Исследование электронных локальных центров в цинкосульфидных кристаллофосфорах электрофотографическим методом
Диссертация
Недавно найден способ перевода несенсибилизируемых iqpa-сителями сульфидов h nCd в эффективно сенсибилизируемые путем легирования их иновалентной примесью и создания тем самым в запрещенной зоне этих фотопроводников системы дополнительных локальных центров. В работахпоказано, что легированный ионами хлора IflS удается затем сенсибилизировать различными гасителями к видимому и близкому ИК… Читать ещё >
Содержание
- ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
- 1. 1. Оптические свойства сульфида цинка
- 1. 2. Люминесцентные свойства сульфида цинка
- 1. 3. Фотоэлектрические свойства сульфида цинка
- 1. 4. Электрофотографические свойства сульфида цинка
- ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
- ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ
- 2. 1. Приготовление образцов
- 2. 2. Установка для изучения электрофотографических свойств слоев и кристаллов ы и InS’CdS
- 2. 3. Установка для изучения спектров свечения и оптического тушения люминесценции кристалло-фосфоров и кристаллов InS
- 2. 4. Установки для изучения фотопроводимости и конденсаторной фото-ЭДС порошкообразных кристал-лофосфоров InS
- 2. 4. 1. Установка для изучения фотопроводимости порошкообразных фотопроводников InS
- 2. 4. 2. Установка для изучения конденсаторной фото- эдс InS -фосфоров
- 2. 5. Установка для изучения заполненных локальных энергетических уровней в высокоомных фотопроводниках
- 2. 6. Установка для изучения уровней прилипания в ы методом термостимулированных токов (ТСТ). 76 2.6.1. Ячейка для измерения ТСТ в поликристаллических образцах
- ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2
- ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКГРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА В СЛОЯХ НА ОСНОВЕ ZnS -ФОСФОРОВ И КРИСТАЛЛАХ СУЛЬФВДА ЦИНКА
- 3. 1. Электрофотографические характеристики слоев на основе цинксульфидных кристаллофосфоров
- 3. 2. Темновая релаксация начального потенциала сульфидных ЭФ слоев и кристаллов InS
- 3. 3. Кинетики фоторазряжения ЭФ слоев и кристаллов ZnS
- 3. 4. Влияние предварительного облучения ЭФ слоев и кристаллов ZnS видимым и ИК светом на начальный потенциал и его релаксацию
- ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3
- ГЛАВА 4. СПЕКТРАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИХ СЛОЕВ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОФОСФОРОВ ZnS. ИЗ
- 4. 1. Спектры люминесценции ы -фосфоров
- 4. 2. Спектры фотопроводимости, конденсаторной фото-ЭДС и электрофотографической чувствительности слоев ZnS
- 4. 3. Спектры ИК гашения люминесценции и фотопроводимости ЭФ слоев на основе ZnS
- 4. 4. Спектры локальных электронных состояний в запрещенной зоне сульфида цинка
- 4. 5. Полные спектры локальных электронных состояний в запрещенной зоне несенсибилизируемого и сенсибилизируемого красителями IflS
- ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ
- ГЛАВА 5. ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОшОТОГРАФИЧЕСКОй
- ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ СЛОЕВ InS В БЛИЖНЕЙ ИК ОБЛАСТИ СПЕКТРА
- 5. 1. Сенсибилизация электрофотографической чувствительности слоев InS с помощью Ж излучения
- 5. 2. Изопотенциальные кривые электрофотографического процесса на InS. Отклонение от закона взаимо-заместимости
- 5. 3. Регистрация ИК излучения с помощью электрофотографических слоев ZnS
- ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 5
Список литературы
- шок М. В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. М., «Наука», 1964, 284 с.
- Антонов-Романовский В. В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. М., «Наука», 1966, 323 с.
- ГУрвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М., «Высшая школа», 1971, 336 с.
- Лашкарев В.Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. Киев,"Наукова думка", 1981, 264 с.
- Гренишин С.Г. Электрофотографический процесс. М., «Наука», 1970, 375 с.
- Гайдялис В.И., Маркевич Н. Н. Монтримас Э.А. Физические процессы в электрофотографических слоях ы. Вильнюс, 1968,367 с.
- Шафферт Р. Электрофотография. М., «Мир», 1968, 447 с.
- H.P.Kallmann, J. Rennert, M.Sidran. Infrared photography using, persistent internal polarization in phosphors plates. Infrared Phys., 1961, v. I, Ho. I, p.58 66.
- E.Wainer. Phosphor-type photoconductive coatings for continuous tone electrostatic electrophotography. Photogr.Eng., 1952, v.3, Ho. I, p.12 22.
- Ю. P.K.C.Pillai, S.K.Agarwal, P.K.Uair. ZnCdS Ag binder layers as applied to charge transfer electrophotography. Photo-gr. Sci. and Eng., 1976, v.20, No.6, p.256 — 260.
- Гренишин С.Г., Черкасов Ю. А. Исследование абсолютного квантового выхода внутреннего фотоэффекта в высокоомных полупроводниках.Физ.тверд.тела, 1964, т.6, № 9, с. 2831 2836.
- Черкасов Ю.А., Крейтор Л. Г. Экситонное поглощение света и квантовый выход фотопроводимости в аморфных аналогах кристаллических структур селена. Физ. тверд, тела, 1974, т.16, Ш, с. 2407 -2410.
