Бакалавр
Дипломные и курсовые на заказ

Структурные и фазовые переходы в полупроводниках при импульсных лучевых воздействиях

Диссертация: Структурные и фазовые переходы в полупроводниках при импульсных лучевых воздействиях
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В течение достаточно короткого времени с момента обнаружения лазерного отжига — к началу 80-х годов многочисленными научными группами были изучены основные технологические возможности лазерного отжига, разработаны физические модели процессов упорядочения кристаллической структуры приповерхностных слоев и поведения примесей при кристаллизации. К этому времени значительно расширился круг объектов… Читать ещё >

Содержание

  • ГЛАВА 1. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИНТЕНСИВНЫХ ФОТОННЫХ И КОРПУСКУЛЯРНЫХ ПУЧКОВ С ПОЛУПРОВОДНИКАМИ
    • 1. 1. Механизмы взаимодействия световых потоков с полупроводниками
    • 1. 2. Взаимодействие корпускулярных пучков с полупроводниками
    • 1. 3. Особенности кристаллизации и фазовых превращений в полупроводниках при импульсном воздействии в различных диапазонах длительности
      • 1. 3. 1. Общая характеристика направления импульсно-лучевой модификации полупроводников
      • 1. 3. 2. Трансформация структуры и поведение примеси при импульсносветовой обработке в наносекундном диапазоне длительности. Физичес-ские модели лазерного отжига имплантированных полупроводников
      • 1. 3. 3. Процессы твердофазной кристаллизации и особенности плавления при обработках в миллисекундном-секундном диапазонах длительности импульса
  • Выводы к гл. 1 и обоснование целей работы
  • ГЛАВА 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Подготовка образцов, техника ионного легирования и термической обработки
    • 2. 2. Техника импульсно-лазерной обработки образцов
    • 2. 3. Техника импульсной обработки ионными и электронными пучками
    • 2. 4. Техника импульсно-фотонной обработки в миллисекундном-секундном диапазонах длительности импульса
    • 2. 5. Методика исследований электрофизических параметров, структуры, элементного состава приповерхностных областей
  • ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ВЫДЕЛЕНИЯ ЭНЕРГИИ, НАГРЕВА, ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ И ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСИ ПРИ ИМПУЛЬСНО-ЛУЧЕВЫХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ
    • 3. 1. Моделирование процессов нагрева, плавления и кристаллизации с учетом пространственно-временного распределения выделения энергии излучения в полупроводниках
      • 3. 1. 1. Постановка задачи
      • 3. 1. 2. Методика численных расчетов температурного поля при импульсных воздействиях
      • 3. 1. 3. Методика учета пространственно-временного распределения поглощения различных видов излучения
    • 3. 2. Моделирование процессов перераспределения примеси при импульсно-лучевых обработках
  • ГЛАВА 4. РАСЧЕТЫ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ПОЛЕЙ И ДИНАМИКИ ПЛАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИ ИМПУЛЬСНЫХ СВЕТОВЫХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ
    • 4. 1. Компьютерное моделирование нагрева и динамики плавления имплантированных полупроводников
    • 4. 2. Компьютерное моделирование для решения «обратной» задачи нагрева излучением
    • 4. 3. Аналитические методы расчетов температуры до порога плавления. Классификация режимоц нагрева излучением
    • 4. 4. Компьютерное моделирование и аналитические оценки зависимостей параметров плавления от длительности импульса
  • ГЛАВА 5. СТРУКТУРНЫЕ И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ В ПРОЦЕССЕ ИМПУЛЬСНО-СВЕТОВОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ
    • 5. 1. Трансформация структуры и поведение примеси в имплантированном кремнии и арсениде галлия в наносекундном диапазоне длительностей воздействия
      • 5. 1. 1. Поведение хорошо растворимых примесей и их электрическая активация в кремнии
      • 5. 1. 2. Поведение малорастворимых в кремнии примесей
      • 5. 1. 3. Динамика фазовых и структурных переходов в имплантированном кремнии
      • 5. 1. 4. Низкотемпературное управление прозрачностью кремния при лазерном отжиге
    • 5. 2. Кристаллизация и аморфизация полупроводников при воздействии су бнаносекундными импульсами
    • 5. 3. Особенности плавления и кристаллизации импульсами миллисекунд-ного и секундного диапазонов длительности
  • ГЛАВА 6. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИМПУЛЬСНЫХ ИОННЫХ ПУЧКОВ С ИМПЛАНТИРОВАННЫМИ ПОЛУПРОВОДНИКАМИ
    • 6. 1. Специфика нагрева и динамика плавления полупроводников импульсными ионными пучками по результатам компьютерного моделирования
    • 6. 2. Структурно-фазовые изменения и поведение примеси при импульсно-ионной обработке имплантированного кремния
    • 6. 3. Поведение примеси и ее электрическая активация в арсениде галлия при импульсно- ионной обработке
    • 6. 4. Термическая устойчивость пересыщенных твердых растворов кремния и арсенида галлия

Структурные и фазовые переходы в полупроводниках при импульсных лучевых воздействиях (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Одним из наиболее интенсивно развиваемых направлений физики твердого тела является модификация приповерхностных слоев твердых тел интенсивными пучками излучений. В отношении полупроводниковых материалов это связано с двумя основными причинами: -появлением новых источников высокоинтенсивных излученийимпульсных лазерных, электронных, ионных пучков, мощных газоразрядных ламп- -тенденциями развития полупроводниковой электроники к расширению функциональных возможностей приборов за счет использования новых прецизионных, высокопроизвЬдительных и эффективных технологических операций, в т. ч. новых нетрадиционных методов обработки материалов.

Проблема перехода полупроводниковой микроэлектроники в область субмикронных размеров представляет собой крупную научно-техническую задачу, требующую привлечения самых современных технологических процессов управления свойствами приповерхностных слоев полупроводниковых кристаллов [1]. Наиболее широко и успешно используемым методом модифицирования поверхности в полупроводниковой технологии до настоящего времени остается ионная имплантация [2−7], являющаяся универсальным методом введения в любой материал любых легирующих примесей в строго контролируемом количестве. В результате имплантации в тонком приповерхностном слое могут быть достигнуты весьма высокие концентрации примесных атомов. Вместе с тем, в этом же слое образуется большое число радиационных дефектов. Поэтому одной из основных проблем в технологии ионной имплантации остается поиск способов проведения отжига имплантированных слоев с целью восстановления кристаллической структуры и обеспечения максимальной электрической активации внедренной примеси без ухудшения параметров кристаллической подложки.

К наиболее перспективным методам, обладающим к тому же уникальными возможностями, следует отнести предложенный в Казанском физико-техническом институте с участием автора данной работы принципиально новый способ, заключающийся в облучении имплантированных слоев мощным импульсом светового излучения [А1]. Поскольку в первых экспериментах по импульсной обработке имплантированных полупроводников [А1-А4] использовались лазеры, а основным предназначением этих обработок было устранение введенных в процессе имплантации радиационных дефектов, что обычно достигается использованием длительного термического отжига, данная операция была названа нами «лазерным отжигом». Причем этот термин означает как способ устранения радиационных дефектов с одновременной электрической активацией внедренной примеси, так и явление, заключающееся в быстрой ориентированной кристаллизации приповерхностных слоев твердых тел под действием импульсного светового излучения.

