Бакалавр
Дипломные и курсовые на заказ

Исследование электронных локальных центров в цинкосульфидных кристаллофосфорах электрофотографическим методом

Диссертация: Исследование электронных локальных центров в цинкосульфидных кристаллофосфорах электрофотографическим методом
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Недавно найден способ перевода несенсибилизируемых iqpa-сителями сульфидов h nCd в эффективно сенсибилизируемые путем легирования их иновалентной примесью и создания тем самым в запрещенной зоне этих фотопроводников системы дополнительных локальных центров. В работахпоказано, что легированный ионами хлора IflS удается затем сенсибилизировать различными гасителями к видимому и близкому ИК… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Оптические свойства сульфида цинка
    • 1. 2. Люминесцентные свойства сульфида цинка
    • 1. 3. Фотоэлектрические свойства сульфида цинка
    • 1. 4. Электрофотографические свойства сульфида цинка
  • ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 2. 1. Приготовление образцов
    • 2. 2. Установка для изучения электрофотографических свойств слоев и кристаллов ы и InS’CdS
    • 2. 3. Установка для изучения спектров свечения и оптического тушения люминесценции кристалло-фосфоров и кристаллов InS
    • 2. 4. Установки для изучения фотопроводимости и конденсаторной фото-ЭДС порошкообразных кристал-лофосфоров InS
      • 2. 4. 1. Установка для изучения фотопроводимости порошкообразных фотопроводников InS
      • 2. 4. 2. Установка для изучения конденсаторной фото- эдс InS -фосфоров
    • 2. 5. Установка для изучения заполненных локальных энергетических уровней в высокоомных фотопроводниках
    • 2. 6. Установка для изучения уровней прилипания в ы методом термостимулированных токов (ТСТ). 76 2.6.1. Ячейка для измерения ТСТ в поликристаллических образцах
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКГРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА В СЛОЯХ НА ОСНОВЕ ZnS -ФОСФОРОВ И КРИСТАЛЛАХ СУЛЬФВДА ЦИНКА
    • 3. 1. Электрофотографические характеристики слоев на основе цинксульфидных кристаллофосфоров
    • 3. 2. Темновая релаксация начального потенциала сульфидных ЭФ слоев и кристаллов InS
    • 3. 3. Кинетики фоторазряжения ЭФ слоев и кристаллов ZnS
    • 3. 4. Влияние предварительного облучения ЭФ слоев и кристаллов ZnS видимым и ИК светом на начальный потенциал и его релаксацию
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3
  • ГЛАВА 4. СПЕКТРАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИХ СЛОЕВ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОФОСФОРОВ ZnS. ИЗ
    • 4. 1. Спектры люминесценции ы -фосфоров
    • 4. 2. Спектры фотопроводимости, конденсаторной фото-ЭДС и электрофотографической чувствительности слоев ZnS
    • 4. 3. Спектры ИК гашения люминесценции и фотопроводимости ЭФ слоев на основе ZnS
    • 4. 4. Спектры локальных электронных состояний в запрещенной зоне сульфида цинка
    • 4. 5. Полные спектры локальных электронных состояний в запрещенной зоне несенсибилизируемого и сенсибилизируемого красителями IflS
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
  • ГЛАВА 5. ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОшОТОГРАФИЧЕСКОй
  • ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ СЛОЕВ InS В БЛИЖНЕЙ ИК ОБЛАСТИ СПЕКТРА
    • 5. 1. Сенсибилизация электрофотографической чувствительности слоев InS с помощью Ж излучения
    • 5. 2. Изопотенциальные кривые электрофотографического процесса на InS. Отклонение от закона взаимо-заместимости
    • 5. 3. Регистрация ИК излучения с помощью электрофотографических слоев ZnS
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 5

Исследование электронных локальных центров в цинкосульфидных кристаллофосфорах электрофотографическим методом (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Большой интерес к исследованию фотофизических свойств сульфида цинка — наиболеекого представителя группы широкозонных со-ТТ VT единений AiAB , — обусловлен его практическим применением в качестве люминофора с выходом свечения, близким к единице[l-З] .

В последние годы, помимо традиционных областей применения в телевидении, радиолокации, оптоэлектронике и т. д., сфера использования ItlS и твердых растворов на его основе расширилась за счет создания лазерных источников с излучением в области 320 — 330 нм и применения группы цинксульфвдных фосфоров для непосредственной регистрации и визуализации излучений ИК-СВЧ диапазона.

Помимо люминесценции, не менее важным для практики свойством соединений является их фотопроводимость, изучение которой осуществляется в последние годы особенно интенсивно[4] .

Высокая фотоэлектрическая чувствительность ы и его аналогов, обладающих широкой запрещенной зоной, объясняет тот факт, что на протяжении более тридцати лет, т. е. всего периода интенсивного развития электрофотографии, вплоть до настоящего времени ведутся исследования с целью разработки новых электрофотографических (ЭФ) материалов на основе этих фотопроводников[5−7]. Так, ЭФ процесс, разработанный фирмой Кэнон на светочувствительном слое в виде сублимата CdS, успешно конкурирует с получившим наибольшее распространение ЭФ процессом на основе слоев аморфного селена.

ЭФ слои на основе микрокристаллических порошков.

Ы-CdS в полимерном связующем, по мнению ряда исследователей, представляются, наряду с цинкоксидными слоями перспективными для создания ЭФ бумаг.

Особый интерес представляют наблюдения по разрушению длинноволновым светом фотоэлектретного состояния в слоях на основе IflS" фосфоров, указывающие на возможность разработки ЭФ материала, чувствительного в ИК области спектра [в].

Природа ЭФ чувствительности халькогенидов Z/7 и Cd к настоящему времени црактически не изучена. Данные работ[9,Ю] свидетельствуют о ее связи с примесными локальными уровнями в зацрещенной зоне фотопроводника, созданными в результате легирования. Однако детально такая связь ЭФ чувствительности сульфидных фосфоров с параметрами и энергетическим распределением локальных уровней в запрещенной зоне до сих пор никем не исследовалась.

Известно, что сульфидные соединения группы имеют сложную систему локальных электронных центров, расположенных по всей ширине зацрещенной зоны. В простейшей рекомбинационной схеме таких соединений весь спектр локальных состояний обычно представляют тремя резко различающимися типами центров: акцепторными Yцентрами, захват электрона на которые происходит с излучением кванта люминесценции, Sцетрами быстрой, как правило безызлучательной рекомбинации, уровни которых локализованы в средней части запрещенной зоны, и t — центрами прилипания носителей заряда [4].

В последние годы с помощью ряда методов, среди которых наиболее информативными оказались кинетические методы параллельного исследования фотопроводимости и люминесценции на одних и тех же образцах, удалось выяснить важные детали рекомбинационной схемы и определить основные параметры локальных электронных центров в объеме фоточувствительных 1фисталлов ItlS, CdS, itlSt и других халькогенидов[4]. В то же время изучение электрофизических свойств типичных мелкодисперсных кристаллофосфоров на основе соединений группы всегда представляло собой трудную задачу, связанную главным образом с их порошкообразным состоянием, неоднродностьго гранулометрического состава, поверхностными и барьерными эффектами, высоким электрическим соцротивлением, а в случае фосфоров М-также сравнительно невысокой фоточувствительностью. По-видимому, этими причинами можно объяснить тот факт, что в настоящее время практически отсутствуют данные о параметрах электронных состояний, локализованных на свободной поверхности таких фосфоров, и их роли в рекомбинационных цроцессах на поверхности и в цриповерхностной области, в том числе в процессах деградации энергии возбуждения, которой нельзя пренебречь при изучении фотопроводников с сильно развитой поверхностью.

