Бакалавр
Дипломные и курсовые на заказ

Оптические явления магнитоиндуцированной пространственной дисперсии в полупроводниках и диэлектриках

Диссертация: Оптические явления магнитоиндуцированной пространственной дисперсии в полупроводниках и диэлектриках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Выбор кристаллов кубического класса Та не случаен и определялся следующими обстоятельствами. Во-первых, эти кристаллы являются оптически изотропными в отсутствии внешних воздействий. Наличие одноосной анизотропии, как, например, в случае кристаллов С (18, СёБе (С (, у), может осложнить наблюдение малых по величине эффектов МИПД на фоне большого естественного двупреломления. Во-вторых, в отличие… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. ОПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ МАГНИТОИНДУЦИРОВАННОЙ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ ДИСПЕРСИИ В КРИСТАЛЛАХ
    • 1. 1. Наблюдение явлений магнитоиндуцированной пространственной дисперсии
    • 1. 2. Тензор магнитоиндуцированной пространственной дисперсии в кубических кристаллах класса Td и его свойства
    • 1. 3. Невзаимное линейное двупреломление в поперечной и продольной геометриях эксперимента
  • Выводы
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Методика поляриметрического измерения невзаимного двупреломления
    • 2. 2. Методика проведения полевых, угловых и температурных измерений
    • 2. 3. Методика расчета параметров тензора диэлектрической проницаемости
    • 2. 4. Параметры исследованных кристаллов
  • Выводы
  • ГЛАВА III. НЕВЗАИМНОЕ ЛИНЕЙНОЕ ДВУПРЕЛОМЛЕНИЕ В ПОЛУМАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
  • Cd!.xMnxTe, ZnbxMnxTe
    • 3. 1. Особенности зонной структуры
  • CdixMnxTe, ZnbxMnxTe
    • 3. 2. Магнитные и магнитооптические свойства
  • CdixMnxTe, ZnixMnxTe
    • 3. 3. Исследование невзаимного двупреломления в CdixMnxTe, ZnbxMnxTe
    • 3. 4. Механизмы невзаимного двупреломления в Cdi. xMnxTe, ZnixMnxTe
    • 3. 5. Теоретическое рассмотрение
  • Выводы
  • ГЛАВА IV. НЕВЗАИМНОЕ ЛИНЕЙНОЕ ДВУПРЕЛОМЛЕНИЕ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ZnTe, CdTe, GaAs
    • 4. 1. Оптическое поглощение вблизи фундаментального края в CdTe, ZnTe, GaAs
    • 4. 2. Эффект Фарадея в CdTe, ZnTe, GaAs
    • 4. 3. Исследование невзаимного двупреломления в CdTe, ZnTe, GaAs
    • 4. 4. Анализ микроскопических механизмов невзаимного двупреломления в CdTe, ZnTe, GaAs
  • Выводы
  • ГЛАВА V. НЕВЗАИМНОЕ ЛИНЕЙНОЕ ДВУПРЕЛОМЛЕНИЕ В БОРАЦИТЕ C03B7O13I
    • 5. 1. Структура C03B7O13I
    • 5. 2. Диэлектрические, оптические и магнитные свойства C03B7O13I
    • 5. 3. Исследование невзаимного двупреломления в C03B7O13I
    • 5. 4. Механизмы невзаимного двупреломления в C03B7O13I
  • Выводы

Оптические явления магнитоиндуцированной пространственной дисперсии в полупроводниках и диэлектриках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Оптические свойства кристаллов определяются частотной и пространственной дисперсией показателя преломления. Пространственная дисперсия играет важную роль в кристаллооптике, так как при ее учете возможно появление качественно новых оптических явлений. Классическим примером этого служит явление оптической активности [1]. Большой интерес представляет исследование пространственной дисперсии при наличии внешних воздействий [2,3], в частности, магнитного поля. Как показывают немногочисленные пока еще работы, в кристаллах без центра инверсии учет пространственной дисперсии диэлектрической проницаемости при наличии внешнего магнитного поля, приводит к появлению новых невзаимных магнитооптических эффектов. Исследование этих явлений может дать важную информацию об оптических свойствах кристаллов.

При наличии внешнего магнитного поля в кристаллах любых классов группа симметрии которых не содержит операции пространственной инверсии, разрешены явления магнитоиндуцированной пространственной дисперсии (МИПД), связанные с линейным по волновому вектору света к и магнитному полю В вкладом в тензор диэлектрической проницаемости вц [4]. Эти явления могут наблюдаться как в области прозрачности, так и области поглощения. Несмотря на то, что возможность существования таких явлений предсказывалась теоретически довольно давно в [4−6], в настоящее время известно лишь несколько публикаций в которых сообщалось о наблюдении эффектов МИПД. К ним относится, так называемый, эффект «инверсии магнитного поля» [7−9], эффект магнитоиндуцированного вращения оптических осей кристалла [10,11], а также эффект невзаимного линейного двупреломления света [12,13]. Эти явления наблюдались в кристаллах Сс18, СёБе [7−11], ваАз [13], в окрестности экситонных резонансов, при низких температурах, а также в диэлектрике а-ЫЮз [12]. Интерес к исследованию явлений МИПД связан с тем, что в отличие от традиционных магнитооптических явлений, таких как, например, Фарадея, Керра и Фойгта, которые не чувствительны к структуре решетки, эффекты МИПД возможны только в нецентросимметричных кристаллах и следовательно более чувствительны к кристаллической структуре. Это обстоятельство открывает новые возможности в исследовании механизмов взаимодействия света и особенностей зонной структуры нецентросимметричных полупроводников и диэлектриков. Следует отметить, что микроскопические механизмы явлений МИПД принципиально отличаются от обычных оптических явлений. Это ясно уже из того, что для существования оптической активности нужно нарушить только операцию пространственной инверсии, для линейных магнитооптических эффектов, таких как эффект Фарадея и Керра, только инверсию времени, а для существования явлений МИПД необходимо нарушить одновременно и операцию обращения времени и пространственную инверсию. Это может быть реализовано либо приложением магнитного поля к нецентросимметричному кристаллу, либо проявлением нецентросимметричной магнитной структуры в кристалле с центром инверсии.