- Гренишин С.Г., Черкасов Ю. А. и др. Структура и электрофотографическая чувствительность полисопряженных систем.- В сб.: I Всесоюзн. конф. по бессеребряным и необычным фотографическим процессам. Киев, 1972, с. 41.
- Демидов К.Б., Акимов И. А. Энергетический спектр заполненных локальных состояний в микрокристаллах окиси цинка электрофотографического слоя. -Журн. научн. и прикл. фотогр. и кине-матогр., 1977, т. 22, № I, с. 66 67.
- Akimov I.A., Demidov К.В. Overall spectrum, of local electronic levels in ZnO and AgHal sensitized layers. In: Int. Congr. of Photogr. Sci., 1978, p. 59 — 60.
- Акимов И.А. Создание условий для спектральной сенсибилизации фотопроцессов в твердых телах красителями. Докл. АН СССР, 1980, т. 251, М, с. 135 138.
- Акимов И.А. Функции локальных центров фотопроводника в акте спектральной сенсибилизации.-Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1980, т. 25, Ш, с. 228 230.- ТТ YT
- Физика и химия соединений, А В. Под ред. С. А. Медведева. М., ИЛ, 1970, 624 с. 20 .Saksena B.D. The piezoelectric constant of zinc sulfide. Phys. Rev., 1951″ v. 81, No. 6, p. 1012 IOI5.
- Browne P.P. Luminescence of the sulphide phosphors. J. Electronics, 1956, v. 2, p. 154 165.
- Кюри Д. Люминесценция кристаллов. М., ИЛ, 1961, 199 с. 25. шок М. В. Ширина запрещенной зоны и эффективный заряд иона в кристаллической решетке Z (lS. Физ.тверд.тела, 1963, т.5, № 6, с. 1489−1493.
- Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. М., ИЛ, 1961,304 с.
- Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М., «Мир», 1973, 456 с.
- G.Klinghirn, H.Hang. Optical properties of highly excited direct gap semiconductors. Phys.Repts., 1981, v. TO, Ho.5, p.315 398.
- Шалимова К.В. Фотолюминесценция сублимат-фосфоров сульфида и селенида цинка. Докл. АН СССР, 1951, т.80, 4, с.587−590.
- J.P.Hall. Optical properties of zinc sulphide and cadmium sulphide in the ultraviolet. J.Opt.Soc.Amer., 1956, v.46, No.12, p. IOI3-IOI5.
- C.K.Coogan. The measuremet of the optical properties of zinc sulphide. Proc.Phys.Soc., 1957, v.70B, Ко.9, p.845−861.
- Власенко H.A. Исследование спектра собственного поглощения сернистого цинка. Опт. и спектр., 1959, т.7, № 4,c.5II-5I7.
- Гросс Е.Ф., Суслина Л. Г. Монокристаллы ы и спектры их края поглощения при низких температурах. Опт. и спектр.1959,т. 6, № I, с. 115 117.
- Гросс Е.Ф., Суслина Л. Г., Комаровских К. Ф. Исследованиеспектров поглощения кристаллов сернистого цинка. Опт. и спектр., I960, т.8, '№ 4, с. 516−520.
- Гросс Е.Ф., Оуслина Л. Г. Исследование поглощения и люминесценции монокристаллов ItlS и ZflSe . Изв. АН СССР.Сер. физ., 1961, т.25, № 4, с. 532−533.
- Арапова Э.Я. Свечение самоактив! фованного цинксульфид-ного сублиматфосфора. Опт. и спектр., 1962, т.13,№ 3,с. 416−420.
- Шалимова К.В., Морозова Н. К. К вопросу о природе поглощения сульфида цинка. Изв.вузов. Физика, 1964,№ 2,с. 98−104.
- Соболев В.В. Спектры отражения и поглощения кристаллов группы А1:ВУ1. Опт. и спектр., 1965, т. 18,№ 5,с.813−819.
- M.Cardona, G.Harbeke. Optical properties and band structure of wurtzite-type crystals and rutile. Phys.Rev., 1965, v. I3T, Ho.5A, p. I467-I4T6.
- Милославский B.K., Набойкина E.H., Киян Т. С. Влияние структурных нарушений на оптические свойства тонких слоев ItlS в районе края собственного поглощения.Физ. и техн.полупр., 1967, т.1, № 5, с. 629−637.
- Пийр К.Ю., Ребане К.С.-К. О пр1фоде краевого поглощения InS и Sn02 .Журн. прикл. спектр., 1971, т.15, № 5, с.837−842.
- P.Eckelt, O.Madelung., J.Ireusch. Band structure of cubic ZnS (Korringa-Kohn-Rostoker method). Phys.Rev.Letters, 1967, v.18, Ho.16, p.656−658.
- Брумберг E.M., Пекерман Ф. М. Новый метод исследования спектров поглощения кристаллофосфоров. Изв. АН СССР.Сер. физ., 1949, т.13, № 2, с. 218−223.
- Антонов-Романовский В. В. Определение коэффициента поглощения порошковых фосфоров. ЖЭТФ, 1954, т. 26,№ 4, с. 459−472.45eP.P.Brovme. Infrared luminescence of zinc and cadmiumsulphide phosphors. J. Electronics, 1956, v.2, Ко. I, pp. I I6, 95 — 97.
