Бакалавр
Дипломные и курсовые на заказ

Электронная микроскопия полупроводников с учетом реальных закономерностей освещения образца и рассеяния электронов

Диссертация: Электронная микроскопия полупроводников с учетом реальных закономерностей освещения образца и рассеяния электронов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Среди методов исследования структуры материалов особое место занимает просвечивающая электронная микроскопия, обладающая высокой информативностью и позволяющая исследовать изучаемые объекты с атомарным разрешением. Она используется для фундаментальных исследований в физике твердого тела, таких как выявление атомарной структуры дефектов и границ между различными материалами, определение… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ДИФРАКЦИЯ ЧАСТИЧНО-КОГЕРЕНТНЫХ ПУЧКОВ ЭЛЕКТРОНОВ В
  • СОВЕРШЕННОМ КРИСТАЛЛЕ
    • 1. 1. Использование функций взаимной когерентности и взаимной интенсивности для описания реальных электронных пучков
    • 1. 2. Взаимная интенсивность на входной поверхности кристалла
    • 1. 3. Взаимная интенсивность на выходе из кристалла
      • 1. 3. 1. Общий случай
      • 1. 3. 2. Падающий пучок с малой расходимостью
      • 1. 3. 3. Некогерентное освещение
    • 1. 4. Интенсивность проходящего пучка электронов для клиновидного кристалла
    • 1. 5. Контраст на изображении дефекта упаковки при частично-когерентном освещении
    • 1. 6. Влияние когерентности освещения на распределение интенсивности на дифракционной картине

Электронная микроскопия полупроводников с учетом реальных закономерностей освещения образца и рассеяния электронов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Полупроводниковые материалы и изготовленные из них структуры, являясь основой для современной микрои наноэлектроники, остаются предметом всесторонних научных исследований на протяжении последних десятилетий. Электрофизические свойства полупроводников и полупроводниковых гетерокомпозиций, используемые при создании приборов, сложным образом зависят от дефектов, структурного совершенства и вариаций состава в переходных областях, состояния и структуры поверхности и т. д. Для изучения их строения используется целый ряд методов: рентгено-, электронои нейтронография, сканирующая и просвечивающая электронная микроскопия, атомно-силовая и туннельная микроскопия и др.

Среди методов исследования структуры материалов особое место занимает просвечивающая электронная микроскопия, обладающая высокой информативностью и позволяющая исследовать изучаемые объекты с атомарным разрешением. Она используется для фундаментальных исследований в физике твердого тела, таких как выявление атомарной структуры дефектов и границ между различными материалами, определение структурного фактора и установление распределения электронной плотности в пределах элементарной ячейки. Электронная микроскопия является одним из основных методов в материаловедении, позволяющим проводить анализ реальной структуры материалов, изучать структурные превращения, возникающие при термообработках и технологических воздействиях. В последнее время она находит все более широкое применение для решения прикладных задач. В частности, усложнение конструкции активных элементов микроэлектроники, увеличение числа используемых при их формировании химических элементов привело к тому, что ведущие производители полупроводниковых микросхем все более широко используют этот метод в процессе отладки и контроля технологических режимов. Без электронной микроскопии невозможен контроль таких параметров изделий наноэлектроники, как размер, состав и структурное совершенство квантовых ям, проволок и точек.

Просвечивающая электронная микроскопия, которая во многих случаях ранее позволяла получать лишь качественную информацию об объекте, с начала 90-х годов постепенно становится количественным методом. Это обусловлено, с одной стороны, созданием новых поколений электронных микроскопов, обладающих улучшенными оптическими характеристиками и высокой стабильностью. Современные приборы позволяют записывать экспериментальные изображения в цифровом виде и точно фиксировать условия их формирования. Целый ряд возможностей открывается благодаря использованию электронной голографии, n-фильтра для получения фильтрованных по энергии изображений, корректора сферической аберрации объективной линзы, детектора электронов, рассеянных на большие углы. С другой стороны, развитие методов математической обработки и фильтрации изображений, их компьютерного моделирования в сочетании с доступностью мощных вычислительных комплексов открыло пути для количественного сравнения расчетных и экспериментальных электронных микрофотографий друг с другом.

Наибольший прогресс в получении количественной информации о кристаллических объектах с атомарным разрешением достигнут в электронной микроскопии высокого разрешения (high-resolution electron microscopy — HREM) [1−3]. Интерференция рассеянных кристаллом электронных пучков, возникающая при формировании изображений, приводит к двухмерному периодическому распределению интенсивности с периодами, равными межплоскостным расстояниям в образце. Хотя взаимосвязь между положениями атомов и максимумов интенсивности не является прямой и сложным образом зависит от толщины образца, передаточной функции микроскопа и условий получения изображения, этот метод позволяет исследовать атомарную структуру дефектов и границ между материалами (интерфейсов) [4−11].

Вторым важным методом современной просвечивающей электронной микроскопии является дифракция сходящихся пучков электронов (convergent-beam electron diffraction — CBED) [12−14]. Дифракционные картины, получаемые в рамках этого метода, позволяют не только определять пространственную и точечную симметрию кристаллических образцов [15, 16], измерять структурный фактор [17, 18] и постоянную решетки с точностью, близкой к рентгеновской [19], но и изучать дефектную структуру образцов и локально исследовать поля деформаций [20−22].

Еще одна группа методов связана с использованием электронов, вступивших в неупругие взаимодействия с атомами образца [23, 24]. Такие электроны несут информацию о химическом составе образца, характере и свойствах химической связи, состоянии валентных электронов. Изучение процессов возникновения этих электронов, их последующего рассеяния в образце открывает возможности для развития аналитических методов, обладающих высокой локальностью.

Несмотря на быстрое развитие новых методов, в материаловедческих исследованиях по-прежнему находят широкое применение электронография с использованием плоскопараллельного освещения и изображения с дифракционным контрастом [25−28]. Эти методы используются для анализа структуры поликристаллических и аморфных материалов, выявления упорядочения, идентификации дефектной структуры и т. д.

Развитие количественных методов в электронной микроскопии связано с дальнейшим углублением теории дифракции, созданием более общих подходов для описания упругих и неупругих взаимодействий электронов с атомами образца. Они не должны опираться на упрощающие допущения, использование которых было достаточно для качественной интерпретации электронных микрофотографий. К одному из таких допущений относится представление реального частично когерентного пучка частиц, падающего на образец, в виде независимых друг от друга плоских волн, заполняющих конус освещения. Вторым допущением является колонковое приближение, применяемое при описании рассеяния электронов в кристалле с дефектами.

Реально существующие факторы, влияющие на дифракцию электронов, должны приниматься во внимание и в других случаях. Например, электроны, ионизирующие атомы кристалла, используются для проведения локального химического анализа неоднородных по составу образцов. Для повышения точности получаемых данных при описании их неупругого рассеяния на внутренних атомных оболочках должно учитываться влияние периодического потенциала кристаллической решетки на движение быстрых электронов как до, так и после процесса взаимодействия. Для получения количественной информации о структуре кристаллически-аморфных интерфейсов при моделировании рассеяния в аморфном материале в рассмотрение должен быть введен свойственный ему ближний порядок.

Закономерности дифракции электронов, установленные на основе теоретического анализа и экспериментальных исследований, открывают возможности для развития новых электронно-микроскопических методов идентификации структуры и состава материалов, разработки программ для моделирования дифракционных картин и изображений.

Целями диссертационной работы являлось:

— обобщение теории дифракции электронов на общий случай частично когерентных пучков, исследование закономерностей упругого рассеяния электронов и формирования изображений и дифракционных картин совершенного и нарушенного кристалла при частично когерентном освещении;

— исследование закономерностей неупругого рассеяния быстрых электронов на внутренних оболочках атомов кристалла;

— развитие на основе моделирования процессов рассеяния новых электронно-микроскопических методов, позволяющих проводить анализ состава слоев полупроводниковых гетероструктур, исследовать ближний порядок вблизи кристаллически-аморфного интерфейса, определять природу малых дефектов по изображениям с черно-белым контрастом.

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, списка использованных источников и приложения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

И ВЫВОДЫ.

Диссертационная работа выполнялась в рамках научного направления — количественные электронно-микроскопические методы исследования структуры и состава полупроводников. Развитие этого направления включает в себя разработку теоретических подходов, позволяющих при описании дифракции электронов принимать во внимание реальные условия освещения в микроскопе, корректно учитывать влияние дефектов и неупругих взаимодействий на интенсивность рассеянных электронных волн. Помимо уточненного, описания процессов взаимодействия электронов с образцом для количественной микроскопии необходимо создание и усовершенствование конкретных методов получения информации об исследуемом объекте. Их разработка связана с развитием экспериментальных методик и способов математической обработки и моделирования получаемых данных — электронно-микроскопических изображений, дифракционных картин и т. д.

При выполнении диссертационной работы были проведены исследования, задачей которых являлось достижение указанных целей. Были получены следующие основные результаты:

1. Для описания распространения и дифракции частично-когерентных пучков электронов использованы функции взаимной когерентности и взаимной интенсивности. Получены выражения для функции взаимной интенсивности на входной поверхности образца для различных условий освещения. Выявлено влияние дефокусировки электронного пучка на взаимную интенсивность и ее фурье-образ в типичном случае некогерентного освещения.

2. На основе формализма блоховских волновых пакетов описано распространение взаимной интенсивности через совершенный кристалл. Установлено, что распределение интенсивности на дифракционной картине не зависит от когерентности падающего пучка и может быть найдено в приближении независимых плоских волн, заполняющих конус освещения. Показано, что это приближение позволяет вычислять интенсивность на электронно-микроскопическом изображении при некогерентном освещении.

3. Для клиновидного кристалла получены выражения для интенсивности проходящего и дифрагированного пучков электронов при частично-когерентном освещении. Показано, что если падающие на кристалл электроны возбуждают непараллельные участки на ветвях дисперсионной поверхности, то осцилляции интенсивности на дифракционных изображениях подавляются с ростом толщины образца и уменьшением длины когерентности пучка на его входной поверхности.

4. Исследовано влияние расходимости электронного пучка на дифракционный контраст полос смещения от кристалла с дефектом упаковки. Установлена взаимосвязь когерентности падающего пучка и конструктивной интерференции блоховских волн на выходе из кристалла. Для темнопольных изображений, полученных при сравнительно больших ошибках возбуждения и расходимости, теоретически и экспериментально выявлены и объяснены смещения области ослабления контраста, возникающие при дефокусировке объективной линзы.

5. Для описания дифракции электронов в кристалле с дефектами введено представление его волновой функции в виде суперпозиции квазиблоховских волновых пакетов. Получена система интегро-дифференциальных уравнений, описывающая изменения амплитуд квазиблоховских волн при их рассеянии в нарушенной области кристалла, при выводе которой использовано только приближение деформируемого иона для потенциала решетки. Показано, что в приближении малоуглового рассеяния квазиблоховских волн, справедливого для многих дефектов, определение их амплитуд сводится к решению системы обыкновенных дифференциальных уравнений.

6. Проанализированы ограничения колонкового приближения при моделировании электронно-микроскопических изображений для кристалла с дефектом. Установлено, что его точность высока, если распространяющиеся в кристалле квазиблоховские волновые пакеты соответствуют участкам дисперсионной поверхности, параллельным выходной поверхности кристалла. Если эти участки наклонены и изображение формируется одним пакетом, то использование колонкового приближения не позволяет определить смещение изображения относительно центра дефекта. Если же возбужденные участки дисперсионной поверхности имеют разные наклоны, и интенсивность на изображении определяется интерференцией нескольких квазиблоховских волн, то колонковое приближение приводит к погрешностям в распределении интенсивности, возрастающим по мере удаления дефекта от выходной поверхности кристалла.