Электрофотографический режим открывает новые возможности исследования электрофизических свойств таких фотопроводников, ранее недоступные другим методам.

Ярким примером успешного применения ЭФ режима для изучения свойств широкозонных фотопроводников являются результаты работ Гренишина и Черкасова [б, 11−14]. С помощью ЭФ режима авторам впервые удалось определить значения абсолютного квантового выхода внутреннего фотоэффекта для большого числа неорганических и органических веществ в интервале энергий от 2 до 20 эВ.

Демидовым и Акимовым [15,1б] были найдены новые возможности использования ЭФ режима для изучения локальных центров в фотопроводниках. Авторы с помощью ЭФ режима впервые получили энергетические спектры локальных электронных состояний по всей ширине запрещенной зоны таких практически важных фотопроводников как 1п0 и АдВг, притом в микрокристалл ах реальных фотослоев.

В связи с изложенным выше применение ЭФ режима для изучения фотофизических свойств кристаллофосфоров группы А11″" цредстав-лялось нам актуальной и реально выполнимой задачей.

Основной целью данной работы являлось использование ЭФ режима в сочетании с известными фотоэлектрическими и люминесцентными методами исследования для изучения локальных электронных состояний в запрещенной зоне фотопроводников типа Ы и оценка на основании полученных данных возможности создания на основе этих соединений электрофотографических слоев с новыми свойствами.

В диссертационной работе подробно изучены ЭФ свойства, энергетический спектр реальной поверхности, природа и параметры локальных поверхностных состояний ряда бинарных и смешанных сульфидов и Cd и сделана попытка установления роли таких состояний в процессах формирования ЭФ чувствительности сульфидных слоев в УФ, видимой и ближней ИК областях спектра.

Объектами исследования служили мелкодисперсные порошки и поликристаллические слои на основе фосфоров InS, InS-Ct, Ы-СиД, ЫЫ-СиД в связующем и кристаллы InS-Си,.

Исследование ЭФ свойств образцов проведено с помощью стандартной методики [б-7]. Для обнаружения и изучения локальных состояний использовался метод фоторазряжения электростатического заряда, осажденного на поверхность фотопроводника, длинноволновым излучением [15,1б], а также известные в литературе методы измерения стационарной фотопроводимости и люминесценции, оптического гашения фотопроводимости и люминесценции, конденсаторной фото-ЭДС, электрофотографической чувствительности, термостимулированных токов (ТСТ).

Электрофотографическая чувствительность InS установлена и изучена в спектральном диапазоне от 380 до 1800 нм.

В результате изучения ЭФ свойств сульфидных слоев и кристаллов обнаружено влияние на их чувствительность предварительного облучения светом различного спектрального состава. Показано, что светочувствительность слоев ItlS, возбужденных светом из спектральной области собственного и примесного поглощения фотопроводника (Я < 500 нм), сравнительно невысока. Последующее облучение возбужденных слоев InS светом с X > 700 нм приводит к значительному повышению их светочувствительности в видимой и появлению заметной светочувствительности в ближней ИК области спектра.

Впервые получены данные о спектральном распределении и плотности локальных электронных состояний на реальной поверхности фосфоров InS, InS-СиД, МШ-СиД и кристалла в интервале энергий (Eq — 0,8 эВ) i-Ey" Интегральная плотность состояний на.

10 2 поверхности фосфоров составляет (2 * 6)*I0 u см, для кристалла.

9 -2 она меньше и равна 5*10 см .

Установлено, что плотность и энергетическое распределение локальных состояний также зависят от предварительной засветки образцов. На основании дополнительных фотоэлектрических измерений и сопоставления полученных результатов с литературными данными сделан вывод о том, что природа изученных локальных состояний на поверхности фосфоров связана с конкретными собственными и примесными дефектами решетки.

Недавно [17,18] найден способ перевода несенсибилизируемых iqpa-сителями сульфидов h nCd в эффективно сенсибилизируемые путем легирования их иновалентной примесью и создания тем самым в запрещенной зоне этих фотопроводников системы дополнительных локальных центров. В работах[17,18]показано, что легированный ионами хлора IflS удается затем сенсибилизировать различными гасителями к видимому и близкому ИК излучениям с эффективностью порядка 0,7−0,8. С целью выяснения условий, необходимых для спектральной сенсибилизации полупроводника, нами на слоях IflS и Ь&С1 с помощью измерения спектров фотоцроводимости, ТСТ и фоторазряжения электростатического заряда были изучены и сопоставлены энергетические спектры состояний по всей ширине запрещенной зоны. Установлено, что легирование ионами хлора приводит к существенному изменению структуры энергетического спектра, плотности уровней прилипания и заполненных локальных центров. Этими измерениями точно показано, какие локальные центры должны быть созданы в запрещенной зоне полуцроводника цред-варительной химической сенсибилизацией для возможности последующей его эффективной спектральной сенсибилизации путем адсорбции на его поверхность молекул органических красителей.

В результате изучения кинетик спада потенциала слоев и кристаллов Ы установлено, что ИК засветка образцов существенно влияет на скорость их фоторазряжения светом из области максимальной фоточувствительности полупроводника. Варьирование интенсивностью ИК и разряжающего излучений и временем их воздействия позволяет в широких пределах изменять уровень длинноволновой ЭФ чувствительности сульфидных слоев и кристаллов. На слоях Ы, сенсибилиз1ф0-ванных к ИК свету указанным выше способом, осуществлен ЭФ процесс в ближней ИК области спектра, получены негативное и позитивное ЭФ изображения, изучены изопотенциальные кривые. Природа длинноволновой ЭФ чувствительности слоев IflS связывается с наличием обнаруженных и детально изученных заполненных электронных локальных центров.

На защиту выносятся следующие основные результаты, полученные в данной работе:

— установление спектральной области фотоэлектрической чувствительности 1фисталлофосфоров типа Ы ;

— механизм формирования ЭФ чувствительности кристаллофосфоров типа InS, связанный с системой электронных локальных центров в их запрещенной зоне;

— энергетический спектр, природа и предполагаемая структура электронных центров, локализованных по всей ширине запрещенной зоны кристаллофосфоров типа Ы :

— установление системы локальных электронных центров в фотопроводнике Ы, ответственных за его эффективную спектральную сенсибилизацию молекулами органических красителей;

— эффект сенсибилизации ИК светом электрофотографической чувствительности поликристаллических слоев на основе ItlS .

Совокупность проведенных в данной работе исследований позволяет оценить возможности разработки новых ЭФ слоев на основе цинк-сульфидных кристаллофосфоров как вполне перспективные, особенно для ближней ИК области спектра.