В течение достаточно короткого времени с момента обнаружения лазерного отжига — к началу 80-х годов многочисленными научными группами были изучены основные технологические возможности лазерного отжига, разработаны физические модели процессов упорядочения кристаллической структуры приповерхностных слоев и поведения примесей при кристаллизации. К этому времени значительно расширился круг объектов импульсной модификации (диффузионные полупроводниковые слои, вакуумно-осажденные аморфные и поликристаллические пленки, границы раздела полупроводников с металлами и диэлектриками и др.). Более того, было показано, что импульсная обработка полупроводников может осуществляться с использованием самых различных источников электромагнитного или корпускулярного (электроны, ионы) излучений. При этом длительность воздействия различных видов излучений изменялась в очень широком диапазоне Ю'^-Ю1 с. В каждом конкретном случае механизмы трансформации и перераспределения энергии излучений, а также процессы кристаллизации описываются различными физическими моделями, к основным из которых следует отнести быстрый нагрев приповерхностного слоя вплоть до температуры плавления с последующей кристаллизацией либо в твердой фазе, либо из образующегося расплава.

В настоящее время импульсный отжиг имплантированных полупроводников в миллисекундном — секундном диапазонах длительностей стал одной из основных операций в технологии производства интегральных схем (ИС) и получил устойчивый технический термин — RTA (Rapid Thermal Annealing). Что касается обработки с длительностью менее 1 мс, то эта область в настоящее время имеет ограниченное применение. Это обусловлено рядом причин, связанных как с сильно неравновесным характером обработки, требующим коренного изменения технологического процесса, так и с недостаточной изученностью возможностей и ограничений импульсных обработок различными видами излучений.

В связи вышеизложенным изучение возможностей импульсно-пучковой обработки материалов и исследование протекающих при этом физических процессов является актуальной задачей полупроводниковой электроники и физики твердого тела.

Целью работы является комплексное исследование быстропротекающих физических процессов, имеющих место в приповерхностных слоях полупроводников при их импульсной обработке интенсивными потоками излучений в широком диапазоне длительностей воздействия Ю" 10-Ю1с, а также разработка физических основ импульсно-пучковой модификации структуры и примесного легирования полупроводниковых материалов.

Несмотря на интенсивные исследования импульсных методов модификации полупроводниковых материалов, начатые автором с сотрудниками в 1974 г. и продолжающиеся в различных научных центрах, к началу основных исследований данной работы (1981 г.) не находил объяснения ряд экспериментально наблюдаемых фактов трансформации структуры и поведения примесей при импульсно-пучковой обработке полупроводников. Отсутствовали также систематизированные данные о влиянии пространственно-временных параметров поглощения излучений на кинетику процессов импульсной кристаллизации.

Поэтому основными задачами настоящей работы явились следующие:

1. Выявление особенностей фазовых переходов, трансформации структуры и поведения примесей в полупроводниках при их импульсно-пучковой обработке.

2. Установление основных физических механизмов процессов фазовых и структурных переходов в полупроводниках в зависимости от их исходного состояния и режимов импульсного воздействия.

3. Изучение влияния пространственно-временного распределения поглощенной энергии излучения на процессы плавления и кристаллизации полупроводников в широком диапазоне длительностей и интенсивностей воздействия.

4. Изучение технологических возможностей альтернативных «лазерному отжигу» импульсных обработок, в частности, ионно-импульсного.

•4. отжига.

Научная новизна. В результате проведенной работы получены следующие научные результаты.

1. Установлена связь пространственно-временного распределения поглощенной в полупроводниках энергии излучений с кинетическими параметрами процессов плавления, кристаллизации и перераспределения примеси.

2. Установлены закономерности перераспределения примеси в кремнии при наносекундном лазерном отжиге в зависимости от ее концентрации и коэффициента распределения.

3. Установлена связь между изменением оптического отражения в процессе лазерного отжига, трансформацией кристаллической структуры и электрической активацией имплантированной примеси.

4. Показано, что в близпороговом режиме лазерного отжига имеют место два вида полицентровой кристаллизации, связанного с затвердеванием сильнопереохлажденного (до 200−300 К) и нормального расплавов.

5. Изучены условия образования локальных областей плавления на поверхности монокристаллического кремния в процессе однородного нагрева, обусловленного воздействием света с длительностью более 100 мс.

6. Изучена возможность формирования сильнолегированных слоев на кремнии и арсениде галлия с использованием непрерывной ионной имплантации и последующей импульсноионной обработки.

Практическая ценность работы. Проведенные автором исследования и предложенные технологические методы импульсных обработок являются основой имплантационно-импульсной технологии легирования полупроводниковых материалов, позволяющей решать следующие технологические задачи:

— создание субмикронных легированных слоев активных элементов ИС толщиной 0.01−1.0 мкм;

— формирование сильнолегированных подконтактных областей и активных элементов силовых полупроводниковых приборов и приборов СВЧ-электроники;

— формирование сверхрезких р-п и гетеропереходов- -создание гетерирующих слоев повышенной эффективности- -изготовление активных элементов фотоприемников и солнечных элементов;

— технологический контроль однородности распределения примесей в полупроводниковых пластинах и др.

К конкретным практически важным результатам относятся следующие:

1. Разработаны методики моделирования температурных полей и перераспределения примесей в полупроводниках при воздействии излучений различных источников, работающих в широком диапазоне длительностей импульса. Результаты моделирования позволяют проводить выбор и оптимизировать режимы импульсной модификации полупроводниковых материалов.

2. Разработана методика наносекундного лазерного отжига имплантированного кремния со стороны кристаллической подложки, основанная на низкотемпературном управлении разностью поглощения света в разупорядоченных и кристаллических областях.

3. Разработана импульсно-ионная технология формирования сильнолегированных слоев на кремнии и арсениде галлия.

4. Изучена устойчивость импульсно-сформированных полупроводниковых слоев к последующим технологическим и эксплуатационным термическим воздействиям.

Положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Пространственно-временное распределение поглощенной энергии различных видов излучения определяет скорости фазовых переходов, структуру сформированных слоев, диффузионное и сегрегационное перераспределение примесей и их электрическую активацию.

2. В зависимости от плотности энергии наносекундного лазерного отжига имплантированного кремния имеют место ориентированная от подложки (эпитаксиальная) и неориентированная (полицентровая) кристаллизация, причем неориентированная кристаллизация аморфного имплантированного слоя может идти как из нормального, так и из сильнопереохлажденного относительно точки плавления кристалла расплава.

3. Образование локальных областей плавления на поверхности монокристаллического кремния при миллисекундном-секундном импульсно-световом воздействии обусловлено зародышеобразованием и ростом жидкой фазы в условиях перегрева относительно точки плавления кристалла.

4. При наносекундном отжиге имплантированного кремния лазерным излучением с длиной волны вблизи края собственного поглощения температура окружающей среды определяет разность поглощения в монокристаллическом и аморфном кремнии, что позволяет управлять распределением тепловых источников и перераспределением примеси при лазерном отжиге.

5. Импульсно-ионное формирование слоев п-ваМ с повышенной концентрацией электронов проводимости (до 102Осм" 3) обусловлено объемным поглощением энергии излучения и имеет место в заглубленных участках профиля распределения имплантированной примеси.