Исследование МИПД является важным также и в практическом плане. Исследование МИПД в полупроводниках дает возможность определить ряд фундаментальных зонных параметров, связанных с отсутствием инверсионной симметрии в кристалле. Кроме того, чувствительность явлений МИПД к кристаллической структуре открывает новые возможности для их использования при ориентации кристаллов и оценки их качества. Таким образом, исследование МИДП представляет интерес как с чисто научной, так и практической точек зрения, что делает актуальной задачу поиска и детального исследования этих явлений в широком классе материалов.

Целью данной работы является поиск и исследование явлений магнитоиндуцированной пространственной дисперсии в кубических нецентросимметричных полупроводниках и диэлектриках, и выявление их микроскопических механизмов.

В качестве объектов исследования были выбраны кубические кристаллы класса Тй:

1. кристаллы полумагнитных полупроводников С (1|хМпхТе (0.25<х<0.52), гпЬхМпхТе (х=0.31).

2. классические полупроводники ZnTe, Сс1Те, ОаД.я.

3. диэлектрик С03В7О131.

Выбор полумагнитных полупроводников определялся тем, что они характеризуются гигантскими значениями линейных и квадратичных магнитооптических явлений, и следовало ожидать усиления явлений МИДП в этих материалах. Кроме этого, полумагнитные полупроводники являются перспективными материалами для создания магнитооптических устройств видимого и инфракрасного диапазона.

Кристаллы СсГГе, ZnTe, СаА$ являются модельными полупроводниками. Исследование явлений МИГТД в этих полупроводниках представляет самостоятельный интерес и дает возможность лучше понять механизмы явлений МИПД. Эти полупроводники и смешанные соединения на их основе широко используются при создании различного рода оптических устройств.

Наряду с полупроводниками исследовался диэлектрик борацит С03В7О131. Интерес к кристаллам борацитов обусловлен их необычными диэлектрическими, магнитными, структурными и оптическими свойствами, а также тем, что до настоящего времени исследования МИПД в парамагнетиках не проводилось.

Выбор кристаллов кубического класса Та не случаен и определялся следующими обстоятельствами. Во-первых, эти кристаллы являются оптически изотропными в отсутствии внешних воздействий. Наличие одноосной анизотропии, как, например, в случае кристаллов С (18, СёБе (С (, у), может осложнить наблюдение малых по величине эффектов МИПД на фоне большого естественного двупреломления. Во-вторых, в отличие от кристаллов других нецентросимметричных классов, в классе Та оптическая активность запрещена. Как показано в работах [11,14] в нецентросимметричных кристаллах комбинация оптической активности и эффекта Фарадея в некоторых случаях может приводить к оптическим явлениям линейным по к и В, не связанных с проявлением магнитоиндуцированной пространственной дисперсии. Это обстоятельство ограничивает экспериментальные возможности выбором только одной определенной геометрии эксперимента. В кристаллах кубического класса Та таких ограничений нет.

Механизмы явлений магнитоиндуцированной пространственной дисперсии зависят от того, какие оптические переходы являются определяющими. В случае если мы имеем дело с межзонными или экситонными переходами, как в полупроводниках, то механизмы МИПД связаны с присутствием линейных по квазиимпульсу () или билинейных по (] и В вкладов в эффективный гамильтониан электронов, дырок, или экситонов [10,15,22]. В отличие от полупроводников в диэлектрике бораците С03В7О131 мы имеем дело с локальными электронными переходами внутри 3(1 оболочки ионов Со и механизмы МИПД могут быть обусловлены проявлением магнитоэлектрического взаимодействия на оптических частотах и квадрупольного взаимодействия [58,61]. Исследование МИПД в С03В7О131 дает возможность определить величину индуцированной внешним магнитным полем магнитоэлектрической восприимчивости, выделить вклад квадрупольных переходов и оценить величину новых комбинаций матричных элементов оптических переходов.

В работах [10,13,22] экспериментальное изучение различных проявлений МИПД было основано либо на измерении интенсивности сигнала просветления образца [10,13], помещенного между скрещенными поляризаторами или по наблюдению сдвига интерференционных полос [22], в магнитном поле. Строго говоря, такие эксперименты не могут однозначно доказать нечетности наблюдаемого явления относительно волнового вектора света к. Кроме этого методика спектринтерференционного анализа, использованная в [22], ограничена возможностью изучения тонких образцов толщиной порядка нескольких мкм. В этой связи важным является выбор метода исследования. В настоящей работе для исследования такого проявления МИПД, как эффект невзаимного линейного двупреломления света, была применена методика лазерной поляриметрии [66]. Данная методика, обладая высокой чувствительностью и точностью, дала возможность исследования дисперсии, полевых зависимостей и вращательной анизотропии невзаимного двупреломления в объемных кристаллах. Изучение полевых зависимостей невзаимного двупреломления при изменении направления распространения света на противоположное позволило строго доказать нечетность явления по волновому вектору света к, а также произвести разделение нечетного и четного по магнитному полю вкладов в двупреломление. В свою очередь проведение азимутальных измерений дало возможность исследовать характер магнитооптической анизотропии невзаимного двупреломления и определить значения макроскопических параметров, информацию о которых нельзя получить, основываясь лишь на дисперсионных измерениях в одной определенной геометрии эксперимента [13].

Основные положения выносимые на защиту и их новизна:

1. Теоретически исследованы ориентационные зависимости главных направлений и величины невзаимного линейного двупреломления, обусловленного МИПД, в кубических кристаллах класса Та при различных направлениях волнового вектора к и магнитного поля В.

2. Разработан метод измерения невзаимного линейного двупреломления, изучения его анизотропии, определения параметров, А и ^ описывающих вклад членов типа к^В-, в диагональные и недиагональные компоненты тензора диэлектрической проницаемости 8у (ш, к, В), и доказательства нечетности наблюдаемого явления относительно волнового вектора света к.

3. Впервые исследовано явление невзаимного линейного двупреломления в полумагнитных полупроводниках Сс^-Мп-Де, 2п^хМпхТе. Показано, что вблизи края фундаментального поглощения явление характеризуется большой величиной и сильной анизотропией. Определена дисперсия параметров, А и В полупроводниках Сф. хМпхТе, 2п1хМпхТе невзаимное двупреломление обусловлено присутствием ионов Мп2+. Предложена микроскопическая модель, основанная на рассмотрении межзонных переходов при учете зависимости параметров обменного взаимодействия от волнового вектора электронов.

