спектр локальных центров в кри-стагшах дифосфида цинка германия. // И. С. Горбань, В. В. Грищук, И. Г. Трегуб // ФТП. 1984. — V. 18, N 5. — Р. 913−915.
  63. Electron-nuclear double resonance of the zinc vacancy in ZnGeP2.1L. E. Halliburton, G. J. Edwards, M. P. Scripsick, M. H. Rakowsky, P. G. Schunemann, T. M. PoUak // Appl. Phys. Lett. 1995. — V. 66, N 20. — P. 2670−2672.
  64. Giles, N. C- Halliburton, L. E. Native defects in the ternary chalcopyrites. // MRS Bull.-1998. V. 23, 7.-P. 37−40.
  65. Electron paramagnetic resonance of a cation antisite defect in ZnGeP2.1 S. D. Setzler, — N. C. Giles, — L. E. Halliburton, — P. G. Schunemann, — T. M. PoUak // Appl. Phys. Lett. 1999. — V. 74, N 9 — P. 1218−1220.
  66. B. M., Павлова Л. М. Химическая термодинамика и фазовые равновесия М.: Металлургия. 1988.- 559 с.
  67. Прикладная химическая термодинамика: Модели и расчёты: Пер. с англ./ Т. Барри, Р. Дейвис, Дж. Дженкинс, Р. Гиббоне. М.: Мир. 1988.- 281 с.
  68. Feigelson R.S. The growth of temary semiconductor crystals suitable for device applications // Joum. de Physique. 1975. — V. 36, CoUoquia C-3, Suppl au. n°9, 1. P. СЗ-57 СЗ-66.
  69. В.А. Краткий курс физической химии -М.:Химия. 1969.- 638 с.
  70. Л.А., Тулупов В. А. Физическая химия М.: Высшая школа. 1967.-466 с.
  71. Л.П., Веселая Г. Н., Глубокова Т. Н. Извлечение технологической информации из термодинамического расчёта. М. 1967. — 82 с.
  72. А.Г. Методы термодинамики в минералогии Л.: Недра. 1974. 184 с.
  73. ОЗ.Крёгер Ф. Химия несовершенных кристаллов М.: Мир. 1969.- 654 с.
  74. М.Х. Методы сравнительного расчёта физико-химических свойств. М.: Наука. 1964. — 160 с.
  75. В.А. Методы практических расчётов в термодинамике химических реакций. М.: Химия. 1970. — 160 с.
  76. Термические константы веш, еств- Справочник в десяти выпусках. / Под научи, руководством академика В. П. Глушко. Вып. II-VI. — М.: Изд. АН СССР. 1966−1972.
  77. Некоторые эмпирические зависимости для определения абсолютных энтропии полупроводниковых соединений. / В. М. Глазов, В. В. Лебедев, А. Д. Молодык, С. С. Стрельченко // Электронная техника: Сер.6, Материалы. -1973. Вып. 12. — С. 44−49.
  78. Ю.Борщевский A.C., Коцюруба Е. С. Энтропия плавления полупроводников ААВАСЛ2, плавящихся по типу полупроводник полупроводник. // ФТП.-1975.- Т.9, В.12.- С. 2346 — 2350.111 .Берг Л. Г. Введение в термографию. М.: Наука. 1969. — 268 с.
  79. Термодинамические свойства неорганических вегцеств: Справочник / Под ред. А. П. Зефирова. М.: Атомиздат. 1965. — 460 с.
  80. ПЗ.Свелин Р. А. Термодинамика твёрдого состояния. М.: Металлургия. 1968. -68 с.
  81. Ю.В.Казицын, В. А. Рудник. Руководство к расчёту баланса вещества и внутренней энергии. Д.: Недра. 1967. 364 с.
  82. Некоторые термодинамические свойства группы тройных полупроводниковых соединений типа АЛВЛЛСУ. I В. В. Лебедев, С. А Бондарь, Л. И. Бергер, С. С. Стрельченко, А. Д. Молодык // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1972. — Вып. 1. — С. 78 — 82.
  83. Weight-loss measurements for CdB"As2-y2cpom systems. / V. G. Voevodin, O.V.Voevodina, S.A.Bereznaja, Z.V.Korotchenko // Japan. J. Appl. Phys. V. 39. Suppl. 39−1. 2000. P. 73−74.
  84. A.C., Ундатюв Ю. К., Шанцовой Т. М. Исследование упругости пара над CdGeP2, CdP2, и CWiP2 • // Извест. АН СССР. Неорганические материалы. Т. 13. — N 1. — 1977. — С. 22 — 26.
  85. Ю.А., Ушакова Т. Н. Термическая диссоциация ZnSiP2- IIИзвест. АН СССР. Неорганические материалы. Т. УП. — N 1. — 1971. — С. 13 — 18.
  86. Справочник «Физико-химические свойства полупроводниковых веществ». М.:Наука- 1979.-С. 340.
  87. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справочное издание: В 4-х т. / Л. В. Гурвич, И. В. Вейц, В. А. Медведев и др.- М.: Наука. 1978 -1982.
  88. E.G., Борщевский A.C. Тензометрические исследования системы Ge-CdAs2. //ЖНХ. Т. 22. — N 12. — 1977. — С. 3174 — 3176.
  89. Г. Д., Николаева Л. Н. Тензометрические исследования системы Ge-Cd3As2-CdGeAs2. //ЖНХ. Т. 39. — N 6. — 1994. — С. 1001 — 1006. '
  90. A.C., Роенков Н. Д. Исследование паровой фазы над щаттг.-MHAAB'AAS2. // Электронная техника. Сер. 14. Материалы. B.I.-1971.-C. 55 — 65.
  91. Г. Д., Николаева Л. Н. Тензометрические исследования сублимации CdsAs2. //Журнал физической химии. Т. LXIII. — N 2. — 1989. — С. 325 — 328.
  92. Г. Д., Николаева Л. Н. Фазовые равновесия в системе Cd3As2-CdGeAs2-CdAs2. //Извест. АН СССР. Неорганические материалы. Т. 30. -N8.-1994.-0. 1017- 1022.
  93. Г. Ф. Метод термохимических инкрементов в термодинамическом и технологическом прогнозировании // Математические методы химической термодинамики / Под ред. к.х.н. Г. А. Коковина Новосибирск: Наука СО. 1982.- С. 184−192.