Наряду с этим, впервые полученные данные о структуре поверхностных электронных состояний в кристаллах IflS и группе серийных цинксульфидных кристаллофосфоров должны представлять научную и практическую ценность. Для исследователей и разработчиков новых типов фосфоров должны представлять интерес продемонстрированные в работе возможности получения информации об электронных свойствах кристаллофосфоров, недоступной другим методам.

В соответствии с изложенным выше материал диссертации разделен на пять глав.

В главе I, состоящей из четырех разделов, приведен обзор литературных данных по оптическим, люминесцентным, фотоэлектрическим и электрофотографическим свойствам сульфида цинка. В конце главы приводится постановка задачи исследования.

В главе 2 описаны методика приготовления образцов, методики исследования и установки, обеспечившие выполнение программы исследований.

Глава 3 посвящена изучению электрофотографического процесса на цинксульфидных слоях и кристаллах.

Глава 4 посвящена комплексным спектральным исследованиям слоев и кристаллов iflS, цель которых состояла в оцределении параметров выяснении природы и роли локальных центров сульфидов в процессах формирования их электрофотографической чувствительности.

В главе 5 изложены результаты исследования ЭФ чувствительности слоев InS в ближней ИК области спектра.

В конце работы приведены общие выводы и список литературы.

— 180 -ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Разработана методика и создана аппаратура для изготовления эмульсионных ЭФ слоев из микрокристаллов цинксульфидных кристаллофосфоров в полимерном связующем.

2. Созданы установки для комплексного исследования неравновесных процессов (люминесценция, фотопроводимость, ЭФ чувствительность) в ЭФ слоях из цинксульфидных кристаллофосфоров.

3. Изучены ЭФ характеристики слоев на основе 17 составов промышленных кристаллофосфоров. Получена светочувствительность цинксульфидного ЭФ слоя порядка 10^ см^/Вт-с.

4. С использованием ЭФ режима впервые в широкой области спектра — от 300 до 1800 нм — исследована фотоэлектрическая чувствительность цинксульфидных кристаллофосфоров.

5. Проведены комплексные спектральные исследования процессов фотолюминесценции, фотопроводимости и ЭФ чувствительности на одних и тех же образцах основных составов кристаллофосфоров сульфида цинка, позволившие связать формирование спектра светочувствительности во всей изученной области длин волн с конкретными собственными и примесными дефектами в объеме и на поверхности кристаллов.

6. Впервые изучены поверхностные локальные состояния по всей ширине запрещенной зоны для основных составов цинксульфидных кристаллофосфоров.

С помощью ЭФ метода измерены спектры заполненных поверхностных электронных состояний в интервале энергий 0,8 т 3,5 эВ ниже дна С-зоны. Для каждого изученного светосостава эти спектры состоят из нескольких четко выделенных полос, для которых определено энергетическое положение и плотность состояний, а также интегральная плотность заполненных состояний, имеющая величину.

10 —2 порядка 10 см. Найденные уровни идентифицированы с определенными дефектами в кристаллах. Установлено существенное изменение спектров заполненных состояний и величины их интегральной плотности в результате предварительного фотовозбуждения кристал-лофосфора.

Уровни прилипания, изученные методом термостимулированной проводимости, расположены при комнатной температуре на глубине до 0,8 эВ под С-зоной. В случае самоактиврфованного ItlS их спектр состоит из ряда дискретных полос с интегральной плотностью 4−10*^ см" 2, а в M’Ct они образуют квазинепрерывный ряд в интервале 0,18 f 0,55 эВ с интегральной плотностью 4,4-Ю14см" 2.

7. Впервые измерены и сопоставлены полные спектры локальных электронных центров по всей ширине запрещенной зоны для несенси-билизируемого красителями самоактивированного InS и переведенного в эффективно сенсибилизируемый красителями сульфида цинка легированием ионами хлора. На основании этого доказано, что для возможности спектральной сенсибилизации красителями фотопроводника в последнем должны существовать или целенаправленно быть созданы локальные центры определенного типа — глубокие и мелкие до норные уровни с концентрациями порядка 10 ^см" 3.

8. Установлен и изучен эффект сенсибилизации ИК излучением ЭФ чувствительности цинксульфидных слоев. Показано, что в основе этого эффекта лежит процесс перезаряжения локальных электронных центров в кристаллофосфоре.

На основё этого эффекта построено два варианта ЭФ процесса, позволяющие получить позитивное или негативное ЭФ изображение под действием ИК излучения. Светочувствительность слоев в ИК области составляла Ю3 см2/Вт•с.