Личный вклад автора. Диссертация является обобщением работ, выполненных в лаборатории радиационной физики Казанского физико-технического института КНЦ РАН. Часть работ проводилась в сотрудничестве с Центральным институтом физических исследований Венгерской академии наук, Россендорфским научным центром Германии, Институтом ядерной физики (г. Томск), Институтом электроники академии наук Белоруссии (г. Минск). В совместных работах автору принадлежит постановка задач и разработка модельных представлений. Он непосредственно участвовал в планировании и проведении экспериментов, проведении расчетов, анализе и интерпретации полученных результатов. По теме диссертационной работы автор являлся основным и ответственным исполнителем, а также руководителем работ, выполненных по заданиям.

Министерства электронной промышленности СССР, в рамках целевой комплексной программы, конкурсной программы РФФИ, программ Министерства науки России.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на следующих Международных, Всесоюзных и Российских конференциях, симпозиумах и совещаниях:

Международное рабочее совещание по ионному легированию полупроводников и других материалов (Прага, Чехословакия, 1981), Международная конференция по аморфным системам, исследуемым ядерными методами (Балатонферед, Венгрия, 1981), Международная конференция по микроэлектронике (Шиофок, Венгрия, 1982), Международная конференция по импульсно-энергетической модификации полупроводников и сопутствующих материалов (Дрезден, Германия, 1984), Рабочее совещание по ионной имплантации в полупроводники и другие материалы, (Балатоналига, Венгрия, 1985), Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация материалов» (Черноголовка, 1987), 1-я Всесоюзная конференция «Физические и физико-химические основы микроэлектроники» (Вильнюс, 1987), Всесоюзный семинар «Фотонные процессы в полупроводниках» (Суздаль, 1987), Всесоюзные школы «Фундаментальные вопросы ионной имплантации» (Одесса, 1981, Алма-Ата, 1985), 4-я и 5-я Отраслевые научно-технические конференции «Ионно-лучевая техника, оборудование и технология ионной имплантации» (Нальчик, 1988, Гурзуф, 1991), 7-я и 8-я Всесоюзные конференции по взаимодействию оптического излучения с веществом (Ленинград, 1988, 1990), Международная конференция по ионной имплантации в полупроводники и другие материалы (Люблин, Польша, 1988), 3-я Международная конференция по модификации материалов пучками частиц и импульсами энергии (Дрезден, Германия, 1989), 1-я всесоюзная конференция по физическим основам твердотельной электроники (Ленинград, 1989), Международная конференция по ионной имплантации и ионно-лучевому оборудованию (Элените, Болгария, 1990), 3-я Всесоюзная конференция «Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники» (Новосибирск, 1991), 3-я Европейская конференция по вакууму (Вена, Австрия, 1991), 3-я Всесоюзная и Российская конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» (Звенигород, 1991, Москва 1993), Осенняя встреча общества исследователей материалов (Бостон, США, 1993), Международная конференция «Лазеры-95» (Чарльстон, Северная Каролина, США, 1995), Международная конференция «Мощные лазеры — наука и техника» (Карловы Вары, Чехия, 1995), 13-я Международная конференция по применению ускорителей в науке и технике (Дентон, Техас, США), 15-я Международная конференция по когерентной и нелинейной оптике «КИНО-95» (С.- Петербург, 1995), Международная конференция по взаимодействию излучений с твердым телом (Минск, 1995), 4-я Всероссийская конференция по модификации конструкционных материалов пучками заряженных частиц (Томск, 1996), Всероссийская конференция «Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов» (Н. Новгород, 1996), 3-я Российская конференция по физике полупроводников (Москва, 1997), 5-я Европейская конференция по применению ускорителей в науке и технологии (Эйндховен, Нидерланды, 1997), 4-й всероссийский семинар «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Н. Новгород, 1998), 6-я Международная конференция «Лазерные технологии — 98» (Шатура, 1998), 11-я Международная конференция по ионно-лучевой модификации материаловШММ-98 (Амстердам, Нидерланды, 1998), Всероссийская научно-техническая конференция «Микрои наноэлектроника-98» (Звенигород, 1999).

Результаты работ автора с сотрудниками неоднократно включались в Перечень важнейших достижений Академии наук СССР и России, отмечены Дипломом I степени и Золотой медалью ВДНХ СССР.

Публикации автора по теме диссертации вошли в Цикл работ «Открытие явления импульсной ориентированной кристаллизации твердых тел (лазерный отжиг)», удостоенной Государственной премии СССР в 1988 г.

Публикации. Список трудов автора по теме диссертации включает 110 работ в том числе 5 авторских свидетельств на изобретения, 5 отчетов по НИР.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Предложенный впервые сотрудниками Казанского физико-технического института с участием автора настоящей работы, принципиально новый способ лазерного отжига ионно-легированных полупроводников заложил основы нового научно-технического направленияимпульсной модификации полупроводников. Обнаруженные уникальные возможности импульсных методов и протекающие при этом физические явления привлекли внимание, как передовых научных центров, так и разработчиков полупроводниковой техники. В течение короткого времени ряд импульсных методов нашел широкое промышленное применение в технологии современных интегральных схем.

В то же время широкий диапазон длительностей импульсных воздействий, многообразие и сложность процессов, протекающих при этом в полупроводниках, потребовали проведения комплекса дополнительных исследований, явившегося предметом данной работы.