  94. Т.И. Высокотемпературная неорганическая химия и металлургия // Прикладная химическая термодинамика. Модели и расчёты- Пер. с англ./ Под ред. Т. И. Барри .- М.: Мир. 1988. С. 14−77.
  95. В.В. Применение математической статистики при анализе вещества. М.: Физматгиз. 1960. — 430 с.
  96. А.А., Османов Э. О., Третьяков Д. Н. Некоторые аспекты химии алмазоподобных соединений типа AABACl. II Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы.-1967.-Т.З, № 2.- С.260−266.
  97. Исследование физико-химических и электронных свойств кристаллов тройных полупроводниковых соединений типа ААВАСА2 • А А. А. Вайполин, Ф. М. Гащимзаде, Н. А. Горюнова и др. //Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1964. -Т.28, № 6. С. 1085−1089.
  98. Masmiioto К., Isomura S., Goto W. The preparation and properties ofZnGeP2 and CdGeP2 semiconducting compounds. // J. Phys. Chem. Solids. -1966. -V.27, N 11/12.-P.1939−1947.
  99. H.A., Соколова В. И., Цзян Бин-Си. О синтезе и некоторых свойствах соединения ZnGeAs2. IIЖПХ.-1965.-Т.38, № 4.- С.771−778.
  100. Rubenstein М., Ure R. W. Preparation and characteristics of ZnSnP2. II J. Phys. Chem. Solids.-1968.-V.29, N 3.- P.551−555.
  101. Masumoto K., Isomwa S. Preparation and electric properties of single crystals and doped crystals ofZnSnAs2 semiconductor. // Trans, ofNat. Res. Institute for Metals.-1966.-V.8, N 5.- P.200−209.
  102. Выращиваниемонокристаллов СайиЛаа. /Н.А.Горюнова, А.С. Бор-щевский, Я. Я. Венкрбец, Н. М. Коршак // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы.-1967.-Т.З, № 1.- С.180−184.
  103. Некоторые свойства соединений типа AAB’ACl. I Цзян Бин-Си, И. И. Тычина, Э. О. Османов, Н. А. Горюнова // Доклады XXI научи, конф. ЛИСИ. Л.: ЛИСИ. 1963.- С. 8−11.
  104. Leroux-Hugon Р. Properties de quelques composes tenures semiconducteurs. // Compt. Rend. -1963.-V.256, N 1.- P.118−120.
  105. Термический анализ системы CdGefAsAPi-J. I З. У. Борисова, H.A. Горюно-ва, Н. И. Коузова, Э. О. Османов // Вестник ЛГУ/ Физика и химия. -1970.- № 4.-С.165−167.
  106. Phillips J. C, Van Vechten J. A. Spectroscopic analysis of cohesive energies and heats of formation oftetrahedrally coordinated semiconductors. // Phys'. Rev. B. -1970.-V.2, № 6.- P.2147−2160.
  107. Gutbier H. Massenspectrometrische Untersuchungen der Verdampfungs-vorgange bei einigen Verbindungen mit Zinkblende-Gitter im Temperaturbereich um 1000 «K.// Z. Naturforsch .-1961 .-Bd. 16a, № 3.- P. 268−279.
  108. Н.Д. Физико-химические исследования в области технологии полупроводников ЛАААСг : Автореф. дис.. канд. наук/ Ленингр. политехи, инст.-Л. 1971.-28С.
  109. В.В., Матвеев И. Н., Панютин В. Л. Выращивание и оптические свойства тиогаллата ртути. // Квантовая электроника. 1979. — Т.6, № 8. — С. 1807- 1812.
  110. О.В. Выращивание тиогаллата ртути и исследование его оптических свойств. // Оптические свойства и условия роста тиогаллатов серебра и ртути / Под ред. Н. Д. Устинова. Краснодар: Изд. КГУ. 1982. — С. 90−124.
  111. Диаграмма состояния системы HgS Са23з.1 Н. А. Ильяшева, Е. Ф. Синякова, Б. Г. Ненашев, И. В. Синяков // Извест. АН СССР. Неорганические материалы. -Т. 21. -N 11.- 1985.-С. 1860- 1871.
  112. H.A., Ненашев Б. Г., Синяков И.В. Исследование в системе Hg
  113. Robert W., Potter I.I., Barnes N.L. Phase relations in the binary Hg-S. //American miner. V. 63. — N 11−12.- 1978.-C. 1143- 1146.
  114. П.Г., Мардакаев Б. Н., Сафаров М. Г. Исследование диаграммы состояния галлий-сера. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы.-1967.-Т.З,№ 3.с.479−483.
  115. СП., Будберг П. Б. Диаграммы состояния металлических систем, опубликованные в 1967 г. / Под ред. Н. В. Агеева М.: ВИНИТИ. 1970.-Вып. ХШ. — С. 52.
  116. СП., Будберг П. Б. Диаграммы состояния металлических систем, опубликованные в 1966 г. / Под ред. Н. В. Агеева М.: ВИНИТИ. 1968.-Вып. XII.-С. 87.
  117. И.Г., Оленичева В. Г., Петрова Л. А. Диаграммы состояния металлических систем, опубликованные в 1974 г. / Под ред. Н. В. Агеева М.: ВИНИТИ. 1976.-ВЫП. XX. — С. 64., С. 97−98.
  118. Палатник Л. С, Ковалёв Г. Н. Исследование сплавов-AS, Sn-S, Pb-SnepQ-менной концентрации. // Металлургия и металловедение М.: Изд. АН СССР. 1958. С. 492−498.
  119. Braudt G., Kramer V. Phase mvestigations in the silver-gallium-sulphur system. //Mater. Rev. Bull.-1976.-V.ll,№ 11.-R1381−1388.
  120. ЕрошенковаИ.Г., Оленичева В. Г., Петрова Л. А. Диаграммы состояния металлических систем, опубликованные в 1976 г. / Под ред. Н. В. Агеева М.: ВИНИТИ. 1978.-ВЫП. XXII. — С. 97, С. 50−51.
  121. Диаграммы состояния металлических систем, опубликованные в 1986 г. / Н. И. Ганина, A.M. Захаров, В. Г. Оленичева, Л. А. Петрова / Под ред. Л. А. Петровой М.: ВИНИТИ. 1987.- Вып. XXXL — С. 29.
