DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM.
У DDR3 уменьшено на 30% (точный процент)[1][2] потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. 2] Снижение напряжения питания достигается за счёт использования 90-нм (вначале, в дальнейшем 65-, 50-, 40-нм) техпроцесса при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).
Существуют DDR3L (L означает Low) с ещё более пониженным энергопотреблением до 1,35 В. Это меньше традиционных DDR3 на 10%. [3].
В 2012 году было сообщено о выходе памяти DDR3L-RS для смартфонов. [4].
Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.
Возможности микросхем DDR3 SDRAM:
- · Предвыборка 8 байт
- · Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
- · Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
- · Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
- · Выполнение CAS Write Latency за такт
- · Встроенная терминация данных
- · Встроенная калибровка ввода/вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
- · Автоматическая калибровка шины данных
