Бакалавр
Дипломные и курсовые на заказ

Локальная динамика парамагнитных центров таллия в кристаллах группы ?-K2 SO4

Диссертация: Локальная динамика парамагнитных центров таллия в кристаллах группы ?-K2 SO4
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Аномальный сдвиг линий ЭПР ТТТ (П) в области Р-фазы описан в модели влияния мягких мод на константу СТВ. Аномальная форма линии ЭПР в области 1-фазы описана в предположении о влиянии нецентральных дефектов таллия на форму несоразмерной волны в районе дефектов. Из сравнения экспериментальной и рассчитанной формы линии ЭПР определен вид искажения несоразмерной волны. В области Тс обнаружен… Читать ещё >

Содержание

  • ттт→т тт т -С ызв-диниш.-. →
  • ГЛАВА 1. Модернизация измерительного комплекса на. базе радиоспектрометра ТНИ 25 .,.,
    • 1. 1. Используемое промы! пленное оборудование.,
    • 1. 2 Устоойство связи с объектами.,. 1 з
      • 1. 3. Модернизация блоков спектрометра ТН1Ч-251 для цифровой пегмстпяпии спе^тпон ЭТТр
    • 1. г'
      • 1. 4. Алгоритм программы регистрации спектров ЭПР
      • 1. 5. Модернизация блока синхронного детектора.,.,
    • 16. Молеонизапия блока оегулиоовки и измерения темпештуоы
  • I, /, установка для измерения диэлектрической проницаемости кристаллов на базе прибора К7−12.,.,
  • ГП, А О, А * I ' I ! I и |[П1'.ОЧ!ОТТ11[Т ((: .1' 5141 (С!Л/ п I ?" X? ч X/ К. и С !)
    • 1. Л-чип А. л 11 ысшаМси пшпшл. ц. ¦.. «."-.- 1 I о лря^'Шищл <ч /.?. и> ¦.ттттт ОЛ/ЛТТЛТШП '^Пи ТТО"П*ППТТТртТТТ IV 11Г1 11Т1Л П ' I ' Г> тттуал/
  • Ч / ¦
  • Г> Т.'» О ' ^ '
  • ПТУППЫ И-КтЛ! }л ?
  • — Г — Г ¦ — Т ¦ ¦.. ¦
    • 2. 11. Структура кристаллов группы [З-К^ЗОф.,.,
    • 2. 1. 2, Спиновый гамильтониан и энергетические уровни
  • ТТОУЧ он К -ПТТТТТТТТ ТУ тта тттмл /ЛТ> I ' Ч }
    • 11. ауи’У! С!: I" г * I II О! л 1Д V и I иии II, .,.", ^ гт/ппы К-К^ЧС Ь I- ^ --------- - г- - - - *т' ' -.. ... .* ' * * ! ' ' «'

    2,3= Изотопическое р&с* це п ление линий спектрз ЭПР ттОГУ^И гпт^тттт'гттт т-47- ттлттпг"Л"ЛТ5 I пирита» пгнп01Л 1 рио II |и-. -}() /I С ттат/"ттт ?Л1 I ттдттатт^ггл г" ттт ттт тх/- тхтгг' I ' ' / I 1 п лгтталт' «~г. V I I I и и1 ч^/' 111 ! 1 I JC-J ! и! I и! А нинив 11 I ?1 — О С&- ал

    КЫЗСь и С"8?50'!. .,.

    2.4,1 Температурная трансформация формы линии ЭиР ионов

    ТГ (П) в кристаллах К2804, РЪ2804, С52 804.

    2.4.2. Определение времени жизни дефектных конфигураций парамагнитных центров ! Г1 {!I) в кристаллах К2804.

    2.4.3. Сужение линий ЭПР парамагнитных центров ТРТП) при совпадении резонансных полей.

    2.4.4. Нелинейная температурная зависимость положения линий ЭПР парамагнитных центров ТГТ в кристаллах КлЗО^.

    2.5. Низкотемпературные аномалии спеюров ЭПР парамагнитных центров ТГ+(1!) в кристаллах КЬ2804 и € 52 804.

    2.5.1, Температурная трансформация формы линии ЭПР

    парамагнитных центров Т12ЧП) в кристаллах КЬгБО.-ь СвгБОл.

    2.5.2. Изменение симметрии спектра ЭПР, вызванное дополнительной степенью свободы движения парамагнитного центра Т1^(И),.,

    2,5,3 Зависимость ширины линий Э1! Р ионов ТГ (?1) в кристаллах

    ЯЬгЗОд, СзгЗОд от ориентации магнитного поля,.,.

    2.6. Возможные механизмы смещения иона ТГЧШ из позиции катиона в кристаллах группы р-КгЗО^

    2.6.1 — Смещение иона таллия под воздействием эл екфостатических

    2.6.2. Смещение примесного иона под влиянием локальных колебаний

    2.6.3. Смещение примесного иона под влиянием псевдоэффекта

    Яна-Теллера. .,.,.,.,.

    3. ЭПР ионов ТГ{11) в кристаллах К28е04.

    3,1, Структурные фазовые переходы в кристаллах К28е04 .,.,.,.