  122. Hume-Rothery W., Andrews K. W. The equilibrium diagram of the system silvbr-gallium. The region from 20 to 35 at.% Ga. // Z. Metallkunde. -1959.-V.50, № 11.-P.661−662.
  123. M., Андерко К. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургиздат, 1962.-Т. 1,2.
  124. Палатник Л. С, Белова Е. К. Исследование диаграммы состояния Ga-Se. И Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы.-1966.-Т.2, № 4.-С. 770−771.
  125. Hiromichi S. Ryuichi М. Phase study of binary system Ga-Se. II Jap. J. Appl. Phys. 1974. — V. 13, № 3.- С 417 — 423.
  126. Mikkelsen J. C Critical examination of СагЗез phase equilibria. // J. Sohd State Chem. -1981.-V. 40, № 3.-R 312 317.
  127. ЕрошенковаИ.Г., Захаров A.M., Оленичева В. Г. Диаграммы состояния металлических систем, опубликованные в 1982−83 гг. / Под ред. Н. В. Агеева и Л. АПетровой М.: ВИНИТИ. 1985.-Вып. XXVIII. — С. 165.
  128. Палатник Л. С, Белова Е. К. Исследование полиморфизма селенида Ga2Se3 переменного состава. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. -1965. Т.1, № 11.- С 1882 — 1888.
  129. СП., Будберг П. Б. Диаграммы состояния металлич. систем, опу-блик. в 1965 г./ Под ред. Н. В. Агеева М.: ВИНИТИ. 1968.- Вып. XI. — С. 48.
  130. Палатник Л. С, Белова Е. К. Исследование закономерностей в полупроводниковых системах типа AACA-.SAcJ. // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1967. — Т. Ш, № 12.- С. 2194 — 2202.
  131. Получение и оптические свойства нелинейных монокристаллов селеногал-лата серебра. / Бадиков В. В., Лаптев В. Б., Панютин В. Л., Рябов Е. А., Шевыр-дяева Г. С, Щербина О. Б. // Квантовая электроника -1992. Т.19, № 8(242). -С. 782 — 784.
  132. СП., Будберг П. Б. Диаграммы состояния металлич. систем, опу-блик. в 1970 г./ Под ред. Н. В. Агеева М.: ВИНИТИ. 1972.-Вып. XVI.- С. 64.
  133. Области существования прустита и пираргирита в тройных системах. / И. С. Ковалёва, Л. Д. Попова, Ф. И. Гендлер, Н. И. Лужная // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1970. — Т.6, № 7.- С. 1345 — 1346.
  134. Gatiier В., Blachnik R. Temperature-composition diagrams in the As2(VIb) (Vb) sections of the ternary As -(Vb)-(VIb) systems. // J. Less-Common Metals -1978. -V.58.-C.7−12.
  135. И.Г., Оленичева В. Г., Петрова Л. А. Диаграммы состояния металлических систем, опубликованные в 1978 г. / Под ред. Н. В. Агеева М.: ВИНИТИ. 1980.- Вып. XXIV. — С 102.
  136. Изучение шст&шы AgsAsSs -Ag. /И.СЧаус, Н. М. Компаниченко, В. Г. Андрейченко, А. Г. Грищук // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. -1981. -Т. 17, № 12.-С. 2146−2149.
  137. З.М. Диаграммы состояния металлических систем, опубликованные в 1959г. / Под ред. Н. В. Агеева М.: ВИНИТИ. 1962.-Вып. V.-C. 34.
  138. Barstad Y. Phase relation in systemAg-Sb-Sat 400 °C. // Acta Chem. Scondinavica -1959. V.13, № 8. — C. 1703 — 1708.
  139. Изучение тройной системы сурьма-железо-сера (к теории осадительной плавки сурьмы). / Г. Г. Уразов, К. А. Большаков, П. И. Фёдоров, И. И. Васгаевская // ЖНХ -1960: Т.5, № 2. — С. 449 — 455.
  140. З.М. Диаграммы состояния металлических систем, опубликованные в 1960 г./ Под ред. Н. В. Агеева -М.: ВИНИТИ. 1962.-Вьш.У 1.-С. 86.
  141. Системы TlSe-TlAsSe2-Tl2Se. / В. В. Кириленко, В. А. Самохов, Н. Г. Велихова, Р. Н. Щёлоков //Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1984. -Т.20, № 3.-С. 386−393.
  142. Диаграммы состояния металлических систем, опубликованные в 1984 г. / Н. И. Ганина, А. М. Захаров, В. Г. Оленичева, Л. А. Петрова / Под ред. Л.А.Пе1ровой М.: ВИНИТИ. 1986.- Вып. XXIX. — С. 166.
  143. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.: Наука. 1975. — 220 с.
  144. С.А. Изучение системы As-Se . // ЖНХ -1962. Т.7, № 12. — С. 2788 — 2792.
  145. З.М. Диаграммы состояния металлических систем, опубликованные в 1962 г./ Под ред. Н.В.Агеева- М.: ВИНИТИ. 1964.-Вып.У 1П.- С. 97.
  146. В.П., Никольская A.B., Герасимов Я. И. Термодинамические свойства и фазовые диаграммы халькогенидов таллия // Термодинамические свойства металлических сплавов Баку: ЭЛМ, 1975 — С. 40−46.
  147. В.Б., Беруль СИ., Салов A.B. Тройные полупроводниковые соединения с системах .4а — СА.~ М.: Наука. 1982. — 148 с.
  148. Predel В., Schwermann W. Theraiodynamische Untersuchung des Systems Blei-Thalhum. //Mater. Sei. and Eng. 1970. — V.6, № 5.- С 303 — 312.
  149. И.И., Бергман А. Г. Комплексообразование и обменное разложение во взаимной системе из хлоридов и йодидов таллия. // ЖНХ 1957. — Т. П, В. 12. — С 277−283.
  150. В.И., Товмальян И. К. Термодинамические исследования жидкой фазы расплавленных солей в двойных системах с комплексообразо-ванием. // Исследования по термографии и коррозии. Ростов-на-Дону, 1970 -С 156.
  151. Ю.Г., Ильясов И. И. Диаграмма плавкости тройной системы их хлоридов рубидия, таллия и свинца . // ЖНХ -1974.- Т. 19, В. 3.- С. 812−818.
  152. An X-Ray Survey of the Lead Chloride Thallium Chloride System // J. Phys. Chem. — 1964. — V.68, N 6. — P. 1584−1590.