- Apple E.F., Prener J.S. On the infrared emission in ZnS-Cu-effeet of sulfur pressure and aluminium. J.Phys. Chem. Solids, I960, v. 13, Ho.1−2, p.81−87.
- Potter R.M., Aven M., Kastner J. Optical measurements on ZnS-Cu, produced by neutron irradiation of ZnS. J. Elecro-chem. Sac., 1962, v.109, Ко.12, p.1154−1162.
- Broser J., Franke K.-H. Erzeugung ultraroter kupfer1. Cezentren in ZnS durch kernzerfall von Zn. J.Phys. and Chem. Sol., 1965, v.26, Ко.6, p.1013−1020.
- Broser J., Maier H.-J., Schulz H. Fine structure ofp. the infrared absorption and emission spectra of Cu in ZnS and CdS crystals. Phys. Rev., 1965, v.140, Ко. бА, p. A2I35 -A2I38.
- Birman I.L. Electronic structure of the centres in ZnS. Phys.Rev., v.121, 1961, Ко. I, p.144 145.
- McClure D.S. Optical spectra of exchange-coupled Mn44″ ion pairs- in ZnS: MnS. J. Chem. Phys:., 1963, v.39, Ко. II, p.2850−2855.
- Рыскин А.И., Хилько Г. И., Максаков Б. И., Дубенский К. К. Спектр поглощения иона Мп^~ в монокристаллах IflS . Опт. и спектр., 1964, т.16, № 2, с. 274−278.
- Freeouf J.L. Far-ultraviolet reflectance of II-YI compounds and correlation with the Penn-Phillips gap. Phys.Rev.В: Solid State, 1973, v.7, Ho.8, p.3810 3830.
- Соболев В.В., Донецких В. И., Загайнов Е. Ф. Прямая и1. У1прецизионная регистрация экситонов кристаллов групп, А В и АШВУ при температурах комнатной и жидкого азота. Физ. и техн. полупр., 1978, т.12, № 6, с.1089−1098.
- Георгобиани А.Н., Фридрих X. Исследование зонной структуры сульфида цинка методом термоотражения. Физ. тверд, тела, 1970, т.12, № 4, с. 1086−1090.
- Walter. J.P., Cohen М.Ь. Calculation of the reflectivity, modulated reflectivity and band structure of GaAs, GaP, ZnSe and ZnS. Phys.Rev., 1969, v.183, No.3, p.763 772.
- Курганский С.И., Фарберович О. В., Домашевская Э. П. Зон1. У1ная структура соединений, А В .
- Расчет МОПВ методом и интерпретация. II. Влияние Й -состояний металла. Физ. и техн. полупр., 1980, т.14, № 7, с.1315−1323- I4I2-I4I5.
- Eckelt P. Energy band structures of cubic ZnS, ZnSe, ZnTe and CdTe (Korringa-Kohn-Rostoker method). Phys.Stat.Sol., 1967, v.23, Ho. I, p.307−312.
- Piper W.W. Some electrical and optical properties of synthetic single crystals of zinc sulfide. Phys.Rev., 1953, v.92, Ho. I, p.23−27.
- Czyak S.J., Baker W.M. Crane R.C., Howe J.B. Refractive indices of single synthetic zinc sulfide and cadmium sulfide crystals. J.Opt.Soc.Amer., 1957', v.47, И0.3″ p.240−246.
- Jfy-лаков М.П., Фадеев А. В. Показатели преломления ы. InSe и CdS в инфракрасной области. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1980, т. 16, И, с. 159−160.
- Пихтин А.Н., Яськов А. Д. Дисперсия коэффициента преломления света в полупроводниках со структурой алмазаи цинковой обманки. Физ. и техн. полупр., 1978, т. 12, № 6, с. 1047−1053.
- Лёвшин В.Л. Фотолюминесценция жидких и твердых тел. М., Гостехиздат, 1951, 456 с.
- Жиров Н.Ф. Люминофоры (светящиеся твердые составы).!., Оборонгиз, 1940, 447 с.
- Адирович Э.И. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов. М., Гостехиздат, 1951, 350 с.
- Соколов В.А., Горбань А. Н. Люминесценция и адсорбция. М., «Наука», 1969, 187 с.
- Верещагин И.К. Электролюминесценция кристаллов. М., «Наука», 1974, 280 с.
- Марковский Л.Я., Пекерман Ф, П., Петошина Л. Н. Люминофоры. М.-Л.,"Химия", 1966, 232 е.- Казанкин О. Н., Марковский Л. Я., М1фонов И.А. и др. Неорганические люминофоры. Л., «Химия», 1975, 192 е.- Люминофоры. Каталог.- Внешторгиздат, 1975, 160 с.
- Гольдман А.Г., Жолкевич Г. А., Лазарь Н. П., Дудник В. П. Исследование электролюминесценции сублимированных пленок ы Изв. АН СССР. Сер. физ., 1966, т. ЗО, № 4, с. 593−598.
- Калинкин И.П., Алесковский В. Б., Симашкевич А. В. Эпи1. ТТ УТтаксиальные пленки соединений, А АВ> А. Л., изд-во Ленингр. ун-та, 1978, 310 с.
- Левшин В.Л., Арапова Э. Я., Блажевич А. И. и др. Исследование катодолюминесценции цинксульфидных и некоторых других катодолюминофоров. Труды ФИАН СССР, 1963, т. 23, с. 64−135.