Показать весь текст

Список литературы

  1. шок М. В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М., «Наука», 1964, 284 с.
  2. Антонов-Романовский В. В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. М., «Наука», 1966, 323 с.
  3. ГУрвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М., «Высшая школа», 1971, 336 с.
  4. В.Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев,"Наукова думка", 1981, 264 с.
  5. С.Г. Электрофотографический процесс. М., «Наука», 1970, 375 с.
  6. В.И., Маркевич Н. Н. Монтримас Э.А. Физические процессы в электрофотографических слоях ы. Вильнюс, 1968,367 с.
  7. Р. Электрофотография. М., «Мир», 1968, 447 с.
  8. H.P.Kallmann, J. Rennert, M.Sidran. Infrared photography using, persistent internal polarization in phosphors plates. Infrared Phys., 1961, v. I, Ho. I, p.58 66.
  9. E.Wainer. Phosphor-type photoconductive coatings for continuous tone electrostatic electrophotography. Photogr.Eng., 1952, v.3, Ho. I, p.12 22.
  10. Ю. P.K.C.Pillai, S.K.Agarwal, P.K.Uair. ZnCdS Ag binder layers as applied to charge transfer electrophotography. Photo-gr. Sci. and Eng., 1976, v.20, No.6, p.256 — 260.
  11. С.Г., Черкасов Ю. А. Исследование абсолютного квантового выхода внутреннего фотоэффекта в высокоомных полупроводниках.Физ.тверд.тела, 1964, т.6, № 9, с. 2831 2836.
  12. Ю.А., Крейтор Л. Г. Экситонное поглощение света и квантовый выход фотопроводимости в аморфных аналогах кристаллических структур селена. Физ. тверд, тела, 1974, т.16, Ш, с. 2407 -2410.
  13. С.Г., Черкасов Ю. А. и др. Структура и электрофотографическая чувствительность полисопряженных систем.- В сб.: I Всесоюзн. конф. по бессеребряным и необычным фотографическим процессам. Киев, 1972, с. 41.
  14. К.Б., Акимов И. А. Энергетический спектр заполненных локальных состояний в микрокристаллах окиси цинка электрофотографического слоя. -Журн. научн. и прикл. фотогр. и кине-матогр., 1977, т. 22, № I, с. 66 67.
  15. Akimov I.A., Demidov К.В. Overall spectrum, of local electronic levels in ZnO and AgHal sensitized layers. In: Int. Congr. of Photogr. Sci., 1978, p. 59 — 60.
  16. И.А. Создание условий для спектральной сенсибилизации фотопроцессов в твердых телах красителями. Докл. АН СССР, 1980, т. 251, М, с. 135 138.
  17. И.А. Функции локальных центров фотопроводника в акте спектральной сенсибилизации.-Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1980, т. 25, Ш, с. 228 230.- ТТ YT
  18. Физика и химия соединений, А В. Под ред. С. А. Медведева. М., ИЛ, 1970, 624 с. 20 .Saksena B.D. The piezoelectric constant of zinc sulfide. Phys. Rev., 1951″ v. 81, No. 6, p. 1012 IOI5.
  19. Browne P.P. Luminescence of the sulphide phosphors. J. Electronics, 1956, v. 2, p. 154 165.
  20. Д. Люминесценция кристаллов. М., ИЛ, 1961, 199 с. 25. шок М. В. Ширина запрещенной зоны и эффективный заряд иона в кристаллической решетке Z (lS. Физ.тверд.тела, 1963, т.5, № 6, с. 1489−1493.
  21. Т. Оптические свойства полупроводников. М., ИЛ, 1961,304 с.
  22. . Оптические процессы в полупроводниках. М., «Мир», 1973, 456 с.
  23. G.Klinghirn, H.Hang. Optical properties of highly excited direct gap semiconductors. Phys.Repts., 1981, v. TO, Ho.5, p.315 398.
  24. К.В. Фотолюминесценция сублимат-фосфоров сульфида и селенида цинка. Докл. АН СССР, 1951, т.80, 4, с.587−590.
  25. J.P.Hall. Optical properties of zinc sulphide and cadmium sulphide in the ultraviolet. J.Opt.Soc.Amer., 1956, v.46, No.12, p. IOI3-IOI5.
  26. C.K.Coogan. The measuremet of the optical properties of zinc sulphide. Proc.Phys.Soc., 1957, v.70B, Ко.9, p.845−861.
  27. H.A. Исследование спектра собственного поглощения сернистого цинка. Опт. и спектр., 1959, т.7, № 4,c.5II-5I7.
  28. Е.Ф., Суслина Л. Г. Монокристаллы ы и спектры их края поглощения при низких температурах. Опт. и спектр.1959,т. 6, № I, с. 115 117.
  29. Е.Ф., Суслина Л. Г., Комаровских К. Ф. Исследованиеспектров поглощения кристаллов сернистого цинка. Опт. и спектр., I960, т.8, '№ 4, с. 516−520.
  30. Е.Ф., Оуслина Л. Г. Исследование поглощения и люминесценции монокристаллов ItlS и ZflSe . Изв. АН СССР.Сер. физ., 1961, т.25, № 4, с. 532−533.
  31. Э.Я. Свечение самоактив! фованного цинксульфид-ного сублиматфосфора. Опт. и спектр., 1962, т.13,№ 3,с. 416−420.
  32. К.В., Морозова Н. К. К вопросу о природе поглощения сульфида цинка. Изв.вузов. Физика, 1964,№ 2,с. 98−104.
  33. В.В. Спектры отражения и поглощения кристаллов группы А1:ВУ1. Опт. и спектр., 1965, т. 18,№ 5,с.813−819.
  34. M.Cardona, G.Harbeke. Optical properties and band structure of wurtzite-type crystals and rutile. Phys.Rev., 1965, v. I3T, Ho.5A, p. I467-I4T6.
  35. B.K., Набойкина E.H., Киян Т. С. Влияние структурных нарушений на оптические свойства тонких слоев ItlS в районе края собственного поглощения.Физ. и техн.полупр., 1967, т.1, № 5, с. 629−637.
  36. К.Ю., Ребане К.С.-К. О пр1фоде краевого поглощения InS и Sn02 .Журн. прикл. спектр., 1971, т.15, № 5, с.837−842.
  37. P.Eckelt, O.Madelung., J.Ireusch. Band structure of cubic ZnS (Korringa-Kohn-Rostoker method). Phys.Rev.Letters, 1967, v.18, Ho.16, p.656−658.
  38. E.M., Пекерман Ф. М. Новый метод исследования спектров поглощения кристаллофосфоров. Изв. АН СССР.Сер. физ., 1949, т.13, № 2, с. 218−223.
  39. Антонов-Романовский В. В. Определение коэффициента поглощения порошковых фосфоров. ЖЭТФ, 1954, т. 26,№ 4, с. 459−472.45eP.P.Brovme. Infrared luminescence of zinc and cadmiumsulphide phosphors. J. Electronics, 1956, v.2, Ко. I, pp. I I6, 95 — 97.
  40. Apple E.F., Prener J.S. On the infrared emission in ZnS-Cu-effeet of sulfur pressure and aluminium. J.Phys. Chem. Solids, I960, v. 13, Ho.1−2, p.81−87.
  41. Potter R.M., Aven M., Kastner J. Optical measurements on ZnS-Cu, produced by neutron irradiation of ZnS. J. Elecro-chem. Sac., 1962, v.109, Ко.12, p.1154−1162.
  42. Broser J., Franke K.-H. Erzeugung ultraroter kupfer1. Cezentren in ZnS durch kernzerfall von Zn. J.Phys. and Chem. Sol., 1965, v.26, Ко.6, p.1013−1020.
  43. Broser J., Maier H.-J., Schulz H. Fine structure ofp. the infrared absorption and emission spectra of Cu in ZnS and CdS crystals. Phys. Rev., 1965, v.140, Ко. бА, p. A2I35 -A2I38.