В процессе работы автором изучен ряд закономерностей и особенностей импульсных методов в широком диапазоне длительности воздействия на полупроводниковые материалы. Основное внимание было направлено на процессы фазовых переходов в разупорядоченных полупроводниковых слоях, протекающие при воздействии интенсивными излучениями, на изучение структуры и электрофизических параметров модифицированных слоев, а также на разработку новых методов, расширяющих технологические возможности направления импульсной модификации полупроводников.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К.А. Микроэлектроника: достижения и пути развития. -М.: Наука, 1986. — 142с.
  2. Дж., Эриксон JI., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. Пер. с англ. -М.: Мир, 1970. -296с.
  3. Е.И., Павлов П. В., Тетельбаум Д. И. Ионное легирование полупроводников. -М.: Энергия, 1§ 75. -128 с.
  4. X., Руге И. Ионная имплантация. Пер. с нем. -М.: Наука, 1983. -360с.
  5. И.А., Андронов А. Н., Титов А. И. Физические основы электронной и ионной технологии. -М.: Высш.шк., 1984. -320с.
  6. Дж.С., Поут Дж.М. Ионная имплантация и лучевая технология. Пер. с англ. -Киев: Наук, думка, 1988. -360с.
  7. Технология ионного легирования. Пер. с японск. Ред. С. Намба. -М.: Советское Радио, 1974. -159 с.
  8. С.И., Имас Я. А., Романов Г. С., Ходыко Ю. В. Действие излучения большой мощности на металлы. -М.: Наука, 1970.-272 с.
  9. Дж. Действие мощного лазерного излучения. Пер. с англ. -М.: Мир, 1974, -468с.
  10. Л.И. Физические основы обработки материалов лучами лазера. -М.: Изд. МГУ, 1975.-383 с.
  11. П.Вейко В. П., Либенсон М. Н. Лазерная обработка. -Л.: Лениздат, 1973. -191с. '
  12. . Оптические процессы в полупроводниках. Пер. с англ. -М.: Мир, 1973. -456 с.
  13. B.C. Действие излучения на полупроводники. -М.: ФМ, 1963. -264 с.
  14. Р. Полупроводники. Пер. с англ. -М.: Мир, 1982. -560 с.
  15. Crowder B.L., Title R.S., Brodsky М.Н., Pettit G.D. ESR and optical absorption studies of ion-implanted silicon// Appl. Phys. Lett. -1970, v. 16, N 5, p.205−208.
  16. Meyer J.R., Kruer M.R., Bartoli F.J. Optical heating in semiconductors: Laser damage in Ge, Si, InSb, and GaAs // J. Appl. Phys. -1980, v.51, N 10, p.5513−5522.
  17. A.A., Мехтиев Р. Ф., Рыбкин C.M., Салманов В. М., Ярошецкий И. Д. Поглощение лазерного излучения и разрушение в полупроводниках // ФТТ. -1967, т.9, № 5, с. 1390−1397.
  18. Л.М., Вавилов B.C., Галкин Г. Н. Изменение оптических свойств и концентрация носителей заряда в Si и GaAs при интенсивном фотовозбуждении рубиновым ОКГ // ФТП. -1967, т.1, № 9, с.1351−1357.
  19. М.И., Лифшиц И. М., Танатаров Л. В. Релаксация между электронами и решеткой //ЖЭТФ. -1956, т.31, № 2 (8), с.232−237.
  20. Л.М., Вавилов B.C., Галкин Г. Н. Концентрация носителей заряда в полупроводнике, освещенном оптическим квантовым генератором // ФТТ. -1967, т. 9, № 3, с.854−858.
  21. Л.М., Боброва Е. А., Вавилов B.C., Галкин Г. Н. О рекомбинации неравновесных носителей в кремнии при высоких уровнях фотовозбуждения // ФТТ. -1967, т.9, № 11, с.3221−3228.
  22. Е.А., Вавилов B.C., Галкин Г. Н. Отражение света в ИК области от кремния при высокой концентрации неравновесных носителей // ФТТ. -1970, т. 12, № 4, с. 1232−1235.
  23. .М., Патрин A.A., Ярошецкий И. Д. Поглощение света неравновесными носителями и рекомбинация в кремнии при высоких уровнях возбуждения // ФТП. -1971, т.5, № 9, с. 1681−1686.
  24. В.А., Литовченко В. Г., Глинчук К. Д. Процессы рекомбинации носителей тока на поверхности Ge и Si при лазерном возбуждении // ФТП. -1972, т.6, № 10, с. 1936−1944.
  25. К.Д., Литовченко В. Г., Линник Л. Ф. Рекомбинация электронов и дырок на глубоких примесных центрах в кремнии при лазерном возбуждении // ФТП. -1973, т.7, № 3, с.603−605.
  26. В.А., Литовченко В. Г., Сукач Г. А., Корбутяк Д. В. Применение лазеров для исследования неравновесных приповерхностных процессов в полупроводниках // Кв. электроника. -1974, № 8, с.43−50.
  27. И.В., Коробков H.H., Отблеск А. Е., Сергеев В. Г., Определение постоянной Оже-рекомбинации при сверхвысоких уровнях инжекции // ФТП. -1977, т. 11, № 9, с.1691−1696.
  28. Ю., Гривицкас В., Стораста Ю. Электронно-дырочное рассеяние и рекомбинация неравновесных носителей заряда в кремнии при высоком уровне возбуждения // ФТП. -1975, т.9, № 7, с. 1339−1345.
  29. Jarasiunas К., Vaitkus J. Investigation of non-equilibrium processes in semiconductors by the method of transient holograms // Phys. Stat. Solidi (a). -1977, v.44, N 2, p.793−800.
  30. Ф.Ф., Новиков А. П., Соловьев B.C., Ширяев С. Ю. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии. -Мн.: Университетское, 1990. -320с.
  31. М.А., Комаров Ф. Ф. Энергетические потери и пробеги ионов в твердых телах. -Мн.: БГУ, 1979. -319с.
  32. К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов. Пер. с англ. -М.: Атомиздат, 1979. -296с.
  33. А.Н., Лигачев А. Е., Куракин И. Б. Воздействие пучков заряженных частиц на поверхность металлов и сплавов. -М.: Энергоатомиздат, 1987. -184 с.
  34. О.Г., Горин Ю. Н., Попов В. Ф. Корпускулярно-фотонная технология. -М.: ВШ, 1984. -240 с.
  35. Von Almen M.F. Fundamentals of energy deposition / In:" Laser annealing of semiconductors" Eds. J.M. Poate, J.W. Mayer. -N.Y.: Acad. Press, Chapter 3, p.43−74.
  36. Hodgson R.T., Baglin J.E.E., Pal R., Neri J.M., Hammer D.A. Ion beam annealing of semiconductors // Appl. Phys. Lett. -1980, v.37, № 2, p. 187−189.
  37. Е.И., Хайбуллин И. Б., Галяутдинов М. Ф., Зарипов М. М. Ионно-легированный слой новый материал для записи голограмм // Опт. и спектр. -1975, т.38, № 5, с. 1031−1033.
  38. И.Б., Титов В. В., Штырков Е. И., Зарипов М. М., Страшко В. П., Кузьмин К. П. Лазерный отжиг имплантационных слоев // Труды Междунар. совещ. по ионному легированию полупроводников. -Будапешт, 1975, с.212−246.
  39. М.М., Хайбуллин И. Б., Штырков Е. И. Отжиг ионно-легированных слоев под действием лазерного излучения // Успехи физич. наук. -1976, т. 120, № 4, с.706−708.
  40. И.Б., Штырков Е. И., Зарипов М. М., Галяутдинов М. Ф., Закиров Г. Г. О коэффициенте использования внедренной примеси при лазерном отжиге ионно-легированных слоев на кремнии // ФТП. -1977, т.11, № 12, с.330−334.
  41. Khaibullin I.B., Shtyrkov E.I., Zaripov М.М. Laser annealing of ion implanted semiconductors // J. Phys. Soc. Japan. -1980, v.49A, p.1281−1290.