4. Впервые исследовано явление невзаимного двупреломления в полупроводниках ЪсНъ, Сс1Те. Показано, что в отличие от полумагнитных полупроводников невзаимное двупреломление в 2пТе, Сс1Те, ваАз наблюдается только вблизи края фундаментального поглощения и резко возрастает при приближении к краю зоны. В 2пТе, СсГГе определена дисперсия параметров, А и §. Соотношение между параметрами и их спектральная зависимость показывают, что в отличие от полумагнитных полупроводников невзаимное двупреломление в ZnTe, CdTe, GaAs обусловлено экситонными переходами.

5. Обнаружено и исследовано невзаимное линейное двупреломление в диэлектрических кристаллах борацитов C03B7O13I в области локальных d-d переходов внутри Зй-оболочки иона.

Coz Эффект имеет резонансный характер и непосредственно связан с нецентросимметричностью ближайшего окружения иона Со2+. Явление определяется магнитоэлектрической восприимчивостью второго порядка на оптических частотах.

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. В главе I содержится обзор работ по наблюдению и исследованию различных проявлений магнитоиндуцированной пространственной дисперсии в немагнитных и магнитоупорядоченных кристаллах. Проводится феноменологическое рассмотрение невзаимного линейного двупреломления, обусловленного МИПД, в кубических кристаллах класса Td и анализируются условия его наблюдения. Теоретически исследуются ориентационные зависимости главных направлений и величины невзаимного двупреломления при различных направлениях волнового вектора к и магнитного поля В.

Выводы.

1. В кубических (Та) кристаллах борацитов C03B7O13I в спектральном диапазоне d-d локальных оптических переходов в пределах 3d оболочки Со2+ обнаружено большое по величине невзаимное двупреломление ~ 4 7см-Тл. Эффект характеризуется анизотропией и описывается комбинацией гармоник 1-го и 3-го порядка.

2. В области полосы поглощения, локализованной при йю" 2.1 эВ, невзаимное двупреломление, также как эффект Фарадея, обнаруживает парамагнитный характер дисперсии. Определена дисперсия параметров, А и g, описывающих вклады членов типа kjBj в диагональные и недиагональные компоненты тензора диэлектрической проницаемости sy (co, k, B). Оба параметра характеризуются одинаковым знаком и выполняется соотношение A/g=1.9±0.2 во всем исследованном спектральном диапазоне.

3. Исследование температурных зависимостей показывает монотонное увеличение эффекта с понижением температуры. Величина эффекта при температуре близкой к фазовому переходу (Т"195 К) примерно в полтора раза больше комнатной. Температурное поведение невзаимного двупреломления описывается законом Кюри-Вейсса, что подтверждает его парамагнитную природу.

4. Анализ анизотропии и дисперсии параметров, А и g показал, что преобладающий вклад в невзаимное двупреломление в бораците C03B7O13I обусловлен проявлением магнитоэлектрической восприимчивости второго порядка на оптических частотах.

— 142 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Основными результатами данной работы являются:

1. Симметрийный анализ явлений магнитоиндуцированной пространственной дисперсии, связанных с учетом линейного по волновому вектору света к и магнитному полю В вклада в тензор диэлектрической проницаемости ец (со, к, В) в кубических нецентросимметричных кристаллах класса Та (43т). Исследование изменений оптической индикатрисы, связанных с членами типа ккВь для различных направлений векторов к и В.

2. Разработка поляриметрической методики для измерения невзаимного двупреломления, изучения его анизотропии и доказательства нечетности наблюдаемого явления относительно волнового вектора света к.

3. Обнаружение и исследование невзаимного двупреломления в кубических кристаллах полумагнитных полупроводников Сё1. хМпхТе, Znl. xMnxTe, классических полупроводников 7пТе, Сс1Те, ОаАз и диэлектрике бораците С03В7О131.

4. Показано, что невзаимное двупреломление в полумагнитных полупроводниках характеризуется большой величиной даже при комнатной температуре, что связано с сильным расщеплением электронных состояний вследствии Бр-с! обменного взаимодействия. Спектральные зависимости параметров, А и описывающих невзаимное двупреломление, показывают разную дисперсию при приближении к краю зоны Её, что свидетельствует о различии их микроскопических механизмов. Полученные спектральные зависимости параметра, А можно интерпретировать при одновременном учете прямых межзонных переходов между зоной тяжелых дырок и зоной проводимости, зависимости оператора тока и обменных интегралов от волнового вектора электронов. Параметр § в рассматриваемом приближении равен нулю и для его интерпретации требуется учет других механизмов. Величина двупреломления возрастает с понижением температуры согласно закону Кюри-Вейсса для магнитной восприимчивости при учете вклада от температурного сдвига края зоны.

5. Анализ анизотропии, дисперсии и сравнение со спектральными зависимостями эффекта Фарадея, в чистых и марганец-содержащих полупроводниках позволили сделать вывод о том, что в «чистых» полупроводниках ZnTe, CdTe, GaAs, в отличие от полумагнитных, невзаимное двупреломление определяется не межзонными, а экситонными механизмами. Поскольку невзаимное двупреломление по своей природе обусловлено нецентросимметричностью кристалла, оно может быть использовано для определения параметров, описывающих линейную дисперсию электронов в полупроводниках.

6. Невзаимное двупреломление в бораците C03B7O13I в области d-d локальных.

0+ переходов в пределах 3d оболочки ионов Со, также как эффект Фарадея, проявляет парамагнитный характер дисперсии. Парамагнитная природа невзаимного двупреломления подтверждается также температурными исследованиями. Анализ анизотропии и дисперсии параметров, А и g, позволяет сделать вывод, что механизмы невзаимного двупреломления в бораците C03B7O13I связаны с проявлением магнитоэлектрической восрпиимчивости второго порядка на оптических частотах.

Автор выражает глубокую признательность д.ф.-м.н. Б. Б. Кричевцову, за непосредственное руководство и помощь в работе, д.ф.-м.н. проф. Р. В. Писареву за многочисленные полезные обсуждения. Также выражаю благодарность к.ф.-м.н. В. Н. Гридневу за помощь в теоретической интерпретации результатов, всем сотрудникам лаборатории за плодотворные дискуссии, Н. Ф. Картенко за проведение рентгеновских измерений, Д. А. Ядренова за проведение механических работ, В. А. Янковскую за полировку кристаллов. Благодарю проф. Х.-Ю. Вебера (Ун-т Дортмунд) за предоставление возможности использования перестраиваемых лазеров, а также проф. X. Шмида и д-ра Ж.-П. Риверу за предоставление кристаллов борацитов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Л. Д., Лифшнц Е. М. Электродинамика сплошных сред, т. V1.I. М.: Наука, 1992. — 664 с.
  2. Koopmans В., Santos P. V., Cardona М. Optical Activity in Semiconductors: Stress and Confinement Effects. // Phys. Stat. Sol. (b), 1998, v. 205, N 2, p. 419−463.
  3. Вир E. Л., Пикус E. E. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972. — 584 с.
  4. В. М., Еинзбург В. Л. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов. М.: Наука, 1979. — 432 с.
  5. Portigal D. L., Burstein Е. J. Magneto-spatial dispersion effects on the propagation of electromagnetic radiation in crystals. // Phys. Chem. Sol., 1971, v. 32, N 3, p. 603−608.
  6. M. А. Тезисы докл. конф. по нелинейной оптике. Минск. 1972. — 237 с.
  7. Hopfield J. J., Thomas D. G. Photon momentum effects in the magneto-optics of excitons. // Phys. Rev. Lett., 1960, v. 4, N 7, p. 357−359.
  8. Hopfield J. J., Thomas D. G. Fine structure and magneto-optics effects in the exciton spectrum of Cadmium Sulfide. // Phys. Rev., 1961, v. 122, N 1, p. 35−52.
  9. E. Ф., Захарченя Б. П., Константинов О. В. Эффект инверсии магнитного поля в спектре экситонного поглощения кристалла CdS. // ФТТ, 1961, т. 3, в. 1, с. 305−307.
  10. Е. Л., Кочерешко В. П., Михайлов Г. В., Уральцев И. Н. Магнитоиндуцированная пространственная дисперсия кристаллов в экситонной области спектра. // Письма ЖЭТФ, 1983, т. 37, в. 3, с. 137−139.
  11. Ivchenko Е. L., Kochereshko V. P., Mikhailov G. V., Uraltsev I. N. Resonance Magneto-Spatial Dispersion of Crystals. // Phys. St. Sol. (b), 1984, v. 121, N 1, p. 221 230.
  12. В. А., Новиков M. А., Туркин А. А. Экспериментальное наблюдение нового невзаимного магнитооптического эффекта. // Письма ЖЭТФ, 1977, т. 25, в. 9, с. 404−406.
  13. О. В., Цветков В. А., Цицишвили Е. Г. Магнитоиндуцированное двулучепреломление в кубических кристаллах. // ЖЕТФ, 1984, т. 87, в. 3, с. 1038−1045.
  14. В. Н., Сердюков А. Н. О линейном воздействии магнитного поля на оптическую активность. // Кристаллография, 1974, т. 19, в. 6, с. 1279−1280.
  15. Е. Г. Магнитооптическая анизотропия кубических кристаллов, индуцированная пространственной дисперсией. // ФТП, 1986, т. 20, в. 4, с. 650−654.
  16. С. И. Кристаллооптика и добавочные световые волны. Киев: Наук. Думка, 1982. — 296 с.
  17. Е. Л. Эффекты пространственной дисперсии в области экситонного резонанса. В кн.: Современные проблемы науки о конденсированных средах. Экситоны. — М.: Наука, 1985. — 616 с.
  18. Thomas D. G., Hopfield J. J. Direct observation of exciton motion in CdS. // Phys. Rev. Lett., 1960, v. 5, N 11, p. 505−507- A magneto-Stark effect and exciton motion in CdS. // Phys. Rev., 1961, 124, N 3, p. 657−665.
  19. Л. Л. Магнитная воприимчивость экситонов Мотта в полупроводниках. //ЖТФ, 1957, т. 27, N 3, с.484−494.
  20. А. К. Диэлектрическая проницаемость и эффект инверсии магнитного поля в области экситонного поглощения в CdS. // ФТТ, 1965, т. 7, с. 670−672.
  21. В. П., Михайлов Г. В., Уральцев И. Н. Интерференционные спектры магнитополяритонов. // ФТТ, 1982, т. 24, в. 9, с. 2697−2704.
  22. В. П., Михайлов Г. В., Уральцев И. Н. Эффекты инверсии магнитного поля на поляритонах. // ФТТ, 1982, т. 25, в. 3, с. 769−776.
  23. В. А., Разбирин Б. С., Уральцев И. Н. Интерференционные состояния светоэкситонов, наблюдение добавочных волн. // Письма в ЖЭТФ, 1973, т. 18, стр. 504−507.
  24. Bungay A. R., Svirko Yu. P., Zheludev N. I. Broken symmetry of the kinetic coefficients and specular polarization phenomena. // Phys. Rev. B, 1993, v. 47, N 24, p. 16 141 16 147.
  25. Zheludev N. I., Popov S. V., Svirko Yu. P., Malinovski A. Observation of time-nonreversible optical interaction with zinc-blende semiconductors. // Phys. Rev. В., 1994, v. 50, N 16, p. 11 508−11 513.
  26. Ивченко E. JI. The principle of symmetry of kinetic coefficients and spin-orbit interaction in crystals. // ФТТ, 1996, т. 38, в. 7, с. 2066−2071.
  27. Etchegoin P., Fainstein A., Santos P., Lew Yan Voon L. C. and Cardona M. Linear terms in q in macroscopic optical properties of zincblende type materials: theoiy and experiment. // Solid State Comimm., 1994, v. 92, N 6, p. 505−510.
  28. О. Г. Явления пространственной дисперсии в параметрической кристаллооптике. Львов: В ища школа, 1984. — 156 с.