  44. Birman I.L. Electronic structure of the centres in ZnS. Phys.Rev., v.121, 1961, Ко. I, p.144 145.
  45. McClure D.S. Optical spectra of exchange-coupled Mn44″ ion pairs- in ZnS: MnS. J. Chem. Phys:., 1963, v.39, Ко. II, p.2850−2855.
  46. А.И., Хилько Г. И., Максаков Б. И., Дубенский К. К. Спектр поглощения иона Мп^~ в монокристаллах IflS . Опт. и спектр., 1964, т.16, № 2, с. 274−278.
  47. Freeouf J.L. Far-ultraviolet reflectance of II-YI compounds and correlation with the Penn-Phillips gap. Phys.Rev.В: Solid State, 1973, v.7, Ho.8, p.3810 3830.
  48. В.В., Донецких В. И., Загайнов Е. Ф. Прямая и1. У1прецизионная регистрация экситонов кристаллов групп, А В и АШВУ при температурах комнатной и жидкого азота. Физ. и техн. полупр., 1978, т.12, № 6, с.1089−1098.
  49. А.Н., Фридрих X. Исследование зонной структуры сульфида цинка методом термоотражения. Физ. тверд, тела, 1970, т.12, № 4, с. 1086−1090.
  50. Walter. J.P., Cohen М.Ь. Calculation of the reflectivity, modulated reflectivity and band structure of GaAs, GaP, ZnSe and ZnS. Phys.Rev., 1969, v.183, No.3, p.763 772.
  51. С.И., Фарберович О. В., Домашевская Э. П. Зон1. У1ная структура соединений, А В .
  52. Расчет МОПВ методом и интерпретация. II. Влияние Й -состояний металла. Физ. и техн. полупр., 1980, т.14, № 7, с.1315−1323- I4I2-I4I5.
  53. Eckelt P. Energy band structures of cubic ZnS, ZnSe, ZnTe and CdTe (Korringa-Kohn-Rostoker method). Phys.Stat.Sol., 1967, v.23, Ho. I, p.307−312.
  54. Piper W.W. Some electrical and optical properties of synthetic single crystals of zinc sulfide. Phys.Rev., 1953, v.92, Ho. I, p.23−27.
  55. Czyak S.J., Baker W.M. Crane R.C., Howe J.B. Refractive indices of single synthetic zinc sulfide and cadmium sulfide crystals. J.Opt.Soc.Amer., 1957', v.47, И0.3″ p.240−246.
  56. Jfy-лаков М.П., Фадеев А. В. Показатели преломления ы. InSe и CdS в инфракрасной области. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1980, т. 16, И, с. 159−160.
  57. А.Н., Яськов А. Д. Дисперсия коэффициента преломления света в полупроводниках со структурой алмазаи цинковой обманки. Физ. и техн. полупр., 1978, т. 12, № 6, с. 1047−1053.
  58. В.Л. Фотолюминесценция жидких и твердых тел. М., Гостехиздат, 1951, 456 с.
  59. Н.Ф. Люминофоры (светящиеся твердые составы).!., Оборонгиз, 1940, 447 с.
  60. Э.И. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов. М., Гостехиздат, 1951, 350 с.
  61. В.А., Горбань А. Н. Люминесценция и адсорбция. М., «Наука», 1969, 187 с.
  62. И.К. Электролюминесценция кристаллов. М., «Наука», 1974, 280 с.
  63. Л.Я., Пекерман Ф, П., Петошина Л. Н. Люминофоры. М.-Л.,"Химия", 1966, 232 е.- Казанкин О. Н., Марковский Л. Я., М1фонов И.А. и др. Неорганические люминофоры. Л., «Химия», 1975, 192 е.- Люминофоры. Каталог.- Внешторгиздат, 1975, 160 с.
  64. А.Г., Жолкевич Г. А., Лазарь Н. П., Дудник В. П. Исследование электролюминесценции сублимированных пленок ы Изв. АН СССР. Сер. физ., 1966, т. ЗО, № 4, с. 593−598.
  65. И.П., Алесковский В. Б., Симашкевич А. В. Эпи1. ТТ УТтаксиальные пленки соединений, А АВ> А. Л., изд-во Ленингр. ун-та, 1978, 310 с.
  66. В.Л., Арапова Э. Я., Блажевич А. И. и др. Исследование катодолюминесценции цинксульфидных и некоторых других катодолюминофоров. Труды ФИАН СССР, 1963, т. 23, с. 64−135.
  67. Г^рвич A.M. Рентгенолюминофоры и рентгеновские экраны. М., «Атомиздат», 1976, 152 с.
  68. В.П., Корсунский В. М. Электролюминесцентные устройства. Киев, «Наукова думка», 1968, 302 с.
  69. Hurwitz С.Е. Efficient ultraviolet laser emission in electronbeam excited ZnS.AppL.Phys .Lett., 1966, v.9, lIo.-3,p.Il6-II8.
  70. В.Л., Митрофанова H.B., Тимофеев Ю. П., Фридман С. А., Щаенко В. В. Применение кристаллофосфоров для регистрации электромагнитных излучений. Труды ФИАН СССР, 1972, т.59,с.64−123.
  71. Ю.П., Фридман С. А. Люминесцентные приемники прямого видения полей ИК-излучения. Изв. АН СССР. Сер. физ., — 189 -1981, т.45, № 2, с. 296−301.
  72. Wawilow S.I. Uber die abklingyngsgesetze der umkenrba-ren lmiineszenzzeisc&eimmgeii. PfcLys. Zs. Sowjetunion, 1934 > Bd. 5, H.3, p.369−378.
  73. A.M. Развитие представлений о химической природе центров свечения цинксульфидных люминофоров. Усп. химии, 1966, т. 35, № 8, с. 1495−1526.
  74. Ф. Химия несовершенных кристаллов. М., «Мир», 1969,
  75. Е.Е., Вознесенская Т. И., Фок М, В. и др. Применение обобщенного метода Аленцева для анализа спектра сине-голубой люминесценции InS. Тр. ФИАН СССР, 1972, т. 59, с. 25−37.
  76. З.П., Панасюк Е. И., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. Приготовление кристаллов сульфида цинка и природа центров голубого свечения самоактив1фованного IflS . Тр. ФИАН СССР, 1972, т. 59, с. 25 37.
  77. Фок М. В. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы цри помощи обобщенного метода Аленцева. Тр. ФИАН СССР, 1972, т. 59, с. 3−24.
  78. Н.П., Фок М.В. Связанная с кислородом люминесценция «беспримесного» сульфида цинка. Дурн. црикл. спектр., 1972, т.17, № 2, с. 261−268.
  79. Антипова-Каратаева И.И., Голубева Н. П., Фок М. В. Спектральное исследование центров люминесценции с помощью обобщенного метода Аленцева. Изв. АН СССР, Сер. физ., 1973, т. 37, № 2,1. С. 410−414.
  80. Н.П., Фок М.В. К вопросу о природе люминесценции самоактивированного IflS. Ж. прикл. спектр., 1975, т. 23, № 4, с. 638 642.
  81. Л.С., Туницкая В. Ф. Инфракрасная фотолюминесценция самоактивированного сульфида цинка. Ж. прикл. спектр., 1982, т. 36, № 1, с. 40 42.
  82. А.А., ЗгУсанова А.И. Некоторые вопросы химии сульфидных люминофоров. Матер. V Совещ. по люминесценции. Тарту, 1957, с. 30−41.
  83. ГУрвич A.M., ГУтан В.Б., Ильина М. А. 0 природе глубоких центров свечения в InS -фосфорах, активированных серебром и медью. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1971, т.35, № 7, с. 1467 1469.
  84. Kroger P.A., Hellingman J.E. Chemical proof of the presence of chlorine in blue fluorescent sine sulfide. J. Electro-chem. Soc., 1949, v.95, Ho.2, p.68−69.