  42. А.Х., Герасименко H.H., Двуреченский A.B., Смирнов Л. С., Цейтлин Г. М. Распределение внедренной в кремний примеси после лазерного отжига // ФТП. -1976, т.10, № 1, с.139−140.
  43. Dvurechensky A.V., Kachurin G.A., Antonenko A.Kh. The mechanisms of impurity redistribution on laser- annealing of ion implanted semiconductors // Radiation Eff. -1978, v.37, N 3−4, p. 179−181.
  44. Г. А., Придачин Н. Б., Смирнов JI.C. Отжиг радиационных дефектов импульсным лазерным облучением // ФТП. -1975, т.9., № 7, с. 1428−1429.
  45. В.А., Гаврилов A.A., Качурин Г. А., Смирнов JI.C. Имплантированные р-п переходы в GaAs, полученные с применением импульсного лазерного отжига // ФТП. -1976, т.10, № 7, с.1392−1394.
  46. Г. А., Нидаев Е. В., Ходячих A.B., Ковалева Л. А. Отжиг имплантированных слоев сканирующим лазерным лучом // ФТП. -1976, т.10, № 10, с 1890—1893.
  47. В.А., Качурин Г. А. Формирование низкоомных полупроводниковых слоев на p-InSb импульсным лазерным облучением //ФТП.-1977, т. 11 ,№ 1, с.100−102.
  48. Г. А., Нидаев Е. В. О диффузии примеси при лазерном отжиге имплантированных слоев // ФТП. -1977, т.11, № 3, с.603−606.
  49. Г. А., Нидаев Е. В. Об эффективности отжига имплантированных слоев миллисекундными лазерными импульсами // ФТП. -1977, т.11, № 10, с.2012−2014.
  50. Т.Н., Качурин Г. А., Придачин Н. Б., Попов В. П., Серяпин В. Г., Смирнов Л. С. Диффузия цинка при лазерном отжиге имплантированных слоев кремния // ФТП. -1978, т.12, № 7, с.1312−1317.
  51. Г. А., Нидаев Е. В., Конышев В. В. Сравнительный анализ лазерного и термического отжигов кремния, имплантированного малыми дозами // ФТП. -1978, т.12, № 10, с.2062−2065.
  52. Г. А., Нидаев E.B. Лазерный отжиг точечных дефектов в кремнии и арсениде галлия // ФТП. -1980, т. 14, № 3, с.424−427.
  53. Г. А., Ловягин Р. Н., Нидаев Е. В., Романов С. И. Эпитаксиальная кристаллизация слоев GaP на Si наносекундными лазерными импульсами // ФТП. -1980, т.14, № 3, с. 111−113.
  54. Г. А., Нидаев Е. В., Данюшкина Н. В. Отжиг дефектов наносекундными лазерными импульсами после внедрения малых доз ионов // ФТП. -1980, т. 14, №.4, с.656−660.
  55. Foti G., Rimini E., Vitali G., Bertolotti M. Amorphous-poly crystal: Transition induced by laser pulse in self-ion implanted silicon // Appl. Phys. -1977, v. 14, p.189−191.
  56. Bertolotty M., Vitaly G, rimini E., Foti G. Structure transitions in amorphous Si under laser irradiation // J. Appl. Phys. -1979, v.51, N1, p.259−265.
  57. Cohen R.L., Williams J.S., Feldman L.S., West K.W., Thennally assisted flash annealing of silicon and germanium // Appl. Phys. Lett., 1978, v.33, N 8, p. 751−753.
  58. Bomke H.A., Berkowitz H.L., Harmatz M. et al Annealing of ion-implanted silicon by an icoherent light pulse // Appl. Phys. Lett., 1978, v.33, N11, p.955−957.
  59. Gat A., Gibbons J.F. A Laser-scanning apparatus for annealing of ionimplantation damage in semiconductors // Appl. Phys. Lett. -1978, v.32, N 3, p. 142−144.
  60. Gat A., Gibbons J.F., Magge T.J. et al. Use of a scanning cw Kr laser to obtain diflusion-free annealing of B- implanted silicon // Appl. Phys. Lett. -1978, v.33, N5, p. 389−391.
  61. Auston D.H., Golovchenko J.A. Smith P.R. et al .Cw argon laser annealing of ion-implanted silicon // Appl. Phys. Lett. -1978, v.33, N 6, p. 539−541.
  62. Williams J.S., Browwn W.L., Leamy H.J. et al. Solid-phase epitaxy of implanted silicon by cw Ar ion laser irradiation // Appl. Phys. Lett. -1978, v.33, N 6, p.542−544.
  63. Gat A., Lietoila A., Gibbons J.F. A study of the mechanism of cw laser annealing of arsenic-implanted silicon // J. Appl. Phys. -1979, v.50, N 4, p.2926−2929.
  64. Lietoila A., Gibbons J.F., Magee T.J. Solid solubility of As in Si as determined by ion implantation and cw laser annealing // Appl. Phys. Lett. -1979, v.35, N 7, p.532−534.
  65. Foti G., Rimini E., Bertolotti M., Vitali G. Amorphous thickness dependence in the transition to single crystal induced by laser pulse // Phys. Lett. -1978, V.65A, N 5−6, 430−432.
  66. Auston D.H., Surko C.M., Venkatessan T.N.C. et al Time resolved reflectivity of ion-implanted silicon during laser annealing // Appl. Phys. Lett. -1978, v.33, N 5, p.437−440.
  67. Auston D.H., Golovchenko J.A., Simons A.L., Surko C.M., Venkatesan T.N.C. Dynamics of Q-switched laser annealing // Appl. Phys. Lett. -1979. v.34, N 11, p.777−779.
  68. Golovchenko J.A., Venkatesan T.N.C. Annealing of Te-implanted GaAs by ruby laser irradiation // Appl. Phys. Lett. -1978. v.32, N 3, p.147−149.
  69. Gibson J. M, Tsu R. Avidence for partial solid-state regrowth during pulsed laser annealing // Appl. Phys. Lett. -1980, v.37, N 2, p.197−200.
  70. Wang J.C., Wood R.F., Pronko P.P. Theoretical analysis of thermal and mass transport in ion-implanted laser-annealed silicon // Appl. Phys. Lett. -1978, v.33, N 5., p.455−458. '
  71. Baeri P., Campisano S.U., Foti G., Rimini E. A melting model for pulsing laser annealing of implanted semiconductors // J. Appl. Phys. -1979, v. 50, N 2, p.788−797.
  72. Baeri P., Campisano S.U., Foti G., Rimini E. Segregation effects in Cu implanted Si after laser pulse melting // Phys. Rev. Lett. -1978, v.41, N 18, p.1246−1249.
  73. Baeri P., Campisano S.U., Foti G., Rimini E. Arsenic diffusion in Si melted by high-power nanosecond laser pulsing // Appl. Phys. Lett. -1978, v.33, N 2, p.137−140.
  74. White C.W., Narayan J., Appleton B.R., Wilson S.R. Impurity segregation by pulsed laser irradiation // J. Appl. Phys. -1979, v.50, N 4, p. 2967−2969.
  75. Greenwald A.C., Kirkpatrik A.R., Litle R.G., Minnucci J.A. Pulsed- electron beam annealing of ion-implantation damage // J. Appl, Phys. -1979, v.50, N 2, p.783−787.
  76. Kamins T.I., Rose P.H. Electron-beam annealing of ion-implantation damage in integrated-circuit devices // J. Appl. Phys. -1979, V.50, № 3, p.1038−1311.
  77. Yuba J, Gamo K., Murakami K., Namba S. Laser-irradiation effects on unencapsulated GaAs studied by capacitance spectroscopy // Appl. Phys. Lett. -1979, v.35, N 2, p.156−158.
  78. Narayan J., Young R.T., White C.W. A comparison study of laser and thermal annealing of boron-implanted silicon // J. Appl. Phys., 1978, v.49, N 7, p.3912−3917.
  79. Young R.I., Narayan J. Laser annealing of diffusion-induced imperfections in silicon // Appl. Phys. Lett. -1978, v.33, N 1, p.14−16.
  80. Narayan J. Deph of melting produced by pulsed-laser irradiation // Appl. Phys. Lett. -1979, v.34, N 5, p.312−315.
  81. Liu P.L., Yen R., Blombergen N., Hodgson R.T. Picosecond laser-induced melting and resolidification morphology on Si // Appl. Phys. Lett. -1979, v.34, N12, p.864−866.
  82. Tsu R, Hodgson R.T., Tan T.Y., Baglin J.E. Order-disorder transition in single-crystal silicon induced by pulsed uv laser irradiation // Phys. Rev. Lett. -1979, v.42, N 20, p.1356−1357.
  83. Van Vechten J.A., Tsu R., Saris F.W., Hoonhout D. Reasons to believe pulsed laser annealing of Si does not involve simple Thermal melting // Phys. Lett. -1979, V.74A, N 6, p.417−421.
  84. Van Vechten J.A., Tsu R., Saris F.W. Nonthermal pulsed laser annealing of Si: Plasma annealing // Phys. Lett. -1979, V.74A, N 6, p.422−426.
  85. Lo H.W., Compaan A. Raman measurement of lattice temperature during pulsed laser of silicon // Phys. Rev. Lett. -1980, v.44, N 24, p.1604−1607.
  86. White C.W., Wilson S.R., Appleton B.R., Young F.W. Supersaturated substitutional alloys formed by ion implantation and pulsed laser annealing of group-Ш and group-V dopants in silicon // J. Appl. Phys. -1980, v.51,N 1, p. 738−749.
  87. Narayan J., Naramoto H., White C.W. Cell formation and interfacial instability in laser annealed Si-In and Si-Sb alloys // J. Appl. Phys. -1982, v.53,N 2, p. 9123−915.
  88. Heinig K.H., Hohmath K., Klabes R., Voelskow V., Woittennek. Flash lamp annealing of ion implanted silicon //Radiation Effects. 1982, v.63, p. 115−123.
  89. Narayan J., White C.W., Holland O.W., Aziz M.J. Phase transformation and impurity redistribution during pulsed laser irradiation of amorphous silicon layers //J. Appl. Phys. -1984, v.56,N 6, p. 1821−1830.
  90. A.B., Качурин Г. А., Нидаев E.B., Смирнов JI.С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. -М.: Наука, 1982.•4208 с.
  91. Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными, электронными пучками / Ред. Поут Дж., Фоти Г., Джекобсон Д. К. / Пер. с англ. -М.: Машиностроение, 1987. -424 с.
  92. Cullis A.G., Transient annealing of semiconductors by laser, electron beam and radiant heating techniques // Rep. Progr. Phys. -1985, v.48, p. l 155−1233.
  93. С.Ю., Ковальчук Ю. В., Погорельский Ю. В., Плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения // ФТП. -1986, т.20, № 11, с.1889−1896.
  94. И.Б., Смирнов JI.C. Импульсный отжиг полупроводников. Состояние проблемы и нерешенные вопросы // ФТП. -1986, т. 19, № 4, с 569−591.
  95. .М. Импульсный лазерный отжиг полупроводников // Физика и химия обработки материалов. -1988, № 4, с.5−15.
  96. Borisenko V.E., Gribkovskii V.V., Labunov V.A., Yudin S.G. Pulsed heating of semiconductors // Phys. Stat. Solidi (a). -1984, v.86, N 2, p.573−583.
  97. Anna E.D., Leggieri G., Luches A. Laser synthesis of thin films of metal silicides // Thin Solid Films. -1992, v.218, p.95−108.
  98. Ю.А. Омический контакт Me полупроводник A3B5: методы создания и свойства // ФТП. — 1994, т.28, № 10, с.1681−1688.
  99. Galvin G.J., Thompson M.O., Mayer J.W., Peercy P. S., Hammond R.B.,
  100. Paulter N. Time-resolved conductance and reflectance measurements ofisilicon during pulsed-laser annealing // Phys. Review B. -1983, v.27, N2, p.1079−1087.
  101. Fastow R., Maron Y., Mayer J. Pulsed ion-beam melting of silicon // Phys. Review B.-1985, v.31, N 2, p.893−898.
  102. Cullis A.G., Webber H.C., Chew N.G., Poate J.M., Baeri P. Transitions to defective crystal and the amorphous state induced in elemental Si by laser quenching // Phys. Rev. Lett. -1982, v.49, N 3, p. 219−222.
  103. Liu P.L., Yen R., Blombergen N. Picosecond laser-induced melting and resolidification morphology on Si // Appl. Phys. Lett. -1979, v.34, N 12, p.864−866.
  104. Liu P.L., Kurz H., Blombergen N. Picosecond time-resolved plasma and temperature-induced changes of reflectivity and transmission in Si // Appl. Phys. Lett. -1982, v.41, N 7, p.643−646.
  105. .И., Ковальчук Ю. В., Погорельский Ю. В., Смольский О. В., Соколов И. А. Новый фазовый переход в Si и GaAs под действием пикосекундных лазерных импульсов // Письма в ЖТФ. -1983, т.9, № 22, с.1373−1376.
  106. .И., Ковальчук Ю. В., Смольский О. В., Соколов И. А. Аморфизация монокристаллического арсенида галлия под действием пикосекундных световых импульсов // Письма в ЖТФ. -1983, т.9, № 15, с.897−899.
  107. Narayan J. Interface instability and cell formation in ion implanted and laser-annealed silicon // J. Appl. Phys. -1981, v.52,N3, p. 1289−1293.
  108. Wood R.F. Model for nonequilibrium segregation during pulsed laser annealing // Appl. Phys. Lett. -1980, v.37, N 3, p.302−304.
  109. Aziz M.J. Model for solute redistribution during rapid solidification // J. Appl. Phys. -1982, v.53, N 2, p.1158−1168.
  110. Hoonhout D., Saris F.W. Dopant segregation in silicon pulsed-laser annealing: a test case for the concept of thermal melting // Phys. Lett. -1979, v.74 A, N3−4, p.253−256.
  111. Narayan J., White C.W. Pulsed laser melting of amorphous silicon layers // Appl. Phys. Lett. -1984, v.44, N 1, p.35−37.
  112. Spaepen F., Turnbull D. Kinetics of motion of crystal-melt interfase / In: «Laser-Solid Interaction and Laser Processing: Eds Ferris S.D., Leamy. H.J., Poate J.M. -N.Y.: Amer. Inst. Phys., 1979, v.50, p.73−83.
  113. Csepregi L., Mayer J.W., Sigmon T.W. Channeling effect measurements of the recrystallization of amorphous Si layers on crystal Si // Phys. Lett. -1975, v.54A, N2, p.157−158.
  114. Csepregi L., Mayer J.W., Sigmon T.W. Regrowth behavior of ion implanted amorphous layers on (111) silicon // Appl. Phys. Lett. -1976, v.29, N 2, p.92−93.
  115. Csepregi L., Kullen R.P., Mayer J.W., Sigmon T.W. Regrowth kinetic of amorphous Ge layers created by 74Ge and 28Si implantation of Ge crystals // Solid State Commun. -1977, v.21, p. l 1019−1021.
  116. Zellama K., Germain P., Squelard S. e.a. Crystallization in amorphous silicon// J. Appl. Phys. -1979, v.50, N11, p.6995−7000.
  117. Campisano S.U., Foti G., Baery P., Grimaldi M.F., Rimini E. Solute trapping by moving interface in ion implanted silicon // Appl. Phys. Lett. -1980, v.37, N8, p.719−722.
  118. Revesz P., Roth J., Mayer J.M. Epitaxial regrowth of Ar-implanted silicon // J. Appl. Phys. -1978, v.49, p.5199−5206.
  119. Cullis A.G., Seided Т.Е., Meek R.L. Comparative study of annealed neon-, argon- and krypton ion implanted damage in silicon // J. Appl. Phys. -1978, v.49, N10, p.5188−5198.
  120. Von Almen M.F., Luthy W. Anisotropic melting and epitaxial growth of laser-irradiated silicon // Appl. Phys. Lett. -1978, v.33, N11, p.824−825.
  121. В.П., Дорофеев И. А., Имас Я. И. и др. Образование периодических структур на поверхности кремния под действием миллисекундного импульса неодимового лазера // Изв. АН СССР, Сер. Физич. 1985, т.49, № 6, с.1236−1239.
  122. В.В., Кияк С. Г., Савицкий Г. В. и др. Динамика нагрева, плавления и перекристаллизации полупроводников миллисекундными импульсами лазерного излучения // Изв. АН СССР, Сер. Физическая. -1985, т.49, с.769−772.
  123. С.Г., Бончик А. Ю., Гафийчук В. В. и др. Анизотропное плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения // Докл. АН УССР, Сер.А. Физ.-мат. и техн. наук, 1987, № 5, с.61−65.
  124. С.Г., Бончик А. Ю., Гафийчук В. В. и др. Формирование регулярного рельефа на поверхности полупроводников под действием миллисекундных лазерных импульсов // Укр. физич. Журнал. 1987, т.32,№ 7, с. 1979−1983.
  125. А.В., Пристрем A.M., Данилович Н. И. и др. Локальное плавление кремния лазерным излучением миллисекундной длительности // Поверхность. Физика, химия, механика. 1987, № 12, с.89−97.
  126. А.В., Данилович Н. И., Лабунов В. А. и др. Образование и развитие поверхностных периодических структур на кремнии при воздействии лазерного излучения миллисекундной длительности // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988, № 1, с. 101−108.
  127. СЛ., Данилович Н. И., Демчук A.B. и др. Динамика перекристаллизации кремниевых слоев импульсным лазерным излучением миллисекундной длительности // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988, № 1, с.115−123.
  128. A.B., Казючиц Н. М., Лабунов В. А. и др. Особенности дефектообразования при перекристаллизации монокристаллического кремния импульсным лазерным излучением миллисекундной длительности // Поверхность. Физика, химия, механика. 1990, № 12, с.97−103.
  129. A.B., Лабунов В. А. // Поверхность. Физика, химия, механика. -1991, № 2, с.103−109.
  130. Celler G.K., Robinson Mc.D., Trimble L.E. Spatial melt instabilities in radioactively melted crystalline silicon // Appl. Phys. Lett. -1983, v.43, N 9, p.868−871.
  131. Heinig K.-H. Effect of local melting on semiconductor surfaces // Zentralinst. Kernforsch. Rossendorf, Dresden, 1985, pt. l, p.265−279.
  132. Heinig K.-H., Voelskow M.V., Mattai J., Zetzche A., Trentler С. Local Melting by nucleation on the surface of single crystalline silicon // Zentralinst. Kernforsch. Rossendorf, Dresden, 1985, pt. l, p.280−286.
  133. B.B., Гашпар В. Э. Возникновение неоднородных структур при импульсном разогреве полупроводников // ФТП. -1985, т.27, № 5, с.1354−1358.
  134. С.П., Герасименко H.H., Мясников A.M. Анизотропное плавление на дефектах структуры кремния // Поверхность. Физика, химия, механика. -1988, № 5, с. 69−73.
  135. А.И., Рембеза С. И., Логинов В. А. Влияние дефектов поверхности на особенности локального плавления кремния// Поверхность. Физика, химия, механика. -1988, № 9, с. 149−151.
  136. А.И., Логинов В. А., Рембеза С. И. Исследование природы центров поверхностного плавления полупроводников в условиях импульсного нагрева //Высокочистые вещества. -1989, № 6, с.174−178.
  137. В.А., Борисенко В. Е., Грибковский В. В., Корнилов С. Н. Отжиг имплантированных фосфором слоев кремния секундными импульсами некогерентного света // Электронная техника, сер.2.-1984, № 3, с.73−77.
  138. Г. Д. Динамика отжига ионно-легированного кремния моноимпульсным излучением рубинового лазера // Письма в ЖТФ. -1982, т8, № 8, с.468−472.
  139. P.P., Дементьев A.C., Косенко Е. К. Формирование субнаносекундных импульсов при ВРМБ излучения импульсно-периодического лазера // Квантовая электроника. -1985, т. 12, № 10, с.2024−2028.
  140. Р.Р., Гирдаускас В. В., Дементьев A.C., Иванов В. Б., Косенко Е. К., Мак A.A., Паперный С. Б., Серебряков В. А. Каскадная ВР-компрессия импульсов АИГ: Nd-лазера // Квантовая электроника. -1987, т. 14, № 11, с.2266−2268.
  141. Isakov I.F., Kolodii V.N., Opekunov M.S., Matvienko V.M., Pechenkin S.A., Remnev G.E., Usov Yu.P. Sources of high ion beams for technological applications // Vacuum. -1990, v.42, N½, p. 159−162.
  142. Д.В., Курильников C.B., Осепашвили Т. А. Электронная пушка с холодным катодом на токи-105 А в импульсе // ПТЭ. -1974, № 5, с.26−28.
  143. Д.В., Осепашвили Т. А., Какучая П. И. Формирование высокоинтенсивных микросекундных электронных пучков // Письма в ЖТФ.-1975, т.1, № 11, с.508−511.
  144. Д.В., Осепашвили Т. А., Какучая П. И. Характерные особенности формирования высокоинтенсивных микросекундныхvэлектронных пучков в пушке с плазменным анодом // Письма в ЖТФ. -1977, т. З, № 23, с.1241−1245.
  145. Импульсные источники света/ Ред. И. С. Маршак, A.C. Дойников, В. П. Жильцов, -М.: Энергия, 1978. 472 с.
  146. Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. -М.: Высш. шк., 1987. -239с.
  147. В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев. -М.: Сов. радио, 1976. -103с.
  148. Vaughan D.E. Four-probe resistivity measurements on small circular specimens // Brit. J. Appl. Phys. -1961. v. 12, N8, p.414−416.
  149. B.B., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. -М.: Радио и связь, 1985. -264с.
  150. Ю.В., Добровольский В. Н., Стриха В. И. Методы исследования полупроводников. -К.: Выща шк., 1988. -232с.
  151. A.B., Серяпин В. Г. Анодное окисление кремния. -Новосибирск: препринт, 1977. -25с.
  152. Pianetta P.A., Stolte С.A., Hansen J.L. Nonalloyed ohmic contacts to electron-beam-annealed Se-ion-implanted GaAs // Appl. Phys. Lett. -1980, v.36, -N7, p.597−599.
  153. С.М. Обработка поверхности полупроводниковых приборов. -М.: Энергия, 1966. -256с.
  154. Johansson N.G.E., Mayer J.W., Marsh O.J. Technique used in Hall effect analysis of ion implanted Si and Ge // Sol. State Electron. -1970, v. 13, p.317−335.
  155. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1963.- 494 с.
  156. А.К., Железняков Ф. Г., Малышев И. Ф. и др. Электростатические ускорители заряженных частиц -М.: Госатомиздат, 1963.-303 с.
  157. Jager J.C. Conduction of heat in tissue supplied with blood // Brit. J. Appl. Phys. -1952, v.3, p.221−222.
  158. Cook M.F. A physical investigation of heat production in human tissues when exposed to microwaves // Brit. J. Appl. Phys. -1952, v.3, p. 1−6.