  29. М. А. Невзаимные оптические эфекты во внешнем магнитном поле. // Кристаллография, 1979, т. 24, в. 4, с. 666−671.
  30. В. В., Харченко Н. Ф., Литвиненко Ю. Г., Науменко В. М. Магнитооптика и спектроскопия антиферромагнетиков. Киев: Наукова Думка, 1989. — 264 с.
  31. В. А., Туркин А. А. Экспериментальное иследование зависимости разностной частоты кольцевого лазера от усиления активной среды. // Квантовая электроника, 1976, т. З, N 5, с. 1139−1141.
  32. М. А. Поляризационный кольцевой интерферометр. // Радиотехника и электроника, 1976, т. 21, N 4, с. 904−905.
  33. Р. М., Берозашвили Ю. Н., Дундуа А. В. О спонтанном двойном лучепреломлении в GaAs. // ФТТ, 1975, т. 7, N 6, с. 1493−1495.
  34. Dresselhaus G. Spin-Orbit Coupling Effects in Zinc blende Structures. // Phys. Rev., 1955, v. 100, N 2, p. 580−586.
  35. Kane E. O. Band structure of indium antimonide. // J. Phys. Chem. Solids, 1957, v. 1, N4, p. 249−261.
  36. Casella R. C. Toroidal Energy surfaces in ciystals with wurtzite symmetry. // Phys. Rev. Lett., 1960, v. 5, N 8, p. 371−373.
  37. Kane E. O. The kp-Method. In Semiconductors and SemimetaJs, ed. by R. K. Willardson and A. C. Beer, v. 1. New York: Academic Press, 1966. — p. 75−100.
  38. Weiler M. H., Aggarwal R. L. and Lax В. Warping- and inversion asymmetry-induced cyclotron-harmonic transitions in InSb. // Phys. Rev. B, 1978, v. 17, N 8, 1978, p. 3269−3283.
  39. Jl. И., Шабад А. Е. Пространственная дисперсия вблизи циклотронного резонанса в полупроводнике в магнитном поле. // ЖЭТФ, 1974, т. 67, в. 3, с. 1032−1041.
  40. Э. И., Шека В. И. Комбинированный резонанс зонных электронов в кристаллах с решеткой цинковой обманки. // ФТТ, 1961, т. 3, в. 6, с. 1735−1749.
  41. М. И., Перель В. И. Спиновая релаксация электронов проводимости в полупроводниках без центра инверсии. // ФТТ, 1971, т. 13, в. 12, с. 3581−3585.
  42. А. Т., Марущак В. А., Титков А. Н. Определение спиновых расщеплений зоны проводимости в соединениях AIHBV. // Изв. АН, Сер. Физическая, 1986, т. 50, N 2, с. 290−293.
  43. . И., Гореленок А. Т., Мамутин В. В., Полянская Т. А., Савельев И. Е., Шмарцев Ю. В. Спин-орбитальное рассеяние и слабая локализация электронов в гетероструктурах InGaAs/InP. // ФТП, 1984, т. 18, в. 11, с. 19 992 005.
  44. Chen Y.-F., Dobrowolska M., Furdyna J. К., and Rodriguez S. Interference of electric-dipole and magnetic-dipole interactions in conduction-electron-spin resonance in InSb. // Phys. Rev. B, 1985, v. 32, N 2, p. 890−902.
  45. Бир E. Л., Пикус E. E. Влияние деформации на энергетический спектр и на свойства полупроводников типа InSb. // ФТТ, 1961, т. 13, в. 10, с. 3050−3069.
  46. В. И. Симметрия энергетических зон электрона со спином. // ФТТ, 1960, т.2, в.6, с. 1210−1219.
  47. Э. И. Свойства полупроводников с петлей экстремумов. // ФТТ, 1960, т.2, в.6, с. 1224- 1238.
  48. O’Dell Т. Н. The electrodynamics of Magneto-electric media. // Phil. Mag., 1962, v. 7, N82, p. 1653−1670.
  49. Brown W. F., Shtrikman Jr., S., and Treves D. Possibility of Visual Observation of Antiferromagnetic Domains. // J. AppJ. Phys., 1963, v. 34, i. 4, p. 1233- 1234.
  50. Birss R. R., Srubsall R. G. The propagation of Electromagnetic Waves in Magnetoelectric crystals. // Phil. Mag., 1967, v. 15, N 136, p. 687−700.
  51. В. H. Кристаллооптика с учетом магнитоэлектрического эффекта. // Докл. АН СССР, 1968, т. 181, с. 858−861.
  52. В. Н. Магнитоэлектрический эффект и электромагнитные волны в кристаллах. // ФТТ, 1968, т. 10, N 11, с.3502−3504.
  53. В. Н. // Оптика кубических кристаллов с учетом магнитоэлектрического эффекта. // Кристаллография, 1968, т. 13, N 6, с. 1008−1013.
  54. R. М., Shtrikman S. Theory of Gyrotropic Birefringence. // Phys. Rev., 1968, v. 171, N3, p. 1065−1074.
  55. P. В. Оптическая тротропия и двулучепреломление магниоупорядоченных кристаллов. // ЖЭТФ, 1970, т. 58, в. 4 с. 1421−1427.
  56. Pisarev R, V. Crystal Optics of magnetoelectrics. // Ferroelectrics, 1994, v. 162, p. 191−209.
  57. E. В., Raab R. E. Magnetic effects in antiferromagnetic ciystals in the electric quadmpole-magnetic dipole approximation. // Phil. Mag. B, 1992, v. 66, N 2, p. 269−284.
  58. E. В., Raah R. E. Non-reciprocal optical rotation in cubic antiferromagnets. // Phil. Mag. B, 1991, v. 64, N 3, p. 267−274.
  59. R. V., Krichevtsov В. В., Pavlov V. V. Optical study of the antiferromagnetic-pramagnetic phase transition in chromium oxide Cr203. // Phase Transition, 1991, v. 37, N 1, p. 63−72.
  60. В. В., Pavlov V. V., Pisarev R. V., Gridnev V. N. Magnetoelectric Spectroscopy of Electronic Transisions in Antiferromagnetic Cr203. // Phys. Rev. Lett., 1996, v. 76, N 24, p. 4628−4631.
  61. Muto M., Tanabe Y., Iizuka-Sakano Т., Hanamura E. Magnetoelectric and second harmonic spectra in antiferromagnetic Cr203. // Phys. Rev. B, 1998, v. 57, N 16, p. 9586−9607.
  62. В. Н., Кричевцов Б. Б., Павлов В. В., Писарев Р. В. Нечетное по намагниченности невзаимное отражение света от магнитоэлектрика-ферримагнетика LiFe5Og. // Письма в ЖЭТФ, 1997, т. 65, в. 1, с. 65−70.
  63. Н. Н., Звездин А. К. Пространственная дисперсия и новые магнитооптические эффекты в магнитоупорядоченных кристаллах. // Письма в ЖЭТФ, 1983, т. 386 в. 4, с. 167−169.
  64. N. В., Zel’dovich В. Ya. Theory of a new linear magnetorefractive effect in liquids. // Molecular Physics, 1979, v. 38, N 4, p. 1085−1098.
  65. Ю. И., Шаскольская M. П. Основы кристаллофизики. М.: Наука, 1979. — 640 с.
  66. Е. Б., Запасский В. С. Лазерная магнитная спектроскопия. -М.: Наука, 1986. 279 с.
  67. М. М., Елаголев С. Ф., Еорбунов И. П. Магнитооптические методы и средства определения магнитных характеристик материалов. Л.: Энергия, 1980. — 125 с.
  68. У. Поляризованный свет. М: Мир, 1965. — 263 с.
  69. Wu Y, Sladek R. J. Imperfections in the crystal structure of CdixMnxTe. // J. Appl. Phys., 1982, v. 53, N 12, p. 8589−8592.
  70. Marple D. T. F. Refractive index of ZnSe, ZnTe, and CdTe. // J. Appl. Physics, 1964, v. 35, N 3, p. 539−542.
  71. Furdyna J. K. Diluted magnetic semiconductors. // J. Appl. Phys., 1988, v. 64, N 4, p. R29-R64.
  72. N. В., Moshchalkov V. V. Semimagnetic semiconductors. // Advances in Physics, 1984, v. 33, N 3, p. 193−256.
  73. Goede O., Heimbrodt W. Optical Properties of (Zn, Mn) and (Cd, Mn) Chalcogenide Mixed Crystals and Superlattices. // Phys. stat. sol. (b), 1988, v. 146, N 11, p. 11−56.
  74. Diluted Magnetic Semiconductors, in Semiconductors and Semimetals, ed. by R. K. Willardson and A. C. Beer, v. 25. -New York: Academic Press, 1988. 275 p.
  75. А. И., Никитин П. И. Эффект Фарадея в полумагнитных полупроводниках. // УФН, 1990, т. 160, в. 11, с. 167−196.
  76. Eunsoon Oh, Bartholomew D. U., Ramdas A. K., Furdyna J. K., Debska U. Voigt effect in diluted magnetic semiconductors: Cdi. xMnxTe and ZnixMnxSe. // Phys. Rev. B, 1991, v. 44, N 19, p. 10 551−10 558.
  77. А. В., Рябченко С. M., Терлецкий О. В., Жеру И. И., Иванчук Р. Д. Магнитооптические исследования и двойной оптико-магнитный резонанс экситонной полосы в CdTe:Mn2+. 11 ЖЭТФ, 1977, т. 73, в. 2, с. 608−618.
  78. А. Е., Gunshor R. L., Datta S. New class of materials for optical islators. // Appl. Opt., 1983, v. 22, N 20, p. 3152−3154.
  79. Bartholomew D. U., Furdyna J. K., Ramdas A. K. Interband Faraday rotation in diluted magnetic semiconductors Zni. xMnxTe and Cd.xMnxTe. // Phys. Rev. B, 1986, v. 34, N 10, p. 6943−6950.
  80. Huggonard-Bruyere S., Buss C, Vouilloz F., Frey R., Flvtzanis C. Faraday rotation spectra of semimagnetic semiconductors. // Phys. Rev. B, 1994, v. 50, N 4, p. 2200−2207.
  81. Buss C., Huggonard-Bruyere S., Frey R., Flytzanis C. Theoiy of Faraday Rotation in Semimagnetic Semiconductors. // Solid State Commun., 1994, v. 92, N 11, p. 929−933.
  82. Jimenez-Gonzalez H. J., Aggarwal R. L., Becla P. Near-infrared Faraday rotation of CdixMnxTe. // Phys. Rev. B, 1992, v. 45, N 24, p. 14 011 -14 018.
  83. Leisching P., Pankoke R., Buss C., Frey R., Flytzanis C. Coulomb enhancement of Faraday rotation in semimagnetic semiconductors. // Phys. Rev. B, 1996, v. 54, N 12, p. R8305-R8308.
  84. Boswarva M., Howard R. E., Lidiard A. B. Faraday effect in semiconductors. // Proc. R. Soc. Lon. A, 1962, v. 269, N1136, p. 125−141.
  85. Roth L. M. Theory of the Faraday Effect in Solids. // Phys. Rev., 1964, v. 133A, N 2A, p. 542−553.
  86. Balkanski M., Amzallag E., Langer D. Interband Faraday Rotation of II-VI Compounds. // J. Phys. Chem. Solids, 1966, v. 26, N 2, p. 299−308.
  87. Grancharova E. L., Lascaray J. P., Diouri J., and Allegre J. Comments on the Behaviour of the Absorption Edge of CdixMnxTe for x>0.4. // Phys. Stat. Sol. (b), 1982, v. 113, N2, p. 503 -508.
  88. Sundersheshu B. S. and Kendelewicz T. Temperature Dependence of the Absorption Edge of Cdi. xMnxTe Mixed Crystals. // Phys. Stat. Sol. (a), 1982, v. 69, N 2, p. 467−473.
  89. Knoi N. T. and Gai J. A. Fundamental absorption Edge of CdixMnxTe Mixed Crystals. // Phys. Stat. Sol. (b), 1977, v. 83, N 2, K133-K135.
  90. Diouri J., Lascaray J. P., and El Amrany M. Effect of the magnetic order on the optical-absorption edge in CdixMnxTe. // Phys. Rev. B, 1985, v. 31, N 12, p. 7995−7999.
  91. Morales Toro J. E., Becker W. M., Wang B. I., Debska U., and Richardson J. W.identification of new absorption bands in Zni.xMnxTe. // Solid St. Commim., 1984, v. 52, N 1, p. 41−43.
  92. Becker W. M. Band Structure and Optical Properties of Wide-Gap AjIxMnxBVI Alloys at Zero Magnetic Field. In Semiconductors and Semimetals, v. 25, ed. by J. K. Furdyna and J. Kossut. -New York: Academic Press. 1988, p. 35−72.
  93. Twardovski A., Swiderski P., von Ortenberg M., and Pauthenet R. Magnetoabsorption and Magnetization of Znt. xMnxTe mixed crystals. // Solid St. Commun., 1984, v. 50, N 6, p. 509−513.