    3.1.1. Форма линий спектров ЯМР, ЭПР, ЯКР в кристаллах с несоразмерными фазами,.,.,.,.,.,.,.,.,

    3.1.2. Влияние дашьнодействующих корреляций между парамагнитными центрами ТГт в несоразмерной фазе ш. спектры ЭГТР .,.,.

    3.2. Зависимость формы линий спектра ЭПР от концентрации парамагнитных центров ТТТ (П).

    3.3. ЭПР ионов Т12+(П) в области 1-фазы.

    3.4. ЭПР ионов Т12+(Н) в области Р-фазы

    3.5. ЭПР ионов ТГ (П) в области перехода из I- фазы в С- фазу.

    3.6. ЭПР ионов Т12+{11) в С-фазе.

    3.6−1. Одре деление времени сдин-решеточной релаксации парамагнитных центров фазовым методом.

Локальная динамика парамагнитных центров таллия в кристаллах группы ?-K2 SO4 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ

.

Современные тенденции развития приборостроения создают потребности в материалах, обладающих необычными, а подчас и уникальными свойствами, В наибольшей степени таким требованиям отвечают вещества, претерпевающие фазовые переходы, так как именно вблизи точек фазовых переходов происходит аномальное увеличение обобщенных вое I ф и и м ч и восге й соединений. Аномалии этих свойств могут служить основой для создания приборов и устройств, использующих повышенную лабильность структуры вблизи фазовых переходов для обеспечения наибольшей энергетической экономичности управляющих полей [1]. В последние годы интенсивно исследуются вопросы, связанные с влиянием дефектной структуры реальных кристаллов на термодинамические и динамические свойства происходящих в них фазовых переходов. В настоящее время можно считать установленным, что для большинства структурных фазовых переходов аномалии свойств вблизи температур перехода обусловлены дефектами, поскольку вследствие повышенной лабильности структуры вблизи точек фазовых переходов, физические свойства кристаллов оказываются весьма чувствительными к наличию дефектов и примесей. Поэтому объясним интерес к исследованиям фазовых переходов в реальных кристаллах и к изучению влияния примесей и дефектов на структурные фазовые переходы. Особенно интересными с точки зрения влияния на физические свойства кристаллов, являются нецентральные примесные ионы, т. е. локальные центры, движущиеся в многоямном потенциале, чьи минимумы соответствуют положениям, сдвинутым относительно позиций замещаемого иона. Нецентральные примесные ионы могут быть использованы как модельные объекты для исследования движения частиц в твердом теле. Как показали исследования, роль таких квантовых дефектов в формировании физических свойств твердых тел очень важна. Достаточно отметить двухуровневые системы в стеклах, дефекты типа Гальперина — Варма в кристаллах со структурными фазовыми переходами [2]. Кроме этого, нецентральные примесные ионы и локальные центры такого типа, из-за их относительно сильной связи с решеткой, часто имеют очень быструю релаксацию [3], приводящую, в частности, к спин-решеточной релаксации других центров через спиновую диффузию. Сильная связь с решеткой делает нецентральные примесные ионы хорошими зондами внутренних полей в кристаллах, помогая определить их характеристики [4],.

Одним из методов, дающим информацию о свойствах парамагнитных дефектов в определенных звеньях структуры, особенно ценную для систем, отличающихся большой сложностью, является метод электронного парамагнитного резонанса (ЭПР). Так как метод ЭПР использует в качестве зондов примесные парамагнитные центры, он позволяет получать уникальную информацию о свойствах парамагнитного дефекта, взаимодействующего с «мягкой» матрицей.

Поэтому изучение свойств реальных кристаллов с дефектами и свойств самих дефектов в кристаллах может помочь созданию материалов и устройств с заранее заданными свойствами.

Среди множества известных к настоящему времени ионно-ковалентных кристаллов со структурными фазовыми переходами можно выделить большую группу, основными структурными элементами которых являются жесткие анионы ВХ4 (804, 5е04, ВеР4, 2. пС1Д, а фазовые переходы определяются упорядочением ориентации именно этих сравнительно тяжелых гетраэдрических анионов. Разные представители этой группы испытывают различные фазовые превращения. Отметим кристаллы КоЗеС^ и КЬ22пС14, в которых понижение частоты колебаний решетки приводит к фазовым переходам в несоразмерную фазу и потере трансляционной симметрии всего кристалла. В то же время в этой группе существуют кристаллы не испытывающие фазовых переходов в изучаемом диапазоне температур, например КгЗОд, КЬгЗО^ СзгЗОд, Кристаллы этой группы широко изучались разными методами, в том числе и методом ЭГТР. В числе подобных исследований можно отметить изучение ЭПР ионов СсГ, А§ и [5, 6, 7], СхГ [8, 9], Мп2+ МО, 11]. Методом ЭПР изучались и кристаллы К28еС>4, испытывающие фазовые переходы в несоразмерную и сегнетоэлектрическую фазы. В качестве парамагнитных зондов использовались центры Сг3, У02т [12], (80)4~[13]. Более подробное изучение температурных зависимостей спектров ЭПР ионов П) позволило обнаружить нецентральность этого центра в кристаллах К2804, 1804, СзгЗОд [14]. При изучении температурных зависимостей спектров ЭПР ионов Т12т (П) в кристаллах К28еС>4 была обнаружена аномальная форма линии ЭПР в области несоразмерной фазы, которая была объяснена в предположении о возникновении пальнопейств^юпщх коппеляций между нецентпальньши ионями таллия чеоез !, 1 ^ «?- I Т^"/' * Г» Д. несоразмепную волну Г141. Поэтому кристаллы п^ппы Ко 8СЬ с гшимссью.