- Г^рвич A.M. Рентгенолюминофоры и рентгеновские экраны. М., «Атомиздат», 1976, 152 с.
- Деркач В.П., Корсунский В. М. Электролюминесцентные устройства. Киев, «Наукова думка», 1968, 302 с.
- Hurwitz С.Е. Efficient ultraviolet laser emission in electronbeam excited ZnS.AppL.Phys .Lett., 1966, v.9, lIo.-3,p.Il6-II8.
- Левшин В.Л., Митрофанова H.B., Тимофеев Ю. П., Фридман С. А., Щаенко В. В. Применение кристаллофосфоров для регистрации электромагнитных излучений. Труды ФИАН СССР, 1972, т.59,с.64−123.
- Тимофеев Ю.П., Фридман С. А. Люминесцентные приемники прямого видения полей ИК-излучения. Изв. АН СССР. Сер. физ., — 189 -1981, т.45, № 2, с. 296−301.
- Wawilow S.I. Uber die abklingyngsgesetze der umkenrba-ren lmiineszenzzeisc&eimmgeii. PfcLys. Zs. Sowjetunion, 1934 > Bd. 5, H.3, p.369−378.
- Гурвич A.M. Развитие представлений о химической природе центров свечения цинксульфидных люминофоров. Усп. химии, 1966, т. 35, № 8, с. 1495−1526.
- Крёгер Ф. Химия несовершенных кристаллов. М., «Мир», 1969,
- Букке Е.Е., Вознесенская Т. И., Фок М, В. и др. Применение обобщенного метода Аленцева для анализа спектра сине-голубой люминесценции InS. Тр. ФИАН СССР, 1972, т. 59, с. 25−37.
- Илюхина З.П., Панасюк Е. И., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. Приготовление кристаллов сульфида цинка и природа центров голубого свечения самоактив1фованного IflS . Тр. ФИАН СССР, 1972, т. 59, с. 25 37.
- Фок М. В. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы цри помощи обобщенного метода Аленцева. Тр. ФИАН СССР, 1972, т. 59, с. 3−24.
- Голубева Н.П., Фок М.В. Связанная с кислородом люминесценция «беспримесного» сульфида цинка. Дурн. црикл. спектр., 1972, т.17, № 2, с. 261−268.
- Антипова-Каратаева И.И., Голубева Н. П., Фок М. В. Спектральное исследование центров люминесценции с помощью обобщенного метода Аленцева. Изв. АН СССР, Сер. физ., 1973, т. 37, № 2,1. С. 410−414.
- Голубева Н.П., Фок М.В. К вопросу о природе люминесценции самоактивированного IflS. Ж. прикл. спектр., 1975, т. 23, № 4, с. 638 642.
- Лепнев Л.С., Туницкая В. Ф. Инфракрасная фотолюминесценция самоактивированного сульфида цинка. Ж. прикл. спектр., 1982, т. 36, № 1, с. 40 42.
- Бундель А.А., ЗгУсанова А.И. Некоторые вопросы химии сульфидных люминофоров. Матер. V Совещ. по люминесценции. Тарту, 1957, с. 30−41.
- ГУрвич A.M., ГУтан В.Б., Ильина М. А. 0 природе глубоких центров свечения в InS -фосфорах, активированных серебром и медью. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1971, т.35, № 7, с. 1467 1469.
- Kroger P.A., Hellingman J.E. Chemical proof of the presence of chlorine in blue fluorescent sine sulfide. J. Electro-chem. Soc., 1949, v.95, Ho.2, p.68−69.
- Kroger P.A., Hellingmann J.E., Smit N.W. The fluorescence of zinc sulfide activated with copper. Physica, 1949, v. 15, No. II—12, p.990−1018.
- Kroger P.A. The physical chemistry of sulfide phosphors. Brit. J. Appl. Phys., 1955, Suppl. No.4, p. 58 64.
- ГУрвич A.M. К вопросу о влиянии плавня на оптические свойства цинксульфидных люминофоров. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1961, т. 25, № 3, с. 4II-4I4.
- Клемент Ф.Д. Процессы образования кристаллофосфоров и некоторые методы их изготовления. Изв. АН Эст.ССР. Сер.техн. и физ. -мат. наук, 1956, т. 5, № 1, с. 3 II.
- Гурвич A.M. Некоторые вопросы физической химии кристаллофосфоров. Изв. АН СССР. Сер.физ., 1981, т.45, № 2, с. 283−289.
- Фок М. В. Исследование структурных неоднородностей кристаллов типа InS. Изв. АН СССР, Сер. физ., 1981, т.45, № 2,с. 279 282.
- Гурвич A.M., Ильина М. А. Желтая и красная люминесценция InS~Си люминофоров, подученных в присутствии кислорода. Опт. и спектр., 1966, т. 21, М, с. 67 — 75.
- Марковский JI.Я., Холоденко Н. С. О влиянии препаративных факторов на стабильность центров красного свечения люминофоров IflS’Си . Ж. прикл. спектр., 1970, т.2,№ 6, с.1053−1060.
- ГУрвич A.M., Измайлов Ш. Л., Катомина Р. В. и др. Влияние температуры формирования InS -фосфоров на их люминесцентные свойства при разных способах возбуждения. Ж. прикл. спектр., 1981, т.34,И, с. 105 НО.