  153. СП., Будберг П. Б. Диаграммы состояния металлич. систем, опу-блик. в 1972 г./ Под ред. Н.В.Агеева- М.: ВИНИТИ. 1975.-Вьш. ХУШ.-С. 13.
  154. Диаграмма состояния системы Cd-As. I СЯ. Гуков, Я. А. Угай,
  155. B. Ф. Пшестанчик, Е. Г. Гончаров, Н. В. Пахомова // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1970. — Т.6, № 11.- С. 1926 — 1929.
  156. Е.Г., Гладышев Н. Ф., Угай Я. А. Физико-химическая природа промежуточных фаз в системе германий мышьяк. // ЖНХ — 1977. — Т.22, В. 7.-С. 1951−1955.
  157. И.Г., Оленичева В. Г., Петрова Л. А. Диаграммы состояния металлических систем, опубликованные в 1977 г. / Под ред. Н. В. Агеева М.: ВИНИТИ. 1979.-Вьш. XXIII. — С. 9.
  158. A.C., Роенков Н. Д. Диаграмма состояния системы Cd-Ge-As. II ЖНХ -1969. Т.14, №. 8. — С. 2253−2258.209.0iesinski R.W., Abbaschian G.J. The Cd-Ge (cadmium-germanimn) system. //
  159. B. M., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников М.: Наука. 1967. 371 с.
  160. Я.А., Соколов Л. И., Гончаров Е. Г. О термической диссоциации фосфида германия . // Полупроводниковые материалы и их применение. Воронеж.: Изд. ВГУ. 1974. — С. 173−187.
  161. А.Г. Основные черты СВС-технологии. // В сб. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез. / Под ред. Ю. М. Максимова. -Томск.: Изд. Томского университета. 1991. С. 4.
  162. Н0ВИК0 В Н.П., Боровинская И. П., Мержанов А. Г. Термодинамический анализ реакций самораспространяющегося высокотемпературного синтеза. // Препринт. Черноголовка: Редакц.-издат. отд. ИХФ АН СССР. 1975. С. 22.
  163. С.С., Мержанов А. Г. Термодинамический анализ возможности метшшокерамического восстановления окислов металлов в режиме горения. // Препринт. Черноголовка: Редакц.-издат. отд. ИХФ АН СССР. Г978.- С. 24.
  164. С.С., Боровинская И. П., Мержанов А. Г. Термодинамический анализ возможности образования карбидов и нитридов Т1, 2 г, Та методом СВС в режиме горения. // Препринт. Черноголовка: Редакц.-издат. отд. ИХФ АН СССР. 1977.-С. 26.
  165. И.П. Химические основы технологии СВС-продуктов. // В сб. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез. / Под ред. Ю. М. Максимова. Изд. Томского университета. Томск. -1991. — С. 33.
  166. Н.Г., Филатов В. М., Найбороденко Ю. С. СВС в слабоэкзотер-мичных и высокоплотных системах с алюминием. // Самораспространяющийся высокотемпературный синтез. / Под ред. Ю. М. Максимова. Томск: Изд. Томского университета. 1991. — С. 53−63.
  167. O.B. Исследование процессов синтеза некоторых нелинейно-оптических кристаллов путём термодинамического расчёта . // ЖНХ.- Т.37, В.8.-1992.-С. 1752−1754.
  168. Voevodin V.G., Voevodina O.V. Thermodynamics of self-propagating high-temperature synthesis of ternary semiconductors. // Abstr. of Int. Conf. on Material Science and Mater. Properties for Infrared Optpelectronics. Uzhgorod. Ukraine.-1996.-P. 14.
  169. В.Г., Воеводина O.B., Иванова М. А. Термодинамическое моделирование процессов синтеза некоторых нелинейно-оптических кристаллов. // Моделирование на ЭВМ дефектов и процессов в металлах / Ленинград. ФТИ им. АФ. Иоффе АН СССР. 1990. С. 23−24.
  170. В.Г., Воеводина О. В., Иванова М. А. Расчёт изобарно-изотер-мического потенциала реакций в некоторых системах -В"л -Сл. II Изв. вузов. Физика. -Т. 33, № 3.- 1990. С. 116. Деп. ВИНИТИ. Per. № 7367-В89
  171. Влияние условий выращивания на свойства CdSnAs2.1 O.B. Воеводина,
  172. Я.И.Отман, А. Н. Морозов, Т. В. Ведерникова // Тез. докл. конф. по технологии получения, исследованию свойств, применению редких металлов, их соединений и полупроводниковых материалов. М.: Изд. ОНТИ подотрасли. 1976.- С. 93−94.
  173. Г. Химические транспортные реакции. / Пер. с нем.- М.: Мир. 1964. 267 с.
  174. Ю.А., Плечко Р. Л. Перенос CdSiP2 при химических транспортных реакциях с помощью SiCU. II Извест. АН СССР. Неорганические материалы. -Т. 4.-N5. 1968.-С. 701 -705.
  175. Ю.А., Ушакова Т. Н. Перенос ZnSiP2 при химических транспортных реакциях в йодидной системе. // Извест. АН СССР. Неорганические материалы. Т. 4. — N 7. — 1968. — С. 1054 — 1059.
  176. ПолзАение и исследование некоторых свойств эпитаксиальных слоев ZnGeP2 .1 Ю. Г. Катаев, И. А. Бобровникова, В. Г. Воеводин и др. // Известия вузов. Физика 1988. — Т. 31, № 4. — С. 74−78.
  177. Study of vapour phase over ylA5ACrCompounds. / V.G. Voevodui, O.V.Voevodina, S.A.Bereznaja, Z.V.Korotchenko // Book of Abstr. of The 11th International Conference on Ternary and Multinary Compounds. Salford. 1997. -1997. P1.91.
  178. В.Г., Воеводина O.B., Морозов A.H. Термодинамика равновесий полупроводник (АЛВ АЛЛВЛЛСЛ, АЛВЛ, АЛВ"*) ищл изовалентного элемента
  179. Ал, С1). II Тез. докл. Четвёртой Всесоюзн. конф. «Термодинамика и материаловедение полупроводников. «М., 1989. — Ч. 2. — С. 456 — 457.