  85. Kroger P.A., Hellingmann J.E., Smit N.W. The fluorescence of zinc sulfide activated with copper. Physica, 1949, v. 15, No. II—12, p.990−1018.
  86. Kroger P.A. The physical chemistry of sulfide phosphors. Brit. J. Appl. Phys., 1955, Suppl. No.4, p. 58 64.
  87. ГУрвич A.M. К вопросу о влиянии плавня на оптические свойства цинксульфидных люминофоров. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1961, т. 25, № 3, с. 4II-4I4.
  88. Ф.Д. Процессы образования кристаллофосфоров и некоторые методы их изготовления. Изв. АН Эст.ССР. Сер.техн. и физ. -мат. наук, 1956, т. 5, № 1, с. 3 II.
  89. A.M. Некоторые вопросы физической химии кристаллофосфоров. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1981, т.45, № 2, с. 283−289.
  90. Фок М. В. Исследование структурных неоднородностей кристаллов типа InS. Изв. АН СССР, Сер. физ., 1981, т.45, № 2,с. 279 282.
  91. A.M., Ильина М. А. Желтая и красная люминесценция InS~Си люминофоров, подученных в присутствии кислорода. Опт. и спектр., 1966, т. 21, М, с. 67 — 75.
  92. JI.Я., Холоденко Н. С. О влиянии препаративных факторов на стабильность центров красного свечения люминофоров IflS’Си . Ж. прикл. спектр., 1970, т.2,№ 6, с.1053−1060.
  93. ГУрвич A.M., Измайлов Ш. Л., Катомина Р. В. и др. Влияние температуры формирования InS -фосфоров на их люминесцентные свойства при разных способах возбуждения. Ж. прикл. спектр., 1981, т.34,И, с. 105 НО.
  94. Chow b.W., Kwok. Н. Ъ. Си S/Cd Zn, s and Си S/Cd&bdquo-Zn, л if л у x—у
  95. S, CdS tMn film solar cells using chemically sprayed film. J. Phys. D: Appl.Phys., 1981, v.14, No.3, p.463−469.
  96. Л., Левшин В. Л. Исследование состава излучения неактивированных фосфоров InS-CdS при изменении температуры. Опт. и спектр., 1961, т. 10, № 6, с. 773 779.102. behmann W. Emission spectra of impurity activated (Zn, Cd) (S, Se, Те) phosphors.
  97. X. Copper activated phosphors. J. Electrochem.- Soc., 1966, v. II3, N0.5, p.449 455.1. Silver activated phosphors. J-. Electrochem. Soc., 1966, v. II3, N0.8, p.788 792.
  98. I. Self-activated phosphors. J. Elrctrochem. Soc., 1967, v. II4, No. I, p.83−87.
  99. Gross G.J. Dependence of the forbidden gap and luminescence ground-state energies of (Zn, Cd) S:Ag on the concentration of CdS. Phys.Rev., 1959, v.116, No.6, p. I478-I480.
  100. H.A., Коновец H.K. Получение пленок твердых растворов ltlxCdpxS и исследование влияния состава на их свойства. Укр. физ. журн., 1969, т. 14, № 9, с. 1578 1580.
  101. П.Ф., Власенко Н. А., Ермолович И. Б. и др. Люминесцентные свойства смешанных монокристаллов Inxfy-xS .Опт. и спектр., 197I, т. 30, № 2, с. 299 305.
  102. Ю.Н., Коджеспиров Ф. Ф., Петренко В. И. Фотолюминесценция активированных медью 1фисталлов ltlxCd^xS. Ж.прикл. спектр., 1978, т. 29, № 3, с. 466 469.
  103. Kroger P.A. luminescence and absorption of zincsul-fidea, cadmiumaulfidea and their solid solutions. Physica, 1940, No.7, pJ-7.
  104. Э.Я., Воронов Ю. В., Левшин В. Л. и др. Исследование ультрафиолетового излучения неактивированного сульфида цинка. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1966, т. 30,'№ 0, с. 1490 1493.
  105. Ю.В. Ультрафиолетовая люминесценция сульфида цинка при электронном и оптическом возбуждении. Тр. ФИАН СССР, 1973, т. 68, с. 3 94.
  106. НО. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М., ИЛ, 1962,558 с.
  107. А. Основы теории фотопроводимости. М., «Мир», 1966, 192 с.
  108. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., 1963, 494 с.
  109. Т., Патли Е. Фотопроводимость.М.,"Наука", 1967, 156 с.
  110. Davis Е. А-, bind E.L. Physical properties of mixed single crystals of CdS and ZnS. J.Phys.Chem.Sol., 1968, v.29, No. I, p.19−90.- 193
  111. Н. А. Коновец Н.К. Исследование инфракрасного и температурного гашения люминесценции и фотопроводимости zn CdT s-cu, c1. X х *&trade-х
  112. Укр. физ. журн., 1972, т. 17, № 10, с. 1590−1599.
  113. И., Юрма Э. ИК стимуляция фотопроводимости монокристаллов ZnS-Cu .- Изв. АН Эст. ССР, Физ., мат., 1975, т. 24, № 2, с. 195 200.
  114. Tabei М., Shionoya S. Mechanism of infrared stimulation and quenching in ZnS: Cu, Al phosphors. J. Luminescence, 1977, v. 15, Ho. 2, p. 201 215.
  115. Jacobsen G. Infrared enhancement and quenching of photoconductivity in sulfur- annealed single crystals. Physica, 1977, Но. 92B, p. 293 299.
  116. Л.Г., Рывкин С. М. Исследование «нелинейных» процессов релаксации фотопроводимости при наличии уровней прилипания. -Физ. тверд, тела, 1961, т. 3, № 8, с. 2245 2258.
  117. В.И., Деньга Э. М. Кинетика фотопроводимости де-возбужденных кристаллов сульфида цинка.-Физ. и техн. полупр., 1969, т. 3, № 9, с. 1438- Деньга Э. М. Авторефетат канд. диссертации. Одесса, ОГУ, 1969.
  118. Bube R.H., Barton L.A. The achievment of maximum photoconductivity performance in cadmium sulphide crystals. RCA Rev., 1959, v.20, Ho.4, p.564 568.
  119. Bube R.H., Young B. Dependence of conductivity gain on photon energy in CdS: I:Cu crystals. J.Appl.Phys., 1964, v.35, Ho.2, p.462 463.
  120. Kang C.S., Phipps B.P., Bube R.H. Photoelectronic processes in ZnS single crystals. Phys.Rev., 1967, v.156,Ho.3,998.
  121. Rose A. Recombination processes in insulators and aemiconductors:. Phys.Rev., 1955, v.97, Ho.2, p.322−333.
  122. И.А. и др. О механизме рекомбинационных процессов в сульфиде цинка. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1966, т. 30, № 9, с. 1560−1562.
  123. С.М. Эффекты оптической перезарядки в полупроводниках. Матер. II Всесоюзн. совещ. по фотоэлектрич. явлениям в полупр. Киев, 1963, с. 38.
  124. И.Б., Коновец Н. К. Особенности рекомбинационных процессов в твердых растворах lnxC(tfxS ~Си, С1. Укр. физ. журн., 1973, т. 18, № 5, с. 803−809.
  125. Singh- V.P., Singh S. Some physical properties of ZnCdS solid solutions. Czech. J. Phys., 1976, V. B26, Ho.10, p"Il6l-Il66.
  126. Schaffert R.M., Williams D.I., Walkup I.E. Quarterly progress Repts, Ho.4−8, 1949−1950, pp.374, 460, 515, 585, 663. Battele Memorial Inst. Signal Corps. Contr. Uo. W 36−039, SC -36 851 (ATI 178 565, 178 566, 209 056, 207 837).
  127. Joung C.J., Greig K.G. Electrofax-direct electropto-tographic. printing on paper. RCA Rev., 1954, v.15, Ho.4,p.469−483.
  128. H. Патент США, 2 845 348, 1952.
  129. Chapman D.W., Stryker P.J. A hinder-type plate for charge-transfer Electrophotography. Photogr. Sci. and Eng., 1967, v. II, Ho. I, p.22 — 21.
  130. В.М. Электрофотография на фотоэлектретах.Кристаллография, 1957, т. 2, № 1, с. 130−135.
  131. Kallmann Н., Rosenberg Б. Persistent internal polarization. Phys.Rev., 1955, v.97, No.6, p.1595 I6IO.
  132. Kallmann ff., Rennert J. Persistent internal polarization and ite application. Symposium on Role of Solid State Phenomena in Electric. Circuits. Politechnic Institute of Brooklyn, 1957, pp. 325 326.
  133. Kallmann H.P., Rennert J. Data storage and display with polarized phosphors. Electronics, 1959, v.32, No.35,p.39 41.
  134. Kallmann H., Rennert J., Sidran M. A photographic, process using persistent internal polarization in phosphors. Photogr. Sci. and Eng., I960, v.4, No.6, p. 345 353.
  135. Kallmann H.P., Rosenberg B. Devices exhibiting, persistent Internal polarization and methods of utilising the same.
  136. Патент США, цо. 3 005 707, 24-Ю. 1961.
  137. Kallmann Н., Rennert J. Application of inorganic phos-phora to infrared photography. J. Opt. Soc. Amer., 1958, v.48, No. II, p.812 815.
  138. Kallmann H.P., Rennert J., Burgas J. Optical display of latent persistant internal polarization Images produced with, infrared and visible radiation. Photogr.Sci. and Eng., 1962, v.6, No.2, p.65 70.
  139. B.M., Желудев И. С. Фотоэлектреты и электрофотографический процесс. М., изд-во АН СССР, I960, 208 с.
  140. В.М. Физические основы электрофотографического процесса. М.-Л., «Энергия», 1966, 288 с.
  141. П.Н., Шнейдер А. Д. Фотоэлектретный эффект в полупроводниках. Львов, «Вшца школа», 1977, 150 с.
  142. Pillai P.K.C., Agarwal S.K., Roy К.К. Surface charge decay characteristics of photoconductivity hinder layers. J. Electrochem. Soc., 1977, v.124, Но. З, P-4I7 420.
  143. Pillai P.K.C., Pillai O.K., Mendiratta R.G. Effects of different binders on electrophotographic characteristics of ZnCdS: Cu. «T.Ellectrostatics, 1979, v.6, Ho.3, p.289 293.
  144. В., Жиндулис A., Юревичус Д. Исследование электрофотографических слоев сульфидов цинка-кадмия. Матер. II Все-союзн. конф. по бессеребр. и необычн. фотогр. процессам. Кишинев, 1975, с. 37−39.
  145. J57. Borsenberger, P.M., Chowdry A., Hoesterey D.C., Mey W. An aggregate organic photoconductor. II Photoconduction properties. J.Appl.Phys., I97B, v.49, Ho. H, p.5555 5564.
  146. Williams R., Willis A. Electron multiplication and surface charge on zinc oxide single crystals. J.Appl.Phys., 1968, v.39, Ho.8, p.37/31 3736.
  147. Sonnonstine I.J., Perlman M.M. Surface-potential decay in insulators with field-dependent mobility and injection efficiency. J.Appl.Phys., 1975″ v.46, Ho.9, p.3975 3981.
  148. Van Seggern H. A new model of isothermal charge transport for negatively corona- charged Teflon, J. Appl. Phys», 1979, v* 50, Но. II, p. 7039 7043.
  149. Williams R., Woods M.H. High electric fields in silicon dioxide produced by corona charging. J. APP1. Phys., 1973, v.44, Ho. 3, P. 1026 1028.
  150. Kern W., Comizzoli R.B. Hew methods for detecting structural defects in glass passivation films. J. Vac. Sci. Tech-nol., 1977, v. 14, Ho. I, p. 32 39.
  151. И.А., Черкасов Ю. А., Черкашин М. И. Сенсибилизированный фотоэффект. М., «Наука», 1980, 384 с.
  152. .А., Ведёхин А. Ф., Шикунова С. Т., Хайдукова А. К. К вопросу о возможности создания низковольтных электролюминесцентных конденсаторов.-Тр.ВНИИ люминофоров. Ставрополь, 1971, в.5,с.67−70.
  153. В.А., Савухина Т. А., Филатова Л. А. и др. Исследование люминофоров типа ЭЛС.- Тр. ВНИИ люминофоров. Ставрополь, 1971, в. 5, с. 46 50.
  154. Т.И., Демидов К. Б., Акимов И. А. Ячейки для исследования электрофизических свойств порошкообразных полупроводников. Приборы и техн. эксперим., 1974, № 3, с. 217 218.
  155. А.А. Прикладная оптика. М., Физматгиз, 1961, 656 с.
  156. К.Б. Автореферат канд. диссертации, Л., Г0И, 1973.
  157. A.M., Акимов И. А. Установка для изучения контактной разности потенциалов, конденсаторной Ф.Э.Д.С. и фотопроводимости высокоомных полупроводников.- Приборы и техн. эксперим., 1964, в. 3, с. 181 185.
  158. Т.И., Акимов И. А. Исследование локальных уровней в электрофотографической окиси цинка методом эффекта поля.
  159. Ж.научн. и прикл. фотогр. и кинематорг., 1973, т.18,И, с.49−51.
  160. К.Б., Акимов И. А. Энергетический спектр заполненных локальных состояний в микрокристаллах окиси цинка электрофотографического слоя. Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинема-тогр., 1977, т. 22, № 1, с. 66 67.
  161. А.В., Демидов К. Б. Спектр инфракрасной электрофотографической чувствительности JnS’Cu' и ZriS’CdS’Cu кри-сталлофосфоров. Журн. научн. и прикл. фотогр и кинематогр., 1979, т. 24, № 6, с. 442 — 444.
  162. К.Б., Акимов И. А. Термостимулированная проводимость поликристаллических слоев kg J и м, сенсибилизированных красителями. Физ. и техн. подупр., 1968, т. 2, Jf°2,c.2I0−2I5.
  163. Нщше! W., Herritzen H.J., Rose A. An approach, to intrinsic zinc oxide. Helf.Phys.Acta, 1957, v-30, Ho.6, p.495 503.
  164. В.И., Монтримас Э. А., Поцюс З. В. Кинетика спада потенциала электрофотографических слоев окиси цинка в темноте. Ж. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1968, т. 13, № 3, с. 186 191.
  165. Gobrecht Н., Hofmann D. Spectroscopy of traps by fractional glow technique. J.Phys.Chem.Sol., 1966, v.27, No.3, p. 509 522.
  166. В.И., Деньга Э. М., Соколова Т. К., Титов А. В. Электрофотографические процессы в сульфиде цинка. В сб.^'Физические основы электрофотографии", Вильнюс, 1969, с.53−54.
  167. В.И., Деньга Э. М., Титов А. В. Электрофотографические процессы, основанные на управляемой предварительным де-возбуждением фоточувствительности сульфида цинка. Труды Между-народн. Конгр. по фотогр. науке. М., 1970, с. 134−137.
  168. А.Г., Проскура А. И. О природе эффекта ГУдцена-Поля. Докл. АН СССР, 1963, т.150, № 3, с. 519−522.
  169. Л.А., Фок М.В. Определение глубины электронных ловушек в фосфорах на основе ItlS по вспышке под действием ИК-света. Опт. и спектр. 1961, т. 10, № 3, с.374−378.
  170. Halperin А., Arbell Н.- Excitation spectra and temperature dependence of tlie luminescence of ZnS single crystals. Phys.Rev., 1959, v.113, N0.5, p. I2l6 1221.
  171. Ф.А. Запасание энергии кристаллофосфором InS-Cu цри фото- и у -облучении. Тр. ИФА АН Эст. ССР, 1972, т.41, с. 79−98.
  172. Ребане К.-С. К. Влияние концентрации меди на некоторые спектральные свойства фосфора IriS-ClL, CI. Тр. ИФА АН Эст. ССР, I960, т. 12, с. 67−76.
  173. И.А., Мешков A.M. Определение знака заряда носителей фототока конденсаторным методом. Докл. АН СССР, 1965, т.162, № 2, с. 306−309.
  174. А.В., Демидов К. Б. Спектроскопия локальных поверхностных состояний в кристаллофосфорах lflS~Cu .Опт. и спектр., 1981, т.50, № 2, с. 400−403.
  175. Melamed И.(П. Zinc sulfide Infrared quenching phosphors. J.ELectrochem.Soc., 1950, v.97, Ho. I, p.33 39.
  176. В.Л., Рыжиков Б. Д. Влияние размеров натуральных и раздробленных кристаллов на люминесценцию цинксульфидных фосфоров. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1961, т. 25, № 3, с.362−364.
  177. Broaer J., Reichardt M. Uber den einflus. der durck druckzerstorung erzeugten gitterfehlstellen and die lumines-zens von ZnS-pliospliQ.ren. Z.Phys., 1953, 134, 2, p.222 244.
  178. В.Д., Стыров В. В., Соколов В. А. Превращения центров свечения на поверхности IflS «Си -фосфоров. Журн.прикл. спектр., 1976, т. 24, №б, с. 845−850 .
  179. Ф.Ф., Соколов В. А. и др. Роль поверхности в явлениях люминесценции и радикало-рекомбинационная люминесценция в полупроводниках. Изв. АН СССР. Сер. физ., т. 37, М, с. 855−859.
  180. ГУрвич A.M. Исследование процессов взаимного превращения центров свечения цинк-сульфидных люминофоров. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1966, т. 30, М, с. 644−648.
  181. В.Ф., Крылов О. В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. М., «Наука», 1979, 234 с.
  182. A.M., Катомина Р.В. Термодинамический анализ образования дефектов в люминесцирующих кристаллах IrtHl и
  183. H.Samelson, Lempicki A. Fluorescence of cubic ZnS: Cl crystals. Phys.Rev., 1962, v.125, No.3, p"90I 909.
  184. A.H., Маев P.Г., Озеров Ю. В., Струмбан Э. Е. Исследование глубоких уровней в монокристаллах сульфцда цинка. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1976, т. 40, № 9, с. 1979−1983.
  185. Ю.В., Георгобиани А. Н., Чилая Г. С. Электролюминесценция и некоторые электрические характеристики однородных монокристаллов сульфида цинка. Труды ФИАН СССР, 1970, т. 50, с. 60−91.
  186. Singh S. Thermally stimulated current curves in ZnS: Gu, Co photoconductor. Indian J. Pure and Appl. Phys., 1974, v. I2, Uo.3, p.185 187.
  187. A.H., Озеров Ю. В., Фридрих X. Исследова1. У1ние формы экситонных линий соединений, А В. Физ. тверд. тела, 1973, т. 15, МО, с. 2986−2991.
  188. И.А., Бенца В. М., Спесивых А. А. Исследование связи между эффективностью спектральной сенсибилизации и взаимным расположением электронных энергетических уровней красителя и полупроводника. Докл. АН СССР, 1978, т. 242, № 5,с. 1100 -1105.
  189. Nelson R.C. Photoconductivity of some cyanine dyes. J. Opt. Soa. Amar ., 1956, v.46, No. I, p. IO-I3.
  190. И.А. Исследование природы акцептора энергии в процессе спектральной сенсибилизации.- В сб.: Спектроскопия фотопревращений в молекулах. Л., «Наука», 1977, с. 239.
  191. И.А. Спектральная сенсибилизация красителями фотоэлектрической чувствительности окислов металлов. Ж. физ. химии, 1979, т. 53, № 4, с. 1042−1043.
  192. К.Б., Титов А. В., Акимов И. А. Полные спектры локальных электронных уровней в несенсибилизируемом и сенсибилизируемом красителями фотопроводнике. Ж. научн. и прикл. фо-тогр. и кинематогр., 1981, т. 26, № 5, с. 375−377.
  193. А.Г., Жолкевич Г. А. Стимулированные токи и электролюминесценция. Киев, «Наукова думка», 1972, 197 с.
  194. Garllck G.E., Gibson A.F. The electron trap mechanism of luminescence in sulphide and silicate phosphors. Proc.Phys. Soc., 1948, A60, 6, Ho.342, p.574−590.
  195. B.E. 0 теории термостимулированного тока. В кн.:Физика тверд, тела. Т. I, М.-Л., изд-во АН СССР, 1959, с. 104−109.
  196. В.М., Бугриенко В. И., Деньга Э. М., Титов А. В., Пащенко Г. А. Уменьшение выхода рекомбинационной люминесценциии фотографические процессы в твердых телах. Матер. XIX Совещания по люминесценции (кристаллофосфоры), Рига, 1970, с.23−24.
  197. Л.И. Авт. свид. № I6873I, Кл. 15к, 1965.
  198. Cassiers P.M. Memory effects in electrophotography. J.Photogr.Sci., 1962, v. IO, Ho.2, p.57−68.
  199. А.Ю., Вищакас Ю. К. Отклонение от закона взаимозаместимости в фотодиэлектриках. Лит. физ. сб., 1964, т. 4, № 1, с. 95−101.
  200. В.И. Изопотенциальные кривые электрофотографических слоев Ы . Ш. научн. и прикл. фотогр и кинематогр., 1968, т. 13, № 2, с. 89−94.
  201. Kostelec J. Reciproslty law failure in ZnO and Se. J.Appl.Phys., I960, v. 31, Ho.2, p.441−442.
  202. М.П. О связи фотоэлектрических характеристик электрофотографического слоя с характеристиками продольного фотосопротивления. Опт. и спектр., I960, т. 8, И, с. 146−148.
  203. Jaenicke W., Lorenz В. Halbtonverfahren und Schwarz-ungskurve der Elektrophotographie, Ztachr. f. Elektrochemie, 1961, 65, 6, p.493 498.
  204. С.Г., Захарова Н. Б., Черкасов Ю. А. Взаимо-заместимость в электрофотографии. Ж. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1967, т. 12, № 3, с. 179−186.
  205. Принощу глубокую благодарность доктору физико-математических наук профессору И. А. Акимову за огромный труд по руководству диссертационной работой, постоянное внимание к ней и большую практическую помощь автору на всех этапах ее выполнения.
  206. Я искренне признателен кандидату физико-математических наук К. Б. Демидову за помощь в постановке экспериментов, совместное изучение ряда вопросов, обсуждение полученных результатов и неизменную дружескую поддержку.
  207. Благодарю также кандидата физико-математических наук А. М. Мешкова, других сотрудников лаборатории за помощь при выполнении данной работы.
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!