- Chow b.W., Kwok. Н. Ъ. Си S/Cd Zn, s and Си S/Cd&bdquo-Zn, л if л у x—у
- S, CdS tMn film solar cells using chemically sprayed film. J. Phys. D: Appl.Phys., 1981, v.14, No.3, p.463−469.
- Дрозд Л., Левшин В. Л. Исследование состава излучения неактивированных фосфоров InS-CdS при изменении температуры. Опт. и спектр., 1961, т. 10, № 6, с. 773 779.102. behmann W. Emission spectra of impurity activated (Zn, Cd) (S, Se, Те) phosphors.
- X. Copper activated phosphors. J. Electrochem.- Soc., 1966, v. II3, N0.5, p.449 455.1. Silver activated phosphors. J-. Electrochem. Soc., 1966, v. II3, N0.8, p.788 792.
- I. Self-activated phosphors. J. Elrctrochem. Soc., 1967, v. II4, No. I, p.83−87.
- Gross G.J. Dependence of the forbidden gap and luminescence ground-state energies of (Zn, Cd) S:Ag on the concentration of CdS. Phys.Rev., 1959, v.116, No.6, p. I478-I480.
- Власенко H.A., Коновец H.K. Получение пленок твердых растворов ltlxCdpxS и исследование влияния состава на их свойства. Укр. физ. журн., 1969, т. 14, № 9, с. 1578 1580.
- Буланый П.Ф., Власенко Н. А., Ермолович И. Б. и др. Люминесцентные свойства смешанных монокристаллов Inxfy-xS .Опт. и спектр., 197I, т. 30, № 2, с. 299 305.
- Гордиенко Ю.Н., Коджеспиров Ф. Ф., Петренко В. И. Фотолюминесценция активированных медью 1фисталлов ltlxCd^xS. Ж.прикл. спектр., 1978, т. 29, № 3, с. 466 469.
- Kroger P.A. luminescence and absorption of zincsul-fidea, cadmiumaulfidea and their solid solutions. Physica, 1940, No.7, pJ-7.
- Арапова Э.Я., Воронов Ю. В., Левшин В. Л. и др. Исследование ультрафиолетового излучения неактивированного сульфида цинка. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1966, т. 30,'№ 0, с. 1490 1493.
- Воронов Ю.В. Ультрафиолетовая люминесценция сульфида цинка при электронном и оптическом возбуждении. Тр. ФИАН СССР, 1973, т. 68, с. 3 94.
- НО. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М., ИЛ, 1962,558 с.
- Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М., «Мир», 1966, 192 с.
- Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., 1963, 494 с.
- Мосс Т., Патли Е. Фотопроводимость.М.,"Наука", 1967, 156 с.
- Davis Е. А-, bind E.L. Physical properties of mixed single crystals of CdS and ZnS. J.Phys.Chem.Sol., 1968, v.29, No. I, p.19−90.- 193
- Власенко Н. А. Коновец Н.К. Исследование инфракрасного и температурного гашения люминесценции и фотопроводимости zn CdT s-cu, c1. X х *&trade-х
- Укр. физ. журн., 1972, т. 17, № 10, с. 1590−1599.
- Раммо И., Юрма Э. ИК стимуляция фотопроводимости монокристаллов ZnS-Cu .- Изв. АН Эст. ССР, Физ., мат., 1975, т. 24, № 2, с. 195 200.
- Tabei М., Shionoya S. Mechanism of infrared stimulation and quenching in ZnS: Cu, Al phosphors. J. Luminescence, 1977, v. 15, Ho. 2, p. 201 215.
- Jacobsen G. Infrared enhancement and quenching of photoconductivity in sulfur- annealed single crystals. Physica, 1977, Но. 92B, p. 293 299.
- Парицкий Л.Г., Рывкин С. М. Исследование «нелинейных» процессов релаксации фотопроводимости при наличии уровней прилипания. -Физ. тверд, тела, 1961, т. 3, № 8, с. 2245 2258.
- Бугриенко В.И., Деньга Э. М. Кинетика фотопроводимости де-возбужденных кристаллов сульфида цинка.-Физ. и техн. полупр., 1969, т. 3, № 9, с. 1438- Деньга Э. М. Авторефетат канд. диссертации. Одесса, ОГУ, 1969.
- Bube R.H., Barton L.A. The achievment of maximum photoconductivity performance in cadmium sulphide crystals. RCA Rev., 1959, v.20, Ho.4, p.564 568.
- Bube R.H., Young B. Dependence of conductivity gain on photon energy in CdS: I:Cu crystals. J.Appl.Phys., 1964, v.35, Ho.2, p.462 463.
- Kang C.S., Phipps B.P., Bube R.H. Photoelectronic processes in ZnS single crystals. Phys.Rev., 1967, v.156,Ho.3,998.
- Rose A. Recombination processes in insulators and aemiconductors:. Phys.Rev., 1955, v.97, Ho.2, p.322−333.
- Тале И.А. и др. О механизме рекомбинационных процессов в сульфиде цинка. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1966, т. 30, № 9, с. 1560−1562.
- Рыбкин С.М. Эффекты оптической перезарядки в полупроводниках. Матер. II Всесоюзн. совещ. по фотоэлектрич. явлениям в полупр. Киев, 1963, с. 38.