  180. Voevodina O.V. Thermodynamics of growth processes of AABA’cl compounds by vapour phase transport. // Book of Abstr. of The 10th International Conference on Ternary and Multmary Compounds. Stuttgart. Germany. September. 1995. -Stuttgart, 1995.-POI80.
  181. Л.И., Нашельский А. Я., Колесник Л. И. Полупроводниковые фосфиды £ЛЛВЛ и твёрдые растворы на их основе. М.: Металлургия. 1974.-234с.
  182. Глубокий акцептор с большой растворимостью: Мп в GaP. I С. А. Абагян, Г. А. Иванов, Г. А. Королёва и др. // ФТП. Т. 9, вып. 2. — 1975. — С. 369 — 372.
  183. С.А., Иванов Г. А., Королёва Г. А. Энергия активации акцепторного уровняш в GaP II ФТП. Т. 10, вып. 9. — 1976. — С. 1773 — 1775.
  184. С.А., Иванов Г. А., Кузнецов Ю. Н. Спектр фотоионизации акцепторного уровня Ре в GaP. II ФТП. Т. 10, вып. 11. — 1976. — С. 2160 — 2162.
  185. Исследование глубоких примесных состояний Ре в фосфиде галлия. / Д. Г. Андрианов, П. М. Гринштейн, Г. К. Ипполитова и др. // ФТП. Т. 10, вып. 6.- 1976.-С. 1173 — 1176.
  186. Поглощение и люминесценция иона FeA* в фосфиде галлия. / А.В. Васи-льев, Т. К. Ипполитова, Э. М. Омельяновский, А. И. Рыскин // ФТП. Т. 10, вып. 6.- 1976.-С. 1201 1203.
  187. Ю.Г., Путиловская М. Ю., Слободчиков СВ. Аномальный фотоэффект в структурах с потенциальным барьером на основе изолирующего фосфида галлия. // ФТП. Т. 9, вып. 8. — 1975. — С. 1570 — 1574.
  188. В.Б., Арбенина В. В. Особенности поведения примесей редкоземельных металлов при кристаллизации соединений, А «ЛВЛ из галлийсодер-жащих расплавов. // Неорганические материалы. Т. 32. — № 10. — 1996. — С. 1171−1178.
  189. The photoluminescence of CaGa2S4 and Са1п254 doped with rare-earth elements. / A.N.Georgobiani, B.G.Tagiev, O.B.Tagiev, B.M.Izzatov, R.B.Jabbarov // Cryst. Res. Technol. V. 31, S 2. — 1996. — С 849 — 852.
  190. Анализ путей снижения концентрации фоновых примесей в эпитаксиаль-ных слоях InSb. IВ.В.Арбенина, Р. Х. Акчурин, В. А. Жегалин и др.// Высокочистые вещества № 10. — 1990. — С. 186 -191.
  191. В.Д. Легирование полупроводников AAAACj // Тройные полупроводники .Л Vcf и AABlci. Кишинёв: Штиинца. 1972. -С 64 — 74.
  192. Gorynova N. A. Physical Properties of AABA’ci Compounds as the Closest Electron Analogs of Aaba Compounds. // XX International Conf. on Physic of ' Semiconductors. Moscow. July 23−29. 1968.- M.: Nauka, 1968.-P.1198−1208.
  193. Spring-Thrope A.T., Wonk R. W. Electrical Properties of Solution-Grown
  194. Crystals oin-ZnSiP2. II Phys. Stat. Sol. A. 1970. — V. I, No I. — P. K9 — K12.
  195. H.A., Полушина И. К., Радул B.A. Электрические свойства тройного полупроводникового соединения CdSnP2. II Материалы докладов VI на-учно-техн. конф. Кишинёв: Изд-во КПИ. 1968. — С. 143 -144.
  196. Получение ZnSiP2 путём кристаллизации его из раствора в расгшаве Zn. I Алекперова Э. Э., Валов Ю. А., Валова Е. А., Ушакова Т. Н. // Извест. АН СССР. Неорганические материалы. Т. 5. — В. 1. -1969. — С. 175 — 177.
  197. В.Д., Аверкиева Г. К. Влияние собственных дефектов решётки на свойства соединений АЛВ’ЛСЛ. II Теоретические и экспериментальные исследования сложных полупроводниковых соединений. Кишинёв: Штиинца. 1976.-С. 75- 85.
  198. Н.А., Гурзан М. И., Прочухан В. Д. О легировании соединений типа ЛА5АС1 // Тр. научно-технической конф. Ленинград, политехнич. инст. Ленинград. Январь. 1969. Л.: Изд. ЛПИ. 1969. — С. 14 — 15.
  199. Мамаев С, Исмаилов О. Исследование влияния примесей на свойства CdSnAs2. IIИзв. АН Туркм. ССР. Сер. физ.-техн., хим. и геологич. наук. -1969.-№ 1.-С.17−19.
  200. А., Довлетмурадов Ч., Сергинов М. Получение и исследование электрических свойств монокристаллов CdSnAs2. IIИзв. АН Туркм. ССР. Сер. физ.-техн., хим. и геологич. наук. 1972. — № 6. — С.45 — 51.
  201. The influence ofimpurities on the properties of CdGeAs2.1 A.S.Borschevskii, N. AGoiynova, E.O.Osmanovet al.//Mat. Sci. Eng.-1968.-V. 3, No 2.-P.118−119.
  202. М.Г. Стехиометрия и дефектообразование в полупроводниковых соединениях Л’лл-'. // Итоги науки и техники: Сер. Электроника и её применение. 1979. — Т. 11. — С. 105 -141.
  203. Determination of the Sohdus and Ga and P Vacancy Concentration in GaP./ A.S.Jordan, A.R.Von Neida, R. Caruso, H. Kim // Joum. Electrochem. Sos. 1974. — V. 121.-C. 153 — 159.
  204. Logan R.M., Hurle D.T.J. Calculation of Pomt Defect Concentration in GaAs. II J. Phys. Chem. Sol. -1971. V. 32 .- R 1739−1753.
  205. Nebauer Е., Schneider М. Regular Solution Calculations of Ternary Phase Diagrams for Ga-P-Ge and Similar Systems Using Electronegativity Data. // Phys. Stat. Sol. (a). V. 23. — 1974. — C. 485 — 493.
  206. X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М.: Мир. 1981. — Т. 2. -365 с.
  207. В.В., Соколов И. А., Кузнецов Г. Д. Технология материалов электронной техники. М.: МИСИС. 1995. — 496 с.