7. На основе формализма квазиблоховских волновых функций получено аналитическое выражение, связывающее взаимные интенсивности на выходной и входной поверхностях кристалла с дефектами через элементы матрицы рассеяния. Эти элементы являются решениями уравнения для амплитуд квазиблоховских волн при определенных граничных условиях.

8. Исследованы закономерности дифракционных картин, полученных с использованием сходящегося пучка электронов от кристалла с дефектами. Показано, что при некогерентном освещении приближение независимых плоских волн, заполняющих конус освещения, позволяет корректно определять интенсивность на ЬАСВЕБ-картинах только при малых дефокусировках электронного пучка. Получено соотношение для оценки локальности метода дифракции сходящегося пучка при исследовании полей смещения в кристаллах.

9. Выполнено моделирование ЬАСВЕБ-картин от кристалла с наклонной краевой дислокацией. Установлено, что погрешности приближения независимых плоских волн возрастают с ростом дефокусировки электронного пучка, а также при удалении изображения дислокации от оси зоны. Ограничения колонкового приближения становятся более заметными при удалении области сильного рассеяния квазиблоховских волн (ядра дислокации) от выходной поверхности кристалла. Сравнением моделированных и известных из литературы экспериментальных картин показано, что развитый подход обеспечивает существенно лучшее соответствие между теорией и экспериментом, чем традиционные приближения.

10. Для описания рассеяния быстрого электрона на внутренних оболочках атомов кристалла развит теоретический подход, позволяющий находить его волновую функцию после ионизации одного из атомов. Получены выражения, позволяющие вычислять интенсивность электронов с характеристическими потерями энергии как некогерентную суперпозицию вкладов, обусловленных неупругим взаимодействием со всеми рассеивающими центрами.

И. Теоретически и экспериментально исследована зависимость интенсивности проходящего и дифрагированного пучка электронов от толщины кристалла. Установлено, что для электронов, которые неупруго взаимодействуют с собственными атомами кристалла или с примесными атомами, хаотично распределенными в узлах кристаллической решетки, сохраняются динамические особенности дифракции, свойственные упругому рассеянию.

12. Теоретически проанализирована и экспериментально исследована применимость традиционных методов спектроскопии энергетических потерь быстрых электронов для анализа состава с помощью сильных брэгговских пучков. Установлено, что количественный микроанализ с использованием этих методов может проводиться с удовлетворительной точностью в области промежуточных толщин, расположенных между максимумами и минимумами интенсивности.

13. Развит способ получения интенсивности однократного рассеяния из спектров энергетических потерь быстрых электронов, включающий в себя удаление эффектов многократного рассеяния методом фурье-логарифмического преобразования и устранения приборного уширения методом максимальной энтропии. Для моделирования и последующего вычитания плазмонного вклада с целью выделения характеристических краев в области малых потерь энергии предложена модель плазмонных возбуждений в АШаАэ, позволяющая учитывать два типа коллективных колебаний валентных электронов. Показано, что разработанный способ математической обработки экспериментальных спектров позволяет определять концентрацию галлия в АШаАв и локальную толщину кристалла с точностью около 10%.

14. Предложен метод усреднения экспериментальных высокоразрешающих электронно-микроскопических изображений однородных кристаллически-аморфных интерфейсов, позволяющий выявлять влияние ближнего порядка в аморфном материале вблизи границы на распределение интенсивности. Показано, что усредненные изображения могут моделироваться стандартным слоевым методом с использованием одномерного и двухмерного приближений для среднего распределения атомов в аморфной части интерфейса. Установлены границы применимости каждого из этих приближений.

15. Показано, что видность особенностей контраста кристаллического материала в переходной области интерфейса сложным образом зависит от параметров ближнего порядка, распределения ступеней на граничной поверхности, дефокусировки, и поэтому ширина этой области может быть идентифицирована только на основе моделирования серии дефокусированных изображений.

16. Предложена феноменологическая модель структуры интерфейса кристаллический кремний — аморфный германий, и выполнено моделирование экспериментальных усредненных изображений и профилей интенсивности. Установлено, что вблизи границы в аморфной части интерфейса существует переходный слой шириной около 1 нм, в пределах которого на позиции атомов германия существенное влияние оказывает трансляционная симметрия атомных позиций в кристалле.

17. На основе моделирования электронно-микроскопических изображений исследовано влияние дефокусировки объективной линзы на черно-белый контраст малых дислокационных петель и когерентных выделений. Показано, что при положительной дефокусировке на темнопольных изображениях наклонных дислокационых петель при определенных эффективных глубинах залегания дефекта формируется светлое пятно внутри темной части фигуры контраста. Этот эффект позволяет идентифицировать тип петли. Установлено, что дефокусированные изображения малых дефектов, полученные в динамических условиях формирования контраста, не могут быть использованы для определения их природы методом 21/гВ.

В заключение автор считает своим приятным долгом выразить благодарность сотрудникам лаборатории электронной микроскопии Московского института электронной техники, ее начальнику профессору Максимову С. К., в сотрудничестве с которыми получена.

— 288.

