Π€ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎ-ΡΠ΅Ρ Π½ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠ΅ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Ρ ΡΠΈΡΡΠ΅ΠΌ ΠΏΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΎΡΠ° ΠΈΠ·ΠΎΠ±ΡΠ°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ Π½Π° ΡΡΡΠ΅ΠΊΡΠ΅ ΠΎΠ±ΡΠ°ΡΠ΅Π½ΠΈΡ Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΡΡΠΎΠ½ΡΠ° Π΄Π»Ρ ΠΌΠΈΠΊΡΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΡΠ΅Ρ Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ
Π ΡΠ²ΡΠ·ΠΈ Ρ ΡΡΠΈΠΌ ΠΎΠ±ΡΠ°ΡΠ°Π΅Ρ Π½Π° ΡΠ΅Π±Ρ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΡΡΡΠ΅ΠΊΡ ΠΎΠ±ΡΠ°ΡΠ΅Π½ΠΈΡ Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΡΡΠΎΠ½ΡΠ° (ΠΠΠ€) ΠΈΠ·Π»ΡΡΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠ΅Ρ Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌ ΡΠΎΡΠΌΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΠΈΠ·ΠΎΠ±ΡΠ°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ Π΄Π»Ρ Π»ΠΈΡΠΎΠ³ΡΠ°ΡΠΈΠΈ. Π Π°Π±ΠΎΡΡ ΠΏΠΎ Π»ΠΈΡΠΎΠ³ΡΠ°ΡΠΈΠΈ Ρ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡΡΡ ΠΠΠ€ ΡΠΆΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅Π»ΠΈ ΠΌΠ΅ΡΡΠΎ ΡΠ°Π½Π΅Π΅, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ, ΠΏΠΎ ΡΡΠ΄Ρ ΠΏΡΠΈΡΠΈΠ½, ΠΏΡΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΡΡ Π΄Π°Π»Π΅Π΅ Π² Π΄ΠΈΡΡΠ΅ΡΡΠ°ΡΠΈΠΈ, ΡΡΠΈ ΡΠ°Π±ΠΎΡΡ Π½Π΅ ΡΠ²Π΅Π½ΡΠ°Π»ΠΈΡΡ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΡΠΎΠΌΡΡΠ»Π΅Π½Π½ΡΡ ΡΡΡΠ°Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΊ. Π Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°ΡΠΈΡ ΡΠΈΡΡΠ΅ΠΌΡ ΠΏΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΎΡΠ° ΠΈΠ·ΠΎΠ±ΡΠ°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΠΠ€ Π³ΠΎΡΠ°Π·Π΄ΠΎ ΠΏΡΠΎΡΠ΅ ΡΠ°Π·ΡΠ°Π±ΠΎΡΠΊΠΈ… Π§ΠΈΡΠ°ΡΡ Π΅ΡΡ >
- Π‘ΠΎΠ΄Π΅ΡΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅
- ΠΡΠ΄Π΅ΡΠΆΠΊΠ°
- ΠΠΈΡΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΠ°
- ΠΡΡΠ³ΠΈΠ΅ ΡΠ°Π±ΠΎΡΡ
- ΠΠΎΠΌΠΎΡΡ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈ
Π‘ΠΎΠ΄Π΅ΡΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅
- 1. ΠΡΡΠΎΡΠΈΡ ΡΠ°Π·Π²ΠΈΡΠΈΡ ΠΈ ΡΠΎΠ²ΡΠ΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΡΠΎΡΡΠΎΡΠ½ΠΈΠ΅ Π»ΠΈΡΠΎΠ³ΡΠ°ΡΠΈΠΈ
- 2. Π’Π΅Π½Π΄Π΅Π½ΡΠΈΠΈ ΡΠ°Π·Π²ΠΈΡΠΈΡ Π»ΠΈΡΠΎΠ³ΡΠ°ΡΠΈΠΈ
- 3. ΠΠ΅Π΄ΠΎΡΡΠ°ΡΠΊΠΈ ΡΠ°Π·ΡΠ°Π±Π°ΡΡΠ²Π°Π΅ΠΌΡΡ
ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π»ΠΈΡΠΎΠ³ΡΠ°ΡΠΈΠΈ ΠΈ ΠΎΠ±ΡΠ°ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΡΡΠΎΠ½ΡΠ° (ΠΠΠ€)
- 3. 1. ΠΠ΅ΡΠΎΠ΄Ρ Π΄ΠΎΡΡΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΠΠ€