  208. Thurmond C D. Phase eqtnlibria in the GaAs and the GaP systems. // J.Phys. Chem. Solids. -1965.- V. 26, N 5. -P. 785−802.
  209. Stringfellow G.B. The calculation of regular solution interaction parameters between elements from groups III, IV and V of the periodic table. // Mat.Res.Bull.-1971.-V.6.-R 371−380.
  210. Взаимодействие в системе Ag-As-S в области кристаллизации соединения AgsAsSs RAgAsS2.1 И. С. Ковалёва, Л. Д. Попова, Н. П. Лужная, В.В.Суханки-на, Л. И. Антонова //Изв. АН СССР. Неорганические материалы.-1971.-Т. 7, № 9.-С. 1512−1517.
  211. А.Н. Давление пара химических элементов. -М.: Изд АН СССР.- 1961.-396 с.
  212. В.Г., Воеводина О. В. Фазовые равновесия в тройных системах, включающих нелинейные ИК-кристаллы. // Тез. докл. Международной конф. по росту и физике кристаллов, посвященной памяти М.П.Шасколъ-ской. МИСИС- Москва, 1998. С 46.
  213. Voevodina O.V. Themiodynamic study of a part of P-T-x phase diagrams of ternary systems containing some nonlinear optical compounds. // Book of Abstr. of The 11th International Conference on Ternary and Multmary Compounds. -Salford, 1997.-PI .93.
  214. В.Г., Воеводина O.B. Термодинамические основы технологии полупроводниковых соединений Л В вузов. Физика. -1993.- Т. 36, № 10.-0.40−5 1.
  215. В.Г., Воеводина О. В., Иванова М. А. Термодинамический расчёт2 4 5областей гомогенности полупроводников, А В С2. II Тез. докл. Четвёртой Все-союзн. конф. «Термодинамика и материаловедение полупроводников. «М., 1989. -4.2.-С. 458−459.
  216. В.Г., Воеводина О. В., Тернова Е. А. Термодинамический расчёт кривых ликвидуса некоторых тройных систем Ал -В"л -Сл. II Термодинамика и материаловедение полупроводников. М.: ПИО ЦНИИ «Электроника». 1986.-Т. П.-С. 288 -289.
  217. С. А Введение в технологию полупроводниковых материалов М.: Высшая школа. 1970. 503 с.
  218. Swalin R. A. Theoretical calculations of the enthalpies and entropies of diffusionand vacancy fonnation in semiconductors. // J. Phys. Chem. Sohds. -1961.- V. 18, No 4.-P. 290−296.
  219. F.Beniere. Entropy of formation of vacancies in sohds. // J. de Physique Letters. -1975.-V.36, No 1.P.L-9-L-12.289. бокий Г. Ф. Кристаллохимия. M.: Наука. 1971. — 400 с.
  220. Lattice Vibration Studies in AgGaSe2 by Neutron Scattering. / P. Derohez, R. Fouret, A. Laamyen, B. Hennion, J. Gonzalez // Cryst. Res. Technol. 1996. -V.31,S.I.2.-P.785 -789.
  221. y. M. Энтальпии образования точечных дефектов в бинарных и тройных полупроводниках. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы -1988. Т. 24, № 5.-R 735 — 742.
  222. Van Vechten J. А. Simple theoretical estimates of the Schottky constants and virtual enthalpies of single vacancy formation in zinc-blend and wurtsite typQ semiconductors. // J. Electrochem. Soc. 1975. — V. 122, No 3. — P. 419 — 422.
  223. B.B., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь.-1981.- С. 191.
  224. В.Г., Тернова Е. А. Энтальпия образования вакансий в соединениях У4 // Изв. АН СССР. Неорганические материалы 1985. — Т. 21, № 3.-Р. 362−365.
  225. .П. Физическая химия полупроводников. М.: Металлургия. 1969. — 224 с.
  226. Bublik V.T. The Mean Square Atomic Displacement and Enthalpies of Vacancy Formation in Some Semiconductors. //Phys. Stat. Sol. (a) 1978. — V. 45, No. 2.-C. 543 -547.
  227. Crystal chemistry, phase relations and optoelectronic characterisation of II-IV-V2 chalcopirites. / S. Schon, K. Diesner, Y. Tomm and S. Fiechter // Cryst. Res. Technol. 1996. — V. 31, S. L — P. 155 — 158.
  228. y. M. Энтальпия образования вакансий в тройных полупроводниках типа AABAd (? -Ag). //Изв. АН СССР. Неорганические материалы. -1989.Т. 25, № 10.-С. 1628- 1631.
  229. Voevodin V.G., Voevodma O.V. II-IV-V2 and I-III-VI2 nonlmear optical crystals for mid-IR-range: Schottky defects concentration. // Proc. of SPIE. 1999. — i V.3890.-P.75−81.
  230. O.B., Иванова М. А. Энтропия образования вакансий в алмазо-подобных полупроводниках AAB’Aci II Применение математических методов для описания и изучения физико-химических равновесий. Новосибирск, 1989.-4Х-С. 111−112.
  231. Voevodin V. G., Voevodina O.V. Infrared nonlinear optical crystals: Schottky defects concentration. // Abstr. of IV Int. Conf. in Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics, 1998, Kiev, Ukraine. Kiev, 1998.- P. 34.
  232. Исследование процессов дефектообразования в некоторых соединениях ААВАСЛ2 • I В. Г. Воеводин, А. П. Вяткин, О. В. Воеводина и др. // Тез.докл. Все-союзн. конф. «Тройные полупроводники и их применение». Кишинёв.: Шти-инца. 1979. С. 143−144.
  233. Weiser К. Theory of Solubility of Interstitial Impurities in Germanium and Silicon. // J. Phys. Chem. Solids. 1960. — V. 1960, N ½. — P. 149−161.
  234. ЗОб.Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа. 1973. — 655 с.
  235. Свойства элементов: Справочник / Под ред. М. Е. Дрица. М.: Металлур-, гия. 1985. — С. 672.
  236. FowlerR.H., Guggenheim Е.А. Statistical Thermodynamics. Cambridge: University Press. 1939. — 633 c.
  237. О.Ведерникова Т. В., Воеводина О. В., Лебедева М. В. Энергетический спектр дефектов в монокристаллах CdGeAs2. II Тез. докл. V Всесоюзн. конф. «Тройные полупроводники и их применение «. Кишинёв, 1987.- Т. I.- С. 81.
  238. Weiser К. Theoretical calculation of distribution coefficients of unpurities in germanium and silicon, heats of solid solutions. // J. Phys. Chem. Sohds. 1958. -V.7,No2/3.-R 118−126.
  239. Pauling L. C. Nature of the Chemical Bond. Cornell, Ithaca: Cornell University Press., 1960.313 .Мюллер Р. Л. Химия твёрдого тела и стеклообразное состояние.// Химия твёрдого тела / Под ред. З. У. Борисовой Л.: Изд.ЛГУ. 1965. — С. 9 — 63.
  240. Р.Б. Средняя энергия связи между одинаковыми атомами (гомосвязи). // Химия твёрдого тела. Л.: Изд. ЛГУ. 1965. — С. 64 — 74.
  241. Ч. Введение в физику твёрдого тела.- М.: Наука. 1978.-792 с.
  242. Л.И., Прочухан В. Д. Тройные алмазоподобные полупроводники. М.: Металлургия.- 1968.- 152 с.
  243. У.М. Рост и электрофизические свойства плёнок полупроводников (жидкофазовая эпитаксия). Элиста: Калм. кн. изд.- 1976.- 155 с.
  244. Н.Н. Физика и физико-химический анализ. М.: Изд. МИЦМиЭ им. М. И. Калинина. -1957. 138 с.
  245. Л.И. Вопросы металлургии и металловедения. М.: Металлургиздат.-1962.- 157с.
  246. Л.И., Баланевская Э. А. Тепловое расширение, теплопроводность и модуль упругости ряда тройных полупроводниковых соединений типа AABAQAj . // ФТТ. -1964.- Т. 6, вып. 5. С. 1311−1313.
  247. W.H.Kosliel, M.Bettmi. Zone-centxed phonons in ААВЛ82 chalcopyrites. // Phys. Stat, Sol. (B). 1975. — V.72, No 2. — P. 728 — 737.
  248. Е.В.Антропова, А. И. Копытов, А. С. Поплавной. Фононный спектр и ИК оптические свойства CdGeAs2. II Оптика и спектроскопия. 1988. — Т. 64, № 6. -С. 1285 — 1288.
  249. V.G.Tyuterev, S.I.Skachkov. On the lattice dynamics of AgGaS2. IIIL Nuovo Chn. 1992. — V. D14, No 11. — P. 1091 — 1095.
  250. V.G.Tyuterev, S.I.Skachkov. Lattice dynamics, thermodynamic and elastic properties ofCdGeAs2. //11 Nuovo Cim.- 1992.- V. D14, No 11. P. 1097−1103.
  251. В.Г. Спектры колебаний решётки и связанные с ними физические свойства сложных кристаллов. Дис. докт. физ.-мат.наук/ СФТИ при ТГУ. -Томск. 1999.-450 с
  252. Holah G.D., Grimsditch М. Brillouin scattering determination of the elastic moduh of AgGaS2 and their influence on the analysis of the optical phonon data. // J. de Physique. 1975. — V. 36, Suppl. 9. — P. c3185-c3188.
  253. Grimsditch M., Holah G.D. Brillouin scattering and elastic moduli of silver thiogallate. // Phys. Rev. В 1975. — V. 12, No 10. — P. 4377 — 4382.
  254. Elastic behaviour of the chalcopyrite CdGeAs2. ITu. Hailing, G.A.Saunders, W.A.Lambson, R.S. Foigelson // J.Phys. C. Solid State Phys. 1982. — V. 15, No 7. -R 1399- 1418.
  255. Тепловые и другие свойства ряда тройных алмазоподобных соединений. / Р. А. Аннамамедов, Э. А. Баланевская, Л. И. Бергер и др. // Химическая связь в полупроводниках и термодинамика / Под ред. Н. Н. Сироты Минск: Наука итехника. 1966. С. 317 — 320.
  256. А.С. Динамика решётки и химическая связь в полупроводниковых соединениях П-1У-У2.//Изв. вузов. Физика-1986.-Т. ХХ1Х,№. 8.-С. 5−19.
  257. Горелик С. С, Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и металловедение. М.: Металлургия. 1973. — С. 496.
  258. А.И. Введение в теорию полупроводников. Л.: Физматиздат. 1962.-654 с.
  259. Г., Солпитер Э. Квантовая механика атомов с одним и двумя электронами. М.: Госиздат. 1960. — 354 с.
  260. Bairamov В.Н., Rud' У. Yu., Rud' Yu. У. Properties ofDopants in ZnGeP2, CdGeAs2, AgGaS2 mdAgGaSe2. /IMRS BuUetia. -1998. July. — C. 41 — 44.
  261. O.B. Фазовые равновесия и термодинамика дефектов в соединениях .Л У c J // Тез. докл. У Всесоюзн. конф. «Тройные полупроводники и их применение «. Кишинёв, 1987. — Т. I. — С. 80.
  262. Оптические и магнитооптические явления в CdSnAs2. /Сихарулидзе Г. А., Тучкевич В. М., Уханов Ю. И., Шмарцев Ю. В. // ФТТ -1966. Т.8, вып. 4. — С. 1155 — 1164.
  263. СП., Прочухан В. Д., Шмарцев Ю. В. Термодефекты в CdSnAs2. II ДАН СССР. 1972. — Т.204, № 5. — С 1094 — 1097.
  264. Термообработка кристалловp-CdSnAs2 .14. Довлетмуратов, А. Алланза-ров, В. Д. Прочухан, Ю. В. Рудь, М. Сергинов // Изв. АН Туркм. ССР. Сер. физ.-техн., хим. и геологич. наук. -1972. № 3. — С. 103 — 106.
  265. Влияние термообработки на электрические свойства p-CdGeAs2. I4. Довлетмуратов, А. Алланзаров, Ю. В. Рудь, М. Сергинов //Изв. АН Туркм. ССР. Сер. физ.-техн., хим. и геологич. наук. 1972. — № 3. — С. 106 — 109.
  266. Л.В., Прочухан В. Д., Радул В. А. О влиянии отклонений от стехиометрии на свойства полупроводника ZnSnP2. II Некоторые вопросы химии и физики полупроводииков сложного состава: Материалы симпозиума. -Ужгород: УжГУ, 1970. С 114 — 115.
  267. В.Д. О поведении составляющих решётку элементов в соединениях AAB’Ad. II Некоторые вопросы химии и физики полупроводников сложного состава: Материалы симпозиума. Ужгород: УжГУ, 1970. — С. 40 — 44.
  268. Р.В. Исследования влияния дефектов решётки на свойства монокристаллов ZnGeP2. Дисс. канд. хим. наук. Л., 1980. — С. 290.
  269. Ф.П., Рудь Ю. В. Широкозонные полупроводники AAB’ACl со структурой халькопирита.// Тройные полупроводники и их применение: Материалы Всесоюзной конференции. Кишинёв: Штиинца. 1979. — С. 39−42.
  270. И.И. Собственные дефекты решётки в фосфидах Aaba’Ca. II Тройные полупроводники и их применение: Тезисы докладов V Всесоюзной конференции. Кишинёв: Штиинца. 1987. — С. 17 -18.
  271. А., Сергинов М. Дефекты решётки в кристаллах CdSiAs2. II Тройные полупроводники и их применение: Тезисы докладов V Всесоюзной конференции. Кишинёв: Штиинца. 1987. — С. 83.
  272. Rakovsky М.Н., Kuhn W. K., Lauderdale W.J. Electron paramagnetic resonance study of a native acceptor in as-grown ZnGeP2. IIAppl. Phys. Lett. 1994. — V.64,1. No 13.-P. 1615−1617.
  273. Фотоэлектрические свойства CdSnAs2. IЛ.М. Батукова, В. И. Данилов, Б. Н. Звонков, И. А. Карпович // ФТП 1982. — Т. 16, вып. 6.- С. 999 — 1004.
  274. .И. Диффузия в полупроводниках. М.: ФИЗМАТИЗДАТ. 1961. -462 с.
  275. В.К., Полтинников С. А. Определение подвижности и концентрации носителей тока в поверхностном слое полупроводника. // ФТТ. 1960. -Т. II, вып. 6.-С. 1169−1177. л
  276. Н.И. Измерение проводимости и холловской подвижности неоднородных полупроводниковых слоев произвольной формы. // ФТП. 1970. — Т. 4, вып. 10.-С. 1918−1921.
  277. СВ., Тарасов В. Д. Исследование распределения подвижности и концентрации носителей тока по глубине неоднородного слоя методом Ван-дер-По. // ФТП. 1973. — Т. 7, вып. 1. — С. 208−210.
  278. Fuller C.S., Wolfstim К.В. Cu-doubling in GaHium Arsenide. // J. Phys. Chem. Sol. 1966. — V. 27. — P. 1889−1905.
  279. Быстрая и медленная кинетика в процессе распада твёрдого раствора меди в арсениде галлия. / П. М. Гринштейн, В. И. Петровский, В. И. Фистуль, Т. Г. Югова // Арсенид галлия. Томск: Изд. ТГУ, 1974. — Вып. 5. — С 46 — 50.
  280. А., Дине Дж. Точечные дефекты в металлах— М.: Мир, 1966.- 291 с.
  281. Конверсия типа проводимости ZnSnAs2. IМ.А.Кривов, В. Г. Мелев, В.Н.КЛИМОВ, САХлыстова // ФТП. 1975. — Т. 6, вып. 9. — С. 1211 — 1213.
  282. Aukerman L.W. Electron Irradiation of Indium Arsenide. // Phys. Rev. 1959. -V. 115, No. 3.-P. 1133 — 1135.
  283. .И., Савин Э. П. Влияние нейтронного облучения на электрические свойства InAs. // Радиационная физика неметаллических кристаллов. -Минск, 1970. С. 116−120.
  284. Watkins G.D. Studies ofthe Lattice Vacancy and Low Temperature Damage
  285. Radiation Effects in GaAs. / L.W. Aukerman, P.W. Davis, R.D. Graft, T.S. Shilliday // Joum. Appl. Phys. 1963. — V. 34, No 12. — P. 13 590 — 3599.
  286. Kolodziejczak J. Transport of Current Carries in n-Type Indium Antimonide at Low Temperatures. // Acta Phys. Pol. 1969. — V. 20, Ease. 4. — P. 289 — 396.
  287. Поведение примеси меди в соединении CdSnAs2 .1 А. П. Вяткин, В. Г. Воеводин, О. В. Воеводина и др. // Изв. вузов. Физика. 1973. — Т. 16, № 7. — С. 39 -44.
  288. О.В., Кривов М.А Физико-химический анализ поведения дефектов в твёрдом растворе CdSnAs2 -Си. II Доклады юбилейной научно-технической конференции университета. Томск: Изд.ТГУ. 1973. — 4.1. — С. 116−120.
  289. В.Н., Воеводина О. В., Кривов М. А. Исследование дефектов в кристаллах CdSnAs2, облучённых электронами. // ФТП. 1976. — Т. 10, вып. 7.-С. 1311−1314.
  290. Исследование радиационных дефектов в некоторых соединениях ЛЛЛЛС-?. /
  291. Defects in Electron Irradiated CdSnAs2 Crystals. / V.N.Brudnyi, V.G. Voevodin, O.V.Voevodina, M.A.Krivov // Phys. stat. sol.(a). 1980. — V.62. — P.155−162.
  292. Влияние примеси меди и структурных дефектов на свойства соединения CdSnAs2. /АП.Вяткин, О. В. Воеводина, Т. В. Ведерникова и др.// Изв. вузов. Физика. 1980. — Т. 23, № 5. — С. 102−108.
  293. A. n ., Воеводин В. Г., Воеводина О. В. Исследование деградации фотоприёмников на основе CdSnAs2 и структурAl-CdSnAs2. II Физические основы надёжности и деградации полупроводниковых приборов. -Кишинёв: Штиинца.-4.1.-С.81.
  294. Коэффициент диффузии и энтальпия растворения меди в кристаллах CdSnAs2 .1 А. П. Вяткин, В. Г. Воеводин, О. В. Воеводина и др. // Изв. вузов. Физика.- 1982. Т. 25, № 4. — С. 103−104.
  295. О.В. Поведение примеси меди и структурных дефектов в диар-сениде кадмия-олова: Автореф. дисс.. канд. физ.-мат. наук / ТГУ. Томск. 1982.20 с.
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!