- Ермолович И.Б., Коновец Н. К. Особенности рекомбинационных процессов в твердых растворах lnxC(tfxS ~Си, С1. Укр. физ. журн., 1973, т. 18, № 5, с. 803−809.
- Singh- V.P., Singh S. Some physical properties of ZnCdS solid solutions. Czech. J. Phys., 1976, V. B26, Ho.10, p"Il6l-Il66.
- Schaffert R.M., Williams D.I., Walkup I.E. Quarterly progress Repts, Ho.4−8, 1949−1950, pp.374, 460, 515, 585, 663. Battele Memorial Inst. Signal Corps. Contr. Uo. W 36−039, SC -36 851 (ATI 178 565, 178 566, 209 056, 207 837).
- Joung C.J., Greig K.G. Electrofax-direct electropto-tographic. printing on paper. RCA Rev., 1954, v.15, Ho.4,p.469−483.
- Kallmann H. Патент США, 2 845 348, 1952.
- Chapman D.W., Stryker P.J. A hinder-type plate for charge-transfer Electrophotography. Photogr. Sci. and Eng., 1967, v. II, Ho. I, p.22 — 21.
- Фридкин В.М. Электрофотография на фотоэлектретах.Кристаллография, 1957, т. 2, № 1, с. 130−135.
- Kallmann Н., Rosenberg Б. Persistent internal polarization. Phys.Rev., 1955, v.97, No.6, p.1595 I6IO.
- Kallmann ff., Rennert J. Persistent internal polarization and ite application. Symposium on Role of Solid State Phenomena in Electric. Circuits. Politechnic Institute of Brooklyn, 1957, pp. 325 326.
- Kallmann H.P., Rennert J. Data storage and display with polarized phosphors. Electronics, 1959, v.32, No.35,p.39 41.
- Kallmann H., Rennert J., Sidran M. A photographic, process using persistent internal polarization in phosphors. Photogr. Sci. and Eng., I960, v.4, No.6, p. 345 353.
- Kallmann H.P., Rosenberg B. Devices exhibiting, persistent Internal polarization and methods of utilising the same.
- Патент США, цо. 3 005 707, 24-Ю. 1961.
- Kallmann Н., Rennert J. Application of inorganic phos-phora to infrared photography. J. Opt. Soc. Amer., 1958, v.48, No. II, p.812 815.
- Kallmann H.P., Rennert J., Burgas J. Optical display of latent persistant internal polarization Images produced with, infrared and visible radiation. Photogr.Sci. and Eng., 1962, v.6, No.2, p.65 70.
- Фридкин B.M., Желудев И. С. Фотоэлектреты и электрофотографический процесс. М., изд-во АН СССР, I960, 208 с.
- Фридкин В.М. Физические основы электрофотографического процесса. М.-Л., «Энергия», 1966, 288 с.
- Ковальский П.Н., Шнейдер А. Д. Фотоэлектретный эффект в полупроводниках. Львов, «Вшца школа», 1977, 150 с.
- Pillai P.K.C., Agarwal S.K., Roy К.К. Surface charge decay characteristics of photoconductivity hinder layers. J. Electrochem. Soc., 1977, v.124, Но. З, P-4I7 420.
- Pillai P.K.C., Pillai O.K., Mendiratta R.G. Effects of different binders on electrophotographic characteristics of ZnCdS: Cu. «T.Ellectrostatics, 1979, v.6, Ho.3, p.289 293.
- Гайдялис В., Жиндулис A., Юревичус Д. Исследование электрофотографических слоев сульфидов цинка-кадмия. Матер. II Все-союзн. конф. по бессеребр. и необычн. фотогр. процессам. Кишинев, 1975, с. 37−39.
- J57. Borsenberger, P.M., Chowdry A., Hoesterey D.C., Mey W. An aggregate organic photoconductor. II Photoconduction properties. J.Appl.Phys., I97B, v.49, Ho. H, p.5555 5564.
- Williams R., Willis A. Electron multiplication and surface charge on zinc oxide single crystals. J.Appl.Phys., 1968, v.39, Ho.8, p.37/31 3736.
- Sonnonstine I.J., Perlman M.M. Surface-potential decay in insulators with field-dependent mobility and injection efficiency. J.Appl.Phys., 1975″ v.46, Ho.9, p.3975 3981.
- Van Seggern H. A new model of isothermal charge transport for negatively corona- charged Teflon, J. Appl. Phys», 1979, v* 50, Но. II, p. 7039 7043.
- Williams R., Woods M.H. High electric fields in silicon dioxide produced by corona charging. J. APP1. Phys., 1973, v.44, Ho. 3, P. 1026 1028.
- Kern W., Comizzoli R.B. Hew methods for detecting structural defects in glass passivation films. J. Vac. Sci. Tech-nol., 1977, v. 14, Ho. I, p. 32 39.
- Акимов И.А., Черкасов Ю. А., Черкашин М. И. Сенсибилизированный фотоэффект. М., «Наука», 1980, 384 с.
- Ковалев Б.А., Ведёхин А. Ф., Шикунова С. Т., Хайдукова А. К. К вопросу о возможности создания низковольтных электролюминесцентных конденсаторов.-Тр.ВНИИ люминофоров. Ставрополь, 1971, в.5,с.67−70.