  94. Vecchi M. P., Giriat W., and Videla L. Photoluminescence studies of the Mn2+ d-levels in CdjxMnxTe. // Appl. Phys. Lett., 1981, v. 38, N 2, p. 99−101.
  95. Bottka N., Stankieewicz J., and Giriat W. Eectroreflectance studies in Cdi. xMnxTe solid solutions. // J. Appl. Phys., 1981, v. 52, N 6, p. 4189−4193.
  96. Lee Y. R., Ramdas A. K. A piezomodulation study of the absorption edge and Mn2+ internal transition in Cd,.xMnxTe. //Sol. St. Commun., 1984, v. 51, N 11, p. 861−863.
  97. Lee Y. R., Ramdas A. K., and Aggarwal R. L. Energy Gap, excitonic and Internal Mn2+ transition in Mn-based II-VI diluted magnetic semiconductors. // Proc. of the 18th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors. Stockholm, 1986, p. 1759−1762.
  98. Oseroff S. and Keesom P. H. Magnetic Properties: Macroscopic Studies. In Semiconductors and Semimetals, v. 25, ed. by J. K. Furdyna and J. Kossut. New York: Academic Press, 1988. — p. 73−123.
  99. Gaj J. A. Magnetooptical Properties of Large-Gap Diluted Magnetic Semiconductors. In Semiconductors and Semimetals, v. 25, ed. by J. K. Furdyna and J. Kossut. New York: Academic Press, 1988. — p. 275−309.
  100. Gaj J. A., Ginier J., Galazka R. R. Exchange Interaction of Manganese 3d3 states with Band Electrons in Cd^MnJe. // Phys. stat. sol. (b), 1978, v. 89, N 4, p. 655−661.
  101. Luttinger J. M. and Kohn W. Motion of Electrons and Holes in Perturbed Periodic Fields. // Phys. Rev., 1955, v. 97, N4, p. 869−883.
  102. Gaj J. A., Galazka R. R., Nawrocki N. Giant exciton Faraday rotation in CdixMnxTe mixed ciystals. // Solid St. Commun., 1978, v. 25, N 3, p. 193−195.
  103. Mavroides J. G. Magneto-Optical Properties. In Optical Properties of Solids, ed. by F. Abeles. Amsterdam: North Holland, 1972. — p. 351−528.
  104. Battachaijee K. Magneto-optics near I point of the Brillouin Zone in semimagnetic semiconductors. // Phys. Rev. B, 1990, v. 41, N 9, p. 5696−5700-
  105. Coquillat D., Lascaray J. P., Gaj J. A., Deportes J., Furdyna J. K. Zeeman splittings of optical transitions at L point of the Brillouin Zone in semimagnetic semiconductors. // Phys. Rev. B, 1989, v. 39, N 14, p. 10 088−10 093.
  106. Ginter J, Gaj J. A, Dang Le Si. Exchange Splittings of Reflectivity maxima Ei and Ei+Ai in Cdi.xMnxTe. // Solid St. Commun, 1983, v. 48, N 10, p. 849−852.
  107. Coquillat D., Lascaray J. P., Desjardins-Deruelle M. C, Gaj J. A., and Triboulet R. Magnetoreflectivity of Cdi. xMnxTe at L point of the Brillouin Zone. П Solid St. Commun., 1986, v. 59, N 1, p. 25−28.
  108. Dudziak E., Brzezinski J., Jedral L. In Proc. of the XI Int. Conf. on the Physics of Semiconductor Compaunds, Jaszowiec, Poland, 1981, p. 166.
  109. Elliott R. J. Intensity of Optical Absorption by Excitons. // Phys. Rev., 1957, v. 108, N 6, pp. 1384−1389.
  110. P. Теория экситонов. M.: Мир, 1976. -219 с.
  111. , Ю. И. Уханов. Магнетооптические эффекты Фарадея и Фойгта в применении к полупроводникам. Киев: Наук, думка, 1979.-180 с.
  112. Ogg N. R. Conduction-band g factor anisotropy in indium antimonide. // Proc. Phys. Soc. B, 1966, v. 89, N 2, p. 431−441.
  113. А. Г., Иоселевич А. С. Роль экситонов в дисперсионных эффектах в полупроводниках. // ФТТ, 1978, т. 20, в. 9, с. 2615−2621.
  114. S., Furdyna J. К., and Rodriguez S. Inversion asymmetry and magneto-optical selection rules in n-type zinc-blende semiconductors. // Phys. Rev. B, 1985, v. 32, N2, p. 903−913.
  115. Cardona M., Christensen N. E., Fasol G. Relativistic band structure and spin-orbit splitting of zinc-blende-type semiconductors. // Phys. Rev. B, 1988, v. 38, N 3, p. 1806−1827.
  116. Cho K. Unified theory of symmetry-breaking effects on excitons in cubic and wurtzite structures. // Phys. Rev. B, 1976, v. 14, N 10, p. 4463−4482.
  117. Suga S., Cho K., Bettini M. K-linear term and polariton effects on the Z12 excitons in CuBr. // Phys. Rev. B, 1976, v. 13, N 2, p. 943−945.
  118. Mahan G. D., Hopfield J. J. Optical effects of energy ternis linear in wave vector. // Phys. Rev. A, 1964, v. 135, N 2A, p. 428−433.
  119. Dreybrodt W., Cho K., Suga S., Willman W., Niji Y. Magneto-optics of Is excitons in CdTe: Multicomponent polaritons with generalized spatial-dispersion effects. // Phys. Rev. B, 1980, v. 21, N 10, p. 4692−4696.
  120. Cho K. Reflectance spectrum of multicomponent polaritons. // Sol. St. Commun., 1978, v. 27, N 3, pp. 305−307.
  121. Dimmock J. O. Optical absorption and band edge parameters of group II-VI semiconductors. // In Proc. of Int. Conf. on the II-VI Semiconducting Compounds. New York, 1967. p. 277−314.
  122. Konak C, Dillinger J., Prosser V. The structure of the optical absorption edge in CdSe and CdTe. // In Proc, of Int. Conf. on the II-VI Semiconducting Compounds. New York, 1967. p. 850−862.
  123. Marple D. T. F., M. Aven. Excitons and the absorption edge in ZnTe. // In Proc. of Int. Conf. on the И-VI Semiconducting Compounds. New York, 1967. — p. 315−326.
  124. А. В., Курик M. В., Товстюк К. Д. Оптические свойства теллуристого цинка. // Оптика и спектроскопия, 1965, т. 19, в. 1, с. 115−120.