X" V ^ I, 1 X?" т ^ л. ионов таллия могут служить модельным объектом для изучения особенностей взаимодействия нецентральных ионов с «мягкой» матрицей.

Поэтому ОСНОВНОЙ ЗАДАЧЕЙ диссертации являлось исследование свойств нецентральных примесных ионов Т12″ (!1) в кристаллах {С->804, КЫБОл. 82 804 и их взаимодействия с мягкой модой спектра колебаний кристаллической решетки кристаллов К28е04 методом ЭПР.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА Р АБОТЫ 1. Впервые методом ЭПР в кристаллах К^ЗОд обнаружено распределение времен жизни дефектных конфигураций иона таллия и определен вид этого.

Рл ттг*. а ттаттлитг гг.

2. Впервые обнаружены аномалии в температурной зависимости спектров ЭПР ионов Т12ЧШ, связанные с проявлением дополнительной степени свободы в движении примесных ионов таллия в кристаллах РдъЗСь, СзгЗОд.

3. Впервые измерена концентрационная зависимость формы линий ЭПР ионов Т12т (П) в несоразмерной фазе кристаллов К28е04. Отсутствие влияния концентрации ГГЦ ТТ^СП) на спектры ЭПР показывает, что взаимодействие между нецентральными ПЦ не определяет аномальную форму линий ЭПР. л I.

4. Впервые показано, что форма линий ЭПР ионов ТГГ{П) в области 1-фазы кристалла К-8еОобусловлена взаимодействием нецентрального движения дефектов таллия и несоразмерной волны. Из сравнения экспериментальной и рассчитанной формы линии ЭПР определен вид функции смещения парамагнитного иона из плоскости (аЬ) кристалла.

5. Впервые в области сегнетоэлектрического фазового перехода в кристалле К- 8е04 измерен температурный гистерезис интенсивности линий спектраЧ |.

41 II-* тугттАт>

ПНИ &bdquo-лхп, ТТХ Л ТТГ ТТТ 7ГТОТТТТТ Т^ «11'1 ' I ! 3 ' -1 — ! «Т'1' ТII I Л Ч Г л п иипип II 11 /, 1441 1аДс1С I V нил у -^ппи!"] к! .» ДИ улСп I ргшССппл измерений.

6. Анализ зависимостей интенсивности линий спектра. ЭПР трех структурнол > неэквивалентных ПЦ ТГ {!П в утроенной ячейке кристалла К-8е (Ь от мощности СВЧ при низких температурах показал, что время спин.

1 I решеточной релаксации одного из ПЦ ТТ" (У) на два порядка короче времени спин-решеточной релаксации двух других центров таллия.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ выполненных исследований состоит в том что получены новые экспериментальные результаты которые могут быть использованы для проверки существующих теоретических моделей взаимодействия движения нецентральных примесных ионов с кристаллической решеткой и развития представлений об их влиянии на структурные фазовые переходы.

СТРУКТУРА И ОБЪЕМ РАБОТЫ.

Диссертация состоит из трех глав, введения, заключения и одного приложения.

В первой главе описывается используемое в работе экспериментальное оборудование. Описание используемого промышленного спектрометра ЭПР и разработанной схемы цифровой регистрации спектров приведены в п. 1.1−1.5. Схема установки для измерения диэлектрических свойств кристаллов описана в п. 1.6. Проведенная модернизация оборудования позволила успешно изучить свойства парамагнитных центров в кристаллах группы КгЗО^.

Во второй главе обсуждаются результаты исследования парамагнитных центров Т12+ в кристаллах К28С)4, РЬгЗОд, СзгЗО^ Приведенные.

I -... «I. г I г 11 I —. тх. «! «' I .Л II т I. и 11 / ' 11. * - ' | I.. -' I' г^ I. ^ I (X) 11 I I (л и.

1 11СРа 1 у ¡-/п о! V и у|.11ЧуВо1С ойонч/п™ и"^ 1 и ч/мСшрОо -^л и пипип II >" подтверждают существование нецентрального движения ионов таллия в этих кристаллах. Из температурных зависимостей спектров ЭПР определены параметры активационных процессов. Обнаружено дополнительное расщепление линий ЭПР в кристаллах КЬ2804 и СэгЗОд при понижении температуры. Отсутствие аномалий макроскопических свойств кристаллов в температурном диапазоне расщепления линий указывает на локальную природу трансформаций ЭПР спектра. Расчеты кристаллического поля для иона Т12ЧШ в кристаллах К2804, Шэ2804, Сб2804 позволили предположить, что дополнительная трансформация спектров ЭПР обязана движению примесного центра в многоямном потенциале, образованном электростатическим взаимодействием с окружающими ионами, Обсуждается эффект сосуществования высоко и низкотемпературного спектров ЭПР в кристаллах К2804, обусловленный распределением времен жизни ионов таллия. Определен вид этого распределения.

В третьей главе обсуждаются результаты изучения спектров ЭПР ионов ТГ'(Д) в кристаллах К Яе04. Показано, что отсутствие зависимости вида температурной трансформации спектров ЭГТР от концентрации ионов таллия свидетельствует о неприменимости модели дальнодействующих корреляций между нецентральными ионами таллия через несоразмерную волну [14].