- Мандругин В.А., Савухина Т. А., Филатова Л. А. и др. Исследование люминофоров типа ЭЛС.- Тр. ВНИИ люминофоров. Ставрополь, 1971, в. 5, с. 46 50.
- Повхан Т.И., Демидов К. Б., Акимов И. А. Ячейки для исследования электрофизических свойств порошкообразных полупроводников. Приборы и техн. эксперим., 1974, № 3, с. 217 218.
- Шишловский А.А. Прикладная оптика. М., Физматгиз, 1961, 656 с.
- Демидов К.Б. Автореферат канд. диссертации, Л., Г0И, 1973.
- Мешков A.M., Акимов И. А. Установка для изучения контактной разности потенциалов, конденсаторной Ф.Э.Д.С. и фотопроводимости высокоомных полупроводников.- Приборы и техн. эксперим., 1964, в. 3, с. 181 185.
- Повхан Т.И., Акимов И. А. Исследование локальных уровней в электрофотографической окиси цинка методом эффекта поля.
- Ж.научн. и прикл. фотогр. и кинематорг., 1973, т.18,И, с.49−51.
- Демидов К.Б., Акимов И. А. Энергетический спектр заполненных локальных состояний в микрокристаллах окиси цинка электрофотографического слоя. Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинема-тогр., 1977, т. 22, № 1, с. 66 67.
- Титов А.В., Демидов К. Б. Спектр инфракрасной электрофотографической чувствительности JnS’Cu' и ZriS’CdS’Cu кри-сталлофосфоров. Журн. научн. и прикл. фотогр и кинематогр., 1979, т. 24, № 6, с. 442 — 444.
- Демццов К.Б., Акимов И. А. Термостимулированная проводимость поликристаллических слоев kg J и м, сенсибилизированных красителями. Физ. и техн. подупр., 1968, т. 2, Jf°2,c.2I0−2I5.
- Нщше! W., Herritzen H.J., Rose A. An approach, to intrinsic zinc oxide. Helf.Phys.Acta, 1957, v-30, Ho.6, p.495 503.
- Гайдялис В.И., Монтримас Э. А., Поцюс З. В. Кинетика спада потенциала электрофотографических слоев окиси цинка в темноте. Ж. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1968, т. 13, № 3, с. 186 191.
- Gobrecht Н., Hofmann D. Spectroscopy of traps by fractional glow technique. J.Phys.Chem.Sol., 1966, v.27, No.3, p. 509 522.
- Бугриенко В.И., Деньга Э. М., Соколова Т. К., Титов А. В. Электрофотографические процессы в сульфиде цинка. В сб.^'Физические основы электрофотографии", Вильнюс, 1969, с.53−54.
- Бугриенко В.И., Деньга Э. М., Титов А. В. Электрофотографические процессы, основанные на управляемой предварительным де-возбуждением фоточувствительности сульфида цинка. Труды Между-народн. Конгр. по фотогр. науке. М., 1970, с. 134−137.
- Гольдман А.Г., Проскура А. И. О природе эффекта ГУдцена-Поля. Докл. АН СССР, 1963, т.150, № 3, с. 519−522.
- Виноцуров Л.А., Фок М.В. Определение глубины электронных ловушек в фосфорах на основе ItlS по вспышке под действием ИК-света. Опт. и спектр. 1961, т. 10, № 3, с.374−378.
- Halperin А., Arbell Н.- Excitation spectra and temperature dependence of tlie luminescence of ZnS single crystals. Phys.Rev., 1959, v.113, N0.5, p. I2l6 1221.
- Савихин Ф.А. Запасание энергии кристаллофосфором InS-Cu цри фото- и у -облучении. Тр. ИФА АН Эст. ССР, 1972, т.41, с. 79−98.
- Ребане К.-С. К. Влияние концентрации меди на некоторые спектральные свойства фосфора IriS-ClL, CI. Тр. ИФА АН Эст. ССР, I960, т. 12, с. 67−76.
- Акимов И.А., Мешков A.M. Определение знака заряда носителей фототока конденсаторным методом. Докл. АН СССР, 1965, т.162, № 2, с. 306−309.
- Титов А.В., Демидов К. Б. Спектроскопия локальных поверхностных состояний в кристаллофосфорах lflS~Cu .Опт. и спектр., 1981, т.50, № 2, с. 400−403.
- Melamed И.(П. Zinc sulfide Infrared quenching phosphors. J.ELectrochem.Soc., 1950, v.97, Ho. I, p.33 39.
- Левшин В.Л., Рыжиков Б. Д. Влияние размеров натуральных и раздробленных кристаллов на люминесценцию цинксульфидных фосфоров. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1961, т. 25, № 3, с.362−364.
- Broaer J., Reichardt M. Uber den einflus. der durck druckzerstorung erzeugten gitterfehlstellen and die lumines-zens von ZnS-pliospliQ.ren. Z.Phys., 1953, 134, 2, p.222 244.
- Хоружий В.Д., Стыров В. В., Соколов В. А. Превращения центров свечения на поверхности IflS «Си -фосфоров. Журн.прикл. спектр., 1976, т. 24, №б, с. 845−850 .
- Волькенштейн Ф.Ф., Соколов В. А. и др. Роль поверхности в явлениях люминесценции и радикало-рекомбинационная люминесценция в полупроводниках. Изв. АН СССР. Сер. физ., т. 37, М, с. 855−859.
- ГУрвич A.M. Исследование процессов взаимного превращения центров свечения цинк-сульфидных люминофоров. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1966, т. 30, М, с. 644−648.
- Киселев В.Ф., Крылов О. В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. М., «Наука», 1979, 234 с.
- Гурвич A.M., Катомина Р.В. Термодинамический анализ образования дефектов в люминесцирующих кристаллах IrtHl и
- H.Samelson, Lempicki A. Fluorescence of cubic ZnS: Cl crystals. Phys.Rev., 1962, v.125, No.3, p"90I 909.
- Георгобиани A.H., Маев P.Г., Озеров Ю. В., Струмбан Э. Е. Исследование глубоких уровней в монокристаллах сульфцда цинка. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1976, т. 40, № 9, с. 1979−1983.
- Бочков Ю.В., Георгобиани А. Н., Чилая Г. С. Электролюминесценция и некоторые электрические характеристики однородных монокристаллов сульфида цинка. Труды ФИАН СССР, 1970, т. 50, с. 60−91.
- Singh S. Thermally stimulated current curves in ZnS: Gu, Co photoconductor. Indian J. Pure and Appl. Phys., 1974, v. I2, Uo.3, p.185 187.
- Георгобиани A.H., Озеров Ю. В., Фридрих X. Исследова1. У1ние формы экситонных линий соединений, А В. Физ. тверд. тела, 1973, т. 15, МО, с. 2986−2991.
- Акимов И.А., Бенца В. М., Спесивых А. А. Исследование связи между эффективностью спектральной сенсибилизации и взаимным расположением электронных энергетических уровней красителя и полупроводника. Докл. АН СССР, 1978, т. 242, № 5,с. 1100 -1105.
- Nelson R.C. Photoconductivity of some cyanine dyes. J. Opt. Soa. Amar ., 1956, v.46, No. I, p. IO-I3.
- Акимов И.А. Исследование природы акцептора энергии в процессе спектральной сенсибилизации.- В сб.: Спектроскопия фотопревращений в молекулах. Л., «Наука», 1977, с. 239.
- Акимов И.А. Спектральная сенсибилизация красителями фотоэлектрической чувствительности окислов металлов. Ж. физ. химии, 1979, т. 53, № 4, с. 1042−1043.
- Демидов К.Б., Титов А. В., Акимов И. А. Полные спектры локальных электронных уровней в несенсибилизируемом и сенсибилизируемом красителями фотопроводнике. Ж. научн. и прикл. фо-тогр. и кинематогр., 1981, т. 26, № 5, с. 375−377.
- Гольдман А.Г., Жолкевич Г. А. Стимулированные токи и электролюминесценция. Киев, «Наукова думка», 1972, 197 с.
- Garllck G.E., Gibson A.F. The electron trap mechanism of luminescence in sulphide and silicate phosphors. Proc.Phys. Soc., 1948, A60, 6, Ho.342, p.574−590.
- Харциев B.E. 0 теории термостимулированного тока. В кн.:Физика тверд, тела. Т. I, М.-Л., изд-во АН СССР, 1959, с. 104−109.
- Белоус В.М., Бугриенко В. И., Деньга Э. М., Титов А. В., Пащенко Г. А. Уменьшение выхода рекомбинационной люминесценциии фотографические процессы в твердых телах. Матер. XIX Совещания по люминесценции (кристаллофосфоры), Рига, 1970, с.23−24.
- Нюнько Л.И. Авт. свид. № I6873I, Кл. 15к, 1965.
- Cassiers P.M. Memory effects in electrophotography. J.Photogr.Sci., 1962, v. IO, Ho.2, p.57−68.
- Матулёнис А.Ю., Вищакас Ю. К. Отклонение от закона взаимозаместимости в фотодиэлектриках. Лит. физ. сб., 1964, т. 4, № 1, с. 95−101.
- Гайдялис В.И. Изопотенциальные кривые электрофотографических слоев Ы . Ш. научн. и прикл. фотогр и кинематогр., 1968, т. 13, № 2, с. 89−94.
- Kostelec J. Reciproslty law failure in ZnO and Se. J.Appl.Phys., I960, v. 31, Ho.2, p.441−442.
- Подвигалкин М.П. О связи фотоэлектрических характеристик электрофотографического слоя с характеристиками продольного фотосопротивления. Опт. и спектр., I960, т. 8, И, с. 146−148.
- Jaenicke W., Lorenz В. Halbtonverfahren und Schwarz-ungskurve der Elektrophotographie, Ztachr. f. Elektrochemie, 1961, 65, 6, p.493 498.
- Гренишин С.Г., Захарова Н. Б., Черкасов Ю. А. Взаимо-заместимость в электрофотографии. Ж. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр., 1967, т. 12, № 3, с. 179−186.
- Принощу глубокую благодарность доктору физико-математических наук профессору И. А. Акимову за огромный труд по руководству диссертационной работой, постоянное внимание к ней и большую практическую помощь автору на всех этапах ее выполнения.
- Я искренне признателен кандидату физико-математических наук К. Б. Демидову за помощь в постановке экспериментов, совместное изучение ряда вопросов, обсуждение полученных результатов и неизменную дружескую поддержку.
- Благодарю также кандидата физико-математических наук А. М. Мешкова, других сотрудников лаборатории за помощь при выполнении данной работы.