- 3. 1. 1. ΠΡΡΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΡΠ΅ΡΡΡΠ΅Ρ Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ ΡΠΌΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ (ΠΠ§ΠΠ‘)
- 3. 1. 2. ΠΡΠ½ΡΠΆΠ΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π Π°ΡΡΠ΅ΡΠ½ΠΈΠ΅ ΠΠ°Π½Π΄Π΅Π»ΡΡΡΠ°ΠΌΠ°-ΠΡΠΈΠ»Π»ΡΡΠ½Π°
- 3. 1. ΠΠ΅ΡΠΎΠ΄Ρ Π΄ΠΎΡΡΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΠΠ€
- 4. 1. ΠΠΊΡΠΏΠ΅ΡΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ
- 4. 2. ΠΠΊΡΠΏΠ΅ΡΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ
- 4. 1. ΠΠΊΡΠΏΠ΅ΡΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ
- 5. 1. ΠΠ°ΡΠ΅ΠΌΠ°ΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠ°Ρ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Ρ, ΠΎΠΏΠΈΡΡΠ²Π°ΡΡΠ°Ρ ΡΡ Π΅ΠΌΡ
- 6. 1. ΠΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ NA
- 6. 2. ΠΠ°Ρ ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°ΡΠ°ΠΌΠ΅ΡΡΠ° kj'
- 6. 3. ΠΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡΠ½ΡΠΉ ΠΏΡΠΎΡΠ°Π±Π°ΡΡΠ²Π°Π΅ΠΌΡΠΉ Π² ΡΠ΅Π·ΠΈΡΡΠ΅ ΡΠ°Π·ΠΌΠ΅Ρ dMHH ΡΠ΅Π· ΠΈ ΠΊΠΎΠ½ΡΡΡΡΠΊΡΠΈΡ ΡΡ Π΅ΠΌΡ ΡΠΎΡΠΌΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΠΈΠ·ΠΎΠ±ΡΠ°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ
- 8. 1. ΠΠ°Ρ ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΡΡΡΠΈΡΠΈΠ΅Π½ΡΠ° ΠΏΡΠΎΠΏΡΡΠΊΠ°Π½ΠΈΡ ΡΠ²Π΅ΡΠ° ΠΏΠΎΠ»ΡΠΏΡΠΎΠ·ΡΠ°ΡΠ½ΡΠΌΠΈ Π·Π΅ΡΠΊΠ°Π»Π°ΠΌΠΈ ΠΠ·Π΅Ρ
- 8. 2. ΠΠΎΡΡΡΠΈΡΠΈΠ΅Π½Ρ ΠΎΡΡΠ°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ ΡΠ²Π΅ΡΠ° ΠΎΡ ΡΠ°Π±Π»ΠΎΠ½Π° ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡΡΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π²ΡΠ΅ΠΌΡ ΡΠΊΡΠΏΠΎΠ½ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ
Π‘ΠΏΠΈΡΠΎΠΊ Π»ΠΈΡΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΡ
- Π‘ΡΠ°ΡΡΡ Π΅ΠΆΠ΅Π΄Π½Π΅Π²Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΆΡΡΠ½Π°Π»Π° Π² ΠΠ½ΡΠ΅ΡΠ½Π΅Ρ Semiconductor Business News, 05.05.00, J. Robertson: SVGL says new 193-nm scanner requires no phase-shift masks.
- ΠΠΈΡΡΠ΅ΡΡΠ°ΡΠΈΡ Π½Π° ΡΠΎΠΈΡΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΡΡΠ΅ΠΏΠ΅Π½ΠΈ Π΄ΠΎΠΊΡΠΎΡΠ° ΡΠ΅Ρ Π½ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ Π½Π°ΡΠΊ '"''ΠΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡΠΎΡΠ΅ΡΡΠ° ΡΠΎΡΠΎΠ»ΠΈΡΠΎΠ³ΡΠ°ΡΠΈΠΈ", X. ΠΠΈΡΡ Π°ΡΠ΅Ρ, ΠΠ΅Π½Π°, ΠΠ°ΡΡ, 1998.
- J. Sheats, Microlithography. Sciehce and Technology, 1998.
- Π‘ΡΠ°ΡΡΡ Π² ΠΠ½ΡΠ΅ΡΠ½Π΅ΡΠ΅ R. George, ASM Lithography: Developements in deep UV technology for high volume manufacturing of 0.25 micron semiconductor devices.