  125. D. Т. F. Optical Absorption Edge in CdTe: Experimental. // Phys. Rev., 1966, v. 150, N 2, p. 728−734.
  126. Segall В. Optical Absorption Edge in CdTe: Theoretical. // Phys. Rev., 1966, v. 150, N 2, p. 734−747.
  127. Dow D. J., Redfield D. Toward a Unified Theory of Urbach’s Rule and Exponential Absorption Edges. // Phys. Rev. B, 1972, v. 5, N 2, p. 594−610.
  128. Balkemore J. S. Semiconducting and other major properties of gallium arsenide. // J. Appl. Phys., 1982, v. 53, N 10, R123-R151.
  129. Sturge M. D. Optical absorption of gallium Arsenide between 0.6 and 2.75 эВ. // Phys. Rev., 1962, v. 127, N 3, p. 768−773.
  130. Casey H. C., Sell D. D., Wecht K. W. Concentration dependence of the absorption coefficient for n- and p- type GaAs between 1.3 and 1.6 eV. // J. Appl. Phys., 1975, v. 46, N 1, p. 250−257.
  131. Ebina A., Koda Т., Shionoja S. Interband Faraday effect of II-VI compound crystals. J. Phys. Chem. Sol., 1965, v. 26, N 9, p. 1497−1506
  132. В. В., Милославский В. К., Мусскл В. В. Междузонный эффект Фарадея в CdTe. // ФТП, 1973, т. 7, в. 5, с. 941−945.
  133. В. В., Милославский В. К. Оптическое поглощение и эффект Фарадея в районе края собственной полосы CdTe. // ФТП, 1971, т. 5, в. 6, с. 1048−1054.
  134. П. С., Волкова Л. В., Волков В. В. Междузонный эффект Фарадея в некоторых соединениях А2В6. // ФТП, 1971, т. 5, N 12, с. 2080−2095.
  135. Thielemann W., Rheilander В. Effect of doping on the interband Faraday effect in GaAs. И Phys. stat. sol., 1966, v. 14, N 2, p. K205~k207.
  136. Thielemann W. Effect of Doping on the Shift of the Optical Absorption Edge for Circularly Polarized Waves in a Magnetic Field and on the Interband Faraday Rotation in n-Type GaAs. // Phys. stat. sol., 1969, v. 34, N 2, p. 519−529.
  137. Bouwknegt A., Volger J. Microwave Faraday effect in n-type germanium. // Physica, 1966, v. 32, N 1, p. 1−15.
  138. Zvara M. Faraday Rotation and Faraday Ellipticity in the Exciton Absorption Region of GaAs. // Phys. stat. sol., 1969, v. 36, N 2, p. 785−792.
  139. Nelmes R. J. Structural studies of boracites. A review of the properties of boracites. J. Phys. C., 1974, v. 7, N 9, p. 3840−3854.
  140. Nelmes R. J., Thomley F. R. Structural studies of boracites. The cubic phase of chromium chlorine boracite Cr3B70BCl. // J. Phys. C, 1974, v. 7, N 9, p. 3855−3874.
  141. Шмидт. Двойникование и секториальный рост в кристаллах борацитов никеля, выращенных транспортными реакциями. // Сборник «Рост кристаллов», 1967, т. 7, с. 32−65.
  142. Shigeho S., Clark J. R., Papike J. J., Konnert J. A. Ciystal-Structure Refinrment of Cubic Boracite, // American Mineralogist, 1973, v. 58, N 3, p. 691−697.
  143. Quezel G., Schmid H. Properties magnetiques des boracites des metaux de transition (3d). // Solid State Commun., 1968, v. 6, N 7, pp. 447−451.
  144. Smutny F. and C. Konak. Dielectric, Optical, and Electrooptical Properties of Cobalt-Iodine Boracite (C03B7O13I). // Phys. stat. sol. (a), 1975, v. 31, N 1, p. 151−158.
  145. Pastrnak J., Gross L. E. The Optical Anisotropy of the Cubic Co-I Boracite. /'/' Phys. stat. sol. (b), 1971, v. 43, N 2, p. K111-K114.
  146. Clin M., Rivera J.-P., Schmid. Low temperature magnetoelectiic effects on C03B7O13I. // FeiToelectrics, 1990, v. 108, N, p. 213−218.
  147. Smutny F., Fousek J. Ferroelectric Transition in Co-I-boracite. // Phys. stat. sol., 1970, v. 40, N 1, pp. K13-K15.
  148. Pisarev R. V., Druzhinin V. V., Prochorova S. D., Nesterova N. N., Andreeva G. T. Crystal Field Theory and Optical Absorption of Cobalt and Nickel Boracites. Phys. stat. sol., 1969, v. 35, N 1, p. 145−155.
  149. С. H., Бочков В. F., Еаврилова М. Д., Попова Т. В, Копцик В. А., Новик В. К. Сегнетозлектрические свойства Cu-Br, Co-I борацитов. // Кристаллография, 1975, т. 20, в. 4, с. 854−855.
  150. Л. Н., Зорин Р. В., Альшин Б. И., Бугаков В. И. Магнитные и магнитоэлектрические свойства C03B7O13I. ФТТ, 1981, т. 23, в. 3, с. 908−910.
  151. Barron L, D. Molecular Light Scattering and’Optical Activity. London: Cambridge University Press, 1982. — 408 c.
  152. В. В., Pisarev R. V., Rzhevsky A. A., Gridnev V. N., Weber H.-J. Magnetospatial dispersion effect in magnetic semiconductors CdixMnxTe. // Phys. Rev. B, 1998, v. 57, N 3, p. 14 611−14 614.
  153. В. H., Кричевцов Б. Б., Павлов В. В., Писарев Р. В., Ржевский А. А. Эффекты пространственной дисперсии в магнитооптике. // ФТТ, 1998, т. 40, N 5, с. 946−948.
  154. . Б., Писарев Р. В., Ржевский А. А., Гриднев В. Н., Вебер Х.-Ю. Дисперсия эффекта Фойгта в магнитных полупроводниках Cd|.xMnxTe. // Письма в ЖЭТФ, т. 67, в. 8, с. 569−573.
  155. . Б., Писарев Р. В., Ржевский А. А., Вебер Х.-Ю. Проявление магнитоиндуцированной пространственной дисперсии в кубических полупроводниках ZnTe, CdTe, GaAs. // Письма в ЖЭТФ, 1999, т. 69, в. 7, с. 514−519.
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!