  159. Masters J.I. Problem of intense surface heating of a slab accompanied by change of phase // J. Appl. Phys. -1956, v.21, N 5, p.447−484.
  160. Cohen M.J. Melting of half-space subjected to a constant heat input // J. Franclin Institute. -1967, v.283, p.271−285.
  161. Wagner R.E. Laser drilling mechanics // J. Appl. Phys. -1974, v.45, N10, p.4631−4637.
  162. B.H. Изменение температуры среды под действием лазерного импульса // Оптика и спектроск. -1966, т.20, № 2, с.370−371.
  163. Г., Егер Д. Теплопроводность твердых тел. Пер с англ. -М.: Наука, 1964. -488с.
  164. А.А. Введение в теорию разностных схем. -М.: Наука, 1971.-550с.
  165. А.С., Пушкарский А. С., Горбачев В. В. Теплофизические свойства полупроводников. -М.: Атомиздат, 1972. -200с.
  166. Handbook of Chem. and Phys. 51 ed., Ed.R.C. Weast. -Ohio.: The Chem. Rubber Co, 1970−1971.
  167. Kucirkova A. Optical reflectance study of damage produced by nitrogen and tellurium ions implanted into silicon // Scripta Facultaties Scientiarum Naturalium Universitas Purkynianae Brunensis, Physica 2. -1974, v.4, p.65−77.
  168. K.M., Баум Б. А., Гельд П. В. Оптические свойства жидкого кремния // ФТТ. -1974, т.16, № 11, с.3246−3248.
  169. Biersack J.P., Haggmark L.G. A Monte Carlo computer program for the transport of energetic ions in amorphous targets // Nucl. Instr. and Methods. -1980, v.174, p.257−269.
  170. B.M. Моделирование на ЭВМ имплантации больших доз ионов азота низкой энергии в кремний // Поверхность. Физ., хим., механ. 1987, № 2, с. 68−73.
  171. . Теория затвердевания. Пер с англ. -М.: Металлургия, 1968. -288с.
  172. А. Плавление и кристаллическая структура. Пер с англ. -М.: Мир, 1969. -420с.
  173. Р., Паркер Р. Рост кристаллов. Пер с англ. -М: Мир, 1974. -542с.
  174. Smith V.G., Tiller W.A., Rutter J.M. A mathematical analysis of solute redistribution during solidification // Canad. J. Phys. -1955, v.33, p.723−745.
  175. .М. Методы оценки коэффициентов диффузии примесей в полупроводниковом кремнии // Ж. Физ. Хим. -1962, т.36, ?.8, с.1815−1818.
  176. Ю.М., Гуревич В. М. Диффузия примесей в расплавленном кремнии//Ж. Физ. Хим. -1968, т.42, т.8, с.2058−2060.
  177. Kodera H. Diffusion coefficients of impurities in silicon melt // Jap. J. Appl. Phys.1963, v.2, N4, p.212−219.
  178. B.M., Земсков B.H. Физико-химические основы легирования полупроводников. -М.: Наука, 1967. -372с.
  179. В.А., Борисенко В. Е., Грибковский В. В. Импульсная термообработка материалов полупроводниковой электроники некогерентным светом // Зарубежная электронная техника. 1983, № 1 (259), с.3−55.
  180. Nashiyama К., Arai М., Watneba N. Radiation annealing of boron implanted silicon with a halogen lamp // Jap. J. Appl. Phys. 1980, v. l9, N10, p. L563-L566.
  181. Narayan J., White C.W. Pulsed laser melting of amorphous silicon layers // Appl. Phys. Lett.- 1984, v.44, N1, p.35−37.
  182. Lue J.T. Arc annealing of BF2+implanted silicon by a short pulse flash lamp // Appl. Phys. Lett. 1980, v.36, N1, p.73−76.
  183. Goldsmid H.J., Kaila M.M., Paul G.L. Thermal conductivity of amorphous silicon // Phys. Status Solidi. 1983, v. A86, N1, p. K31-K33.
  184. Irvin J.C. Resistivity of bulk silicon and of diffused layers in silicon// Bell Sist. Techn. J. 1962, v.41, N2, p.387−394.
  185. B.A., Ивлев Г. Д., Жидков В. В., Малевич В. Л. Пирометрическое измерение температуры кремния при наносекундном лазерном отжиге // Письма в ЖТФ. 1983, т.9, № 10, с.594−597.
  186. Aleksandrov L.N. Structural transformation in silicon by pulse heating // Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials. 1992, v.24, N1, p.53−109.
  187. Baeri P., Campisano S.U., Grimaldi M.G., Rimini E. Experimental investigation of the amorphous silicon melting temperature by fast heating processes // J. Appl. Phys. -1982. -v.53, N12, p.8730−8733.
  188. Nissim Y.I., Sapriel J., Oudar J.L. Microprobe Raman analysis of picosecond laser annealed implanted silicon // Appl. Phys. Lett. 1983, v.42, N6, p.504−506.
  189. Smirl. A.L., Boyd I.W., Boggiss T.F., Moss S.C., van Driel H.M. Structural changes produced in silicon by intense 1 jam ps pulses // J. Appl. Phys. -1986, v.60,N3, p. l 189−1182.
  190. Narayan J. Interface instability and cell formation in ion-implanted and laser-annealed silicon // J. Appl. Phys. 1981, v.52, N3, p.1289−1293.
  191. П.В., Зорин Е. И., Тетельбаум Д. И. Ионное легирование арсенида галлия // Изв. Высших учебных заведений. Физика. 1980, № 1,с 76−90.
  192. Korotov V.F., Khitko V.I., Yurchenko V.A., Pivovar V.S. On the specific features of gallium arsenide doped with donor by ion implantation // Phys. Stat. Solidi (a). 1989, v. l 12, p.331−334.
  193. Tang A.C.T., Sealy B.J., Rezazadeh A.A. The influence of heat treatment on the electrical characteristics of selenium -implanted GaAs // J. Appl. Phys. 1990, v.67, N1, p.307−311.
  194. Pearton S.J., Ren F., Chu S.N.G., Abernathy C.R., Hobson W.S., Elliman R.G. Defects and ion redistribution in implant-isolated GaAs-based device structures // J. Appl. Phys. 1993, v.74, N11, p.6580−6586.
  195. Sen S., Burton L.C. Electrical characteristics of Mev Si-implanted and annealed GaAs // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Research. -1992, v. B71, p. 392−398.
  196. Ocubo S., Otoki Y., Watanabe M., Kuma S. Influence of boron in semi-insulating GaAs crystals on their Electrical activation by Si-Ion Implantation // Jap. J. Appl. Phys. 1993, v.32,N5a, p.1898−1991.
  197. Moll A.J., Ager J. W, Yu K.M., Walukiewicz W., Haller E.E. The effect of coimplantation of the electrical activity of implanted carbon in GaAs // J. Appl. Phys. 1993, v.74, p.7118−7123.
  198. Sugitani S., Hyuga F., Yamasaki K. Phosphorus coimplantation effects on optimum annealing temperature in Si-implanted GaAs // J. Appl. Phys. -1990, v.67, N1, p.552−554.
  199. Bhattacharya R.C., Rai A.K., Yeo Y.K., Pronko P.P., Ling S.C., Wilson S.R., Park Y.S. Si implantation in GaAs // J. Appl. Phys. 1983, v.54, N5, p.2329−2337.
  200. Pearton S.J., Poate J.M., Sette F., Gibson J.M., Jacobson D.C., Willams J.S. Ion implantation in GaAs // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research. -1987, v. В19−20, p.369−380.
  201. Wesch W., Gotz G. Rapid annealing of ion-implanted GaAs // Phys. Stat. Sol (a). 1986, v.94, p.745−766.
  202. С., Лебедев B.B. Соединения А3В5. -М.: Металлургия, 1984. -144с.
Заполнить форму текущей работой

Сдать сессию!