- Daniel A. Tichenor: EUV engineering test stand, SPIE Proc., vol. 3997, p. 48 (2000).
- Lloyd Harriot: Solid State Technology (1999, July) 73.
- Hans C. Pfeiffer: PREVAIL IBM’s e-beam technology for next generation lithography, SPIE Proc., vol. 3997, p. 206 (2000).
- Kazuaki Suzuki: Nikon EB stepper: its system concept and countermeasures for critical issues, SPIE Proc., vol. 3997, p. 214 (2000).
- R.S. Dhaliwal: PREVAIL — electron projection technology approach for next-generation lithography, IBM Journal of Research and Development, Vol. 45, No 5 (2001).
- Rainer Kaesmaier: Overview of the ion projection lithography European MEDEA and international. program, SPIE Proc., vol. 3997, p. 19 (2000).
- Technology Roadmap for Nanoelectronics (European Commission, 1ST programm «Future and Emerging Technologies», 2nd ed., 2000, November).15. «ΠΠ±ΡΠ°ΡΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΡΡΠΎΠ½ΡΠ°», Π. Π―. ΠΠ΅Π»ΡΠ΄ΠΎΠ²ΠΈΡ, Π. ΠΠ°ΡΠΊΠ°, 1985 Π³., 247 Ρ.
- Π. Levenson: Projection photolithography by wave-front conjugation, JOSA, Vol. 71, No 6, pp.737−743 (1981).
- M. Levenson: Photolithography experiments using forced Rayleigh scattering, J. Appl. Phys., Vol. 54, No 8, pp.4305−43 13 (1983).
- Π’ΡΡΠ½ΠΈΠ½ Π.Π., ΠΠ°Π²ΡΠΈΡΠ΅Π² Π. Π., ΠΠΈΠΊΠΈΡΠΈΠ½ Π. Π., «ΠΠΏΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠ΅ ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡΠ²Π° ΠΎΡΡΠ°ΠΆΠ°ΡΠ΅Π»ΡΠ½ΡΡ ΡΠ°Π±Π»ΠΎΠ½ΠΎΠ²», ΠΠ»Π΅ΠΊΡΡΠΎΠ½Π½ΡΠΉ ΠΆΡΡΠ½Π°Π» ΠΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ Π² Π ΠΎΡΡΠΈΠΈ, 3, 496−498, 2000. http://zhurnal.mipt.rssi.ru/articles/2000/037.pdf
- Π’ΡΡΠ½ΠΈΠ½ Π.Π., ΠΠ°Π²ΡΠΈΡΠ΅Π² Π. Π., " ΠΡΠΏΠΎΠ»ΡΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΡΠΎΡΠΎΡΠ΅ΡΡΠ°ΠΊΡΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»Π° ΠΈ ΠΎΡΡΠ°ΠΆΠ°ΡΠ΅Π»ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠ°Π±Π»ΠΎΠ½Π° Π² 193-Π½ΠΌ ΡΠΎΡΠΎΠ»ΠΈΡΠΎΠ³ΡΠ°ΡΠΈΠΈ «, ΡΡΠ΅Π½Π΄ΠΎΠ²ΡΠΉ Π΄ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½ΡΠ΅ΡΠ΅Π½ΡΠΈΠΈ, ΠΏΠΎΡΠ²ΡΡΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ 30-Π»Π΅ΡΠΈΡ Π°ΡΠΏΠΈΡΠ°Π½ΡΡΡΡ ΠΠ°ΡΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π¦Π΅Π½ΡΡΠ° Π³. ΠΠ΅Π»Π΅Π½ΠΎΠ³ΡΠ°Π΄Π°, Π³. ΠΠ΅Π»Π΅Π½ΠΎΠ³ΡΠ°Π΄ (ΠΠΎΡΠΊΠ²Π°), 2000 Π³.
- Π. Gower: High resolution image projection using phase conjugation mirrors, Int. J. Optoelectron., Vol. 4, No 6, pp. 501−518 (1989).
- M. C. Gower: Phase Conjugation at 193 nm, Optics Letters, Vol. 9, No 2, pp. 70−72 (1983).26. «ΠΡΠ½ΠΎΠ²Ρ ΠΎΠΏΡΠΈΠΊΠΈ», M. ΠΠΎΡΠ½, Π. ΠΡΠ»ΡΡ, Π., 1974 Π³.