Аномальный сдвиг линий ЭПР ТТТ (П) в области Р-фазы описан в модели влияния мягких мод на константу СТВ. Аномальная форма линии ЭПР в области 1-фазы описана в предположении о влиянии нецентральных дефектов таллия на форму несоразмерной волны в районе дефектов. Из сравнения экспериментальной и рассчитанной формы линии ЭПР определен вид искажения несоразмерной волны. В области Тс обнаружен температурный гистерезис спектров ЭПР и сопоставлен с гистерезисом диэлектрической проницаемости этого же кристалла. В соразмерной фазе при низких температурах обнаружено различие во временах релаксации трех структурноI г 5 03 К о И В? Ц] С ИТНЫХ ИСИТрОВ II {II) В утрОСННОМ ЭДемеНТарНОИ ЯЧСИКС КрИСТаЛЛ а.

К28е04.

В заключительном разделе приведены основные результаты, полученные.

11 тгттллаптч1ттт1т1.

О ДИу^инщнп.

В приложение вынесены принципиальные схемы разработанных блоков устройства связи с объектами.

Л 1—ГТ> т—> * Т ТТ Т ГГ ТГЧ, А Т—* >—Ч Т^Т т.

АI ||ЛЬА! [ЙЛ ±->и I ы.

Основные результаты работы, опубликованные в [15−27], докладывались и обсуждались на итоговых конференциях Казанского государственного университета (Казань, 1996;1997г.) — Международном конгрессе АМРЕК. Е (Казань 1994) [19]- Международном семинаре «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, 1995) [20], Всесоюзной конференции по физике сегнетоэлектриков. (Иваново, 1995) [21], 3-ей европейской конференции по приложениям полярных диэлектриков (Словения, г. Блед, 1996 г.) [22]- 1-ом азиатско-тихоокеанском ЭПР симпозиуме (Гонконг, 1997 г.) [23]- 7-м международном семинаре по физике сегнетоэластиков 18РР-7 (Казань, 1997 г.) [24, 25], 4-ом украинско-польском собрании по 'Фазовым переходам и физике сегнетоэлектриков" (Украина, г. Днепропетровск, 1998 г.) [26]- Молодежной научной школе «Актуальные проблемы магнитного резонанса и его приложений» (Казань, 1998 г.) [27].

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Приведем основные результаты настоящей работы.

1. Проведена модернизация радиоспектрометра фирмы THOMSON и блока DTC-2 гелиевого проточного криостата ESR-9, которая позволила получить новую информацию из спектров ЭПР.

2. Обнаружена линейная зависимость величины изотопического расщепления линий спектра ЭПР Т12+ в кристаллах K2SO4 от величины магнитного поля. ЛАЛ ЛАГ.

Предложена методика разделения линий спектров ЭПР изотопов Т1 и Т1 Т заключающаяся в последовательном вычитании спектра ЭПР изотопа Т1205. Определена связь параметров этой зависимости с параметрами спинового гамильтониана.

3. Проведенный анализ температурных и угловых зависимостей спектров ЭПР ионов Т12+(Н) в кристаллах K2SO4, Rb2S04, CS2SO4 подтвердил существование нецентрального активационного движения дефектов таллия между двумя конфигурациями, связанными плоскостью симметрии /w-типа. Из аппроксимации температурных зависимостей спектров ЭПР модифицированными уравнениями Блоха определены параметры нецентрального движения парамагнитных дефектов Т12+(П) в кристаллах K2S04, Rb2SO, Cs2S04.

4. Обнаружено сосуществование спектров ЭПР в кристаллах K2S04, Rb2S04 и Cs2S04, обусловленное распределением времени жизни иона таллия в одной из конфигураций. Определена вид этого распределения для кристалла K2S04.

5. В кристаллах Rb2S04, Cs2SOi обнаружены дополнительные изменение симметрии спектров ЭПР ионов Т12+(П). Отсутствие аномалий в температурной зависимости диэлектрической проницаемости указывает на локальную динамическую природу трансформаций ЭПР спектра. Показано, что температурная трансформация спектров ЭПР обусловлена существованием дополнительной степенью свободы в движении дефекта таллия.

6. Проведенный расчет кристаллического потенциала иона Т12т (Н) в кристаллах К2804, Ш^СЬ, С8280л показал, что электростатическое взаимодействие с окружающими ионами может привести к появлению дополнительной степени свободы в движении нецентрального примесного иона Тг (II), если его ионный радиус меньше радиуса замещаемого катиона,.

7. Измерена концентрационная зависимость формы линий ЭПР ионов ТТ+(И) в несоразмерной фазе кристаллов К28е04. Отсутствие влияния концентрации ионов талия на температурную зависимость спектра ЭПР свидетельствует о том, что косвенное взаимодействие между нецентральными ионами таллия не дает вклад в аномальную форму линий ЭПР,.

8. Установлено, что форма линии ЭПР ионов Т124(II) в области несоразмерной фазы кристалла К28е04 обусловлена искажением двухямного потенциала нецентрального дефекта волной несоразмерной модуляции. Из сравнения экспериментальной и рассчитанной формы линии ЭПР был определен вид функции смещения парамагнитного иона из плоскости (аЬ) кристалла.

9. Показано, что аномальный сдвиг линий ЭПР ионов Т12+(П) в параэлектрической фазе кристалла К28е04 обусловлен изменением энергии сверхтонкого взаимодействия под влиянием мягкой моды спектра колебаний кристаллической решетки.

10.В области сегнетоэлектрического фазового перехода в кристалле К28е04 измерен температурный гистерезис интенсивности линий спектра ЭПР ионов ТР+(П), который совпадает с гистерезисом диэлектрической проницаемости кристалла.

11 В области соразмерной фазы кристаллов К28е04 обнаружено различие температурных зависимостей положения линий спектра ЭПР трех ''сверхструктурт-ых!' центров ТР+(И), Анализ зависимостей интенсивности линий от величины насыщающей СВЧ мощности при низких температурах показал, что время спин-решеточной релаксации одного из ''сверхструктурных'' центров Т12+(11) на два порядка выше короче релаксации двух других «сверхструктурных» центров таллия.

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ.

ЭПР — электронный парамагнитный резонанс.

ПЦ — парамагнитный центр

ЯМР — ядерный магнитный резонанс.

ЯКР — ядерный квадрупольный резонанс.

ИБ — интерфейсный блок.

ЦПУцифровое печатающее устройство.

УСО — устройство связи с объектами.

РМП — развертка магнитного поля.

ЭВМ — электронно-вычислительная машина м/сх — микросхема.

МТС — метод градиентного спуска.

СТВ — сверхтонкое взаимодействие а, Ь, с — оси кристалла.

Н — магнитное поле v — частота генерации клистрона ЭПР спектрометра о) — круговая частота ЭПР резонанса.

Whf — мощность на выходе блока клистрона р — фаза ВЧ модуляции сигнала ЭПР.

— интегральная интенсивность линии е — диэлектрическая проницаемость.

I I — РТТТлИмккТТл ГЯляЦТПчТЛКТД^Тч.

A A Villiiii,' ijDiii A iiiTJli. ii,' i. Wiilii-tii й1фф ~ эффективный g-тензор, вводимый для слабополевого сверхтонкого перехода ЭПР ионов ТР+(П). Еа — энергия активации.

Pact — вероятность дефекта таллия перескочить в другой минимум потенциала.

1 Л 1.

III.

М — общий магнитный момент большого количества спинов при некоторой температуре. УТемпература. ФИ — фазовый переход.

Р-фаза — Параэлектрическая фаза в кристаллах КТЧеО:

Т-фаза — Несоразмерная фаза в кристаллах К28е04.

С-фаза — Сегнетоэлектрическая фаза в кристаллах К-ЗеСь.

Р (х) — распределение вероятности параметра х.

Р ((р) — форма несоразмерной волны.

Ф (с!) — форма искажения несоразмерной волны.

Автор глубоко признателен Ефимову Владимиру Николаевичу за научное руководство, постоянное внимание к работе и помощь в интерпретации экспериментальных результатов.

Выражаю искреннюю благодарность Казакову Борису Николаевичу, Степанову Владимиру Григорьевичу и Еремину Михаилу Васильевичу за ценные советы и критический просмотр рукописи, Богатовой Татьяне Борисовне за выращенные кристаллы, а также коллективу кафедры квантовой электроники и радиоспектроскопии КГУ за содействие в выполнении диссертационной работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Рез И. С. Современные тенденции в разработке и применении сегнето- и пьезоэлектриков // Актуальные проблемы сегнетоэлектрических фазовых переходов. Сб. Науч. Работ. Рига: Изд. Латв. ГУ. 1983. С. 55−79.
  2. В. Halperin, С. Varm.a. Defects and the central peak near structural phase transition // Phys.Rev. 1972. V. 7. P. 4030−4044.
  3. B.C. Вихнин Реориентационная и спин-решеточная релаксация обусловленная тунельно-контролируемым процессом /У ФТТ. 1978. Т. 20. N./-1 1 Л J, А 1 л /t /"е. ij40-iJ4D.
  4. B.C. Вихнин, Л. С. Сочава, И. Н. Толпаров Тунелирование нецентральных ионов во внешнем электрическом поле // ФТТ. 1984. Т. 26. С. 2661−2665.
  5. В.Ф. Крутиков, И. И. Силкин, Л. А. Трофанчук Парамагнитный резонанс атомов Ag° в состоянии 'Su в кристаллах K2SO4 /У ФТТ. 1971. Т. 13. С. 617−620.
  6. В.Ф. Крутиков, Н. И. Силкин, В. Г. Степанов ЭПР ионов Cd' в состоянии %2 в кристаллах K2S04H ФТТ. 1971. Т. 13. С. 3100−3109
  7. Р.П. Гарифулина В. Ф. Крутиков, Н. И. Силкин, В. Г. Степанов Магнитные свойства ионов IT' в кристаллах К2SO4 H ФТТ. 1972. Т. 14. С. 618−624
  8. Р.Ю. Абдулсабиров, Т. Б. Богатова, Ю. С. Грезнев, М. А. Зарипов Электронный парамагнитный резонанс ионов Си2″ в K2S04И ФТТ. 1970. Т. 12. С. 657−659.
  9. Р.Ю. Абдулсабиров, Т. Б. Богатова, Ю. С. Грезнев, М.А. Зарипов
  10. Электронный парамагнитный резонанс ионов Си2+ в Rh^O^i ФТТ. 1971. т — -i г1 тлог-. 0/100
  11. Р.Ю. Абдулсабиров, Т. Б. Богатова, Ю. С. Грезнев, М. А. Зарипов ЭПР двухвалентных ионов марганца в кристаллах со структурой K2SO4 И КГУ Казань, сб. «Парамагнитный резонанс». 1974. вып. 8−9. С. 229.
  12. Р.Ю. Абдулсабиров, Степанов В. Г., Ю. С. Грезнев, М. А. Зарипов Температурная зависимость спектра ЭПР Мп*+ в CS2SO4 /У ФТТ. 1972. Т. 14. С 1816—1817.
  13. М. Fukui, С, Takahasi, R. Abe ESR line shape study in incommensurate phase of r (Se€'4 andRbHsfSeOs)? crystals /7 Ferroelectrics. 1981. V. 36. P. 315−318.
  14. Aiki K., Hukuda K. ESR study of y-irradiated K^eOJl J.Phys.Soc.Jap. 1969. V. 26. N. 4. P. 1064.
  15. Grinberg E.S., Efimov V.N. On some ESR. features of TI2+ relaxing paramagneticdefects in K^e04 crystals with incommensurate phase // Ferroelectrics. 1990, t 10,7 x>1. V 1 w /. i > — r w
  16. V.N. Efimov, G.V. Mamin The relexmg Tl2^ defects in crystals of, 6-K2SO 4 group /7 Modem Physics Letter B. 1997. V. 11 N. 13. P. 579−583.
  17. G.V. Mamin, V.N. Efimov The lifetime distribution ofrlT+ defect configuration in K2SO4 crystals // Modem Physics Letter B. 1998. V. 12. N. 22, P, 929−932.
  18. G.V. Mamin, V.N. Efimov The Tl2' paramagnetic defects in K.2Se04 crystals /7 Ferroelectrics. 1999. V. 233. N. 1−2. pp. II1−119
  19. G.V.Mamin, V.N. Efimov EPR and evidence for two structural noneiiuivalent states of Tt (II) paramagnetic centers near noncentral positions in Rb2S04 and C. S2SO4 crystals H Magnetic Resonance in Solids, V.3, No.2, pp.8 (1999)
  20. Efimov V.N. Mamin G.V. instability of Tl2+ ions in crystals of К2S04 type // Extended abstracts of XXVII Congress AMPERE on magnetic resonance and related phenomena, (Kazan, August 22−29, 1994). V. 2. P. 1021,
  21. B.H., Мамин Г. В. Спин-решеточная релаксация дефектов TV в соразмерной фазе кристалла К^е04 ?1 Тезисы Международного семинара «Релаксационные явления в твердых телах», (Воронеж, сент.5−8, 1995), Р. 96
  22. В.Н., Мамин Г. В. Свойства парамагнитных дефектов IT' в кристаллах КгЗеО 4 !! Тезисы 14 Всесоюзной конференции по физике сегнетоэлектриков. (Иваново, сент. 19−23, 1995). Р. 164.
  23. Efimov V.N., Mamin G.V. The dynamics of paramagnetic Ti2+ defects in K^e04 crystal // Abstract of 3d European Conference on Application of Polar Dielectrics. (Bled, Slovenia, August 1996). MoPo. 11−10. P.88
  24. Mamin G.V., Efimov V.N. The dynamic of paramagnetic Tldefects in K2Se04 crystals H Abstract of 1-st Asia-Pacific EPR/ESR symposium.
  25. Hong-Kong. 20−24 January 1997). P. 130
  26. Efimiv V., Mamin G. Structural instability and local dipolc moment of Tl- ~ ions in crystals of К у SO 4 group // Abstract of Seventh Intern. Seminar on Ferroelastic Physics. (Kazan, June 1997). P. PO6−8,.
  27. Efimov V., Mamin G. The distortion of incommensurate wave by iondisplacements in K2SO4 crystals // Abstract of Seventh Intern. Seminar on Ferroelastic Physics. (Kazan, June 1997). P. P09−6.
  28. Мамин Г. В., Efimov V.N. The lifetime distribution of 'IT' configuration in K2SO4 crystals // Abstract of IV ukrainian-polish meeting on Phase Transitions and Ferroelectric physics. (Dniepropetrovsk, Ukraine, June 15−19, 1998). P. 103
  29. Г. В., Ефимов B.H. Электрополевой эффект нецентральных ионов Tt^ в кристаллах K2SO4 // Труды Молодежной научной школы «Актуальные проблемы магнитного резонанса и его приложений» (Казань, 3−6 ноября 1998). С. 67−68
  30. Б, Г. Федорков, В. А. Телец Микросхемы ЦАП и АЦП // МОСКВА, ЭНЕРГОАТОМИЗДАТ, 1990. С. 194−207.
  31. ЭПР спектрометр Х-диапазона THN-251 Техническое описание и инструкция по эксплуатации /7 фирма THOMSON-HOUSTON, 1969.
  32. Цифровой температурный контролер DTC-2 Техническое описание и инструкция по эксплуатации // OXFORD INSTRUMENT LTMETED, Oxford 0X2 ODX, England, 1978.
  33. E7−12, E7−12/1 измерители L, C, R цифровые Техническое описание и инструкция по эксплуатации /У 2.724.011 ТО
  34. Ю.А. Исследование примесных кристаллов методами ЭПР -спектроскопии во внешнем электрическом поле /7 Дисс. на соискание ученой степени д.ф.-м.н,, Свердловск -1983. 332 с.
  35. Dreybrodt W, Silber D. Electron spin resonans of Tl2' centers in KCl crystals // Phys. St. Sol. 1967. v. 20. N. 1. P. 337−346.
  36. MCromin IV Л Qill^-i-rt XI T ' / Ч/г s~>r тлл, s4 t) О с о /л-f 1т/лмг yV") ржо//-
  37. Л viiilil iVI. у, ^ j i JJ4 11 i 1>.L, ± f/.sr^(/f у ijj i,± ± Ы ijj 1 I /(Л if! ii. /¡-J!—'-Ъ/fi^f icrystals // Phys.Stat.Sol. (b) 1977. V. 84. N. 2, P. 803−811.
  38. L.K. Aminov, I.N. Kurkin, N.T. Silkin and V.l. Shlenkin Spin-lattice relaxation of lf+ ions in K2S04 single crystals // Phys. Stat. Sol. (b). 1975. V. 75. N. 97. P. 97−102л
  39. B.H. ЭПР ионов в «Si/? состоянии в некоторых сульфатах и селенатах со структурными фазовыми переходами // Дисс. на соискание ученой степени к.ф.-м.н., Казань -1988. 160 с.
  40. Landolt-Bornstein Zanheenwerie und Funktiomen aus Physik, Chemie, Geophysik, Astronmie, Technik, // 4 teil Berlin, Springer-Verlag, 1961
  41. Van der Berg A.J., Tuinstra F. The space group and structure of a- K2SO4 /7 Acta Cry st. B. 1978. V. 34. N. 11. P. 3177−3181.
  42. Wycoff R.W.G. The structure of crystals //'New York. 1931, P. 337−346
  43. M.T. Robinson// J. Phys. Chem. 1958. V. 62. C. 925.
  44. И. Нараи-Сабо Неорганическая кристаллохимия Н Будапешт 1969, С. 503
  45. Noboru Yamada, Takuro Ikeda Incomensurately modulated structure of К2SeO4 /7 Journal of the Physical Society of Japan. 1984. V. 53. N. 8. P. 2555−2564.
  46. А., Блини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов Н М. Мир, 1975. -548 с.
  47. Kawazoe Н, Hosono Н., Nishii J. Solution of the spin Hamiltonian with ortorhombic hf and g tensor (I=$=½) // J.Chem.Phys, 1982. V. 76. P. 3422−3432
  48. Силкин Н И. Парамагнетизм атомов и ионов в 2Sl/2 состоянии внизкосимметричных кристаллах И Дисс. на соискание ученой степени к. ф,-м.н., Казань -1974. 135 с.
  49. B.C., Плеханов В. Г., Силкин Н. И. Рекомбинационные процессы в сульфате калия с примесью таллия /7 Журнал прикладной спектроскопии Том XXI. выпуск 1.С. 89- 91
  50. Н.М., Кнорре Д. Г. Курс химической кинетики Я М.: „Высшая школа“, 1969. 432 с.
  51. А., Мак-Лечлан Э. Магнитный резонанс и его применение в химии Н М- Мир, 1970. 560 с,
  52. Вертц Дж, Болтон Дж. Теория и практические приложения метода ЭПР Н М: Мир, 1975. 548 с. 50 iizumi М., Axe J.D., Shirane G, Shimaoka К. Structural phase transformation in K2Se04H Phys.Rev.B. 1977. V, 15. N, 9. P. 4392−4411
  53. И.Б. Берсукер Эффект Яна-Теллера и вибронные взаимодействия в современной химии // М: Наука, 1987. 344 с.
  54. А.Е. Микрокалькуляторы в физике /7 М: „Наука“, 1988. 272 с.
  55. М.Л., Самойлович М. И. Ввведение в спектроскопию ЭПР активированных монокристаллов Н М.: Атомиздат, 1977. 272 с.
  56. V.I.Ed.R.S. Krishnan Progress in crystals physics // Wiswawathan, 1958. 541 c.
  57. Blinc R. Magnetic resonans and relaxation in structurally incommensurate system H Phys.Rep. 1981. V. 79. N. 5, P. 331−398
  58. V.S. Vikhnin, L.S. Soc-hava Crystals with off-centre ions as a model object in solid state physics /7 ФТИ. 1998, Preprint 1539
  59. Ред. М. Ф. Дейгена Электрические эффекты в радиоспектроскопии /У М: НАУКА, 1981. 432 с.
  60. Ч. Киттель Введение в физику твердого тела /У М: „Наука“, 1978. 790 с.
  61. Ред. К. П. Мищенко Краткий справочник физико- химических величин // М: Химия, 1974. 200 с.
  62. Л.А. Сорин, М. В. Власова, В. Д. Левандовский Введение в радиспектроскопию парамагнитных монокристаллов // „Наукова думка“ Киев 1969,256 с,
  63. N, Yamada, Т, Ikeda Incommensurate modulated structure of К2Se04 // Journal of
  64. Physical Sosiety of Japan, 1984. V. 53. N. 8, P. 2555−2564.
  65. Bersuker I.В., Gorinchoy N.N., Polinger V. Z, // Theor. chirn. acta. 1984. V. 66. t t у X 1f. iOi-i!L.
  66. A.D. McLean and R.S. McLean Roothaan-Hartree-Fock atomic wave function Slater basic-set expansions for Z=55−92 // Academic Press Inc., Atomic data and Nuclear data tables 26. 1981. 197−381
  67. Л.А. Фазовый переход и локальная динамика парамагнитных центров двухвалентного таллия в кристаллах семейства дигидрофосфата калия Н Дисс. на соискание ученой степени к.ф.-м.н., Казань -1986. 148 с.
  68. Струков Б, А., Леванюк А. П. Физические основы сегнетоэлектрических пилений в кписпниишх П М: Няукя. 1983 240 с. 1 sy О lid
  69. Yam ad a N, Iked a T. Incommensurate modulated structure of K/SeCu //т тл1 r. t 1 ao i t t гл v * о ' > лггг лг^лj.rnys.^oc.jap. I У"4. V. 3−3, IN. „. r, Z333-Z304,
  70. Yamada N, Оно Y, Ikeda T, A structural study of the incommensurate tor 1 J •. 1 J 'J • TS CI ! ! T О „T“ 1 AO ^ T 7 XTferroelectric nnase transition in л^овсл/ // j.rnys.docjap, iv54- v. э.?“ N. 5, гч л z'» ¿-г л ^ <тг л1. ZjO J Z ^ / Ч-,
  71. Dantas M.S., Shaves A.S., Gazineliv R, Olivera A.G. 77? e order parameter for incommensurate transition in K^SeO^ on EPR line shape study /./
  72. Т ТЧ1 О T 1 AO ^ т т гл т п T> ЛЛЛЛ ЛЛ ЛЛj, rnys, s>oc, jap, iу84. v, зз, in, /, г, 2зуз-/.зуу
  73. Blinc R, Seliger J, Zumer S. NMR in incommensurate system: non-local effects //
  74. Т тч1 Г" T 1 Л/A T 7 Л/" ЛТ 4 T> Л Г S Лj.rnys.doc.Jap. jyov, v, zo, in. 4, r, luo6-l0/3
  75. Fukui М, Abe R. Phase sol Hon effect of ESR line shape in the incommensurate1 /' о J 1 II t tv! о t 1 алл t T Г Л t 11 тч, а л, а Г Аpnase ojк2^еи4 crystals // j.rnys.doc.jap. iyaz. v. 5i. in. i i. г. эучг-Зуч/.
  76. Лайнс M, Гласс А, Сегнетоэлектрики и родственные им материалы /У М: Мир, 1981. 736 с,
  77. Брус А, Каули, Структурные фазовые переходы /У М: Мир, 1984, 407 с,
  78. Втмейстеп Б Е Оппеделеяие ишпины иентпапънор. о пика вблизи тазовых
  79. J, А Г? ~) .? '". «~ ---------------- I--- ---- ««переходов методом ЭПР Н Письма в ЖЭТФ. 1982, Т. 36. N. 2. С. 26−29
  80. В.Л., Плакида Н. М., Мташенкович С. Рассеяние нейтроновсегетоэлектриками Н М.: Энергоатом из дат, 1984, 255 с. 1 'Л i i
  81. Лебедев Н, И, Леванюк А. П., Сигов А. С. Несоразмерная фаза с точечными дефектами: щель для фазоиа при сильном пишите /У ЖЭТФ. 1987, Т. 92,1. 1. v<. Z40-ZJ /
  82. К., Ikeda Y., Еша К., Hirotsn S. Effect of impurities on the incommensurate-commensurate phase transition in ?^?ZnCu and Ял2шВг4 // rerrociecmcs. iv"i. v. jo. y. j4j-j4o
  83. Blinc R, Cevc., Seliger J, Koren M. EPR of Tl doped incommensurate K^SeCu //tm j t /14 1 aoi» xt 1 л 1 -kt л тч 1 i г1 1 ^ ^ /irnys: SIS, SOI. (0). 1У0Э. V. 1i = IN. Z, r. I-I.434.
  84. Tsuchida K., Abe Rs Anomalous tempera/lire dependence of D tensor in the ESRvrsaniMnw 7Vme Hrwso/i ii/i k’i } rrw/i /) ! /^i-n jvfrtiv /7 I РИтгс Члр! с*гч ! 00
  85. P’t-Ui f Ы-ï-tl Jj ± s.' ff/fo t-i- f> i-' i// z ± uiiw lu.- / //м ny j.sjw.v'up. i / .
  86. V. Ч-Q. IN. Ц-, IZZj-!^^ i t
  87. Barb D, Grec» N.M., Grecu V.V., Popesku F.F. EPR evidence of soft mode contributions to the ferroelectric transitin in ammonium sulfate //-«<1 tv! t i i 1 лто xt г/ "x t ¦"> t> л ¡-г г л г оnem.rnys.ben. i v/d, v. do, in, l. y. jdd-jd6,
  88. Raymond S, Alger Electron paramagnetic resonance techniques and application // Interscience publisher by Jonh Wiley & Sons, 1968, pp. 580
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!