часть результатов, представленных в диссертации. В выполнении работы принимали активное участие бывшие аспиранты Забегаева У. Г. и Крамар С. Ф. Ряд результатов получен в соавторстве с Еремевым П.M., Кукиным В.H., Куклиным С. Ю., Овчаровым В. В., Пискуновым Д. И., Ходосом И. И. Часть исследований была проведена совместно Зайбтом М. и Пликатом Б. — сотрудниками научной группы профессора Шретера В. в IV Физическом институте Геттингенского университета (ФРГ). Выполнению и оформлению работы немало способствовали Капустина О. Ю. и Седов C.B.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Дж. Экспериментальная электронная микроскопия высокого разрешения. М.: Мир, 1986. 320 С.
  2. Hytch M.J., Stobbs W.M. Quantitative comparison of high resolution ТЕМ images with image simulations. // Ultramicroscopy.1994. V. 53. P. 191−203.
  3. Mobus G., Schweinfest R., Gemming Т., Wagner Т., Ruhle M. Iterative structure retrieval techniques in HREM: a comparative study and a modular program package. //J. of Microsc. 1998. V. 190. Pts. ½. P. 109−130.
  4. Takeda S. The structures of extented defects in Si and other materials studied by HRTEM. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1997. N 157. P. 25−34.
  5. Mobus G. Retrivial of crystal defect structures from HREM images by simulated evolution: I. basic technique. // Ultramicroscopy. 1996. V. 65. P. 205−216.
  6. Mobus G. Retrivial of crystal defect structures from HREM images by simulated evolution: I. experimental images evalution. // Ultramicroscopy. 1996. V. 65. P. 217−228.
  7. Kisielowski C., Schwander P., Baumann F.H., Sebt M., Kim Y., Ourmazd A. An approach to quantitative high-resolution transmission electron microscopy materials. // Ultramicroscopy.1995. V. 58. P. 131−155.
  8. Hofmann D., Ernst E. Quantitative high-resolution transmissionelectron microscopy of the incoherent ?3(211) boundary in Cu. // Ultramicroscopy. 1994. V. 53. P. 205−221.
  9. Hytch M.J., Snoeck E., Kilaas R. Quntitative measurement of displacement and strain fields from HREM micrographs. // Ultramicroscopy. 1998. V. 74. P. 131−146.
  10. Hillebrand R. Fuzzy logic approachers to the analysis of HREM images of III-V compounds. // J. Microsc. 1998. V. 190. Pts. ½. P. 61−72.
  11. Tanaka M., Terauchi M. Convergent-beam electron diffraction. Tokyo: JOEL LTD, 1985. 192 P.
  12. Spence J.C.H., Zuo J.M. Electron diffraction. N.Y.: Plenum, 1992. 362 P.
  13. И.Н., Максимов С. К. Метод дифракции в сходящихся пучках (CBED) в аналитической электронной микроскопии. // Заводск. лаборатория. 1990. Т. 56. N 6. С. 58−65.
  14. Goodman P. A practical method of three-dimensional space-group analisis using convergent electron diffraction. // Acta Cryst. 1975. V. A31. P. 804−810.
  15. Tanaka M., Saito R., Sekii H. Point-group determination by convergent-beam electron diffraction. // Acta Cryst. 1983. V. A39. P. 357−368.
  16. Zuo J.M., Spence J.C.H. Automated structure factor refinemennt from convergernt-beam patterns. // Ultramicroscopy. 1991. V. 35. P. 185−196.
  17. Swaminathan S., Altynov S., Jones I.P., Zaluzec N.J., Maher D.M., Fraser H.L. Precise and accurate refinements of the 220 structure factor for silicon by the systematic-row CBED method. // Ultramicroscopy. 1997. V. 69. P. 169−183.
  18. Wittmann R., Parzinger C., Gerthsen D. Quantitativedetermination of lattice parameters from CBED patterns: accuracy and perfomance. // Ultramicroscopy. 1998. V. 70. P. 145−159.
  19. De Blasi C., Manno D. Analysis of extended defects in melt-grown GaSe single crystals by convergent-beam electron diffraction techniques. // Ultramicroscopy. 1991. V. 35. P. 71−76.
  20. Maier H.J., Keller R.R., Renner H., Mughrabi H., Preston A. On the unique evaluation of local lattice parameters by convergent-beam electron diffraction. // Phil. Mag. A. 1996. V. 74. N 1. P. 23−43.
  21. ZouH., LiuJ., Ding D., Wang R., Froyen L., Delaey L. Determination of interfacial residual stress field in an Al-A^Og composition using convergent-beam electron diffraction technigue. // Ultramicroscopy. 1998. V. 72. P. 1−15.
  22. Egerton R.F. Electron energy-loss spectroscopy in the electron microscope. N.Y.: Plenum Press, 1986. 416 p.
  23. Colliex C. Electron energy loss spectroscopy in electron microscope. //Adv. Opt. Electron Microsc. London: Academic Press, 1984. V.9. P. 65−117.
  24. П., Хови А., Николсон P., Пэтли Д., Уэлан M. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир., 1968. 574 С.
  25. М.М. Дифракционная электронная микроскопия в металловедении. М.: Металлургия, 1973. 582 С.
  26. Электронно-микроскопичекие изображения дислокаций и дефектов упаковки. / Под ред. В. М. Косевича, JI.C. Палатника. М.: Наука, 1976. 224 С.
  27. Г., Горидж M.Дж. Просвечивающая электронная микроскопия материалов. М.: Наука, 1983. 318 С.
  28. H.И., Максимов С. К., Пискунов Д. И. Фазы электронных волн, рассеянных тонким кристаллом с дефектами в случае Лауэ. //
  29. ФТТ. 1984. Т. 26. С. 1189−1190.
  30. Borgardt N.I., Maksimov S.K., Piskunov D.I. Phase information in transmission electron-microscope investigation of defects. Dynamic images with a weak amplitude contrast. // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. V. 86. P. 55−65.
  31. С.К., Боргардт Н. И., Кукин В. Н., Пискунов Д. И., Ходос И. И. Дефокусированные электронные микрофотографии объектов с сильным амплитудным контрастом. // Изв. АН СССР, сер. физическая. 1984. Т. 48. С. 1729−1734.
  32. Н.И., Еремеев П. М., Максимов С. К. Закономерности формирования электронно-микроскопического контраста на изображении дефекта упаковки при частично-когерентном освещении. // Изв. АН СССР, сер. физическая. 1988. Т. 52. С. 1300−1305.
  33. Н.И., Максимов С. К., Овчаров В. В. Асимметричное влияние дефокусировки на черно-белый контраст малых дефектов. // Изв. АН СССР, сер. физическая. 1988. Т. 52. С. 1297−1299.
  34. Н.И., Максимов С. К., Пискунов Д. И. Возможности дифракционных электронно-микроскопических изображений с амплитудно-фазовым контрастом. // Свойства и структура дислокаций в полупроводниках. Черноголовка. 1989. С. 33−40.
  35. Borgardt N.I., Kukin V.N., Maksimov S.K., Piskunov D.I. Defocused images of stacking faults. // Phys. Stat. Sol. (a). 1989. V. 113. P. 251−267.
  36. Borgardt N.I., Maksimov S.K., Ovcharov V.V. Defocused electron microscopy images of small defects. // Phys. Stat. Sol. (a). 1989. V. 113. P. K23-K26.
  37. Borgardt N.I., Schroter W. Effect of defocusing on black-and-white contrast of small defects. // Phys. Stat. Sol. (a). 1990. V. 121. P. 369−381.
  38. H.И. Упругое рассеяние быстрых электронов в реальном кристалле. // Кристаллография. 1991. Т.36. С. 541−548.
  39. Н.И. Рассеяние квазиблоховских волн в кристалле с единичным дефектом. // Изв. АН СССР, сер. физическая. 1991. Т. 55. С. 1494−1500.
  40. Н.И. Упругое рассеяние быстрых электронов в совершенном кристалле при частично-когерентном освещении. // Кристаллография. 1993. Т.38. В. 6. С. 25−33.
  41. Н.Й., Крамар С. Ф. Дифракционный контраст для неупруго рассеянных электронов с потерями энергии вблизи L-края в кремнии. // Изв. РАН, сер. физическая. 1993. Т. 57, N 2, С. 77−84.
  42. Borgardt N.I. Use of quasi-Bloch wave packages for description of fast electron diffraction in a crystal with defects. // Phil. Mag. A. 1993. V. 68, P. 453−470.
  43. N.I., Kramar S.F. ТЕМ image diffraction contrast arising from electrons exciting inner atomic shells. // Acta Cryst. 1993. V. A49. P. 898−901.
  44. Н.И. Влияние когерентности освещения на распределение интенсивности на дифракционной картине. // Кристаллография. 1995. Т. 40. С. 228−233.
  45. Н.И., Забегаева У. Г., Крамар С. Ф. Использование области малых потерь энергии в спектроскопии энергетических потерь электронов. // Изв. РАН, сер. физическая. 1995. Т. 59, N 2, Р. 100−106.
  46. Borgardt N.I. Elastic scattering of partially coherent beams of fast electrons in a perfect crystal. // Acta Cryst. 1996. V. A52, P. 898−908.
  47. Н. И. Крамар С.Ф. Использование сильных брэгговских пучков в спектроскопии энергетических потерь быстрых электронов. // Изв. РАН, сер. физическая. 1997. Т. 61. С. 1877−1884.
  48. Н. И. Крамар С.Ф. Крамар С. Ф., Куклин С. Ю. Использование области малых потерь энергии при исследовании полупроводников методом спектроскопии энергетических потерь быстрых электронов. // Изв. РАН, сер. физическая. 1997. Т. 61. С. 1885−1892.
  49. Н.И., Пликат Б., Зайбт М., Шретер В. Закономерности усредненных высокоразрешающих изображений кристаллически-аморфных интерфейсов. // Изв. РАН, сер. физическая. 1997. Т. 61. С. 1980−1987.
  50. Н.И. Дифракция быстрых электронов в кристаллах с дефектами при частично-когерентном освещении. // Кристаллография. 1998. Т. 43. С. 1085−1096.
  51. Borgardt N.I. Elastic scattering of partially coherent beams of fast electrons by a crystal with a defect. // Acta Cryst. 1999. V. A55. P. 289−304.
  52. Zuo J.M., Spence J.C.H. Coherent electron nanodiffraction from perfect and imperfect crystals. // Phil. Mag. A. 1993. V. 68. N 5. P. 1055−1078.
  53. Frank J. The envelope of electron microscopic transfer functions for partially coherent illumination. // Optik. 1973. V. 38. N 5. P. 519−536.
  54. Burge R.E., Dainty J.C. Partially coherent image formation in the scanning transmission electron microscope (STEM). // Optik.1976. V. 46. N 3. P. 229−240.
  55. Ferwerda H.A. On the theory of partial coherence in electron microscopy. // Optik. 1976. V. 45. N 5. P. 411−426.
  56. Wade R.H., Frank J. Electron microscopic transfer functions for partially coherent axial illumination and chromatic defocus spread. // Optik. 1977. V. 49. N 1. P. 81−92.
  57. Fejes P.L. Approximations for the calculation of high-resolution electron microscope images of thin films. // Acta Cryst. 1977. V. A33. P. 109−113.
  58. Hawkes P.W. Coherence in electron optics. // Adv. Opt. Electron Microsc. 1978. V. 7. 101−184.
  59. Ishizuka K. Contrast transfer of crystal images in ТЕМ. // Ultramicroscopy. 1980. V. 5. P. 55−65.
  60. Humphreys C.J., Spence J.C.H. Resolution and illumination coherence in electron microscopy. // Optik. 1981. V. 58. N 2. P. 125−144.
  61. Hosokawa F., Suzuki M., Ibe K. Determination of the effective sourse from its image in the backfocal plane of the objective lens. // Ultramicroscopy. 1991. V. 36. P. 367−373.
  62. Marks L.D., Plass R. Partially coherent and contrast transfer theory. // Ultramicroscopy. 1994. V. 55. P. 165−170.
  63. Coene W., Van Dyck D., Van Landuyt J. An extension of the standart theory of partial coherence for the effect of beam convergence in high resolution electron microscopy. // Optik. 1986. V. 73. N 1. P. 13−18.
  64. Rose H. Information transfer in transmisson electron microscopy. // Ultramicroscopy. 1984. V. 15. P. 173−192.
  65. Спенс Дж.К.Х., Карпентер P.В. Электронная микродифракция. // Основы аналитической электронной микроскопии. М.:
  66. Металлургия, 1990. С. 223−285.
  67. Л.Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. М.: Наука, 1974. 752 С.
  68. К. Теория матрицы плотности и ее приложения. M.: Мир, 1983. 248 С.
  69. Ю., Кононец Ю. В. Теория эффекта каналирования. I. // ЖЭТФ. 1970. Т. 58. N 1. С. 226−244.
  70. Ю., Кононец Ю. В. Теория эффекта каналирования. II. Влияние неупругих столкновений. // ЖЭТФ. 1973. Т. 64. N 1. С. 1042−1064.
  71. Rez P. Multiple inelastic scattering and dynamical diffraction. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1978. N 41. P. 61−67.
  72. С.Л., Рязанов M.И. Взаимное влияние двухволновой дифракции и некогерентного рассеяния заряженной частицы в монокристалле. //ЖЭТФ. 1983. Т. 85. N 5(11). С. 1748−1756.
  73. С.Л., Рязанов М. И. Решение квантового кинетического уравнения в локально-эйкональном приближении. // ЖЭТФ. 1985. Т. 88. N 2. С. 631−641.
  74. С.Л., Рязанов М. И. Роль эффекта изменения упругого сечения при многократном рассеянии электронов в кристаллах. // ЖЭТФ. 1985. Т. 89. N 5(11). С. 1685−1756.
  75. С.Л. Квантовое кинетическое уравнение для неупругого рассеяния частиц в кристаллах: выход за рамки борновского приближения. //ЖЭТФ. 1988. Т. 94. N 11. С. 289−306.
  76. С.Л. Многоволновый резонанс при дифракции быстрых электронов в тонких кристаллах. // ЖЭТФ. 1991. Т. 99. N 5. С. 1551−1565.
  77. Dudarev S.L., RyazanovM.I. Multiple scattering theory for fast electrons in single crystals and Kikuchi patterns. // Acta
  78. Cryst. 1988. V. A44. P. 51−61.
  79. Wright A.G., Bird D.M. A density-matrix approach to coherence in high-energy electron diffraction. // Acta Cryst. 1992. V. A48. P. 215−221.
  80. Dudarev S.L., Peng L.-M., Whelan M.J. Correlations in space and time and dynamical diffraction of high-energy electrons by crystals. // Phys. Rev. B. 1993. V. 48. P. 13 408−13 429.
  81. Boersch H. Experimentelle Bestimmung der Energieverteilung in thermischausgelosten Elektronenstrahlen. // 1954. Z. Phys. V. 139. P. 115−146.
  82. M., Вольф Э. Основы оптики. M.: Наука, 1973. 720 С.
  83. Holy V. Coherence properties of dynamically diffracted X-rays. //Phys. Stat. Sol. (b). 1980. V. 101. P. 575−583.
  84. Дж. Физика дифракции. М.: Мир, 1979. 432 С.
  85. Дж. Статистическая оптика. М.: Мир, 1988. 528 С.
  86. Pozzi G. Theoretical considerations on the spatial coherence in field emission electron microscopes. // Optik. 1987. V. 77. N 2. P. 69−73.
  87. Fujiwara K. Relativistic dynamical theory of electron diffraction. // J. Phys. Soc. Japan. 1962. V. 17. Suppl. B-II. P 118−123.
  88. Fujiwara K. Relativistic dynamical theory of electron diffraction. // J. Phys. Soc. Japan. 1961. V. 16. P. 2226−2238.
  89. Watanabe К., Hara S., Hashimoto I. A relativistic n-beam dynamical theory for fast electron diffraction. // Acta Cryst. 1996. V. A52. P. 379−384.
  90. Sturkey L. The calculation of electron diffraction intensities. // Proc. Phys. Soc. 1962. V. 80. P. 321−354.
  91. Howie A., Whelan M.J. Diffraction contrast of electronmicroscope images of crystal lattice defects. II. The development of a dynamical theory. // Proc. R. Soc. A. 1961. V. 263. P. 217−237.
  92. Howie A., Basinski Z.S. Approximation of the dynamical theory of diffraction contrast. // Phil. Mag. 1968. V. 17. P. 1039−1063.
  93. З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. // M.: Наука, 1982. 390 С.
  94. Hirsch P., Howie A., Whelan M.J. A kinematical theory of diffraction contrast of electron transmission microscope images of dislocations and other effects. // Phil. Trans. Roy. Soc. 1960. V. A252. P. 499−517.
  95. Perez R., Shenin S. S. Botros K.Z. Effects of systematic reflections on diffraction contrast in H.C.P. cobalt. // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. V. 83. P. 443−453.
  96. А.С., Пармон B.C., Семилетов С.A., Сирота М. И. Расчет интенсивности дифракции при многоволновом рассеянии быстрых электронов в поликристаллах. // Изв. АН СССР, сер. физическая.1983. Т. 47. С. 1183−1187.
  97. Cowley J.M., Moodie A.F. The scattering of electrons by atoms and crystal. I. A new theoretical approach. // Acta Cryst. 1957. V. 10. P. 609−619.
  98. Goodman P., Moodie A.F. Numerical evaluation of N-beam wave functions in electron scattering by the multi—slice method. // Acta Cryst. 1974. V. A30. P. 280−290.
  99. Ishikuza K., Uyeda N. A new theoretical and practical approach to the multislice method. // Acta Cryst. 1977. V. A33. P. 740−749.
  100. R., 0'Keefe M.A., Krishnan K.M. On the inclusion of upper Laue layers in computational methods in high resolution transmission electron microscopy. // Ultramicroscopy. 1987. V. 21.1. P. 47−62.
  101. Qin L.C., Urban K. Electron diffraction and lattice image simulations with the inclusion of Holz reflections. // Ultramicroscopy. 1990. V. 33. P. 159−166.
  102. Van Dyck D. Fast computational procedure for the simulation of structure images in complex of disordered crystals: a new approach. // J. Microsc. 1980. V. 119. P. 141−152.
  103. Van Dyck D. High-speed computation techniques for the simulation of high resolution electron micrographs. // J. Microsc. 1980. V. 119. P. 141−152.
  104. Van Dyck D., Coene W. The real space method for dynamical electron diffraction calculations in high resolution electron microscopy. I. Principles of the method. // Ultramicroscopy. 1984. V. 15. P. 29−40.
  105. Coene W., Van Dyck D. The real space method for dynamical electron diffraction calculations in high resolution electron microscopy. II. Critical analysis of the dependency on the input parameters. // Ultramicroscopy. 1984. V. 15. P. 41−50.
  106. Wang Y.-M., Chen J.-H. A convergence criterium for real-space image simulation method. // Phil. Mag. A. 1988. V. 58. N 5. P. 817−824.
  107. Du K., Wang Y.-M., Wang Z.-M. A practical procedure for the calculation of diffracted electron amplitudes and phases in the real-space multislice method. // Phil. Mag. A. 1998. V. 77. N 1.1. Р. 217−229.
  108. Chen J-H., Dyck D.V. Accurate multislice theory for elastic electron scattering in transmission electron microscopy. // Ultramicroscopy. 1997. V.70. P. 29−44.
  109. Kilaas R., Gronsky R. Real space image simulation in high resolution electron microscopy. // Ultramicroscopy. 1983. V. 11. P. 289−298.
  110. P.G., 0'Keefe M.A., Buseck P.R., Spargo A.E.C. Practical computation of amplitudes and phases in electron diffraction. // Ultramicroscopy. 1983. V. 11. P. 32−52.
  111. Ishikuza K. Comments on the computation of electron wave-propagation in the slice methods. // J. Microsc. 1985. V. 137. P. 233−239.
  112. Bethe H. Theorie der Beugung von Elektronen an Kristallen. // Ann. Phys. 1928. V.87. P. 55−129.
  113. Kato N. Dynamical theory of electron diffraction for a finite polyhedral crystal. I. Extention of Bethe’s theory. // J. Phys. Soc. Japan. 1952. V. 7. N 4. P. 397−406.
  114. Humphreys C.J., Fischer R.M. Bloch wave notation in many beam electron diffraction theory. // Acta Cryst. 1971. V. A27. P. 42−45.
  115. Jones P.M., Rackham G.M., Steed J.W. Higher order Laue zone effect in electron diffraction and their use in lattice parameter determination. // Proc. R. Soc. Lond. 1997 V. A354 P. 197−222.
  116. Lewis A.L., Villagrana R.E., Metherel A.J.F. A description of electron diffraction from higher-order Laue zones. // Acta Cryst. 1978. V. A34. P. 138−139.
  117. В.JI., Чуховский Ф. Н., Пинскер З. Г. Многоволновая теория дифракционного рассеяния быстрых электронов в кристаллах.
  118. Кристаллография. 1982. T. 27. N 3. С. 449−456.
  119. B.JI., Чуховский Ф. Н., Пинскер З. Г. Решение уравнения Шредингера-Бете для многоволновой дифракции быстрых электронов в идеальных кристаллах. // Докл. АН СССР. 1984. Т. 275. С. 865−869.
  120. Ichimiya A. Bethe’s correction method for dynamical calculation of reflection high-energy electron diffraction intensities from general surfaces. // Acta Cryst. 1988. V. A44. P. 1042−1044.
  121. Bird D.M. Theory of zone axis electron diffraction. // J. Electr. Microsc. Technique. 1989. V. 13. P. 77−97.
  122. Chukhovskii F.N., Vergasov V.L. Physical and mathematical foundations of multiwave electron diffraction. // Acta Cryst. 1990. V. A46. P. 153−165.
  123. Peng L.M., Whelan M.J. A general matrix representation of the dynamical theory of electron diffraction. 1. General theory. // Proc. R. Soc. Lond. A. 1990. V. 431. P. 111−123.
  124. Peng L.M., Whelan M.J. A General matrix represrntation of the dynamical theory of electron diffraction. II. Application to RHEED from relaxed and reconstructed surfaces. // Proc. R. Soc. Lond. A. 1990. V. 431. P. 125−142.
  125. Sperr S., Spence J.C.H., Ihrig E. On differentiation of the scattering matrix in dynamical transmission electron diffraction. // Acta Cryst. 1990. V. A46. P. 763−772.
  126. B.JI., Чуховский Ф. Н. Проблема изображения в рентгеновской оптике. // Усп. физ. наук. 1972. Т. 107. N 2. С. 229−265.
  127. Э.В. Рентгеновская оптика блоховских волн в кристаллах с дефектами. Дисс. д-ра физ.-мат. наук. Черноголовка, 1981.
  128. В.JI., Каганер В. М., Суворов Э. В. Рентгеновские блоховские волны в кристалле с дислокацией. // ЖЭТФ. 1984. Т. 86. С. 675−690.
  129. Indenbom V.L., Kaganer V.M., Mohling W., Suvorov E.V. Plane-wave X-ray images of dislocations parallel to the diffraction vector. // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. V. 83. P. 195−205.
  130. Humphreys C.J. The scattering of fast electrons by crystals. // Rep. Prog. Phys. 1979. V. 42. P. 1825−1887.
  131. Zuo J.M., Gjonnes K., Spence J.C.H. FORTRAN source listing for simulating three-dimensional convergent beam patterns with absorption by the Bloch wave method. // J. Electr. Microsc. Technique. 1989. V. 12. P. 29−55.
  132. Dinges C., Berger A., Rose H. Simulation of ТЕМ images considering phonon and electric extitations. // Ultramicroscopy. 1995. V. 60. P. 49−70.
  133. Kato N. The flow of X-rays and material waves in ideally perfect single crystals. // Acta Crys. 1958. V. 11. P. 885−887.
  134. Radi G. Complex lattice potentials in electron diffraction calculated for a number of crystals. // Acta Crys. 1970. V. A26. P. 41−56.
  135. В.Л. Интерференционная спектроскопия рентгеновского излучения. // Кристалография. 1976. Т. 21. N 3. С. 479−483.
  136. Whelan M.J., Hirsch Р.В. Electron diffraction from crystals containing stacking faults. I. // Phil. Mag. SER. 8. V. 2. P. 1121−1142.
  137. Gevers S., Art A., Amelinkx S. Electron microscopic images of single and intersecting faults in thick foils. Part I. Single faults. // Phys. Stat. Sol. 1963. V. 3. P. 1563−1593.
  138. Н., Хови А., Уэлан М. Эффекты аномального поглощения электронов в металлических фольгах- теория и сравнение с экспериментом. // Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1965. С. 57−88.
  139. Humphreys C.J., Howie A., Booker G.R. Some electron diffraction contrast effects at planar defects in crystals. // Phil. Mag. 1967. V. 15. P. 507−522.
  140. Booker G.R. Hazzledine P.M. Electron microscope image profiles of planar defects in crystals. // Phil. Mag. 1967. V. 15. P. 523−527.
  141. С.К. Определение знака вектора смещения дефектов упаковки, расположенных в тонких слабо поглощающих кристаллах. // Изв. АН СССР, сер. физическая. 1980. Т. 44. N 6. С. 1247−1252.
  142. Maksimov S.K. Determination of the sign of displacement vector of defects from electron microscopy fringe contrast images obtained low anomalous absorption. // Phys. Stat. Sol. (a). 1981. V. 67. P. 387−394.
  143. Salisbury I.G. Weak-beam contrast from stacking faults in silicon. // Phys. stat. sol. 1982. V. 74. P. 353−359.
  144. Kim H.S., Sheinin S.S. An electron microscope method for determining the nature of stacking faults in F.C.C. materials which does not rely on effects of absorption. // Phys. stat. sol. 1989. V. 111. P. 47−51.
  145. Botros K.Z., Sheinin S.S. On the applicability of conventional contrast theory to weak beam images of stacking faults. // Phys. stat. sol. 1985. V. 90. P. 499−514.
  146. Coene W., Bender H., Amelinkx S. High resolution structure imaging and simulation of stacking fault tetrahedra in ion-implanted silicon. // Phil. Mag. A. 1985. V. 52. N 3. P.369.381.
  147. Р., Квейссер X., Томас Г., Уошберн Дж. Структура и происхождение дефектов упаковки в эпитаксиальном кремнии. // Дефекты в кристаллах полупроводников. М.: Мир, 1969. С. 207−231.
  148. Г. Р. Кристаллографические несовершенства в кремнии. // Дефекты в кристаллах полупроводников. М.: Мир, 1969. С. 297−322.
  149. Г. Зарождение дефектов упаковки в эпитаксиальных пленках кремния на подложке с различной ориентацией. // Дефекты в кристаллах полупроводников. М.: Мир, 1969. С. 235−268.
  150. К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир, 1984. 472 С.
  151. С. Методы прямого наблюдения дислокаций. М.: Мир, 1968. 440 С.
  152. Reimer L. Transmission electron microscopy. // Heidelberg: Springer, 1984. 520 P.
  153. Head A.K., Humble P., Clarebrough L.M., Morton A.J., Forwood C.T. Computed electron micrographs and defect identification. Amsterdam, London: North-Holland, 1973. 400 P.
  154. Katerbau K.-H. Analytical description of the electron microscope diffraction contrast of lattice defects in the two-beam case. // Phil. Mag. A. 1981. V. 43. P. 409−426.
  155. Holmes S.M., Cockayne D.J.H., Ray I.L.F. The influence of incident beam convergence upon images of lattice defects. // Eighth International Congress on Electron Microscopy. Canberra, 1974. V. 1. P. 290−291.
  156. Bithell E.G., Donovan P.E., Stobbs W.M. The relative effects of specimen thickness and convergence on the weak-beam contrast of stacking faults. // Phil. Mag. 1989. V. 59. N 1. P. 63−85.
  157. Carpenter R.W., Spence J.C.H. Three-dimensional strain-fieldinformation in convergent-beam electron diffraction patterns. // Acta Cryst. 1982. V. A38. P. 55−61.
  158. BirdD.M., Preston A.R. Observation of Berry’s geometrical phase in electron diffraction from a screw dislocation. // Phys. Rev. Lett. 1988. V. 61. N 25. P. 2863−2866.
  159. Lu G., Wen J.G., Zhang W., Wang R. Simulation and application of the ZOLZ patterns from dislocations in Si. // Acta Cryst. 1990. V. A46. P. 103−112.
  160. Wang S.Q., Peng L.-M., Xin Y., Chu Y.M., Duan X.F. Many-beam simulations of large-angle convergent-beam electron diffraction imaging of crystal defects. // Phil. Mag. Lett. 1992. V. 66. N 5. P. 225−233.
  161. Chou C.T., Preston A.R., Steeds J.W. Dislocation contrast in large angle convergent-beam electron diffraction patterns. // Phil. Mag. A. 1992. V. 65. N 4. P. 863−888.
  162. Grinton G.R. Cowley J.M. Phase and amplitude contrast in electron micrographs of biological material. // Optik. 1971. V. 34. P. 221−233.
  163. MacLagan D.S., Bursil L.A., Spargo A.E.C. Experimental and calculated images of planar defects at high resolution. // Phil. Mag. 1977. V. 35. P. 757−780.
  164. Wilson A.R., Bursil L.A., Spargo A.E.C. Fresnel diffraction effects on high-resolution U3 A) images: Effect of spherical aberration on the Fresnel fringe. // Optik. 1978/79. V. 52. P. 313−336.
  165. Wilson A.R., Spargo A.E.C. Calculation of the scattering from defects using periodic continuation methods. // Phil. Mag. A. 1982. V. 46. N 3. P. 435−449.
  166. Anstis G.R., Cockayne D.J.H. The calculation andinterpretation of high-resolution electron microscope images of lattice defects. // Acta Cryst. 1979. V. A35. P. 511−524.
  167. Takagi S. Dynamical theiry of electron diffraction applicable to crystals with any kind of small distortion. // Acta Cryst. 1962. V. 15. P. 1311−1312.
  168. Wilkens M. Streuung von Blochwellen schneller Elektronen in Kristallen mit Gitterbaufehlern. // Phys. Stat. Sol. 1964. V. 6. P. 939−956.
  169. Howie A. Inelastic scattering of electrons by crystalls. I. The theory of small-angle inelastic scattering. // Proc.R. Soc. London. 1963. V. 271. P. 268−287.
  170. Jouffrey В., Taupin D. On the validity of the column approximation in electron microscopy. // Phil. Mag. 1967. V. 16. P. 703−715.
  171. Howie A., Sworn C.H. Column approximation effects in high resolution electron microscopy using weak diffracted beams. // Phil. Mag. 1970. V. 22. P. 861−864.
  172. Humphreys C.J., Drummond R.A. High resolution imaging of defects. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1977. V. 36. P. 241−246.
  173. Lewis A.L., Villagrana R.E. Effects of column approximation on weak-beam calculations. // Acta Cryst. 1979. V. A35. P. 276−282.
  174. M. Идентификация малых кластеров точечных дефектов в облученных кристаллах с помощью просвечивающей электронной микроскопии. // Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении. Металлургия, 1984. С. 77−102.
  175. Hausermann F., Katerbau K.-H., Ruhle M., Wilkens M. Calculations and observations of the weak-beam contrast of small lattice deffects. // J. Microsc. 1973. V.98. P. 135−154.
  176. Дж., Пул У. Введение в численные методы решения дифференциальных уравнений. М.: Мир, 1986, 288 С.
  177. Eades J. A. Microdiffraction’s contribution to microcharacterization. // Ultramicroscopy. 1988 V. 24, P. 143−154.
  178. Fung K.K. Large-angle convergent-beam zone axis patterns. // Ultramicroscopy. 1984. V. 12. P. 243−246.
  179. Quandt E., La Barre S., Niedrig H. Direct parallel detection of energy-resolved large-angle convergent-beam patterns. // Ultramicroscopy. 1990. V. 33. P. 15−21.
  180. Humphreys C.J., Maher D.M., Fraser H.L., Eaglesham D.J. Convergent-beam imaging a transmission electron microscopy technique for investigating small localized distortions in crystals. // Phil. Mag. A. 1988. V.58. N 5. P. 787−798.
  181. Britton E.G., Stobbs W.M. The analysis and application of dynamical effects in HOLZ patterns. // Ultramicroscopy. 1987. V. 21. P. 1−12.
  182. Fan G.Y. Quantitative comparision of convergent-beam electron diffraction (CBED) patterns. // Ultramicroscopy. 1988. V. 26. P. 71−76.
  183. Bithell E.G., Stobbs W. M. The simulation of HOLZ line positions in electron diffraction patterns: a first order dynamical correction. // J. Microsc. 1989. V. 153. Pt.l. P. 39−49.
  184. Lin Y.P., Bird D.M., Vincent R. Errors and correction term for HOLZ line simulations. // Ultramicroscopy. 1989. V. 27. P. 233−240.
  185. Wang. S.Q., Peng L.-M., DuanX.F., Chu Y.M. Matrixdescription of dynamical HOLZ duffraction tested on the strained layer superlattice Si/GeSi. // Ultramicroscopy. 1989. V. 27. P. 233−240.
  186. Xu P., Loane R.F., Silcox J. Energy-filtered convergent-beam electron diffraction in STEM. // Ultramicroscopy. 1991. V. 38. P. 127−133.
  187. Lehmpfuhl G., Krahl D., Uchida Y. Contrast of HOLS lines in energy-filtered convergent-beam electron diffraction patterns from silicon. // Acta Cryst. 1995. V. A51. P. 504−514.
  188. Birkeland C., Holmestad R., Marthinsen K., Hoier R. Efficient beam-selection criteria in quantitative convergent beam electron diffraction. // Ultramicroscopy. 1996. V. 66. P. 89−99.
  189. Vincent R., Walsh T.D. Quantitative assessment of symmetry in CBED patterns. // Ultramicroscopy. 1997. V. 70. P. 83−94.
  190. De Blasi C., Di Giulio M., Manno D. Numerical evaluation of lattice parameters from high-order Laue zone lines in convergent-beam electron diffraction disks. // Ultramicroscopy. 1988. V. 26. P. 377−384.
  191. Zuo J.M. Automated lattice parameter measurement from HOLZ lines and their use for the measurement of oxygen content in YBa2Cu307 § from nanometer-sized region. // Ultramicroscopy. 1992. V. 41. P. 211−223.
  192. Rozeveld S.J., Howe J.M. Determination of multiple lattice parameters from convergent-beam electron diffraction patterns. // Ultramiroscopy. 1993. V. 50. p. 41−56.
  193. Cherns D., Kiely C.J., Preston A.R. Electron diffraction studies of strain in epitacsial bicrystals and multilayers. // Ultramicroscopy. 1988. V. 24. P. 355−370.
  194. Twigg M.E., Chu S.N.G. CBED measurement of lattice mismatchfor sub-micron quaternary structures grown on indium phosphide substrates. // Ultramicroscopy. 1988. V. 26. P. 51−58.
  195. Perovic D.D., Weatherly G.C., Houghton D.C. On the electron diffraction of coherently strained semiconductor layers. // Phil. Mag. A. 1991. V. 64. P. 1−28.
  196. Cherns D., Touaitia R., Preston A.r., Rossouw C.J., Houghton D.C. Convergent beam electron diffraction studies of strain in Si/SiGe superlattices. // Phil.Mag. A. 1991. V. 64. N 3. P. 597−612.
  197. Duan X.F., Fung K.K. Convergent-beam electron diffraction and X-ray diffraction characterization of strained-layer superlattices. // Ultramicroscopy. 1991. V.36. P. 375−384.
  198. Duan X.F., Fung K.K. Convergent-beam electron diffraction and X-ray diffraction characterization of strained-layer superlattices. // Ultramicroscopy. 1991. V.36. P. 375−384.
  199. Rossouw C.J., Al-Khafaji M., Cherns D., Steed J.W., Touaitia R. A treatment of dynamical diffraction for multiply layered structures. // Ultramicroscopy. 1991. V. 35. P. 229−236.
  200. Duan X.F., Fung K.K., Chu Y.M., Sheng C., Zhou G.L. Convergent-beam electron diffraction study of Ge Si /Si0,5 O, 5strained-layer superlattices grown by molecular beam epitaxy. // Phil. Mag. Lett. 1991. V. 63. N 2. P. 79−85.
  201. Fung K.K., Xie Q.H., Duan X.F. Convergent-beam electron study of modulations in semiconductor superlattices. // Ultramicroscopy. 1991. V. 38. P. 143−148.
  202. Wang J., Steeds J.W., Woolf D.A. The study of misfit dislocations in In Ga As/GaAs strained quantum well structures.1. X 1 X
  203. Phil. Mag. A. 1992. V. 65. P. 829−839.
  204. Duan X.F., Cherns D., Steed W. Effects of elastic relaxation on large-angle convergent-beam electron diffraction from cross-sectional specimens of GexSi^x/Si strained-layer superlattices. // Phil. Mag. A. 1994. V. 70. N 6. P.1091−1105.
  205. Balboni R., Frabboni S., Armigliato A. Determination of bulk mismatch values in transmission electron microscopy cross-sections of heterostructures by convergent-beam electron diffraction. Phil. Mag. A. 1998. V. 77. N 1. P. 67−83.
  206. Vincent R., Bird D M., Steeds J.W. Structure of AuGeAs determined by convergent-beam electron diffraction. II. Refinement of structural parameters. // Phil. Mag. A. 1984. V. 50. N 6. P. 765−786.
  207. Gjonnes K., Gjonnes J. Two-beam features in electron diffraction patterns-application to refinement of low-order structure factors in GaAs. // Acta Cryst. 1988. V. A44. P. 810−820.
  208. Wang S.Q., Peng L.-M. LACBED determination of structure factors and alloy composition of GeSi/Si SLS. // Ultramicroscopy. 1994. V. 55. P. 67−73.
  209. Hoier R., Zuo J.M., Marthinsen K., Spence J.C.H. Determination of structure factor phase invariants from non-systematic many-beam effects in convergent-beam patterns. // Ultramicroscopy. 1988. V. 26. P. 25−30.
  210. Tsuda K., Tanaka M. Refinement of crystal structure parameters using convergent-beam electron diffraction: thelow-temperature phase of SrTi03. // Acta Cryst. 1995. V. A51. P. 7−19.
  211. Bokel R.M.J., Schapink F.W., Tichelaar F.D. Different types of HOLZ-line interactions and their use in structure factor determination. // Ultramicroscopy. 1996. V. 65. P. 1−12.
  212. Saunders M., Bird D.M., Holbrook O.F., Midgley P.A., Vincent R. The use of Bethe potentials in zone-axis CBED pattern matching. // Ultramicroscopy. 1996. V. 65. P. 45−52.
  213. Cheng Y.F., Nuchter W., Mayer J., Weickenmeier A., Glonnes J. Low-order structure-factor amplitude and sign determination of an unknown structure A1 Fe by quantitative convergent-beam electronmdiffraction. // Acta Cryst. 1996. V. A52. P/923−936.
  214. Spence J.C.H. Direct inversion of dynamical electron diffraction patterns to structure factors. // Acta Cryst. 1998 V. A54 P. 7−18.
  215. Allen L.J., Josefsson T.W., Leeb H. Obtaining the crystal potential by inversion from electron scattiring intensities. // Acta Cryst. 1998. V. A54. P. 388−398.
  216. Saunders M., Fox A. G., Midgley P. A. Quantitative zone-axis convergent-beam electron diffraction (CBED) studies of metals. I. Structure-factor measurements. // Acta Cryst. 1999. V. A55. P. 471−479.
  217. Saunders M., Fox A. G., Midgley P. A. Quantitative zone-axis convergent-beam electron diffraction (CBED) studies of metals. II. Debye-Waller-factor measurements. // Acta Cryst. 1999. V. A55. P. 480−488.
  218. Spence J.C.H., Calef B., Zuo J.M. Dynamic inversion by the method of generalized projections. // Acta Cryst. 1999. V. A55, P. 112−118.
  219. Hoier R., Birkeland C. R., Holmestad R., Marthinsen K. Three-phase structure invariants and structure factors determined with the quantitative convergent-beam electron diffraction method. // Acta Cryst. 1999. V. A55. P. 188−196.
  220. Allen L. J., Leeb H., Spargo A. E. C. Retrieval of the projected potential by inversion from the scattering matrix in electron-crystal scattering. // Acta Cryst. 1999. V. A55. P. 105−111.
  221. З.Г. Дифракция электронов. M.: Изд-во АН СССР, 1949. 404 С.
  222. .К. Структурная электронография. М.: Изд-во АН СССР, 1956. 314 С.
  223. А.С. Введение в «физическую электронографию». Изв. РАН. сер. физическая. 1997. Т. 61. С. 1934−1944.
  224. Liliental-Weber Z., Weber E.R., Parechanian-Allen L., Washburn J. On the use of convergent-beam electron diffraction for identification of antiphase boudaries in GaAs Grown on Si. // Ultramicroscopy. 1988. V. 26. P. 59−64.
  225. Wen J., Wang R., Lu G. Distortion of zeroth-order Laue-zone pattern caused by dislocation in silicon crystal. // Acta Cryst. 1989. V. A45. P. 422−427.
  226. De Blasi C., Manno D., Rizzo A. Convergent-beam electron diffraction characterization of dislocations in GaAs single crystals. // Ultramicroscopy. 1988. V. 26. P. 377−384.
  227. Niu F., Wang R., Lu G. Determination of the Sign of a dislocation in a ZnTe Crystal by convergent-beam electron diffraction. // Acta Cryst. 1991. V. A47. P. 36−39.
  228. Morniroli J.P., Cherns D. Analysis of grain boundary dislocation by large angle convergent beam electron diffraction.
  229. Ultramicroscopy. 1996. V. 62. P. 53−63.
  230. Fung K.K. Convergent-beam electron diffraction study of transverse stacking faults and dislocatiions. // Ultramicroscopy. 1985. V. 17. P. 81−86.
  231. Chou C.T., Zhao L.J., Ko T. Higher-order Laue zone effects of stacking-faulted crystals. // Phil. Mag. A. 1989. V. 59. N 6. P. 1221−1243.
  232. Wang R., Wen J. Effects of a stacking fault on higher-order diffraction fringes. // Acta Cryst. 1989. V. A45. P. 428−431.
  233. Jesson D.E., Steeds J.W. Higher-order Laue zone diffraction from crystals containing transverse stacking faults. // Phil. Mag. A. 1990. V. 61. P. 385−415.
  234. Wei X., Duan X., Wang S. Determination of the orientation of a stacking fault by large-angle convergent-beam electron diffraction (LACBED). // Ultramicroscopy. 1996. V. 66. P. 49−57.
  235. Vincent R., Preston A.R., King M.A. Measurement of strain in silver halide particles by convergent beam electron diffraction. // Ultramicroscopy. 1988. V. 24. P. 409−420.
  236. Maier H.J., Renner H., Mughrabi H. Local lattic parameter measurements in cyclically deformed copper by convergent-beam electron diffraction. //Ultramicroscopy. 1993. V. 51. P. 136−145.
  237. Banhart F., Nagel N. Convergent-beam electron diffraction studies of epitaxial Si/Si02 systems. // Phil. Mag. A. 1994. V. 70. N 2. P. 341−357.
  238. Hashikawa N., Watanabe K., Kikuchi Y., Oshima Y., Hashimoto I. Higher-order Laue zone contrast from arsenic-doped silicon. // Phil. Mag. Lett. 1996. V. 73. N 3. P. 85−91.
  239. Cherns D., Kaneko K., Hovsepian A., Lang A. Measurement of the lattice displacement across {100} platelets in diamond bylarge-angle convergent-beam electron diffraction. // Phil. Mag. A. 1997. V. 75. N 6. P. 1553−1566.
  240. Weickenmeier A., Kohl H. Computation of absorptive form factor for high-energy electron diffraction. // Acta Cryst. 1991. V. A47. P. 590−597.
  241. Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972. 474 С.
  242. Bethe Н. Zur Theorie des Durchgangs schneller Korpuskularstrahlen durch Materie. // Ann. Phys. 1930. V. 5. N 3. P. 325−400.
  243. H., Месси Г. Теория атомных столкновений. М.: Иностр. лит., 1951. 448 С.
  244. Kainuma Y. The theory of Kikuchi patterns. // Acta Cryst. 1955. V. 8. N 5. P. 247−257.
  245. Yoshioka H. Effect of inelastic waves on electron diffraction. // J. Phys. Soc. Japan. 1957.
  246. Whelan M.J. Inelastic scattering of fast electrons by crystals. 1. Interband excitations. // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. N 7. P. 2099−2103.
  247. Gjonnes J. The influence of Bragg scattering on inelastic and other forms of diffuse scattering of electrons. // Acta Cryst. 1966. V. 20. P. 240−249.
  248. Cowley J.M., Pogany A.P. Diffuse scattering in electron diffraction patterns. I. General theory and computational methods. // Acta cryst. 1968. V. A24. P. 109−116.
  249. Radi G. Unelastische Streuung in der dynamischen Theorie der Elektronenbeugung. // Zeitschrift fur Physik. 1968. V. 212. P. 146−168.
  250. Ishida K. Inelastic scattering of fast electrons by crystals.
  251. J. Phys. Soc. Japan. 1970. V. 28. N 2. P. 450−457.
  252. Young A.P., Rez P. Resonance errors partial coherence in the inelastic scattering of fast electrons by crystal excitations. // J. Phys. C. 1975. V. 8. P. L1-L7.
  253. Rez P., Humphreys C.J., Whelan M.J. The distribution of intensity in electron diffraction patterns due to phonon scattering. // Phil. Mag. 1977. V. 35. N 1. P. 81−96.
  254. Serneels R., Haentjens D., Gevers R. Extension of the Yoshioka theory of inelastic electron scattering in crystals. // Phil. Mag. A. 1980. V. 42. N 1. P. 1−11.
  255. Van Roost C., Serneels R. Matrix method for single and multiple inelastic scattering in electron diffraction. // Phil. Mag. B. 1987. V. 56. N 3. P. 397−409.
  256. Ritchie R.H., Howie A. Inelastic scattering probabilities in scanning transmission electron microscopy. // Phil. Mag. A. 1988. V. 58. N 5. P. 753−767.
  257. Wang Z.L. Electron multiple inelastic scattering in the geometry of RHEED. // Ultramicroscopy. 1988. V. 26. P. 321−326.
  258. Wang Z.L., Cowley J.M. Dynamic theory of high-angle annual-dark-field STEM lattice images for AGe/Si interface. // Ultramicroscopy 1990 V. 32 P. 275−289.
  259. Wang Z.L., Bentley J. Theory of phase correlations in localized inelastic electron diffraction and imaging. // Ultramicroscopy. 1991. V. 38. P. 181−213.
  260. Wang Z.L., Li D.C. Dynamical diffraction of double-inelastically scattered electrons. // Phil. Mag. B. 1995. V. 71. N 2. P. 201−219.
  261. Wang Z.L. An optical potential approach to incoherent multiple thermal diffuse scattering in quantitative HRTEM. //
  262. Ultramicroscopy. 1998. V. 74. P. 7−26.
  263. Wang Z.L. The 'frozen-lattice' approach for incoherent phonon excitation in electron scattering. How accurate is it? // Acta Cryst. 1998. V. A54. P. 460−467.
  264. Rossouw C.J., Dudarev S.L., Josefson T.I., Allen L.J. Transmission resonance diffraction and low impact parameter inelastic scattering of high-energy electrons. // Ultramicroscopy. 1998. V. 72. P. 17−29.
  265. Wang Z.L. A multislice theory of electron inelastic scattering in a solid. // Acta Cryst. 1989. V. A45. P. 636−644.
  266. Wang Z.L. Electron virtual inelastic scattering in the multislice scheme. //Acta Cryst. 1990. V. A46. P. 366−371.
  267. Coene W., Van Dyck D. Inelastic scattering of high-energy electrons in real space. // Ultramicroscopy. 1990. V. 33. P. 261−267.
  268. Fanidis C., Van Dyck D., Van Landuyt J. Inelastic scattering of high-energy electrons in a crystal in thermal equilibrium with the environment. I. Theoretical framework. // Ultramicroscopy. 1992. V. 41. P. 55−64.
  269. Cundy S.L., Howie A., Valdre U. Preservation of electron microscope image contrast after inelastic scattering. // Phil. Mag. V.20. P. 147−163.
  270. Boothroyd C.B., Stobbs W.M. The contribution of inelastically scattered electrons to high resolution images of (A1,Ga)As/GaAs heterostructures. // Ultramicroscopy. 1988. V. 26. P. 361−376.
  271. Hashimoto H., Kumao A. Electron microscope image contrast formed by electrons from elastic-inelestic and inelastic-elestic scattering processes. // Phys. Stat. Sol. (a). 1988. V. 107. P. 611−618.
  272. Humphreys C.J., Hirsch P.B. Absorption parameters in electron diffraction theory. // Phil. Mag. 1968. V. 18. P. 115−122.
  273. Cowley J.M. Electron microscopy of crystals with time-dependent perturbations. // Acta Cryst. 1988. V. A44. P. 847−853.
  274. Rez P. Does phonon scattering give high-resolution images. // Ultramicroscopy. 1993. V. 52. P. 260−266.
  275. Takagi S. On the temperature diffuse scattering of electrons.
  276. Derivation of general formulae. // J. Phys. Soc. Japan. 1958. V. 13. N 2. P. 278−286.
  277. Takagi S. On the temperature diffuse scattering of electrons.1. Applications to practical problems. // J. Phys. Soc. Japan. 1958. V. 13. N 3. P. 287−296.
  278. Hall C. R. The scattering of high energy electrons by the thermal vibrations of crystal. // Phil. Mag. 1965. V. 12. P. 815 826.
  279. Whelan M.J. Inelastic scattering of fast electrons by crystals. 1. Phonon scattering. // J.Appl. Phys. 1965. V. 36. N 7. P. 2103−2110.
  280. Hall C.R., Hirsch F.R.S. Effect of thermal diffuse scatteringon propagation of high energy electrons through crystals. // Proc. R. Soc. A. 1965. V. 286. P. 158−177.
  281. Rossouw C.J., Bursill L.A. Interpretation of dynamical diffuse scattering of fast electrons in rutile. // Acta Cryst. 1985. V. A41. P. 320−327.
  282. Rossouw C.J., Miller P.R., Drennan J. Quantitative absorption corrections for electron diffraction: correlations between theory and experiment. // Ultramicroscopy. 1990. V. 34. P.149−163.
  283. Wang Z.L. Dynamical simulations of energy-filtered inelastic electron diffraction patterns. // Acta Cryst. 1992. V. A48. P. 674−688.
  284. Wang Z.L. Dynamics of thermal diffuse scattering in high-energy electron diffraction and imaging: theory and experiments. // Phil. Mag. 1992. V. 65. N 3. P. 559−587.
  285. Dudarev S.L., Peng L.-M., Whelan M.J. The effect of the surface on thermal diffuse intensities in reflection high energy electron diffraction. // Proc. R. Soc.A. 1993. V. 440. P. 567−588.
  286. Dudarev S.L., Peng L.-M., Whelan M.J. Distorted wave approach to duffuse scattering in THEED and RHEED. // Ultramicroscopy. 1993. V. 52. P. 393−399.
  287. Anstis G.R. Correlations to atomic scattering factors for high-energy electrons arising from atomic vibrations. // Acta Cryst. 1996. V. A52. P. 450−455.
  288. Peng L.-M. Anisotropic thermal vibrations and dynamical electron diffraction by crystals. // Acta Cryst. 1996. V. A52. P. 450−455.
  289. Munchmeyer W. Berucksichtigung der Gitterperiodizitat bei der Electron-Plasmon-Streuung. I. // Z. Naturforsch. 1972. V. 27a. P. 395−401.
  290. Munchmeyer W. Berucksichtigung der Gitterperiodizitat bei der Electron-Plasmon-Streuung. II. // Z. Naturforsch. 1972. V. 27a. P. 395−401.
  291. Kuwabara S., Uefuji T. Variation of electron microscopic thickness fringes of aluminium single crystals with energy loss.
  292. J. Phys. Soc. Japan. 1975. V. 38. N 4. P. 1090−1097.
  293. Ritchie R., Howie A. Electron excitation and the optical potential in electron microscopy. // Phil. Mag. 1977. V. 36. N 2. P. 463−481.
  294. Wang Z.L., Lu P. Plasmon diffuse scattering in dynamical calculations for HREED a method of introducing inelastic scattering in the multislice theory. // Ultramicroscopy. 1988. V. 26. P. 217−226.
  295. Ishida K. Inelastic scattering of fast electrons by crystals. II. The excess and defect Kikuchi bands. // J. Phys. Soc. Japan. 1971. V. 30. N 5. P. 1439−1448.
  296. Okamoto K., Ichinokawa Т., Ohtsuki Y.H. Kikuchi patterns and inelastic scattering. // J. Phys. Soc. Japan. 1971. V. 30. N 6. P. 1690−1701.
  297. JI.A., Пинскер З. Г., Чуховский Ф. Н. Теория образования Кикучи-электронограм. // Кристаллография. 1972. Т. 17. С. 1107−1114.
  298. Chukhovskii F.N., Alexanjan L.A., Pinsker Z.G. Dinamical treatment of Kikuchi patterns. // Acta Cryst. 1973. V. A29. P. 38−45.
  299. JI.A., Пинскер З. Г., Чуховский Ф. Н. Теория образования Кикучи-электронограм. II. Случай трех неупруго рассеянных волн. // Кристаллография. 1974. Т. 19. С. 27−34.
  300. Rossouw C.J. Coherence in inelastic electron scannering. // Ultramicroscopy. 1985. V. 16. N 2. P. 241−254.
  301. Fan G.Y. Dynamical diffraction of spherical waves of inelactically scattered electron by crystal. // Ultramicroscopy. 1989. V. 30. P. 359−364.
  302. Bird D.M., Wright A.G. Phase dependence of Kikuchi patterns.
  303. Theory. // Acta Cryst. 1989. V. A45. P. 104−109.
  304. Wright A.G., Bird D.M. Observation of dependent to independent Bloch wave transition in Kikuchi patterns. // Acta Cryst. 1989. V. A45. P. 342−346.
  305. Loane R.F., Xu P., Silcox J. Thermal vibrations in convergent-beam electron diffraction. // Acta Cryst. 1991. V. A47. P. 267−278.
  306. Nuchter W., Weickenmeier A.L., Mayer J. High-precision measurement of temperature factors for NiAl by convergent-beam electron diffraction. // Acta Cryst. V. A54. P. 147−157.
  307. Д.К. Основные принципы спектроскопии энергетических потерь электронов. // Основы аналитической электронной микроскопии. М.: Металлургия, 1990. С. 190−223.
  308. Hashimoto Н., Makita Y., Nagaoka N. Electron microscope images of thorium atoms formed by plasma-loss and core-loss electrons using an energy selecting microscope. // Optik. 1992. V. 3. P. 119−126.
  309. Berger A., Kohl H. Optimum imagimg parameters for elemental mapping in an energy filtering transmission electron microscope. // Optik. 1993. v.92. N 4. P. 175−193.
  310. Berger A., Mayer J., Kohl H. Detection limits in elemental distribution images produced by energy filtering ТЕМ: case study of grain boundaries in Si3N4. // Ultramicroscopy. 1994. V. 55. P. 101−112.
  311. Hofer F., Warbichler P., Grogger W., Kothleitner G. Application of electron microscopic imaging in materials science. // Microsc. Analys. 1995. N 6. P. 11−13.
  312. Endoh H., Hashimoto H. Atomic resolution electron microscope images formed by Si L -ionization electrons. // Ultramicroscopy.1994. V. 54. P. 351−356.
  313. Endoh H., Hashimoto H., Makita Y. Theoretical and observed electron microscope images of impurity atoms in thin crystals formed by L-shell ionization electrons. // Ultramicroscopy. 1994. V. 56. P. 108−120.
  314. Flaitz P.L., Domenicucci A. application of image filtering to semiconductor structures. // Inst. Phys. Ser. 1997. N 157. P. 515−518.
  315. Maslen V.M., Rossouw C.J. The inelastic scattering matrix element and its application to electron energy loss spectroscopy. // Phil. Mag. A. 1983. V. 47. N 1. P. 119−130.
  316. Maslen V.M., Rossouw C.J. Implications of (e, 2e) scattering for inelastic electron diffraction in crystals. I. Theory. // Phil. Mag. A. 1984. V. 49. N 6. P. 743−757.
  317. Meekison C.D., Whelan. M.J. The matrix element for inelastic scattering by a crystal. // Phil. Mag. A. 1984. V. 50. N 6. P. L39-L42.
  318. Saldin D.K., Rez P. The theory of the excitation of atomic inner-shells in crystals by fast electrons. // Phil. Mag. B. 1987. V. 55. N 4. P. 481−489.
  319. Saldin D.K. The theory of electron energy-loss near-edge structure. // Phil. Mag. B. 1987. V. 56. N 4. P. 515−525.
  320. Maslen V.W. On the role of inner-shell ionisation in the scattering of fast electrons by crystals. // Phil. Mag. B. 1987. V. 55. N 4. P. 491−496.
  321. Weickenmeier A., Kohl H. Computation of the atomic inner-shell exitation cross-sections for fast electrons in crystals. // Phil Mag. B. 1989. V. 60. N 4. P. 467−479.
  322. Allen L.J. Derealization in electron-impact ionization in acrystalline environment. // Phys. Rev. B. 1993. V. 47. N 5. P. 2446−2452.
  323. Weickenmeier A., Quandt E., Kohl H., Rose H., Niedrig H. Computation and measurement of characteristic energy-loss large-angle convergent-beam patterns of molybdenum selenide. // Ultramicroscopy. 1993. V. 49. P. 210−219.
  324. Schattschneider P., Jouffrey В., Nelheiebel. Dynamical diffraction in electron-energy-loss spectrometry: The independent Bloch-wave model. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. P. 3861−3868.
  325. Schenner M., Nelhiebel M., Schattschneider P. Diffraction effects in electron spectroscopic imaging. // Ultramicroscopy. 1996. V. 65. P. 95−99.
  326. Nelheibel M., Schenner M., Schattschneider P. Interference effects in inelastic thickness fringes. // Ultramicroscopy. 1996. V. 66. P. 173−181.
  327. Humphreys C.J., Whelan M.J. Inelastic scattering of fast electrons by crystals. I. Single electron excitations. // Phil. Mag. 1969. V. 20. P. 165−172.
  328. Stallknecht P., Kohl H. Computation and interpretation of contrast in crystal lattice images formed by inelastially scattered electron microscope. // Ultramicroscopy. 1996. V. 66. P. 261−275.
  329. Bird D.M., King Q.A. Absorptive form factor for high-energy electron diffraction. // Acta Cryst. 1990. V. A46. P. 202−208.
  330. Peng L.-M., Ren G., Dudarev S.L., Whelan M.J. Debye-Waller factors and absorptive scattering factors of elemental crystals. // Acta Cryst. 1996. V. A52. P. 456−470.
  331. Д.И. Основы квантовой механики. М.: Наука, 1976. 664 С.
  332. Дж. Дж. Трудности при использовании аналитической электронной микроскопии- загрязнение и травление объектов. // Основы аналитической электронной микроскопии. М.: Металлургия, 1990. С. 487−514.
  333. Craven A.J., Gibson J.M., Howie А., Spalding D.R. Study of single-electron excitations. // Phil. Mag. A. 1978. V. 38. N 5. P. 519−527.
  334. Rossouw C.J., Whelan M.J. The K-shell cross-section for 80 kV electrons in single-crystal graphite and AIN. J.Phys. D. 1979. V. 12. P. 797−807.
  335. Rossouw C.J., Whelan M.J. The orientation dependence of measured inelastic scattering probabilities for fast electrons in electrons in single crystals. // J. Phys. D. 1979. V.12. P. 1521−1533.
  336. Rossouw C.J., Whelan M.J. Aspects of quantitatine energy-loss analysis of single crystals in the transmission electron microscope. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1980. V. 52. P. 329−332.
  337. .И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. // ФТП. 1998. Т. 32. N 1. Р. 3−17.
  338. А.А., Капаев В. В., Копаев Ю. В., Кремлев В. Я. Квантовые приборы на основе передислокации волновых функций в гетероструктурах. // Микроэлектроника. 1994. Т. 23. N 5. С. 17−24.
  339. А.А., Капаев В. В., Копаев Ю. В., Кремлев В. Я. Квантовые приборы на основе эффекта передислокации волновой функции. // Электронная промышленность. 1994. N 4−5. С. 28−31.
  340. У.Г., Максимов С. К. 0 возможностях метода спектроскопии электронных энергетических потерь при электронно-микроскопических исследованиях. // Заводск. лаборатория. 1990. N 3. С. 27 32.
  341. Egerton R.F. Quantitative analysis of electron-energy-loss spectra. // Ultramicroscopy. 1989. V. 28. P. 215−225.
  342. Leapman R.D., Ornberg R.L. Quantitative electron energy loss spectroscopy in biology. // Ultramicroscopy. 1988. V. 24. P. 251−268.
  343. Hofer F., Wilhelm P. EELS microanalysis of the elements Ca to Cu using M edges. //Ultramicroscopy. 1993. V. 49. P. 189−197.
  344. Wang Y.Y., Ho R., Shao Z., Somlyo A.P. Optimization of quantitative electron energy loss spectroscopy in the low loss region: phosphorus L-edge. // Ultramicroscopy. 1992. V. 41. P. 11−31.
  345. Kundmann M.K. Analysis of semiconductor EELS in the low-loss regime. // Microbeam Analysis 1986. San Francisco: San Francisco Press, 1986. P. 417−420.
  346. Kundmann M.K., Gronsky R. Plasmon line shape analysis in EELS of semiconductors. // Proc. 46th Ann. Meet. Electron Microscopy Soc. of America. San Francisco. 1988. P. 500−501.
  347. Bravman J.C., Sinclar R. The preparation of cross-section specimens for transmission electron microscopy. // J. Electr. Microsc. Techn. 1984. V. 1. P. 53−62.
  348. Hibbert G., Edington J.W. Experimental errors in combined electron microscopy and energy analysis. // J. Phys. D. 1972. V. 5. P. 1780−1786.
  349. Cheng S.C., Crozier P.A., Egerton R.T. Dead time corrections for a pulse counting sistem in electron energy loss spectroscopy. // J. Microsc. 1987. V. 148. P. 285−288.
  350. August H., Wernisch J. Energy distribution of electrons transmitted through thin foil. // Ultramicroscopy. 1990. V. 32. P.113.120.
  351. SuD.S., Wang H.F., Zeitler E. The influence of plural scattering on EELS elemental analysis. // Ultramicroscopy. 1995. V.59. P. 181−190.
  352. Gibbons P.C., Bradley C.R., Fraundorf P.B. How to remove multiple scattering from core-excitation spectra? // Ultramicroscopy. 1987. V. 21. P. 305−312.
  353. SuD.S., Schattschneider P. Deconvolution of angle-resolved electron energy-loss spectra. // Phil. Mag. A. 1992. V. 65, N 5. P. 1127−1140.
  354. Johnson U.F., Isaacson M.S. An efficient analytical method for calculating the angular and energy distribution of electron which have undergone plural scattering in amourphous materials. // Ultramicroscopy. 1988. V. 26. P. 271−294.
  355. Wang Y.Y. Multiple scattering correction by a direct convolution method for electron energy-loss spectrum. // Ultramicroscopy. 1990. V. 33. P. 151−157.
  356. Johnson D.W., Spence J.C.H. Determination of the single-scattering probability distribution from plural- scattering data. // J. Phys. D. 1974. V. 7. P. 771−780.
  357. Egerton R.F., Wang Z.L. Plural-scattering deconvolution of electron energy-loss spectra recorded with an angle-limited aperture. // Ultramicroscopy. 1990. V. 32. P. 137−147.
  358. Egerton R.F., Wong K. Some practical consequences of the Lorentzian angular distribution of inelastic scattering. // Ultramicroscopy. 1995. V.59. P. 169−180.
  359. У.Г. Развитие метода спектроскопии энергетических потерь быстрых электронов для исследования полупроводниковых материалов. // Диссерт. на соиск. учен. степ. канд. физю-мат.наук. М.: МЙЭТ, 1997. 140 С.
  360. Kuzuo R., Tanaka М. Resolution enhancement of electron energy-loss spectra using the maximum entropy method. // J. Electr. Microsc. 1993. V. 42. P. 240−243.
  361. Raether H. Exitation of plasmons and interband transitions of electrons. // Springer Tracts in Moden Physics. Springer Verlag. 1980. V. 88. 198 P.
  362. Hinz H.-J., Raether H. Line shape of the volume plasmons of silicon and germanium. // Thin Solid Films. 1979. V. 58. P. 281−284.
  363. Tung C.J., Ritchie R. Electron slowing-down spectra in aluminium metal. // Phys. Rev. 1977. V. 16. P. 4302−4313.
  364. Kundmann M.K. Study of semiconductor valence plasmon line shapes via electron energy-loss spectroscopy in the transmission electron microscope. //Ph. D. Thesis. University of California. 1988. 189 P.
  365. Manzke R. Wavevector dependence of the volume plasmon of GaAs and InSb. // J. Phys. C. 1980. V. 13. P. 911−919.
  366. Philipp H.R., Ehrenreich H. Optical properties of semiconductors. // Phys. Rev. 1963. V. 29. P. 1550−1554.
  367. Kuech T.F., Potemski R., Cardone F., Scilla G. Quantitative Oxygen Measurements in 0MVPE AlxGaixAs Groun by Methyl Precursors. // J. Electron. Materials. 1992. V. 21. N 3. P. 341−346.
  368. Leapman R.D., Fiori C.E. and Swyt C.R. Mass thickness determination by electron energy-loss for quantitative x-ray microanalysis in biology. // J. Microsc. 1984. V.133. P. 239−253.
  369. Crozier P.A., Egerton R.F. Mass-thickness determination by Bethe-sum-rule normalization of the electron energy-loss spectrum.
  370. Ultramicroscopy. 1989. V. 27. P. 9−18.
  371. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. // М.: Наука, 1979. 339 стр.
  372. Т. Chemical structures of the SiO /Si interface. //2
  373. Crit. Rev. Sol. Stat. Mater. Scienc. 1995. V. 20(4). P. 339−382.
  374. Kiselev A. N., Sarrazit F., Kiselev N. A. High-resolution electron microscopy of ZnO grain boundaries in bicrystals obtained by the solid-phase intergrowth process. // Phil. Mag. A. 1997. V. 76. N 3. P. 633−644.
  375. Sarrazit F. Pond, R.C. Kiselev, N.A. Structure transition in a ZnO grain boundary. // Phil. Mag. Lett. 1998 V. 77. N 4. 191−198.
  376. King W.E., Campbell G.H. Quantitative HREM using nonlinear least-squares methods. // Ultramicroscopy. 1993. V. 51. P. 128−135.
  377. Fan G.Y., Cowley J.M. The simulation of high resolution images of amorphous thin film. // Ultramicroscopy. 1987. V. 21. P. 125−130.
  378. Chevalier J.-P., Hytch M.J. Simulating the exit wave function for uniformly disordered systems. // Ultramicroscopy. 1993. V. 52. P. 253−259.
  379. Bursill L. A., Mallinson L.G., Elliot S.R., Thomas J.M. Computer simulation and interpretation of electron microscopic images of amorphous structures. // J. Phys. Chem. 1981. V. 85. P. 3004−3006.
  380. Kilaas R., Gronsky R. The effect of amorphous surface layers on images of crystals in high resolution transmission electron microscopy. // Ultramicroscopy. 1985. V. 16. P. 193−202.
  381. Scheerschmidt K., Hillebrandt R., Heydenreich J. Simulationof HREM images for models of amorphous solids to evalute the possibilities of structure interpretation. // Optik. 1987. V. 77. P. 115−121.
  382. Miller M.L., Ewing M.L. Image simulation of partially amorphous materials. // Ultramicroscopy. 1993. V. 48. P. 203−237.
  383. Timsit R.S., Waddington W.G., Gallerneault C. High-resolution electron microscopy of quasi-amorphous materials. // Ultramicroscopy. 1992. V. 45. P. 65−76.
  384. Howie A. High resolution electron microscopy of amorphous thin films. // J. Non-Cryst. Solids. 1978. V. 31. P. 41.
  385. Smith D.J., Stobbs W.M., Saxton W.O. Ultra-high-resolution electron microscopy of amorphous materials at 120 kV. // Phil Mag. B. 1981. V. 43. P. 907−923.
  386. Ohdomari I., Mihara T., Kai K. Computer simulation of high-resolution transmission electron microscopy images of Si/Si02 interfaces. // J. Appl. Phys. 1986. V. 59. P. 2798−2802.
  387. Goodnick S.M., Ferry D.K., Wilmsen C.W., Liliental Z., Fathy D., Krivanek O.L. Surface roughnes at the Si (100)-Si02 interface. // Phys. Rev. B. 1985. V. 32. P. 8171.
  388. Stadelmann P.A. EMS- a software package for electron diffraction analysis and HREM image simulation in materials science. // Ultramicroscopy. 1987. V. 21. P. 131−146.
  389. Gladden L.F. Medium-range order in v-SiO. // J. Non-Cryst. Solids. 1990. V. 119. P. 318−330.
  390. Etherington G., Wright A.C., Wenzel J.T., Dore J.C., Clarke J.H., Singlair R.N. A neutron diffraction study of the structure of evaporated amorphous germanium. // J. Non-Cryst. Solids. 1982. V. 48. P. 265−289.
  391. SuhrenM., Graf D., Schmolke R., Pointek H., Wagner P.
  392. Applications of atomic force microscopy for silicon wafer characterisation. // Ins. Phys. Conf. Ser. 1996. V. 149. P. 301−306.
  393. Neuwald U., Hessel H.E., Felty A., Memmert U., Behm R.J. Initial stages of native oxide growth on hydrogen passivated Si (lll) surfaces stadied by scanning tunneling microscopy. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. P.1307−1309.
  394. Plikat B. Hochauflosende Transmissionselektronenmikroskopie an den kristallin-amorphen Grenzflachen c-Si/a-Ge und c-Si/a-Si02. Dissertation. Gottingen, 1998. 114 S.
  395. Ross F.M., Stobbs W.M. A study of the initial stages of the oxidation of silicon using the Fresnel method. // Phil. Mag. A. 1991. V. 63. P. 1−36.
  396. Ross F.M., Stobbs W.M. Computer modelling for Fresnel contrast analysis. // Phil. Mag. A. 1991. V. 63. P. 37−70.
  397. Boothroyd C.B. Why don’t high-resolution simulations and images match? // Journal of microscopy. 1998. V. 190. Pts. ½. P. 99−108.
  398. Zou J.M. Electron detection characteristics of slow-scan CCD camera. // Ultramicroscopy. 1996. V. 66. P. 21−33.
  399. Gaskel P.H. Models for the structure of amorphous solids. // Materials Science and Technology. Weinheim: VCH, 1991. 176−278.
  400. Heydenreich J. Electron microscopy in semiconductor research. // Electron Microscopy 1982. Hamburg. 1982. V. 2. P. 365−372.
  401. Rozgonyj G.A. Semiconductor materials engineering via defect diagnostics. // Semiconductor Silicon. 1981. N.Y. P. 447−476.
  402. Ruhle M. Elektronenmikroskopie kleiner Fehlstellenagglornerate in bestrahlten Metallen. II. Untersuchungen an neutronen- und ionenbestrahltem Kupfer sowie neutronenbestrahtem Nickel. // Phys.
  403. Stat. Sol. 1967. V. 19. P. 279−295.
  404. Rualt M.O., Joffrey В., Joyce P. Etude de defants cress daus une raetrice d’aluminium par borbardement d’ions Al+. // Phil. Mag. 1972. V. 25. P. 833−852.
  405. Hertell В. Elektronmikroskopischer Kontrast kleiner Fehlstellenagglomerate in ionenbestrahltem Kupfer. // Phil. Mag. 1979. V. 55. 40. P. 313−330.
  406. M., Браун JI. Дифракционный контраст, обусловленный сферически симметричными полями деформации. // Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1965. С. 89−108.
  407. Ruhle М., Wilkens М., Essman U. Zur Deutung der elektronenmikroskopischen Kontrasterscheinungen an Fehlstellen-agglomeraten in neutronenbestrahltem Kupfer. Phys. Stat. Sol. 1965. V. 11. P. 819−829.
  408. Ruhle M. Elektronenmikroskopie kleiner Fehlstellenagglomerate in bestrahlten Metallen. I. Theorie des Kontrastes und experimentelle Methoden zyr Ermittlung des Defektstyps. // Phys. Stat. Sol. 1967. V. 19. P. 279−295.
  409. BulloughR., Maher D.M., Perris R.C. Electron microscope image contrast from dislocation loops. // Phys. Stat. Sol. 1971. V. 43. P. 689−706.
  410. Wilkens M., Ruhle M. Black-white contrast figures from small dislocation loops. I. Analytical first order perturbation solution. // Phys. Stat. Sol. 1972. V. 49. P. 749−760.
  411. И.А., Рожанский B.H. Использование дифракционногоконтраста от радиальных смещений для определения типа дислокационных петель. // ФТТ. 1973. Т. 15 С. 1648−1650.
  412. С.К., Мышляев М. М., Олевский С. С., Ходос И. И. Определение знака при исследовании малых дислокационных петель. // ФММ. 1977. Т. 44. С. 1286−1296.
  413. С.К., Филиппов А. П. Влияние размеров призматических дислокационных петель и интерференционной ошибки s на методику определения природы петель. // Кристаллография. 1982. Е. 27. С. 812−814.
  414. Maksimov S.K., Ovcharov V.V., Piskunov D.I. Specific features of electron microscopy images of system of dilatation-type defects. //Phys. Stat. Sol. (a). 1987. V. 104. P. 507−517.
  415. Scheerschmidt K., Hillebrand R., Heydenreich J. Computer simulation of diffraction contrast images and lattice fringe patterns of small spherical inclusions. // Phys. Stat. Sol. (a). 1989. V. 116. P. 123−143.
  416. B.M. Черно-белые электронно-микроскопические изображения малых дефектов в тонких кристаллах при отклонении от брэгговского положения. //Металлофизика. 1989. Т. 11. N 1. С. 107−112.
  417. W.L. 2УгЪ electron microscopy: Through-focus dark-field image shifts. // J. Appl. Phys. 1976. V. 47. P. 1676−1682.
  418. Mitchell J.В., Bell I.L. Characterization of point-defect clusters by 2VaD ТЕМ. // Acta met. 1976. V. 24. P.147−152.
  419. В.Г., Захаров Н. Д., Кириченко В. В., Спасский М. Н. Об использовании метода дефокусировки темнопольных электронно-микроскопических изображений для исследования скоплений точечных дефектов в кристаллах. // Завод, лаб. 1978. Т. 44. N 7. С. 812−815.
  420. ГуровичБ.А., Астраханцев М. С., Елесин Л. А., Спасский М.Н.
  421. Бысокоразрешающая темнопольная электронная микроскопия для исследования радиационных дефектов. // Завод, лаб. 1984. Т. 50. N 3. С. 29−32.
  422. Hardy G.J., Jenkins M.L. Evidence for stacking-fault tetrahedra formed from self-interstitials in electron-irradiated silver. // Phil. Mag. A. 1985. V. 52. N 2. P. L19-L23.
  423. Д.И. Достоверны ли результаты, получаемые с помощью электронно-микроскопической методики 2V2D. // ФТТ. 1985. Т. 27. С. 3521−3525.
  424. В.М. Сдвиг изображений малых дефектов в методе 21/2Б-просвечивающей электронной микроскопии. // Металлофизика. 1988. Т. 10. N 5. С. 50−59.
  425. Gruschel W., Laupheimer A., Wilkens M. Defocus contrast of small point defect clusters. // Electron Microscopy 82. Hamburg. 1982. V. 2. P. 97−98.
  426. В.В., Николайчик В. И., Ходос И. И. Контраст на дефокусированных электронно-микроскопических изображениях малых дислокационных петель. // Кристаллография. 1987. Т. 32 С. 1480−1482.
  427. AristovV.V., Nikolaichik V.I., Khodos I.I. Defocus contrast on electron microscope images of small dislocation loops. // Phys. Stat. Sol. 1987. V. 100. P. 31−36.
  428. Gruschel W., Wilkens M. Focus dependence of the black-white contrast of small point defect clusters on transmission electron
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!