- D. Cole: Derivation and Simulation of Higher Numerical Aperture Scalar Aerial Images, Jpn. J. Appl. Phys., Vol 31, No 12B, pp. 41 104 119 (1992).28. «ΠΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Π€ΡΡΡΠ΅-ΠΎΠΏΡΠΈΠΊΡ», Π. ΠΡΠ΄ΠΌΠ΅Π½, Π. ΠΠΈΡ, 1790 Π³., 364 Ρ.
- Issues and Non-issues on a 193 nm Step-and-Scan system in production, SPIE Proc., Vol. 4000, pp. 460−471 (2000).
- New projection optical system for beyond 150 nm patterning with KrF and ArF sources, SPIE Proc., Vol. 3334, pp. 414−422.
- ΠΠ°ΠΏΠΎΠ½ΠΎΠ² Π‘.Π., «ΠΠΈΡΠΎΠ³ΡΠ°ΡΠΈΡ Π½Π° Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ 13 Π½ΠΌ», ΠΠ΅ΡΡΠ½ΠΈΠΊ ΡΠΎΡΡΠΈΠΉΡΠΊΠΎΠΉ Π°ΠΊΠ°Π΄Π΅ΠΌΠΈΠΈ Π½Π°ΡΠΊ, Ρ. 73, № 5, Ρ. 392 (2003).
- SPIE Proc., vol. 2253, p. 394 (1994)36. «ΠΠΏΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡΡΠΎΡΠ½Π½ΡΠ΅ ΠΏΡΠΈΡΠΎΠ΄Π½ΡΡ ΠΈ ΡΠ΅Ρ Π½ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ ΡΡΠ΅Π΄», Π. Π. ΠΠΎΠ»ΠΎΡΠ°ΡΠ΅Π², 1984 Π³.
- R. DeJule: Lithography: 0.18 Π»Ρ and beyond, Semiconductor International (1998, February) pp.54−60.
- K. Lewotsky: OE magazine (2001, March) 21.
- The International Technology Roadmap for Semiconductor. Lithography (SIA, 1999).
- About SIA (http://www.semichips.org/about/index.html, 2000).
- P. Rai-Choudhury: Handbook of microlithography, micromachining and microfabrication, vol. 1: Microlithography (1997).
- Y. Nishi: Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology (2000).47. 193 nm lithography on a full field scanner, SPIE Proc., vol. 3679, pp. 278−289.48. «ΠΠΏΡΠΈΠΊΠ°», Π. Π‘. ΠΠ°Π½Π΄ΡΠ±Π΅ΡΠ³, M. ΠΠ°ΡΠΊΠ°, 1976 Π³., 928Ρ.
- J. Feinberg: Self-pumped, continuous-wave phase conjugation using internal reflection, Optics Letters, Vol. 7, No 10, pp. 486−488 (1982).
- J. Feinberg: Photorefractive unlinear optics, Physics Today (1988, October) pp. 46−54.
- ΠΠ΅ΡΠ΅Π΄ΠΎΠ² Π.Π., ΠΠ΅ΠΎΠ½ΡΠΊ Π. Π. «Π ΠΎΡΡ ΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡΠΎΡΡΠ΅ ΡΠ²ΠΎΠΉΡΡΠ²Π° KMgF3», ΡΡΠ΅Π½Π΄ΠΎΠ²ΡΠΉ Π΄ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ 10-ΠΉ Π½Π°ΡΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½ΡΠ΅ΡΠ΅Π½ΡΠΈΠΈ ΠΏΠΎ ΡΠΎΡΡΡ ΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΎΠ², 2002 Π³., http://www.crys.ras.ru/nccg7REPORTS/npvll .html
- St. Braun et. al.: Mo /Si-multilayers for EUV applications prepared by Pulsed Laser Deposition (PLD), Microelectronic Engineering 57−58 (2001), pp. 9−15.
- St. Braun et. al.: Mo /Si-multilayers with different barrier layers for applications as extreme ultraviolet mirrors, Jpn. J. Appl. Phys., vol. 41, No 6B, Part 1, pp. 4074−4081 (2002).
- Π£Π‘Π Π»ΠΈΡΠΎΠ³ΡΠ°ΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠ°Ρ ΡΡΡΠ°Π½ΠΎΠ²ΠΊΠ° ΡΠΎΠ²ΠΌΠ΅ΡΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΈ ΡΠΊΡΠΏΠΎΠ½ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ.